JPH0421819A - 光―光変換素子 - Google Patents
光―光変換素子Info
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- JPH0421819A JPH0421819A JP2126316A JP12631690A JPH0421819A JP H0421819 A JPH0421819 A JP H0421819A JP 2126316 A JP2126316 A JP 2126316A JP 12631690 A JP12631690 A JP 12631690A JP H0421819 A JPH0421819 A JP H0421819A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
-
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表示装置、撮像装置及び光コンピュータなど
に好適な光−光変換素子にかかるものであり、特に、二
つの情報に対する光〜光変換についての改良に関するも
のである。
に好適な光−光変換素子にかかるものであり、特に、二
つの情報に対する光〜光変換についての改良に関するも
のである。
［従来の技術］
従来の光−光変換素子としては、例えば第４図に示すも
のがある。これは、特願平１−７１１７１号として出願
されたものである。同図において、透明電極５０．５２
間には、光導電層５４゜光変調層５６が各々積層して形
成されている。そして、透明電極５０．５２間には、適
宜の駆動電圧５８が印加されている。
のがある。これは、特願平１−７１１７１号として出願
されたものである。同図において、透明電極５０．５２
間には、光導電層５４゜光変調層５６が各々積層して形
成されている。そして、透明電極５０．５２間には、適
宜の駆動電圧５８が印加されている。
情報の書込み光は、矢印Ｆ５０方向から情報を含む書込
み光を照射することによって行なわれる。すなわち、書
込み光の強度に応じて光導電層５４の導電率が変化し、
書き込むべき情報に対応する電荷像が形成される。
み光を照射することによって行なわれる。すなわち、書
込み光の強度に応じて光導電層５４の導電率が変化し、
書き込むべき情報に対応する電荷像が形成される。
書き込まれた情報の読出しは、矢印Ｆ５２のように読出
し光を透過させることによって行なわれる。光変調層５
６は、書込み情報に対応して形成された電荷像による電
界が作用しており、かかる電界の強度に応じて光変調が
行なわれる状態にある。このため、読出し光は、光変調
層５６において書込み情報に対応する光変調を受けるこ
ととなり、光−光変換が行なわれる。
し光を透過させることによって行なわれる。光変調層５
６は、書込み情報に対応して形成された電荷像による電
界が作用しており、かかる電界の強度に応じて光変調が
行なわれる状態にある。このため、読出し光は、光変調
層５６において書込み情報に対応する光変調を受けるこ
ととなり、光−光変換が行なわれる。
し発明が解決しようとする課題］
しかしながら、以上のような従来技術において、異なる
二つの情報を同時に扱うような場合には光−光変換素子
を二つ用意する必要があり、読出し画像の合成などの操
作が必要となる。
二つの情報を同時に扱うような場合には光−光変換素子
を二つ用意する必要があり、読出し画像の合成などの操
作が必要となる。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、同時に二
つの画像を扱うことができる簡便な先光変換素子を提供
することをその目的とするものである。
つの画像を扱うことができる簡便な先光変換素子を提供
することをその目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、書込み光の入射によって光導電層に情報の書
込みが行なわれ、光変調層において前記書込み情報に応
じた読出し光の変調が行なわれる光−光変換素子におい
て、前記光変調層の各面側に光導電層が各々形成された
ことを特徴とするものである。
込みが行なわれ、光変調層において前記書込み情報に応
じた読出し光の変調が行なわれる光−光変換素子におい
て、前記光変調層の各面側に光導電層が各々形成された
ことを特徴とするものである。
［作用］
本発明によれば、光導電層が光変調層の両面側に各々形
成され、各光導電層においてそれぞれ情報の書込みが行
なわれる。光変調層に入射した読出し光は、双方の書込
み情報に対応する変調を受ける。
成され、各光導電層においてそれぞれ情報の書込みが行
なわれる。光変調層に入射した読出し光は、双方の書込
み情報に対応する変調を受ける。
［実施例］
以下、本発明にかかる光−光変換素子の一実施例につい
て、添付図面を参照しながら説明する。
て、添付図面を参照しながら説明する。
〈第１実施例〉
最初に、第１図及び第２図を参照しながら、本発明の第
１実施例について説明する。第１図において、透明電極
１０．１２の間には、第１光導電層１４．光変調層１６
．及び第２光導電層１８が、その順で積層して形成され
ている。そして、透明電極１０．１２間には、適宜の駆
動電源２０が接続されている。
１実施例について説明する。第１図において、透明電極
１０．１２の間には、第１光導電層１４．光変調層１６
．及び第２光導電層１８が、その順で積層して形成され
ている。そして、透明電極１０．１２間には、適宜の駆
動電源２０が接続されている。
以上の各部のうち、透明電極１０．１２は、例えばＩＴ
Ｏなどによって形成されている。また、光導電層１４．
１８は、Ｐ Ｖ Ｋ （Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｃａｒ
ｂｏｚｏｌｅ） 、アゾ系感光体、フタロシアニンなど
の有機感光体、ＢＳＯなとの透明な電気光学結晶、アモ
ルファスシリコンなどによって形成されている。更に、
光変調層１６は、例えば、ニオブ酸リチウムなどの電気
光学結晶、複屈折性を示すＴＮ型液晶、あるいは散乱モ
ードで動作する高分子液晶分散膜などによって形成され
ている。
Ｏなどによって形成されている。また、光導電層１４．
１８は、Ｐ Ｖ Ｋ （Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｃａｒ
ｂｏｚｏｌｅ） 、アゾ系感光体、フタロシアニンなど
の有機感光体、ＢＳＯなとの透明な電気光学結晶、アモ
ルファスシリコンなどによって形成されている。更に、
光変調層１６は、例えば、ニオブ酸リチウムなどの電気
光学結晶、複屈折性を示すＴＮ型液晶、あるいは散乱モ
ードで動作する高分子液晶分散膜などによって形成され
ている。
次に、第１光導電層１４に対して情報の書込みを行なう
第１書込み光ＲＩＯは、矢印ＦＩＯから光−光変換素子
に入射するようになっている。また、第２光導電層１８
に対して情報の書込みを行なう第２書込み光Ｒ１２は、
矢印Ｆ１２から先光変換素子に入射するようになってい
る。更に、光変調層１６に対して情報の読出しを行なう
読出し光Ｒ１４は、第２図に示す矢印Ｆ１４ （又はそ
の逆）から光−光変換素子に入射するようになっている
。
第１書込み光ＲＩＯは、矢印ＦＩＯから光−光変換素子
に入射するようになっている。また、第２光導電層１８
に対して情報の書込みを行なう第２書込み光Ｒ１２は、
矢印Ｆ１２から先光変換素子に入射するようになってい
る。更に、光変調層１６に対して情報の読出しを行なう
読出し光Ｒ１４は、第２図に示す矢印Ｆ１４ （又はそ
の逆）から光−光変換素子に入射するようになっている
。
第１光導電層１４は、第１書込み光ＲＩＯに対しては高
感度であるが、読出し光Ｒ１４に対しては低感度で透明
となるように光学的特性が設定されている。第２光導電
層１８は、第２書込み光Ｒ１２に対しては高感度である
が、読出し光Ｒ］４に対しては低感度で透明となるよう
に光学的特性が設定されている。
感度であるが、読出し光Ｒ１４に対しては低感度で透明
となるように光学的特性が設定されている。第２光導電
層１８は、第２書込み光Ｒ１２に対しては高感度である
が、読出し光Ｒ］４に対しては低感度で透明となるよう
に光学的特性が設定されている。
次に、以上のような第１実施例の作用について説明する
。なお、以下の説明では、光変調層１６自体にメモリ性
がないものと仮定している。
。なお、以下の説明では、光変調層１６自体にメモリ性
がないものと仮定している。
光−光変換素子の書込み、読出し駆動時には、駆動電源
２０の電圧が透明電極１０．１２間に印加される。この
状態で、第１図に示すように、第１及び第２の各書込み
光ＲＩＯ，Ｒ１２が光−光変換素子に照射される。第１
及び第２の光導電層１４．１８は、第１及び第２の各書
込み光の強度分布に応じて電気抵抗値が変化し、光変調
層１６との界面に第１及び第２の各書込み光の強度分布
、すなわち書き込むべき情報に対応した電荷像が各々形
成される。
２０の電圧が透明電極１０．１２間に印加される。この
状態で、第１図に示すように、第１及び第２の各書込み
光ＲＩＯ，Ｒ１２が光−光変換素子に照射される。第１
及び第２の光導電層１４．１８は、第１及び第２の各書
込み光の強度分布に応じて電気抵抗値が変化し、光変調
層１６との界面に第１及び第２の各書込み光の強度分布
、すなわち書き込むべき情報に対応した電荷像が各々形
成される。
次に、情報の読出し時には、第２図に示すように、読出
し光Ｒ１４が光−光変換素子に照射される。第１光導電
層１４は読出し光Ｒ１４に対して透明であるので、読出
し光Ｒ１４は第１光導電層１４を透過して光変調層１６
に入射する。この光変調層１６には、上述した情報書込
みによって形成された電荷像による電界が各々作用して
いる。
し光Ｒ１４が光−光変換素子に照射される。第１光導電
層１４は読出し光Ｒ１４に対して透明であるので、読出
し光Ｒ１４は第１光導電層１４を透過して光変調層１６
に入射する。この光変調層１６には、上述した情報書込
みによって形成された電荷像による電界が各々作用して
いる。
このため、読出し光Ｒ１４は、作用電界に応した光変調
、すなわち二つの書込み情報に応じた光変調を受けて光
変調層】６から出力されることになる。
、すなわち二つの書込み情報に応じた光変調を受けて光
変調層】６から出力されることになる。
光変調層Ｉ６を透過した読出し光Ｒ１４は、第２光導電
層１８に入射する。この第２光導電層１８も読出し光Ｒ
１４に対して透明であるので、読出し光Ｉ＜１４は第２
光導電層１８を透過し、光−光変換素子から出力される
こととなる。
層１８に入射する。この第２光導電層１８も読出し光Ｒ
１４に対して透明であるので、読出し光Ｉ＜１４は第２
光導電層１８を透過し、光−光変換素子から出力される
こととなる。
以上のように、この実施例によれば、光変調層の両面の
双方から情報が書込まれる。このため、例えば所望の装
置に光−光変換素子を組込んだ後に、光−光変換素子の
向きを変更するなどの操作を容易に行なうことができる
。また、二つの情報に対して、ＡＮＤ （論理積）、Ｏ
Ｒ（論理和）の演算を行なうことも可能となる。
双方から情報が書込まれる。このため、例えば所望の装
置に光−光変換素子を組込んだ後に、光−光変換素子の
向きを変更するなどの操作を容易に行なうことができる
。また、二つの情報に対して、ＡＮＤ （論理積）、Ｏ
Ｒ（論理和）の演算を行なうことも可能となる。
〈第２実施例〉
次に、第３図を参照しながら、本発明の第２実施例につ
いて説明する。なお、上述した第１実施例と同様又は相
当する構成部分には、同一の符号を用いることとする。
いて説明する。なお、上述した第１実施例と同様又は相
当する構成部分には、同一の符号を用いることとする。
この第２実施例では、第２光導電層３０の光学特性が、
第２書込み光Ｒ１２に対しては高感度であるが、読出し
光Ｒ１６に対しては反射して鏡となるように設定されて
いる。その他は、上述した第１実施例と同様である。
第２書込み光Ｒ１２に対しては高感度であるが、読出し
光Ｒ１６に対しては反射して鏡となるように設定されて
いる。その他は、上述した第１実施例と同様である。
次に、この第２実施例の作用について説明する。情報の
書込みについては、上述した第１実施例と同様である（
第１図参照）。次に、情報の読出し時には、第３図に矢
印Ｆ１６で示すように読出し光Ｒ１，６が光−光変換素
子に照射される。この読出し光Ｒ１，６は、第１実施例
と同様にして光変調層１６に入射し、ここで書込み情報
に応じた変調を受けて第２光導電層３０側に出力される
。
書込みについては、上述した第１実施例と同様である（
第１図参照）。次に、情報の読出し時には、第３図に矢
印Ｆ１６で示すように読出し光Ｒ１，６が光−光変換素
子に照射される。この読出し光Ｒ１，６は、第１実施例
と同様にして光変調層１６に入射し、ここで書込み情報
に応じた変調を受けて第２光導電層３０側に出力される
。
しかし、この第２実施例では、第２光導電層３０が読出
し光Ｒ１６に鏡面として作用するので、読出し光Ｒ１６
は反射されて光−光変換素子の入射側に出力されること
となる。この実施例においても、上述した第１実施例と
同様の効果を得ることができる。
し光Ｒ１６に鏡面として作用するので、読出し光Ｒ１６
は反射されて光−光変換素子の入射側に出力されること
となる。この実施例においても、上述した第１実施例と
同様の効果を得ることができる。
〈他の実施例〉
なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えば、各部の材料、形状など必要に応して適宜
設定してよい。情報の書込みは、必ずしも同時でなくも
よい。
なく、例えば、各部の材料、形状など必要に応して適宜
設定してよい。情報の書込みは、必ずしも同時でなくも
よい。
前記実施例において、情報の消去は、透明電極１．０．
１２間を短絡して光導電層１４．、］８に適宜の光照射
を行なうようにすればよい。また、情報の書込みと読出
しを同時に行なうようにしてもよい。
１２間を短絡して光導電層１４．、］８に適宜の光照射
を行なうようにすればよい。また、情報の書込みと読出
しを同時に行なうようにしてもよい。
電源２０として交流を使用する場合には、情報の書込み
と読出しを同時に行なうようにする。このときは、情報
の書込みを停止することによって、情報の消去が行なわ
れる。また、前記実施例では、光変調層１６にメモリ性
がないものと仮定したが、メモリ性がある場合には、駆
動電源として交流、直流のいずれも使用することができ
、同時又は個別に情報の書込み、読出しを行なうように
する。この場合の情報の消去は、光変調層として高分子
一液晶複合膜が使用されている場合は熱の印加、ＰＬＺ
Ｔが使用されているときは強電界の印加１強誘電体性液
晶が使用されているときは逆電界などの印加を行なうよ
うにすればよい。
と読出しを同時に行なうようにする。このときは、情報
の書込みを停止することによって、情報の消去が行なわ
れる。また、前記実施例では、光変調層１６にメモリ性
がないものと仮定したが、メモリ性がある場合には、駆
動電源として交流、直流のいずれも使用することができ
、同時又は個別に情報の書込み、読出しを行なうように
する。この場合の情報の消去は、光変調層として高分子
一液晶複合膜が使用されている場合は熱の印加、ＰＬＺ
Ｔが使用されているときは強電界の印加１強誘電体性液
晶が使用されているときは逆電界などの印加を行なうよ
うにすればよい。
かかる情報の消去において、いずれか一方の情報のみを
消去して書換えるようにしてもよい。
消去して書換えるようにしてもよい。
また、例えば、書込み光、読出し光は、光−光変換素子
に対して面照射してもよいし、ビーム走査を行なうよう
にしてもよい。このように、光−光変換素子の駆動方法
、すなわち情報の書込み、読出し、消去の方法も、前記
実施例に限定されず所望の種々の方法で行なってよい。
に対して面照射してもよいし、ビーム走査を行なうよう
にしてもよい。このように、光−光変換素子の駆動方法
、すなわち情報の書込み、読出し、消去の方法も、前記
実施例に限定されず所望の種々の方法で行なってよい。
本発明において、光には、可視、赤外、紫外以外の波長
域の電磁波であっても、同様の作用を奏する限り含まれ
る。
域の電磁波であっても、同様の作用を奏する限り含まれ
る。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明にかかる光−光変換素子に
よれば、光変調層の両面の各々に対して光導電層を設け
ることとしたので、簡便な手法でつの画像を扱うことが
できるという効果がある。
よれば、光変調層の両面の各々に対して光導電層を設け
ることとしたので、簡便な手法でつの画像を扱うことが
できるという効果がある。
１ ［コ
第１図及び第２図は本発明にかかる光−光変換素子の第
１実施例を示す説明図、第３図は本発明の第２実施例を
示す説明図、第４図は従来例を示す説明図である。 １０．１．２・・・透明電極、１４．１８．３０・・・
光導電層、１６−・・光変調層、２０・・・駆動電源、
Ｒ１０，Ｒ１２・・・書込み光、Ｒ１４，Ｒ１６・・・
読出し光。 特許出願人 日本ビクター株式会社
１実施例を示す説明図、第３図は本発明の第２実施例を
示す説明図、第４図は従来例を示す説明図である。 １０．１．２・・・透明電極、１４．１８．３０・・・
光導電層、１６−・・光変調層、２０・・・駆動電源、
Ｒ１０，Ｒ１２・・・書込み光、Ｒ１４，Ｒ１６・・・
読出し光。 特許出願人 日本ビクター株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 書込み光の入射によって光導電層に情報の書込みが行な
われ、光変調層において前記書込み情報に応じた読出し
光の変調が行なわれる光−光変換素子において、 前記光変調層の各面側に光導電層が各々形成されたこと
を特徴とする光−光変換素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126316A JPH0421819A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光―光変換素子 |
| US07/700,475 US5227902A (en) | 1990-05-16 | 1991-05-15 | Spatial light modulator with a photoconductor on each side of a light modulation layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126316A JPH0421819A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光―光変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421819A true JPH0421819A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14932172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126316A Pending JPH0421819A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光―光変換素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5227902A (ja) |
| JP (1) | JPH0421819A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2284902A (en) * | 1993-09-23 | 1995-06-21 | Sharp Kk | Integrated electro-optical liquid crystal device and methods of using such a device. |
| EP0645825B1 (en) * | 1993-09-23 | 2001-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated electro-optical liquid crystal device and method of using such a device |
| EP0762370A3 (en) * | 1995-08-02 | 1998-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for display apparatus including an optical modulation device |
| CN102483548B (zh) * | 2009-07-15 | 2015-12-16 | 英国国防部 | 包括光电调制器的每一面上的两个光电导层的光学寻址光阀 |
| US8525943B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-09-03 | The Secretary Of State For Defence In Her Brittanic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Optically addressed light valve |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58190922A (ja) * | 1982-05-01 | 1983-11-08 | Ricoh Co Ltd | Ｐｌｚｔライトバルブ |
| JPS63110416A (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光画像素子 |
| JPS63116119A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光画像素子 |
| FR2610735A1 (fr) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | Thomson Csf | Compensateur de dynamique optique autoadaptatif et son utilisation dans une chaine optique d'imagerie radiologique |
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1990
- 1990-05-16 JP JP2126316A patent/JPH0421819A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-15 US US07/700,475 patent/US5227902A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5227902A (en) | 1993-07-13 |
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