JPH02250029A - 光―光変換素子及び撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光−光変換素子及び撮像装置に関する。

（従来の技術） 光学像を入力し、出力としても光学像が出力できるよう
に構成されている光−光変換素子としては１例えば液晶
型光変調器、光伝導性ポッケルス効果素子、マイクロチ
ャンネル型光変調器などのような空間変調素子、あるい
はフォトクロミック材を用いて構成された素子というよ
うに各種の構成形態のものが、例えば、光書込み投影装
置、光コンピュータの光並列処理のための素子、画像の
記録用の素子などとして従来から注目されて来ており、
また、本出願人会社では光−光変換素子を用いた高解像
度の撮像装置についての提案も行っている。

第３図は従来の光−光変換素子の構成例を示す側断面図
であり、この第３図に示されている光−光変換素子にお
いて１，２はガラス板、３，４は透明電極、５，６．１
１は端子、７は光導電層部材。

８は誘電体ミラー、９は印加された電界の強度分布に応
じて光の状態を変化させる光学部材（例えばニオブ酸リ
チウム単結晶のような光変調材、あるいはネマチック液
晶）、ＷＬは書込み光、ＲＬは読出し光、ＥＬは消去光
である。

第３図中においては消去光ＥＬの入射方向が読出し光Ｒ
Ｌの入射方向と同じであるとして示されているが、これ
は光−光変換素子で使用されている誘電体ミラー８とし
て、第４図に示されているような光の透過特性を有する
ものが使用されている場合における光−光変換素子に対
する消去光の入射方向を示したものである。なお、消去
光を書込み光と同一の方向で光−光変換素子に入射させ
７、るような構成の光−光変換素子については、消去光
が書込み光と同一の方向から入射されることはいうまで
もない。

さて、第３図に示す光−光変換素子に光学的な情報の書
込みを行う場合には、光−光変換素子の端子５，６に電
源１０と切換スイッチｓｗとからなる回路を接続し、切
換スイッチｓｗにおける切換制御信号の入力端子１１に
供給された切換制御信号により、切換スイッチＳＷの可
動接点を固定接点ＷＲ側に切換えた状態にし、前記した
透明電極３，４間に電源１０の電圧を与えて、光導電層
部材７の両端間に電界が加わるようにしておいて、光−
光変換素子におけるガラス板１側から書込光ＷＬを入射
させることにより光−光変換素子に対する光学的情報の
書込みが行われるのである。

すなわち、前記のように光−光変換素子に入射した書込
み光ＷＬがガラス板１と透明電極３とを透過して光導電
層部材７に到達すると、光導電層部材７の電気抵抗値が
それに到達した入射光による光学像と対応しで変化する
ために、光導電層部材７と誘電体ミラー８との境界面に
は光導電層部材７に到達した入射光による光学像と対応
した電荷像が生じる。

前記のようにして入射光による光学像と対応する電荷像
の形で書込みが行われた光学的情報を光−光変換素子か
ら再生するのには、切換スイッチＳＷの可動接点を固定
接点ＷＲ側に切換えた状態として、電源１０の電圧が端
子５，６を介して透明電極１，２間に印加されている状
態にしておいて、ガラス板２側より図示されていない光
源からの一定の光強度の読出し光ＲＬを投射することに
よって行うことができる。

既述のように入射光による光情報の書込みが行われた光
−光変換素子における光導電層部材７と誘電体ミラー８
との境界面には光導電層部材７に到達した入射光による
光学像と対応した電荷像が生じているから、前記した光
導電層部材７に対して誘電体ミラー８とともに直列的な
関係に設けられている光変調材層部材９（例えばニオブ
酸リチウム単結晶９）には、入射光による光学像と対応
した強度分布の電界が加わっている状態になされている
。

そして、前記したニオブ酸リチウム単結晶９の屈折率は
電気光学効果により電界に応じて変化するから、入射光
による光学像と対応した強度分布の電界が加わっている
状態に前記した光導電層部材７に対して誘電体ミラー８
とともに直列的な関係に設けられているニオブ酸リチウ
ムの結晶９の屈折率は、既述した入射光による光情報の
書込みにより光−光変換素子における光導電層部材７と
誘電体ミラー８との境界面に光導電層部材７に到達した
入射光による光学像と対応して生じた電荷像に応じて変
化しているものになる。

それで、ガラス板２側に読出し光ＲＬが投射された場合
には、前記のようにガラス板２側に投射された読出し光
ＲＬが、透明電極４→ニオブ酸リチウム単結晶９→誘電
体ミラー８→のように進行して行き、次いで前記した読
出し光ＲＬは誘電体ミラー８で反射してガラス板２側に
反射光として戻って行くが、ニオブ酸リチウムの結晶９
の屈折率は電気光学効果によって電界に応じて変化する
から、読出し光ＲＬの反射光はニオブ酸リチウムの結晶
９の電気光学効果によりニオブ酸リチウムの結晶９に加
わる電界の強度分布に応じた画像情報を含むものとなっ
て、ガラス板２側に入射光による光学像に対応した再生
光学像を生じさせる。

前記の説明から明らかなように、光−光変換素子におけ
る誘電体ミラー８は、透明電極４側から光変調材層部材
９に入射した読出し光ＲＬを反射させて、読出し光ＲＬ
が光変調材層部材９から光導電体層部材７に透過しない
ようにしている。

それにより、読出し光ＲＬが光変調材層部材９から光導
電層部材７に透過することによって生じる問題、すなわ
ち、読出し光ＲＬが光変調材層部材９から光導電層部材
７に透過することにより光導電層部材７と誘電体ミラー
８とのｇｔ界に存在している電荷像が乱されてしまうと
いう問題点が生じないようにできる。なお、従来の光−
光変換素子には前記した誘電体ミラーの代わりに遮光膜
を設けであるものも知られている。

前記のようにして書込み光ＷＬによって書込まれた情報
を消去するのには、前記した切換スイッチＳＷにおける
切換制御信号の入力端子１１に切換制御信号を供給して
切換スイッチＳＷの可動接点を固定接点Ｅ側に切換え、
光−光変換素子における端子５，６の電位を同じにして
透明電極３゜４間に電界が生じないようにしてから、書
込み光ＷＬの入射側とされている前記したガラス板１側
から−様な強度分布の消去光ＥＬを入射させたり。

あるいは、前記した誘電体ミラー８の光の波長に対する
光の透過率特性が、読出し光ＲＬと消去光ＥＬとに対し
て第４図に示すようなものであった場合には、第３図中
に示されているようにガラス板２側から−様な強度分布
の消去光ＥＬを入射させたりして行う。

（発明が解決しようとする課題） ところで、従来の光−光変換素子では読出し光ＲＬが光
変調材層部材９から光導電層部材７に透過することによ
り光導電層部材７と誘電体ミラー８（あるいは遮光膜）
との境界に存在している電荷像が乱されてしまうことが
ないように、光変調材層部材９と光導電層部材７との間
に誘電体ミラー８（あるいは遮光膜）を設けているが、
前記した誘電体ミラー８（あるいは遮光りが光導電層部
材７と誘電体ミラー８との間に設けられていた場合には
、膜厚を有する誘電体ミラー８（あるいは遮光ＩＩＩ）
が存在することにより光導電層部材７と誘電体ミラー８
との境界に存在している電荷像に基く電界が拡がった状
態で光変調材層部材９に与えられることになるために解
像度が低下し、また膜厚を有する誘電体ミラー８（ある
いは遮光膜）のインピーダンスは有限であることにより
、光導電層部材７と誘電体ミラー８との境界に存在して
いる電荷像に基く電界が拡がるために解像度が低下する
という問題点が生じていたので、それの解決策が求めら
れた。

（ａ題を解決するための手段） 本発明は２つの電極の間に、少なくとも書込み用の電磁
放射線には感度を有し、かつ、読出し用の電磁放射線に
は不感な光導電層部材と、電界の強度分布に応じて少な
くとも読出し用の電磁放射線の状態を変化させうる光変
調材層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子、及
び、所定の電圧を印加した２つの電極の間に、少なくと
も書込み用の電磁放射線には感度を有し、かつ、読出し
用の電磁放射線には不感な光導電層部材と、電界の強度
分布に応じて少なくとも読出し用の電磁放射線の状態を
変化させうる光変調材層部材とを含んで構成してなる光
−光変換素子における前記した光導電層部材に対して書
込み用の電磁放射線を入射させ、前記した書込用の電磁
放射線に対応した電荷像を発生させる手段と、前記した
電荷像による電界が印加された光変調材層部材に読出し
用の電磁放射線を入射させる手段と、光変調材層部材か
ら読出し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えてな
る撮像装置を提供するものである。

（作用） 所定の電圧を印加した２つの電極の間に、少なくとも書
込み用の電磁放射線には感度を有し、かつ、読出し用の
電磁放射線には不感な光導電層部材と、電界の強度分布
に応じて少なくとも読出し用の電磁放射線の状態を変化
させうる光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光
変換素子における前記した光導電体部材便から書込み用
の電磁放射線を入射させて前記した書込用の電磁放射線
に対応した電荷像を発生させる。前記した電荷像による
電界が印加された光変調材層部材に読出し用の電磁放射
線を入射させ、光変調材層部材から読出し用の電磁放射
線を出射させる。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の光−光変換素子及び
撮像装置の具体的な内容について詳細に説明する。

第１図は本発明の光−光変換素子の概略構成を示すブロ
ック図、第２図は本発明の光−光変換素子を用いて構成
した撮像装置の容具なる実施例のブロック図である。

第１ＩｌｉにおいてＰＰＣは本発明の光−光変換素子の
全体符号であり、また、Ｅｔｌ、Ｅｔ２は電極、ＰＣＬ
は少なくとも少なくとも書込み用の電磁放射線には感度
を有し、かつ、読出し用の電磁放射線には不感な光導電
層部材（読出し用の電磁放射線に対して実用上で不感と
されるような光導電層部材）である。

またＰＭＬは電界の強度分布に応じて少なくとも読出し
用の電磁放射線の状態を変化させうる光変調材層部材（
例えばニオブ酸リチウム単結晶のような光変調材層、あ
るいはネマチック液晶層）、ＷＬは書込み用の電磁放射
線、ＲＬは読出し用の電磁放射線である。

前記した電極Ｅｔｌは少なくとも書込み用の電磁放射線
に対して透明なものとして構成されており、また、電極
Ｅｔ２は少なくとも読出し用の電磁放射線に対して透明
なものとして構成されている。

前記した構成を有する第１図に示す光−光変換素子は、
それの電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に電源１０と切換スイッチ
ＳＷとからなる回路を接続し、前記した切換スイッチＳ
Ｗにおける切換制御信号の入力端子１１に供給された切
換制御信号により、切換スイッチＳＷの可動接点を固定
接点ＷＲ側に切換えた状態にし、前記した電極Ｅｔｌ、
　ＥｔＺ間に電源１０の電圧を与えて、光導電層部材Ｐ
ＣＬの両端間に電界が加わるよう、ドしておいて、光−
光変換素子における電極Ｅｔｌ側＼から光導電層部材Ｐ
ＣＬが感度を有する書込み用の電磁放射線ＷＬを入射さ
せると電極Ｅｔｌを透過して光導電層部材ＰＣＬに到達
する。

光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに到達した書
込み用の電磁放射線ＷＬの強度分布と対応して変化する
ために、光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬと
の境界面には光導電層部材ＰＣＬに到達した書込み用の
電磁放射線ＷＬの強度分布と対応した強度分布を有する
電荷像が生じる。

次に前記のようにして書込み用の電磁放射線ＷＬの強度
分布と対応する電荷像が形成された光−光変換素子にお
ける電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に接続されている切換スイ
ッチＳＷの可動接点を固定接点ＷＲ側に切換えた状態と
して電源１０の電圧が電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印加さ
れている状態にしておいて、電極Ｅｔｌ側より図示され
ていない電磁放射線源から光導電層部材ＰＣＬが不感な
読出し用の一定強度の電磁放射線ＲＬを入射させると、
その読出し用の電磁放射線ＲＬは光導ｆｆｉ層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＰＭＬ（例えばニオブ酸リチウム単
結晶ＰＭＬ　）とを通過した後に光−光変換素子ｐｐＣ
における電極Ｅｔ２から出射するが、この読出し用の電
磁放射線ＲＬは光導電層部材ＰＣＬと光変調材層部材Ｐ
ＭＬ（例えばニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ　）との境
界面に生成されている前記の電荷像の電荷量分布と対応
して状態が変化しているものになっている。

すなわち、既述のように書込み用の電磁放射線ＷＬが入
射されて、その書込み用の電磁放射線ＷＬの強度分布と
対応する電荷像が光導ｆｆ！層部材ＰＣＬと光導電層部
材ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬ（例えばニオブ酸リチ
ウム単結晶ＰＭＬ）との境界面に形成されている状態に
おいて、前記した光導電層部材ＰＣＬに対して直列的な
関係に設けられている光変調材層部材ＰＭＬ（例えばニ
オブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ）には、前記した電荷像の
電荷分布と対応した強度分布の電界が加わっている状態
になされている。

そして、前記した光変調材層部材ＰＭＬが例えばｍ−ｉ
ニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬの場合には、それの屈折
率が電気光学効果により電界に応じて変化するから、前
記した電荷像と対応した強度分布の電界が加わっている
状態の前記した光変調材層部材として用いられているニ
オブ酸リチウムの結晶ＰＭＬの屈折率は、前記した電荷
像の電荷像分布に応じて変化しているものになる。

それで、電極Ｅｔｌ側に入射された読出し用の電磁放射
線ＲＬは、電極Ｅｔｌ→光導ｔｌｌＮ１部材ｐｃＬ→ニ
オブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ−＋電極Ｅｔ２のように通
過して行くが、前記した光変調材層部材として用いられ
ているニオブ酸リチウムの結晶ＰＭＬの屈折率は電気光
学効果によって電界に応じて変化するから、電磁放射、
１ｉＲＬは光変調材層部材として用いられているニオブ
酸リチウムの結晶ＰＭＬの電気光学効果により光変調材
層部材として用いられているニオブ酸リチウムの結晶Ｐ
ＭＬに加わる電界の強度分布に応じた情報を含むものと
なって電極Ｅｔ２側から出射する。

また、第１図示の光−光変換素子において、それの光導
電層部材ＰＣＬは読出し用の電磁放射線ＲＬには不感で
あるために、光導電層部材ＰＣＬに読出し用の電磁放射
線ＲＬが通過しても光導電層部材ＰＣＬには光導電効果
を生じないから、光導電層部材ＰＣＬに読出し用の電磁
放射線ＲＬが通過しても、それにより光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＰＭＬとの境界に存在している電荷
像が乱されることはない。

次に、前記のようにして書込み用の電磁放射線ＷＬによ
って形成された電荷像を消去するのには、前記した切換
スイッチＳＷにおける切換制御信号の入力端子１１に切
換制御信号を供給して切換スイッチＳＷの可動接点を固
定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子における電極Ｅｔ
ｌ、　ＥｔＺ間の電位を同じにしてから光導電層部材Ｐ
ＣＬが感度を有する−様な強度分布の電磁放射線を光導
電層部材ＰＣＬに通過させることにより行うことができ
る。

また、光変調材層部材として液晶が用いられている構成
態様の光−光変換素子の場合には、電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ
２に交流電圧を供給しておくことによって消去が行われ
る。

第２図は第１図を参照して説明したような構成を有する
本発明の光−光変換素子を用いて構成した撮像装置のブ
ロック図であり、この第２図において○は被写体、１２
は撮像レンズであり、また、ＰＰＣは第１図について説
明した本発明の光−光変換素子、すなわち、２つの電極
の間に、少なくとも書込み用の電磁放射線には感度を有
し、かつ、読出し用の電磁放射線には不感な光導電層部
材と、電界の強度分布に応じて少なくとも読出し用の電
磁放射線の状態を変化させうる光変調材層部材とを含ん
で構成してなる光−光変換素子を含んで構成してなる光
−光変換素子である。

また１７は消去用の電磁放射線源、１６，１８はコリメ
ータレンズ、１０は電源、１３は読出し用の電磁放射線
源、１４は必要に応じて設けられる偏光子、１９は検光
子、ＢＳＩ、８８２はビームスプリッタ、１１はスイッ
チ切換用信号の入力端子、ＳＷは切換スイッチ、２０は
集光レンズ、２１は光電変換器である。

本発明の光−光変換素子を用いて構成された第２図に示
されている撮像装置において、光−光変換素子ＰＰＣに
は書込み用の電磁放射線による被写体０からの電磁放射
線像が撮像レンズ１２とビームスプリッタＢＳＩとを介
して供給される。

また、光−光変換素子ＰＰＣに対して、読出し用の電磁
放射線１１１１３→必要に応じて設けられている偏光板
１４→電磁放射線の偏向装置１５→コリメータレンズ１
６→ビームスプリツタＢＳＩ→の経路により、所定の偏
向態様で２次元的に偏向されている読出し用の電磁放射
線ＲＬが供給されうるようになされている。

さらに、前記の光−光変換素子ＰＰｃには消去用の電磁
放射線源１７→コリメータレンズ１８→ビームスプリツ
タＢＳ２→の経路を介して消去光ＥＬが供給されうるよ
うになされている。

さて、本発明の第２図に示されている撮像装置において
、光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２
に接続された電源１０と切換スイッチＳＷとからなる回
路中の前記した切換スイッチｓｗを、それの切換制御信
号の入力端子１１に供給された切換制御信号によって切
換スイッチＳＷの可動接点が固定接点ＷＲ側に切換えら
れた状態にし。

前記したｔｊ１極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２間に電源１０の電圧
を与えて、光導電層部材ＰＣＬの両端間に電界が加わる
ようにしておいて、光−光変換素子ＰＰＣにおけるｔ！
！極Ｅｔｌ側から撮像レンズ１２とビームスプリンタＢ
ＳＩとを介して、被写体０からの書込み用の電磁放射線
ＷＬが入射されると、前記のように光−光変換素子ＰＰ
Ｃに入射された書込み用の電磁放射線ＷＬは電極Ｅｔｌ
を透過して光導電層部材ＰＣＬに到達する。

光導電層部材ＰＣＬは書込み用の電磁放射線ＷＬに感度
を有するので、前記のように光−光変換素子ＰＰＣに入
射された書込み用の′Ｒ磁放射＃ＩＷＬが電極Ｅｔｌを
透過して光導電層部材ＰＣＬに到達すると、光導電層部
材ＰＣＬの電気抵抗値がそれに到達した書込み用の電磁
放射線ＷＬの強度分布と対応して変化し、光導電層部材
ＰＣＬと光変調材層部材ＰＭＬとの境界面に光導電層部
材ＰＣＬに到達した書込み用の電磁放射線ＷＬの強度分
布と対応した強度分布を有する電荷像が生じる。

前記のようにして書込み用の電磁放射線ＷＬの強度分布
と対応する電荷像が形成された光−光変換素子ＰＰＣに
おける電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に接続されている切換ス
イッチＳｗの可動接点を固定接点ＷＲ側に切換えた状態
として、電源１ｏの電圧が電極Ｅｔｌ、　ＥｔＺ間に印
加されている状態にしておいて、電極Ｅｔｌ側より電磁
放射線源１３がらの一定強度の読出し用の電磁放射線Ｒ
Ｌを入射させた場合には、読出し用の電磁放射線源１３
で発生された読出し用の電磁放射線ＲＬが、必要に応じ
て設けられている偏光板１４→電磁放射線の偏向装置１
５→コリメーダレンズ１６→ビームスプリンタＢＳＩ→
の経路により、所定の偏向態様で２次元的に偏向されて
いる読出し用の電磁放射線ＲＬが光−光変換素子ＰＰＣ
における電極Ｅｔｌ側がら入射する。

前記のようにして光−光変換素子ＰＰｃの電極Ｅｔｌ側
から入射した読出し用の電磁放射線ＲＬはは、電極Ｅｔ
ｌ→光導電層部材ＰＣＬ→光変調材層部材として用いら
れているニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬ−＋電極Ｅｔ２
のように通過して行くが。

前記した光変調材層部材として用いられているニオブ酸
リチウム単結晶ＰＭＬの屈折率は電気光学効果によって
電界に応じて変化するから、読出し用の電磁放射！ＲＬ
は光変調材層部材として用いられているニオブ酸リチウ
ム単結晶ＰＭＬの電気光学効果により光変調材層部材と
して用いられているニオブ酸リチウム単結晶ＰＭＬに加
わる電界の強度分布に応じた情報を含む状態のものとし
て電極Ｅｔ２側から出射し１次いでビームスプリッタＢ
Ｓ２を透過した後に検光子１９に供給される。

前記した検光子１９を通過した読出し用の電磁放射線Ｒ
Ｌは、光−光変換素子ｒｐｃにおける光導電層部材ＰＣ
Ｌと光変調材層部材ＰＭＬとの境界面に形成されている
電荷像の電荷量分布と対応して強度が変化されているも
のになっている。

前記した検光子１９から出射した読出し用の電磁放射線
ＲＬは集光レンズ２０で集光されて光電変換器２１に与
えられ、この光電変換器２１により電気信号に変換され
て出力される。

次に、前記のようにして書込み用の電磁放射線ＷＬによ
って形成された電荷像を消去するのには、前記した切換
スイッチＳＷにおける切換制御信号の入力端子１１に切
換制御信号を供給して切換スイッチＳＷの可動接点を固
定接点Ｅ側に切換え、光−光変換素子における電極Ｅｔ
１．　ＥｔＺ間の電位を同じにしてから、消去用の電磁
放射線源１７で発生させた光導電層部材ＰＣＬが感度を
有する−様な強度分布の消去用の電磁放射線ＥＬを、コ
リメータレンズ１８とビームスプリッタＢＳ２と介して
光−光変換素子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射さ
せ、光変調材層部材ＰＭＬと光導電層部材ＰＣＬとに通
過させることにより行う。

また、光変調材層部材として液晶が用いられている構成
態様の光−光変換素子を備えたものとして本発明の撮像
装置が実施されている場合には。

光−光変換素子における電極Ｅｔｌ、　Ｅｔ２に交流電
圧を供給しておくことによって消去が行われることは既
述のとおりである。

第２図を参照して説明した撮像装置では、読出し用の電
磁放射線ＲＬを光−光変換素子ＰＰｃにおける電極Ｅｔ
ｌ側から入射させて、読出し用の電磁放射線ＲＬを電極
Ｅｔｌ→光導電層部材ＰＣＬ→光変調材層部材ＰＭＬ−
４電極Ｅｔ２→の経路で電極Ｅｔ２側から出射させるよ
うな構成のものとしているが、本発明の撮像装置の実施
に当って、光導電層部材として少なくとも書込み用の電
磁放射線には感度を有しているとともに、読出し用の電
磁放射線には不感で、かつ、読出し用の電磁放射線を反
射させうるような特性のものを備えている光−光変換素
子を使用し、読出し用の電磁放射線ＲＬを光−光変換素
子ＰＰＣにおける電極Ｅｔ２側から入射させて光変調材
層部材ＰＭＬを通過させた後に、光変調材層部材ＰＭＬ
と光導電層部材ＰＣＬとの境界面で反射させ、前記した
光変調材層部材ＰＭＬを再び通過させて電極Ｅｔ２から
出射させるような構成のものとして撮像装置を構成する
ようにしてもよい。

なお、本発明の撮像装置は広義の光、すなわち。

電磁波とよばれる放射線の全スペクトル領域（γ線、Ｘ
線等の領域からラジオ波の長波までを含む領域）の一部
または全部の電磁放射線による書込み読出しを行いうる
ものとして構成できるものであることはいうまでもない
。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように、本発
明は２つの電極の間に、少なくとも書込み用の電磁放射
線には感度を有し、かつ、読出し用の電磁放射線には不
感な光導電層部材と、電界の強度分布に応じて少なくと
も読出し用の電磁放射線の状態を変化させうる光変調材
層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子、及び所
定の電圧を印加した２つの電極の間に、少なくとも書込
み用の電磁放射線には感度を有し、かつ、読出し用の電
磁放射線には不感な光導電層部材と、電界の強度分布に
応じて少なくとも読出し用の電磁放射線の状態を変化さ
せうる光変調材層部材とを含んで構成してなる光−光変
換素子における前記した光導電層部材に対して書込み用
の電磁放射線を入射させ、前記した書込用の電磁放射線
に対応した電荷像を発生させる手段と、前記した電荷像
による電界が印加された光変調材層部材に読出し用の電
磁放射線を入射させる手段と、光変調材層部材から読出
し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えてなる撮像
装置であって１本発明では書込み用の電磁放射線には感
度を有するが、読出し用の電磁放射線には不感な光導電
層部材を備えることにより、従来の光−光変換素子の構
成上において、光変調材層部材から光導電層部材に読出
し用の電磁放射線が透過することにより、先導１８Ｍ部
材と誘電体ミラー（あるいは遮光膜）との境界に存在し
ている電荷像が乱されてしまうことがないように、光変
調材層部材と光導電層部材との間に設けられていた誘電
体ミラー（あるいは遮光［）を省いた構成形態のものと
して光−光変換素子を構成したから、従来、誘電体ミラ
ー（あるいは遮光膜）が光導電層部材と誘電体ミラーと
の間に設けられていた光−光変換素子の場合に、膜厚を
有する誘電体ミラー（あるいは遮光膜）により光導電層
部材と誘電体ミラーとの境界に存在している電荷像に基
く電界が拡がった状態で光変調材層部材に与えられるこ
とによる解像度の低下や、膜厚を有する誘電体ミラー（
あるいは遮光膜）のインピーダンスは有限であることに
より、光導電層部材と誘電体ミラーとの境界に存在して
いる電荷像に基く電界が拡がるための解像度の低下の問
題も生じることがなく、本発明によれば解像度の高い再
生画像が容易に得られる撮像装置を容易に提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光−光変換素子の概略構成を示すブロ
ック図、第２図は本発明の光−光変換素子を用いて構成
した撮像装置の容具なる実施例のブロック図、第３図は
従来の光−光変換素子のブロック図、第４図は誘電体ミ
ラーの透過率特性例図である。 ＰＰＣ・・・光−光変換素子の全体符号、Ｅｔｌ、Ｅｔ
ｌ・・・電極、ＰＣＬ・・・少なくとも少なくとも書込
み用の電磁放射線には感度を有し、かつ、読出し用の電
磁放射線には不感な光導電層部材、ＰＭＬ・・・電界の
強度分布に応じて少なくとも読出し用の電磁放射線の状
態を変化させうる光変調材層部材。 ＳＷ・・・切換スイッチ、Ｏ・・・被写体、ＢＳＩ、Ｂ
Ｓ２・・・ビームスプリッタ、１，２・・・ガラス板、
３，４・・・透明電極、５，６．１１・・・端子、７・
・・光導電層部材、８・・・誘電体ミラー、９・・・印
加された電界の強度分布に応じて光の状態を変化させる
光学部材、ｌＯ・・・電源、１２・・・撮像レンズ、１
３・・・読出し用の電磁放射線源、１４・・・必要に応
じて設けられる偏光子、１５・・・電磁放射線の偏向装
置、１６．１８・・・コリメータレンズ、１７・・・消
去用の電磁放射線源、１９・・・検光子、２０・・・集
光レンズ、２１・・・光電変換塁、 特許出願人　　日本ビクター株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、２つの電極の間に、少なくとも書込み用の電磁放射
   線には感度を有し、かつ、読出し用の電磁放射線には不
   感な光導電層部材と、電界の強度分布に応じて少なくと
   も読出し用の電磁放射線の状態を変化させうる光変調材
   層部材とを含んで構成してなる光−光変換素子 ２、所定の電圧を印加した２つの電極の間に、少なくと
   も書込み用の電磁放射線には感度を有し、かつ、読出し
   用の電磁放射線には不感な光導電層部材と、電界の強度
   分布に応じて少なくとも読出し用の電磁放射線の状態を
   変化させうる光変調材層部材とを含んで構成してなる光
   −光変換素子における前記した光導電層部材に対して書
   込み用の電磁放射線を入射させ、前記した書込用の電磁
   放射線に対応した電荷像を発生させる手段と、前記した
   電荷像による電界が印加された光変調材層部材に読出し
   用の電磁放射線を入射させる手段と、光変調材層部材か
   ら読出し用の電磁放射線を出射させる手段とを備えてな
   る撮像装置