JPH04217314A - Ｘ線マスクの形成方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの形成方法Info
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- JPH04217314A JPH04217314A JP2403046A JP40304690A JPH04217314A JP H04217314 A JPH04217314 A JP H04217314A JP 2403046 A JP2403046 A JP 2403046A JP 40304690 A JP40304690 A JP 40304690A JP H04217314 A JPH04217314 A JP H04217314A
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- reticle
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- absorber film
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000013518 transcription Methods 0.000 abstract 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N [F].[Ar] Chemical compound [F].[Ar] MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＬＳＩ等の製造の際に
用いられるＸ線マスクの形成方法に関するものである。
用いられるＸ線マスクの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＸ線マスクの吸収体パター
ン形成工程を示す断面図である。
ン形成工程を示す断面図である。
【０００３】まず、図３（ａ）に示すようにＸ線マスク
基板を支持するためのＳｉサポートリング１上にＸ線マ
スク基板となる窒化ケイ素（ＳｉＮ），窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）などのメンブレン２が形成されている。
基板を支持するためのＳｉサポートリング１上にＸ線マ
スク基板となる窒化ケイ素（ＳｉＮ），窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）などのメンブレン２が形成されている。
【０００４】また、このメンブレン２上にタングステン
（Ｗ），タンタル（Ｔａ），金（Ａｕ）などから形成さ
れ、吸収体パターンを形成するための吸収体膜３が形成
されており、さらにこの吸収体膜３上に電子ビームレジ
スト膜４が形成されている。
（Ｗ），タンタル（Ｔａ），金（Ａｕ）などから形成さ
れ、吸収体パターンを形成するための吸収体膜３が形成
されており、さらにこの吸収体膜３上に電子ビームレジ
スト膜４が形成されている。
【０００５】次に、図３（ｂ）に示すように、電子ビー
ム露光装置を用いて電子ビームレジスト膜４を露光し、
現像することによって所望のレジストパターン４ａを形
成する。
ム露光装置を用いて電子ビームレジスト膜４を露光し、
現像することによって所望のレジストパターン４ａを形
成する。
【０００６】次に、図３（ｃ）に示すように、このレジ
ストパターン４ａをエッチングマスクとして下地の吸収
体膜３を反応性イオンエッチング法によってエッチング
し、吸収体パターン３ａを形成する。
ストパターン４ａをエッチングマスクとして下地の吸収
体膜３を反応性イオンエッチング法によってエッチング
し、吸収体パターン３ａを形成する。
【０００７】最後に、図３（ｄ）に示すように、レジス
トパターン４ａを除去してＸ線マスクが完成する。
トパターン４ａを除去してＸ線マスクが完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクは以
上のように電子ビーム露光装置を用いて形成されていた
ので、電子ビーム露光装置の精度に限界があることから
、パターン幅０．２５μｍ以下のＸ線マスクの場合、パ
ターン幅精度±０．０２μｍ以下、パターン位置精度±
０．０３μｍ以下の要求精度を満足することができない
。
上のように電子ビーム露光装置を用いて形成されていた
ので、電子ビーム露光装置の精度に限界があることから
、パターン幅０．２５μｍ以下のＸ線マスクの場合、パ
ターン幅精度±０．０２μｍ以下、パターン位置精度±
０．０３μｍ以下の要求精度を満足することができない
。
【０００９】また、電子ビーム露光法は最も微細なパタ
ーン（０．１μｍ以下）が加工できる技術であるが、Ｌ
ＳＩなどのパターンを描画する場合、広い面積を描画す
る必要があるため、いくつかのパターンをつなぎ合わせ
て露光することになり、この場合、パターンとパターン
のつなぎ精度がパターン幅の精度を決めてしまう。
ーン（０．１μｍ以下）が加工できる技術であるが、Ｌ
ＳＩなどのパターンを描画する場合、広い面積を描画す
る必要があるため、いくつかのパターンをつなぎ合わせ
て露光することになり、この場合、パターンとパターン
のつなぎ精度がパターン幅の精度を決めてしまう。
【００１０】現在、このつなぎ精度は最高でも０．０５
μｍで、Ｘ線マスクの要求精度に達していない。
μｍで、Ｘ線マスクの要求精度に達していない。
【００１１】同様に、電子ビーム露光装置のパターン配
置精度もステージの位置精度や電子ビーム露光装置のビ
ーム偏向精度から０．０８μｍが最高値で、これもＸ線
マスクの要求精度に達していない。
置精度もステージの位置精度や電子ビーム露光装置のビ
ーム偏向精度から０．０８μｍが最高値で、これもＸ線
マスクの要求精度に達していない。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、パターンとパターンのつなぎ精
度やパターン配置精度を向上させ、もっと高い要求精度
を満足することが可能なＸ線マスクの形成方法を得るこ
とを目的としている。
ためになされたもので、パターンとパターンのつなぎ精
度やパターン配置精度を向上させ、もっと高い要求精度
を満足することが可能なＸ線マスクの形成方法を得るこ
とを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線マス
クの形成方法は、Ｘ線マスク基板及び吸収体膜を順に積
層した後吸収体膜を所定のパターンにパターニングする
Ｘ線マスクの形成方法において、所定のパターンを拡大
してレティクル上に形成する工程と、拡大されたレティ
クル上の所定のパターンを吸収体膜上に積層されたレジ
ストに縮小して転写する工程と、所定のパターンが転写
されたレジストを用いて吸収体膜のパターニングを行う
工程とを備えて構成されている。
クの形成方法は、Ｘ線マスク基板及び吸収体膜を順に積
層した後吸収体膜を所定のパターンにパターニングする
Ｘ線マスクの形成方法において、所定のパターンを拡大
してレティクル上に形成する工程と、拡大されたレティ
クル上の所定のパターンを吸収体膜上に積層されたレジ
ストに縮小して転写する工程と、所定のパターンが転写
されたレジストを用いて吸収体膜のパターニングを行う
工程とを備えて構成されている。
【００１４】
【作用】この発明においては、Ｘ線マスク基板及び吸収
体膜を順に積層した後吸収体膜を所定のパターンにパタ
ーニングするＸ線マスクの形成方法において、所定のパ
ターンを拡大してレティクル上に形成した後、拡大され
たレティクル上の所定のパターンを吸収体膜上に積層さ
れたレジストに縮小して転写しているので、縮小転写の
際にレティクル上のパターンつなぎ誤差やパターン位置
誤差も縮小される。
体膜を順に積層した後吸収体膜を所定のパターンにパタ
ーニングするＸ線マスクの形成方法において、所定のパ
ターンを拡大してレティクル上に形成した後、拡大され
たレティクル上の所定のパターンを吸収体膜上に積層さ
れたレジストに縮小して転写しているので、縮小転写の
際にレティクル上のパターンつなぎ誤差やパターン位置
誤差も縮小される。
【００１５】また、レティクル上の拡大されたパターン
を用いて容易にパターンデータの欠陥検査が行える。
を用いて容易にパターンデータの欠陥検査が行える。
【００１６】
【実施例】図１はこの発明による形成方法を用いてＸ線
マスクを形成する際の作業の流れを示す流れ図である。
マスクを形成する際の作業の流れを示す流れ図である。
【００１７】同図に示すように、まずＸ線マスクの吸収
体膜を加工する所望のパターンをレティクル（フォトマ
スク）上に、従来のＸ線マスクの製作に用いていた電子
ビーム露光装置を用いて５倍に拡大し形成する。
体膜を加工する所望のパターンをレティクル（フォトマ
スク）上に、従来のＸ線マスクの製作に用いていた電子
ビーム露光装置を用いて５倍に拡大し形成する。
【００１８】次にこのレティクルパターンをパターン欠
陥検査装置を用いて検査し、パターンデータの欠陥やレ
ティクル製作中に生じた異物による欠陥を検出して修正
を行う。
陥検査装置を用いて検査し、パターンデータの欠陥やレ
ティクル製作中に生じた異物による欠陥を検出して修正
を行う。
【００１９】次に、図２に示すように、上述のようにし
て得られたこのレティクル５上のパターンを、ＡｒＦ（
アルゴンふっ素）エキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）
を用いたレンズ開口数０．５の縮小転写装置を用いてフ
ォトレジスト４′上に１／５に縮小転写し、所望のレジ
ストパターンを形成する。
て得られたこのレティクル５上のパターンを、ＡｒＦ（
アルゴンふっ素）エキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）
を用いたレンズ開口数０．５の縮小転写装置を用いてフ
ォトレジスト４′上に１／５に縮小転写し、所望のレジ
ストパターンを形成する。
【００２０】図２は、この縮小転写の様子を概念的に示
す図であり、同図に示すように、レティクル５上のパタ
ーンが縮小光学系であるレンズ６を介してフォトレジス
ト４′上に縮小転写される。
す図であり、同図に示すように、レティクル５上のパタ
ーンが縮小光学系であるレンズ６を介してフォトレジス
ト４′上に縮小転写される。
【００２１】次に、上述のようにして得られたレジスト
パターンをエッチングマスクとして下地のＷ，Ｔａ，Ａ
ｕなどの吸収体膜３を反応性イオンエッチングにより選
択エッチングして、Ｘ線マスクが完成する。
パターンをエッチングマスクとして下地のＷ，Ｔａ，Ａ
ｕなどの吸収体膜３を反応性イオンエッチングにより選
択エッチングして、Ｘ線マスクが完成する。
【００２２】以上のように、この発明ではレティクル５
上の５倍に拡大されたパターンをＡｒＦエキシマレーザ
ーを用いた縮小光学系を用いて１／５に縮小してフォト
レジスト膜４′上に転写しているので、電子ビーム露光
装置を用いて形成されたレティクル５上のパターンのパ
ターンつなぎ誤差やパターン配置誤差も１／５に縮小さ
れる。なお、レティクル５上のパターンの拡大幅として
は５〜１０倍、またこれに対応して縮小光学系による縮
小幅としては１／５〜１／１０が適当である。
上の５倍に拡大されたパターンをＡｒＦエキシマレーザ
ーを用いた縮小光学系を用いて１／５に縮小してフォト
レジスト膜４′上に転写しているので、電子ビーム露光
装置を用いて形成されたレティクル５上のパターンのパ
ターンつなぎ誤差やパターン配置誤差も１／５に縮小さ
れる。なお、レティクル５上のパターンの拡大幅として
は５〜１０倍、またこれに対応して縮小光学系による縮
小幅としては１／５〜１／１０が適当である。
【００２３】また、ＡｒＦエキシマレーザー光源と、レ
ンズ開口数０．５の縮小光学系を用いているので、フォ
トレジスト４′が０．３ないし０．５μｍと薄い場合、
０．２μｍ程度の解像が可能である。なお、レンズ開口
数としては０．４以上が適当である。
ンズ開口数０．５の縮小光学系を用いているので、フォ
トレジスト４′が０．３ないし０．５μｍと薄い場合、
０．２μｍ程度の解像が可能である。なお、レンズ開口
数としては０．４以上が適当である。
【００２４】さらに、５倍から１０倍のレティクル５を
製作するので、このレティクル５上のパターンを用いて
パターンデータの欠陥検査を容易に行うことができる。
製作するので、このレティクル５上のパターンを用いて
パターンデータの欠陥検査を容易に行うことができる。
【００２５】なお、レンズによる縮小光学系を用いたパ
ターンの転写では、レンズの歪みがそのまま転写される
パターンに反映されるが、これは同じ縮小転写装置を用
いてＸ線マスクの形成を行うことによって、Ｘ線マスク
間のマッチング誤差を小さくし、要求精度を満たすこと
ができる。
ターンの転写では、レンズの歪みがそのまま転写される
パターンに反映されるが、これは同じ縮小転写装置を用
いてＸ線マスクの形成を行うことによって、Ｘ線マスク
間のマッチング誤差を小さくし、要求精度を満たすこと
ができる。
【００２６】また、この実施例で、ＡｒＦエキシマレー
ザ光源を用いて縮小転写する例を示したが、この程度の
波長では他の光源でも良い。
ザ光源を用いて縮小転写する例を示したが、この程度の
波長では他の光源でも良い。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ｘ線
マスク基板及び吸収体膜を順に積層した後吸収体膜を所
定のパターンにパターニングするＸ線マスクの形成方法
において、所定のパターンを拡大してレティクル上に形
成する工程と、拡大されたレティクル上の所定のパター
ンを吸収体膜上に積層されたレジストに縮小して転写す
る工程と、所定のパターンが転写されたレジストを用い
て吸収体膜のパターニングを行う工程とを設けたので、
レジストに転写されたパターンのパターンつなぎ誤差や
パターン配置誤差が小さくなり、高い要求精度を満足し
得るＸ線マスクが形成できるという効果がある。
マスク基板及び吸収体膜を順に積層した後吸収体膜を所
定のパターンにパターニングするＸ線マスクの形成方法
において、所定のパターンを拡大してレティクル上に形
成する工程と、拡大されたレティクル上の所定のパター
ンを吸収体膜上に積層されたレジストに縮小して転写す
る工程と、所定のパターンが転写されたレジストを用い
て吸収体膜のパターニングを行う工程とを設けたので、
レジストに転写されたパターンのパターンつなぎ誤差や
パターン配置誤差が小さくなり、高い要求精度を満足し
得るＸ線マスクが形成できるという効果がある。
【図１】この発明によるＸ線マスクの形成方法の作業の
流れを示す流れ図である。
流れを示す流れ図である。
【図２】この発明によるレティクルパターンを縮小光学
系を用いてレジスト上に縮小転写する様子を概念的に示
す図である。
系を用いてレジスト上に縮小転写する様子を概念的に示
す図である。
【図３】従来のＸ線マスクの形成方法を示す断面図であ
る。
る。
１ サポートリング
２ メンブレン
３ 吸収体膜
４′ ホトレジスト
５ レティクル
６ レンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線マスク基板及び吸収体膜を順に積
層した後前記吸収体膜を所定のパターンにパターニング
するＸ線マスクの形成方法であって、前記所定のパター
ンを拡大してレティクル上に形成する工程と、拡大され
た前記レティクル上の前記所定のパターンを前記吸収体
膜上に積層されたレジストに縮小して転写する工程と、
前記所定のパターンが転写された前記レジストを用いて
前記吸収体膜のパターニングを行う工程とを備えるＸ線
マスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403046A JPH04217314A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403046A JPH04217314A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04217314A true JPH04217314A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=18512795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403046A Pending JPH04217314A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04217314A (ja) |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP2403046A patent/JPH04217314A/ja active Pending
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