JPH01213620A - 光−光変換素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は撮像装置や光書込み投影装置などに好適な光−
光変換素子に関する。

（従来の技術） 光学像を入力し、出力としても光学像が出力できるよう
に構成されている光−光変換素子としては、例えば液晶
型光度開場、光伝導電性ポッケルス効果素子、マイクロ
チャンネル型光変調器などのような空間変調素子、ある
いはフォトクロミック材を用いて構成された素子という
ように各種の構成形態のものが、例えば、光書込み投影
装置、光コンピュータの光並列処糧のための素子、画像
の記録用の素子などとして従来から注目されて来ており
、また、本出願人会社では光−光変換素子を用いた高解
像度の撮像装置についての提案も行っている。

第２図は従来の光−光変換素子の構成例を示す側断面図
であり、この第２図に示されている光−光変換素子にお
いて１，２はガラス板、３，４は透明電極、５，６．１
１は端子、７は光導電層、１２は遮光層、８は誘電体ミ
ラー、９は印加された電界の強度分布に応じて光の状態
を変化させる光学部材（例えば、ニオブ酸リチウム単結
晶のような光変調材層、あるいはネマチック液晶層）、
ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光、ＥＬは消去光である
。

第２図に示す光−光変換素子において、それの端子５，
６間に電源１０と切換スイッチＳＷとからなる回路を接
続し、切換スイッチＳＷにおける切換制御信号の入力端
子１１に供給された切換制御信号により、切換スイッチ
ＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ側に切換えた状態にし、
前記した透明電極３．４間に電源１０の電圧を与えて、
印加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させ
る光学部材（例えば、ニオブ酸リチウム単結晶のような
光変調材層、あるいはネマチック液晶層）９の両端間に
電界が加わるようにしておき、また、光−光変換素子に
おけるガラス板１側から書込光ＷＬを入射させて、その
入射した書込み光ＷＬをガラス板１と透明電極３とに透
過させて光導電層７に到達させると、光導電層７の電気
抵抗値はそれに到達した入射光による光学像と対応して
変化するために、光導電層７と遮光層１２との境界面に
は光導電層７に到達した入射光による光学像と対応した
電荷像が生じる。

また、前記のように切換スイッチＳＷの可動接点が固定
接点ＷＲ側に切換えられている状態において、電源１０
の電圧が端子５，６を介して印加されている透明電極１
，２間に、前記した光導電層７に対して遮光層１２と誘
電体ミラー８などとともに直列的な関係に設けられてい
るニオブ酸リチウム単結晶のような光変調材層（あるい
はネマチック液晶層）９には、光導電層７と遮光層１２
との境界面に前記のように書込み光によって生じている
電荷像と対応した強度分布の電界が加わるために、ガラ
ス板２側から入射した読出し光ＲＬは前記した光変調材
層９の電気光学効果により、光変調材層９に加わる電界
強度に応じた画像情報を含んでいる状態の反射光となっ
て、ガラス板２側から出射する。

そして、前記のようにガラス板２側に投射され、透明電
極４→光変調材層９→誘電体ミラー８→遮光層１２のよ
うに進行して行く読出し光ＲＬの内で誘電体ミラー８で
反射されなかった光は遮光層１２により光導電層７側に
は進行しないように遮光されるために、読出し光ＲＬが
ガラス板２側に投射されても、それにより光導電層７の
電気抵抗値が変化するようなことはないから、読出し光
ＲＬの投射によっても光導電層７と遮光層１２との境界
面に入射光による光学像と対応して生じている電荷像を
変化させることがない。

ところで、前記した第２図示の光−光変換素子では、書
込み光ＷＬにより光−光変換素子に書込まれた情報を消
去するのに、前記した切換スイッチＳＷにおける切換制
御信号の入力端子１１に切換制御信号を供給して切換ス
イッチＳｗの可動接点を固定接点Ｅ側に切換え、光−光
変換素子における端子５，６の電位を同じにして透明電
極３゜４間に電界が生じないようにしてから、書込み光
ＷＬの入射側とされている前記したガラス板１側から−
様な強度分布の消去光ＥＬを入射させることにより、前
記した消去光ＥＬをガラス板１と透明電極３とを介して
光導電層７に与え、光導電層７の電気抵抗値を低下させ
た状態にして光導電層７と遮光層１２との境界面に生じ
ていた電荷像を消去させるようにしていた。

このように、第２図示の従来の光−光変換素子において
、既に書込まれている情報の消去を行う際に用いられる
消去光の入射側が書込み光ＷＬの入射側と同じにされて
いるのは、読出し光ＲＬの入射側と光導電層７どの間に
は遮光層１２があるために、読出し光ＲＬが入射される
側から消去光を入射させたところで、その消去光は前記
した遮光層１２で阻止されてしまって光導電層７には到
達し得す、したがって、読出し光ＲＬが入射される側か
ら消去光を入射させたところで、光導電層７と遮光層１
２との境界面に生じている電荷像を消去できないからで
ある。

前記の点は、例えば、書込み光ＷＬが入射される側に撮
像光学系を設けることが必要とされているような構成の
撮像装置、その他、書込み光ＷＬが入射される側に消去
光の入射装置を設けることが困難な事情のある構成態様
の装置に、光−光変換素子が用いられる際に大きな問題
になる。

前記の問題点を解決できる光−光変換素子として１本出
願人会社では先に第３図に示すような構成の光−光変換
素子、すなわち、ガラス板１と透明電極３と、光導電層
７と、読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させうるような波長選択性を有す
る光学部材８Ｒと、印加された電界の強度分布に応じて
光の状態を変化させる光学部材９と、透明電極４と、ガ
ラス板２とを積層してなる光−光変換素子を提案した。

第３図において１，２はガラス板、３．４は透明電極、
５，６は端子、７は光導電層であり、また、８Ｒは読出
光の波長域の光を反射させるとともに、消去光の波長域
の光を透過させうるような波長選択性を有する光学部材
であって、この光学部材８Ｒとしては例えば５ｉ０２の
薄膜とＴｉＯ２の薄膜との多層膜によるダイクロイック
・フィルタによって構成させたものが使用できる。

また、９は印加された電界の強度分布に応じて光の状態
を変化させる光学部材（例えば、ニオブ酸リチウム単結
晶のような電気光学効果結晶、あるいはネマチック液晶
層によって構成させた光学部材）であり、図中でＷＬは
書込み光、ＲＬは読出し光、ＥＬは消去光をそれぞれ示
している。

第４図は、前記した読出光の波長域の光を反射させると
ともに、消去光の波長域の光を透過させうるような波長
選択性を有する光学部材８Ｒの波長選択性を例示した曲
線図であり、第４図において第４図の（ａ）に示されて
いる特性を有する光学部材８Ｒは光学的帯域消去濾波器
として構成されていることを表わしており、また、第４
図の（ｂ）に示されている特性を有する光学部材８Ｒは
光学的高域通過濾波器として構成されていることを表す
しており、さらに、第４図の（ｃ）に示されている特性
を有する光学部材８Ｒは光学的帯域通過濾波器として構
成されていることを表わしており、さらにまた第４図の
（ｄ）に示されている特性を有する光学部材８Ｒは光学
的帯域消去濾波器として構成されていることを表わして
いる。

すなわち、第３図に示されている既提案の光−光変換素
子において、それの構成部分の一部として使用されてい
る光学部材８Ｒ１すなわち、読出光の波長域の光を反射
させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうるよ
うな波長選択性を有する光学部材８Ｒは、第４図の（ａ
）〜（ｄ）に波長選択特性が例示されているような波長
選択性を有する光学部材８Ｒが使用できるのである。

第４図の（ａ）〜（ｄ）に例示されているような波長選
択特性を有する光学部材８Ｒを備えている既提案の光−
光変換素子においては、それに入射させるべき読出し光
として光学部材８Ｒにおける光の透過率の低い波長領域
の光を用い、また、それに入射させるべき消去光として
は光学部材８Ｒにおける光の透過率の高い波長領域の光
を用いるのであり、それにより、既提案の光−光変換素
子においては読出し光の入射側から消去光を入射させる
ようにすることを可能にしたのである。

第３図に示されている構成を有する既提案の光−光変換
素子に光学的な情報の書込みを行う場合には、前記した
第２図示の光−光変換素子の場合と同様に、光−光変換
素子の端子５，６に電！ｌ［１０と切換スイッチＳｗと
からなる回路を接続し、切換スイッチＳＷにおける切換
制御信号の入力端子１１に供給された切換制御信号によ
り、切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ側に切
換えた状態にし、前記した透明電極３．４間に電ＭｌＯ
の電圧を与えて、光導電層７の両端間に電界が加わるよ
うにしておいて、光−光変換素子におけるガラス板１側
から書込光ＷＬを入射させると光−光変換素子に対する
光学的情報の書込みが行われるのである。

すなわち、前記のように光−光変換素子に入射した書込
み光ＷＬがガラス板１と透明電極３とを透過して光導電
層７に到達すると、光導電層７の電気抵抗値がそれに到
達した入射光による光学像と対応して変化するために、
光導電層７と光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反射
させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうるよ
うな波長選択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面には
光導電層７に到達した入射光による光学像と対応した電
荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子か
ら再生するのには、切換スイッチＳＷの可動接点を固定
接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源１０の電圧が端
子５，６を介して透明電極１，２間に印加されている状
態にしておいて、ガラス板２側より図示されていない光
源からの一定の光強度の読出し光ＲＬを投射することに
よって行うことができる。

すなわち、既述のように入射光による光情報の書込みが
行われた光−光変換素子における光導電層７と光学部材
８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去
光の波長域の光を透過させつるような波長選択性を有す
る光学部材８Ｒ）との境界面には光導電層７に到達した
入射光による光学像と対応した電荷像が生じているから
、前記した光導電層７に対して光学部材８Ｒとともに直
列的な関係に設けられている光学部材９（例えばニオブ
酸リチウム単結晶９）には、入射光による光学像と対応
した強度分布の電界が加わっている状態になされている
。

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶９の屈折率は
電気光学効果により電界に応じて変化するから、入射光
による光学像と対応した強度分布の電界が加わっている
状態に前記した光導電層７に対して光学部材８Ｒととも
に直列的な関係に設けられているニオブ酸リチウムの結
晶９の屈折率は、既述した入射光による光情報の書込み
により光−光変換素子における光導電層７と光学部材８
Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去光
の波長域の光を透過させつるような波長選択性を有する
光学部材８Ｒ）との境界面に光導電層７に到達した入射
光による光学像と対応して生じた電荷像に応じて変化し
ているものになる。

それで、ガラス板２側に読出し光ＲＬが投射された場合
には、前記のようにガラス板２側に投射された読出し光
ＲＬが、透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→光学
部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとともに、
消去光の波長域の光を透過させつるような波長選択性を
有する光学部材８Ｒ）→のように進行して行く。

前記した読出し光ＲＬは読出光の波長域の光を反射させ
るとともに、消去光の波長域の光を透過させうるような
波長選択性を有する光学部材８Ｒによって反射してガラ
ス板２側に反射光として戻って行くが、ニオブ酸リチウ
ム単結晶９の屈折率は電気光学効果によって電界に応じ
て変化するから、読出し光ＲＬの反射光はニオブ酸リチ
ウム単結晶９の電気光学効果によりニオブ酸リチウム単
結晶９に加わる電界の強度分布に応じた画像情報を含む
ものとなって、ガラス板２側に入射光による光学像に対
応した再生光学像を生じさせる。

前記した再生動作においてガラス板２側から投射された
読出し光ＲＬは、既述のように、透明電極４→ニオブ酸
リチウム単結晶９→光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光
を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させ
うるような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）→のよう
に光導電層７の方に進行して行くが、前記の読出し光は
それが光導電層７に到達する以前に前記の光学部材８Ｒ
（読出光の波長域の光を反射させるとともに、消去光の
波長域の光を透過させうるような波長選択性を有する光
学部材８Ｒ）によって反射されることにより、ニオブ酸
リチウム単結晶９→透明電極４→ガラス板２のような光
路を辿るから、前記した読出し光ＲＬが光導電層７に到
達して書込まれた入射光による電荷像に悪影響を与える
ようなことはない。

このように、既提案の光−光変換素子では、ガラス板１
側から書込み光ＷＬを入射させることにより書込み動作
が行われ、また、ガラス板２側に読出し光ＲＬを入射さ
せることにより光学像の再生が行われるが、次に、第３
図示の既提案の光−光変換素子に書込まれた情報の消去
法について説明すると次のとおりである。

第３図示の既提案の光−光変換素子に書込まれた情報を
消去する場合には、光−光変換素子の端子５，６間に接
続されている切換スイッチＳＷにおける切換制御信号の
入力端子１１に供給された切換制御信号により、切換ス
イッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換えた状態に
し、前記した透明電極３，４間を電気的に短絡して透明
電極３゜４を同電位にし、光導電層７の両端間に電界が
加わらないようにしてから、光−光変換素子におけるガ
ラス板２側から消去光ＥＬを入射させるのである。

前記のように光−光変換素子のガラス板２側に入射した
消去光ＥＬは、ガラス板２→透明電極４→ニオブ酸リチ
ウム単結晶９→光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反
射させるとともに、消去光の波長域の光を透過させうる
ような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）→光導電層７
のような経路で光導電層７に到達して、その消去光ＥＬ
により光導電層７の電気抵抗値を低下させ、光導電層７
と光学部材８Ｒ（読出光の波長域の光を反射させるとと
もに、消去光の波長域の光を透過させつるような波長選
択性を有する光学部材８Ｒ）との境界面に形成されてい
た電荷像を消去させる。

このように、第３図示の既提案の光−光変換素子では書
込み動作時に光導電層７と光学部材８Ｒ（読出光の波長
域の光を反射させるとともに、消去光の波長域の光を透
過させつるような波長選択性を有する光学部材８Ｒ）と
の境界面に形成されていた電荷像が、光−光変換素子に
おける読出し光の入射側から光−光変換素子に入射され
る消去光によって消去させるようにしているから、書込
み光ＷＬが入射される側に撮像光学系を設けることが必
要とされているような構成の撮像装置、その他、書込み
光ＷＬが入射される側に消去光の入射装置を設けること
が困難な事情のある構成態様の装置にも容易に適用する
ことができ、第２図を参照して既述した従来の光−光変
換素子における従来の問題点を良好に解決することがで
きる。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、第２図を参照して説明した従来の光−光変換
素子でも、あるいは第３図を参照して説明した既提案の
光−光変換素子でも、書込まれた光情報によって生じた
電荷像を消去する場合には、消去用の光を照射させるこ
とが必要とされていたので１例えば光−光変換素子を用
いて撮像装置を構成しようとする場合などに構成が複雑
になったり、あるいは動画の撮像が困難であるなどの点
が問題になり、それの解決策が求められた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は第１の透明電極と、光導電層と、ＰＮ接合層と
、誘電体ミラー層と、印加された電界の強度分布に応じ
て光の状態を変化させる光学部材と、第２の透明電極と
を積層してなる光−光変換素子を提供するものである。

（実施例） 以下、添付図面を参照しながら１本発明の光−光変換素
子、すなわち、第１の透明電極と、光導電層と、ＰＮ接
合層と、誘電体ミラー層と、印加された電界の強度分布
に応じて光の状態を変化させる光学部材と、第２の透明
電極とを積層してなる光−光変換素子の具体的な内容を
詳細に説明する。

第１図は本発明の光−光変換素子の一実施例の側断面図
であり、この第１図に示されている光−光変換素子にお
いて１，２はガラス板、３は第１の透明電極、４は第２
の透明電極、５，６は端子。

７は光導電層であり、また、１３はｎ型半導体層、１４
はｐ型半導体層であって、前記のｎ型半導体層１３とｐ
型半導体層１４とはＰＮ接合層を構成しており、前記の
ＰＮ接合層はそれに加えられる電圧の極性が切換スイッ
チＳＷＩによって切換えられるのに従って、導通状態に
なされたり遮断状態になされたりする。

８は誘電体ミラー層であり、また、９は印加された電界
の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学部材（例
えば、ニオブ酸リチウム単結晶のような電気光学効果結
晶、あるいはネマチック液晶層によって構成させた光学
部材）であり、図中でＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光
をそれぞれ示している。

前記した第１．第２の透明電極３，４には端子５．６に
接続された電源１０から所定の電圧が供給されており、
また、前記したｎ型半導体層１３には切換スイッチＳＷ
１の可動接点Ｖが接続されており、さらに前記したｐ型
半導体層１４には電源１５の負極と電源１６の正極とが
接続されている。

前記した電［１５の正極は切換スイッチＳＷＩの固定接
点ＷＲに接続されており、また、電源１６の負極は切換
スイッチＳＷＩの固定接点Ｅに接続されている。また、
前記したＰ型半導体層１４は抵抗１７（この抵抗１７は
必要に応じて設けられるものである）を介して、切換ス
イッチＳＷ２の固定接点Ｅに接続されており、また、前
記した切換スイッチＳＷ２の固定接点ＷＲは無接続とな
されており、さらに前記した切換スイッチＳＷ２の可動
接点Ｖは第２の透明電極４に接続されている。

前記した切換スイッチｓｗｔ、ＳＷ２の可動接点Ｖは、
光−光変換素子が書込み動作モードや、読出し動作モー
ドにされた場合に固定接点ＷＲ側に切換えられて、ｎ型
半導体層１３とｐ型半導体層１４とからなるＰＮ接合層
に逆方向のバイアス電圧が加えられるようにし、この状
態でＰＮ接合層を不導通の状態とし、また、光−光変換
素子が消去動作モードにされた場合には、前記した切換
スイッチＳＷＩ、ＳＷ２の可動接点Ｖが固定接点Ｅ側に
切換えられて、ｎ型半導体層１３とｐ型半導体層１４と
からなるＰＮ接合層に順方向のバイアス電圧が加えられ
るようにし、この状態でＰＮ接合層を導通状態にすると
ともに、第２の透明電極４が切換スイッチＳＷ２の可動
接点Ｖと固定接点Ｅと抵抗１７とを介してｐ型半導体層
１４に接続されるようにする。

第１図に示されている構成を有する本発明の光−光変換
素子に光学的な情報の書込みを行う場合には、切換スイ
ッチＳＷ、ＳＷ２の可動接点Ｖを固定接点ＷＲ側に切換
えて、電源１５の正極→切換スイッチＳＷ１の固定接点
ＷＲ→同可動接点Ｖ→ｎ型半導体層１３→ｐ型半導体層
１４→電源１５の負擺の回路によってＰＮ接合層に逆方
向のバイアス電圧が加わるようにしてＰＮ接合層を不導
通状態にする。

第１．第２の透明電極３，４間には電源１０の電圧が与
えられており、光導電層７の両端間には前記したＰＮ接
合層が直列に設けられている状態において電界が加わっ
ているから、光−光変換素子におけるガラス板１側から
書込光ＷＬを入射させると光−光変換素子では次のよう
にして光学的情報の書込みが行われる。

書込み動作時にガラス板１側から光−光変換素子に入射
する書込み光ＷＬが、ガラス板１→第１の透明電極３→
光導電層７の光路によって光導電層７に到達すると、光
導電層７の電気抵抗値がそれに到達した書込み光による
光学像と対応して変化するために、光導電層７とｎ型半
導体層１３との境界面には書込み光ＷＬによる光学像と
対応した電荷像が生じるが、前記の電荷像は不導通状態
にあるＰＮ接合層を介してｐ型半導体層１４欧誘電体ミ
ラー層８との境界面に静電誘導により電荷像を生じさせ
る。

前記のようにして書込み光ＷＬによる光学像と対応する
電荷像の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換
素子から再生するのには、切換スイッチＳＷＩ、ＳＷ２
の可動接点Ｖを固定接点ＷＲ側に切換えた状態にしてお
いて、図示されていない光源から光−光変換素子におけ
るガラス板２側に一定の光強度の読出し光ＲＬを投射す
ることによって行うことができる。

すなわち、既述のように書込み光ＷＬによる光情報の書
込みが行われた光−光変換素子における光導電層７と誘
電体ミラー８との境界面には光導電層７に到達した書込
み光による光学像と対応した電荷像が生じているから、
前記した光導電層７に対して誘電体ミラー８とともに直
列的な関係に設けられている光学部材９（例えばニオブ
酸リチウム単結晶９）には、書込み光による光学像と対
応した強度分布の電界が加わっている状態になされてい
る。

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶９の屈折率は
電気光学効果により電界に応じて変化するから、ガラス
板２側に読出し光ＲＬが投射された場合には、前記のよ
うにガラス板２側に投射された読出し光ＲＬが、第２の
透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→誘電体ミラー
８→のように進行して行き、誘電体ミラー８により反射
してガラス板ｉ側に反射光として戻って行く読出し光Ｒ
Ｌは、ニオブ酸リチウム単結晶９の電気光学効果によっ
て前記した電荷像による電界の強度分布に応じた画像情
報を含んでいる再生光としてガラス板２側から出射させ
る。

このように、本発明の光−光変換素子では、切換スイッ
チＳＷＩ、ＳＷ２の可動接点Ｖが固定接点ＷＲ側に切換
えられている状態において、ガラス板１側から書込み光
ＷＬを入射させることにより書込み動作が行われ、また
、ガラス板２側に読出し光ＲＬを入射させることにより
光学像の再生が行われるが、次に、光−光変換素子に書
込まれた情報の消去法について説明すると次のとおりで
ある。

第１図示の本発明の光−光変換素子に書込まれた情報を
消去する場合には、前記した切換スイッチＳＷの可動接
点を固定接点Ｅ側に切換えた状態にすると、切換スイッ
チＳＷＩにおける可動接点Ｖが固定接点Ｅ側に切換えら
れることによって、ｎ型半導体層１３とｐ型半導体層１
４とからなるＰＮ接合層が電源１６の負極→切換スイッ
チＳＷ１の固定接点Ｅ→同可動接点Ｖ→ｎ型半導体層１
３→ｐ型半導体層１４→電源１６の正極の回路によって
ＰＮ接合層に順方向のバイアス電圧が加わってＰＮ接合
層が導通状態になるために、前記したように光導電層７
とｎ型半導体層１３との境界面に生じていた電荷像と、
不導通状態にあるＰＮ接合層を介してｐ型半導体、９１
４と誘電体ミラー層８との境界面に前記の電荷像に基づ
いて静電誘導により生じていた電荷像の電荷は、抵抗１
７→切換スイツチＳＷＩの固定接点Ｅ→同可動接点Ｖ→
第２の透明電極４→端子６→電源１ｏ→端子５→第１の
透明電極３→光導電層７→ｎ型半導体層１３→の回路に
より放電して消去される。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明の光−光変換素子は第１の透明電極と。

光導電層と、ＰＮ接合層と、誘電体ミラー層と、印加さ
れた電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる光学
部材と、第２の透明電極とを積層してなる光−光変換素
子であって、この本発明の光−光変換素子では書込まれ
た光情報によって生じた電荷像を消去する場合には、光
導電層７と誘電体ミラー層８との間に構成させたＰＮ接
合層を導通状態にして、光導電層７とｎ型半導体層１３
との境界面に生じていた電荷像と、不導通状態にあるＰ
Ｎ接合層を介してｐ型半導体層１４と誘電体ミラー層８
との境界面に前記の電荷像に基づいて静電誘導により生
じていた電荷像の電荷を抵抗１７→切換スイツチＳＷ１
の固定接点Ｅ→同可動接点Ｖ→第２の透明電極４→端子
６→電源１０→端子５→第１の透明電極３→光導電層７
→ｎ型半導体層１３→の回路により放電させて消去でき
、消去に当って従来のように消去用の光を照射させるこ
とが必要でないから、例えば光−光変換素子を用いて撮
像装置を構成しようとする場合などに構成が簡単になっ
たり、あるいは動画の撮像が容易になるなど、本発明に
よれば既述した従来の光−光変換素子及び既提案の光−
光変換素子における諸問題点は、すべて良好に解決でき
るのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光−光変換素子の一実施例の側断面図
、第２図は、従来の光−光変換素子の側断面図、第３図
は既提案の光−光変換素子の側断面図、第４図は第３図
示の既提案の光−光変換素子の構成に使用される光学部
材の光の波長に対する光の透過率特性側図である。 １．２・・・ガラス板、３，４・・・第２の透明電極、
５．６・・・端子、７・・・光導電層、８・・・誘電体
ミラー、９・・・印加された電界の強度分布に応じて光
の状態を変化させる光学部材、１０，１５．１６・・・
電源、１１・・・端子、１２・・・遮光層、ＷＬ・−・
書込み光、ＲＬ・・・読出し光、ＥＬ・・・消去光、Ｓ
ＷＩ、ＳＷ２・・・切換スイッチ、１３・・・ｎ型半導
体層、１４・・・Ｐ型半導体層、１７・・・抵抗。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１の透明電極と、光導電層と、ＰＮ接合層と、誘電体
   ミラー層と、印加された電界の強度分布に応じて光の状
   態を変化させる光学部材と、第２の透明電極とを積層し
   てなる光−光変換素子