JPH04214854A - 窒化ほう素膜の形成方法 - Google Patents
窒化ほう素膜の形成方法Info
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- JPH04214854A JPH04214854A JP40238190A JP40238190A JPH04214854A JP H04214854 A JPH04214854 A JP H04214854A JP 40238190 A JP40238190 A JP 40238190A JP 40238190 A JP40238190 A JP 40238190A JP H04214854 A JPH04214854 A JP H04214854A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、切削工具，航空機用油
圧部品等の、耐摩耗性と小摩擦係数を必要とし、傾斜面
，曲面，コ−ナ−を有する産業用部品に対して、立方晶
窒化ほう素膜等の窒化ほう素膜を形成する窒化ほう素膜
の形成方法に関する。
圧部品等の、耐摩耗性と小摩擦係数を必要とし、傾斜面
，曲面，コ−ナ−を有する産業用部品に対して、立方晶
窒化ほう素膜等の窒化ほう素膜を形成する窒化ほう素膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、立方晶窒化ほう素合成，成膜に関
する研究が盛んに行われているが、やっと平板表面への
立方晶窒化ほう素合成ができたレベルにある。また、成
膜された膜の質に関しても、１００ ％立方晶窒化ほう
素ではなく、アモルファス窒化ほう素の含まれたものも
あるが、アモルファス窒化ほう素自体も硬質層であり、
耐摩耗性と小摩擦係数を必要とする対象面に１００ ％
立方晶窒化ほう素ではなくても成膜により耐摩耗性向上
の効果が見られる。
する研究が盛んに行われているが、やっと平板表面への
立方晶窒化ほう素合成ができたレベルにある。また、成
膜された膜の質に関しても、１００ ％立方晶窒化ほう
素ではなく、アモルファス窒化ほう素の含まれたものも
あるが、アモルファス窒化ほう素自体も硬質層であり、
耐摩耗性と小摩擦係数を必要とする対象面に１００ ％
立方晶窒化ほう素ではなくても成膜により耐摩耗性向上
の効果が見られる。
【０００３】切削工具，航空機用油圧部品等の、耐摩耗
性と小摩擦係数を必要とし、傾斜面，曲面，コ−ナ−を
有する産業用部品に、窒化ほう素あるいはこれらの混合
の窒化ほう素膜を適用するには、次のような課題がある
。 （１） 密着力の向上 （２） 傾斜面，曲面，コ−ナ−部への成膜
性と小摩擦係数を必要とし、傾斜面，曲面，コ−ナ−を
有する産業用部品に、窒化ほう素あるいはこれらの混合
の窒化ほう素膜を適用するには、次のような課題がある
。 （１） 密着力の向上 （２） 傾斜面，曲面，コ−ナ−部への成膜
【０００４
】
】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術によれば、以下に述べる問題点を有する。
術によれば、以下に述べる問題点を有する。
【０００５】上記（１） の密着力の向上に関しては、
イオン注入，又はイオンミキシングを行って、基材と窒
化ほう素との間にミキシング層を形成し、化学量論的に
略５０％窒素，５０％ほう素である窒化ほう素膜から、
１００ ％基材の原子組成との間に緩やかに窒素，ほう
素の原子濃度が基材の原子組成に変化していく傾斜組成
を設けることにより、密着力の向上が図れる。しかし、
イオン注入、又はイオンミキシングを行ってミキシング
層を形成する際には、成膜対象面に対する該イオンの入
射角度の大きさによって、該ミキシング層の特性が大き
く影響を受ける。即ち、該イオン入射角度が大きくなる
につれて、該成膜対象面及び該ミキシング層のイオンエ
ッチングレ−トが大きくなり、形成されるミキシング層
の深さが密着力の向上のためには不十分な浅いものとな
るか又はミキシング層形成自体が困難となる。該イオン
照射の加速電圧を大きくすることによって、所要のミキ
シング層の深さを得るための該成膜対象面に対する該イ
オン入射角度の範囲を大きくすることはある程度可能で
あるが限度である。例えば、図３に示すような傾斜面，
コ−ナ−を有する切削工具のＣＢＮ成膜対象面にイオン
注入又はイオンミキシングによりミキシング層を形成す
る場合を考える。
イオン注入，又はイオンミキシングを行って、基材と窒
化ほう素との間にミキシング層を形成し、化学量論的に
略５０％窒素，５０％ほう素である窒化ほう素膜から、
１００ ％基材の原子組成との間に緩やかに窒素，ほう
素の原子濃度が基材の原子組成に変化していく傾斜組成
を設けることにより、密着力の向上が図れる。しかし、
イオン注入、又はイオンミキシングを行ってミキシング
層を形成する際には、成膜対象面に対する該イオンの入
射角度の大きさによって、該ミキシング層の特性が大き
く影響を受ける。即ち、該イオン入射角度が大きくなる
につれて、該成膜対象面及び該ミキシング層のイオンエ
ッチングレ−トが大きくなり、形成されるミキシング層
の深さが密着力の向上のためには不十分な浅いものとな
るか又はミキシング層形成自体が困難となる。該イオン
照射の加速電圧を大きくすることによって、所要のミキ
シング層の深さを得るための該成膜対象面に対する該イ
オン入射角度の範囲を大きくすることはある程度可能で
あるが限度である。例えば、図３に示すような傾斜面，
コ−ナ−を有する切削工具のＣＢＮ成膜対象面にイオン
注入又はイオンミキシングによりミキシング層を形成す
る場合を考える。
【０００６】図２に示す切削工具において、左コ−ナ−
中心の法線方向（矢印ａｂ方向）からＮ＋ イオンの加
速照射とＢ（ほう素）の蒸着を行ってイオンミキシング
層の形成をする場合、左側面，左コ−ナ−，及び刃先面
に関しては、イオン入射角度は３５ｄｅｇｒｅｅ以下に
できるので、イオン加速電圧を、例えば１００ ＫＶ程
度まで大きくすることによって所要の深さ、例えば１０
００〜２０００オングストロ−ムのミキシング層を形成
し、立方晶窒化ほう素等の窒素化ほう素膜の密着力を確
保することができる。 しかしながら、同図の右コ−ナ−においては、イオン入
射角度は図中にθとして示すように例えば５０ｄｅｇｒ
ｅｅ以上の大きな角度となる。そのため、該右コ−ナ−
においては、イオンエッチングの効果が大きいため、所
要の深さのミキシング層を形成することが困難であるだ
けでなく、別工程ですでに形成済みのミキシング層をエ
ッチングにより除去してしまう、という問題がある。
中心の法線方向（矢印ａｂ方向）からＮ＋ イオンの加
速照射とＢ（ほう素）の蒸着を行ってイオンミキシング
層の形成をする場合、左側面，左コ−ナ−，及び刃先面
に関しては、イオン入射角度は３５ｄｅｇｒｅｅ以下に
できるので、イオン加速電圧を、例えば１００ ＫＶ程
度まで大きくすることによって所要の深さ、例えば１０
００〜２０００オングストロ−ムのミキシング層を形成
し、立方晶窒化ほう素等の窒素化ほう素膜の密着力を確
保することができる。 しかしながら、同図の右コ−ナ−においては、イオン入
射角度は図中にθとして示すように例えば５０ｄｅｇｒ
ｅｅ以上の大きな角度となる。そのため、該右コ−ナ−
においては、イオンエッチングの効果が大きいため、所
要の深さのミキシング層を形成することが困難であるだ
けでなく、別工程ですでに形成済みのミキシング層をエ
ッチングにより除去してしまう、という問題がある。
【０００７】上記（２） の傾斜面，曲面，コ−ナ−部
への成膜に関しては、例えば０．３〜１ＫＶと比較的小
さくイオンエッチング作用は小さくなるが、それでも該
成膜対象面に対するイオン入射角度が大きいと、窒化ほ
う素の成膜ができなくなるだけでなく、窒化ほう素膜の
密着性確保のために設けたミキシング層が、窒化ほう素
成膜時のイオン照射によるエッチングで除去されるとい
う不具合を生じる。
への成膜に関しては、例えば０．３〜１ＫＶと比較的小
さくイオンエッチング作用は小さくなるが、それでも該
成膜対象面に対するイオン入射角度が大きいと、窒化ほ
う素の成膜ができなくなるだけでなく、窒化ほう素膜の
密着性確保のために設けたミキシング層が、窒化ほう素
成膜時のイオン照射によるエッチングで除去されるとい
う不具合を生じる。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
、イオン注入又はイオンミキシングによるミキシング層
の形成時及び立方晶窒化ほう素等の窒化ほう素成膜時に
、形成済みのミキシング層をイオンエッチングに対して
保護することにより、傾斜面，曲面，コ−ナ−を有する
対象に密着性の優れた窒化ほう素膜を形成できる窒化ほ
う素膜の形成方法を提供することを目的とする。
、イオン注入又はイオンミキシングによるミキシング層
の形成時及び立方晶窒化ほう素等の窒化ほう素成膜時に
、形成済みのミキシング層をイオンエッチングに対して
保護することにより、傾斜面，曲面，コ−ナ−を有する
対象に密着性の優れた窒化ほう素膜を形成できる窒化ほ
う素膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ほう素蒸発源
又はほう素イオン供給源と、窒素イオン又は窒素，希ガ
スの混合イオン供給源を備え、前記イオン供給源と成膜
対象物との間に電界を設けて前記イオンを成膜対象物面
に照射するようにした窒化ホウ素膜の形成方法において
、前記イオンの入射方向に対して被成膜物面の法線方向
を制御する手段とを具備し、前記成膜対象物面に対する
前記イオンの入射角度を制限するマスクを設けた上で、
前記成膜対象物面とマスクとの相対的位置関係を制御す
ることを特徴とする窒化ホウ素膜の形成方法である。
又はほう素イオン供給源と、窒素イオン又は窒素，希ガ
スの混合イオン供給源を備え、前記イオン供給源と成膜
対象物との間に電界を設けて前記イオンを成膜対象物面
に照射するようにした窒化ホウ素膜の形成方法において
、前記イオンの入射方向に対して被成膜物面の法線方向
を制御する手段とを具備し、前記成膜対象物面に対する
前記イオンの入射角度を制限するマスクを設けた上で、
前記成膜対象物面とマスクとの相対的位置関係を制御す
ることを特徴とする窒化ホウ素膜の形成方法である。
【００１０】ところで、イオンを成膜対象に照射する手
段としては、イオン供給源直後に加速電極を設けてイオ
ンに加速エネルギを与える方法（ソ−スドライヴ）と、
成膜対象面に負のバイアス電圧をかけて、正に帯電した
イオンを引き込む方法（シンクドライヴ）とがある。前
者はイオン蒸着法、後者はイオンプレ−ティング法と称
せられるが、本発明による立法晶窒化ほう素等の窒化ほ
う素成膜方法の適用はこの両者を含むものである。
段としては、イオン供給源直後に加速電極を設けてイオ
ンに加速エネルギを与える方法（ソ−スドライヴ）と、
成膜対象面に負のバイアス電圧をかけて、正に帯電した
イオンを引き込む方法（シンクドライヴ）とがある。前
者はイオン蒸着法、後者はイオンプレ−ティング法と称
せられるが、本発明による立法晶窒化ほう素等の窒化ほ
う素成膜方法の適用はこの両者を含むものである。
【００１１】
【作用】本発明においては、イオンミキシングとＣＢＮ
成膜時の夫々において、成膜対象面に対するイオン入射
角度を制限した範囲内でのイオンミキシング又はＢＮ成
膜処理を行い、成膜対象面の法線に対するイオン入射角
度が急激に大きくなる範囲は該窒素イオンＮ＋ ，ほう
素上記Ｂとが表面に到達できないようになっている。
成膜時の夫々において、成膜対象面に対するイオン入射
角度を制限した範囲内でのイオンミキシング又はＢＮ成
膜処理を行い、成膜対象面の法線に対するイオン入射角
度が急激に大きくなる範囲は該窒素イオンＮ＋ ，ほう
素上記Ｂとが表面に到達できないようになっている。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。
明する。
【００１３】図１の（Ａ）において、１は立方晶窒化ほ
う素（以下ＣＢＮ；Ｃｕｂｉｃ ＢｏｒｏｎＮｉｔｒ
ｉｄｅと略す）成膜対象の切削工具の一例であり、歯切
り用切削工具の一部を示す。また、２，３，４，５，６
は、夫々前記切削工具の左側面，左コ−ナ−，歯先面，
右コ−ナ−，右側面を示す。
う素（以下ＣＢＮ；Ｃｕｂｉｃ ＢｏｒｏｎＮｉｔｒ
ｉｄｅと略す）成膜対象の切削工具の一例であり、歯切
り用切削工具の一部を示す。また、２，３，４，５，６
は、夫々前記切削工具の左側面，左コ−ナ−，歯先面，
右コ−ナ−，右側面を示す。
【００１４】図中にｃ−ｄで示すピッチ線より刃先側の
面にＣＢＮ成膜を施す必要がある。７は、上記切削工具
の表面基材と同じ材質又はＴｉ，ＴｉＮ，Ｍｏ，カ−ボ
ングラファイト等のイオンエッチングレ−トの小さい材
質からなるマスクである。８は、前記マスクに設けたス
リットであり、イオン及びほう素（Ｂ）の金属蒸気はこ
のスリット８のみを通過して成膜対象物面に到達する。
面にＣＢＮ成膜を施す必要がある。７は、上記切削工具
の表面基材と同じ材質又はＴｉ，ＴｉＮ，Ｍｏ，カ−ボ
ングラファイト等のイオンエッチングレ−トの小さい材
質からなるマスクである。８は、前記マスクに設けたス
リットであり、イオン及びほう素（Ｂ）の金属蒸気はこ
のスリット８のみを通過して成膜対象物面に到達する。
【００１５】前記切削工具１とマスク７とは、図示しな
い既存技術による装置によって、図中の点Ｏを中心とし
て矢印ｆの方向及びその逆方向に回動，角度決め可能に
なっている。また、前記マスク７は、図示しない既存技
術による装置によって、切削工具１に対して相対的に可
動であり、ピッチ線ｃ−ｄに平行な矢印ｇ−ｈの方向に
駆動位置決め可能になっている。図１の（Ａ）の矢印ｅ
で示す方向より、窒素イオン（Ｎ＋ ）とほう素の金属
蒸気（Ｂ）とがマスク７，切削工具１に対して照射され
るようになっている。
い既存技術による装置によって、図中の点Ｏを中心とし
て矢印ｆの方向及びその逆方向に回動，角度決め可能に
なっている。また、前記マスク７は、図示しない既存技
術による装置によって、切削工具１に対して相対的に可
動であり、ピッチ線ｃ−ｄに平行な矢印ｇ−ｈの方向に
駆動位置決め可能になっている。図１の（Ａ）の矢印ｅ
で示す方向より、窒素イオン（Ｎ＋ ）とほう素の金属
蒸気（Ｂ）とがマスク７，切削工具１に対して照射され
るようになっている。
【００１６】なお、図示しない窒素イオンの供給源，ほ
う素の金属蒸気の供給源，切削工具１，該マスク７，及
び切削工具１とマスクの回動，位置決めを行う図示しな
い装置は、図示しない真空チャンバ−内に設置されてい
るものとする。
う素の金属蒸気の供給源，切削工具１，該マスク７，及
び切削工具１とマスクの回動，位置決めを行う図示しな
い装置は、図示しない真空チャンバ−内に設置されてい
るものとする。
【００１７】図１の（Ａ）は、切削工具１の左側面２，
左コ−ナ−３，および刃先面４に対してイオンミキシン
グ又はＣＢＮ成膜を施す状態にあり、成膜対象物面の法
線に対するイオン入射角度が急激に大きくなる該右コ−
ナ−５，右側面６はマスク７によって窒素イオンＮ＋
，ほう素蒸気Ｂとが表面に到達できないようになってい
る。
左コ−ナ−３，および刃先面４に対してイオンミキシン
グ又はＣＢＮ成膜を施す状態にあり、成膜対象物面の法
線に対するイオン入射角度が急激に大きくなる該右コ−
ナ−５，右側面６はマスク７によって窒素イオンＮ＋
，ほう素蒸気Ｂとが表面に到達できないようになってい
る。
【００１８】図１の（Ｂ）は、切削工具１とマスク７を
点Ｏを中心として矢印ｆの方向に回転した後、マスク７
を切削工具１に対して矢印ｇ方向に移動位置決めしたと
きの、切削工具１，マスク７の姿勢と位置を示す。成膜
対象物面の法線に対するイオン入射角度が急激に大きく
なる左コ−ナ−３，左側面２は、マスク７によって窒素
イオンＮ，ほう素蒸気Ｂとが表面に到達できないように
なっている。
点Ｏを中心として矢印ｆの方向に回転した後、マスク７
を切削工具１に対して矢印ｇ方向に移動位置決めしたと
きの、切削工具１，マスク７の姿勢と位置を示す。成膜
対象物面の法線に対するイオン入射角度が急激に大きく
なる左コ−ナ−３，左側面２は、マスク７によって窒素
イオンＮ，ほう素蒸気Ｂとが表面に到達できないように
なっている。
【００１９】しかして、上記実施例によれば、イオンミ
キシングとＣＢＮ成膜時の夫々において、成膜対象面に
対するイオン入射角度を制限した範囲内でのイオンミキ
シング又はＢＮ成膜処理を行い、成膜対象面の法線に対
するイオン入射角度が急激に大きくなる範囲は該窒素イ
オンＮ＋ ，ほう素上記Ｂとが表面に到達できないよう
になっている。その結果、 （１） イオンミキシング時には、すでにミキシング層
を形成した面においては、イオンによるエッチング作用
で形成済みのミキシング層が除去されることがない。 （２） ＣＢＮ成膜時にも、イオンによるエッチング作
用で形成済みのミキシング層が除去される量を小さくす
ることができる。
キシングとＣＢＮ成膜時の夫々において、成膜対象面に
対するイオン入射角度を制限した範囲内でのイオンミキ
シング又はＢＮ成膜処理を行い、成膜対象面の法線に対
するイオン入射角度が急激に大きくなる範囲は該窒素イ
オンＮ＋ ，ほう素上記Ｂとが表面に到達できないよう
になっている。その結果、 （１） イオンミキシング時には、すでにミキシング層
を形成した面においては、イオンによるエッチング作用
で形成済みのミキシング層が除去されることがない。 （２） ＣＢＮ成膜時にも、イオンによるエッチング作
用で形成済みのミキシング層が除去される量を小さくす
ることができる。
【００２０】なお、上記実施例では、立方晶窒化ほう素
（ＣＢＮ）の成膜の場合を示したが、アモルファス窒化
ほう素等の窒化ほう素あるいは窒化ほう素と立方晶窒化
ほう素（ＣＢＮ）の混合膜の場合も本発明の適用対象に
含まれる。上記実施例では、希ガスとしてアルゴンのイ
オン（Ａｒ＋ ）の場合を示したが、ヘリウムその他の
希ガスを用いることもあり得る。
（ＣＢＮ）の成膜の場合を示したが、アモルファス窒化
ほう素等の窒化ほう素あるいは窒化ほう素と立方晶窒化
ほう素（ＣＢＮ）の混合膜の場合も本発明の適用対象に
含まれる。上記実施例では、希ガスとしてアルゴンのイ
オン（Ａｒ＋ ）の場合を示したが、ヘリウムその他の
希ガスを用いることもあり得る。
【００２１】上記実施例でも触れているように、窒化ほ
う素形成のための必要工程としてのイオンミキシング層
の形成時に本発明で示す方法を用いることも、本発明の
適用対象として含まれるものとする。上記実施例では、
図示していないが、既存技術による手段として、次のも
のがある。 （１） イオン入射方向に対してＣＢＮ膜対象面の法線
方向を制御する手段として、図中の点Ｏを中心として切
削工具１及びマスク７を回動する手段。 （２） 成膜対象面とマスクとの相対的位置関係を制御
する手段として、図中の矢印ｇ−ｈ方向にマスク７を駆
動位置決めする手段。
う素形成のための必要工程としてのイオンミキシング層
の形成時に本発明で示す方法を用いることも、本発明の
適用対象として含まれるものとする。上記実施例では、
図示していないが、既存技術による手段として、次のも
のがある。 （１） イオン入射方向に対してＣＢＮ膜対象面の法線
方向を制御する手段として、図中の点Ｏを中心として切
削工具１及びマスク７を回動する手段。 （２） 成膜対象面とマスクとの相対的位置関係を制御
する手段として、図中の矢印ｇ−ｈ方向にマスク７を駆
動位置決めする手段。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、傾斜
面，曲面，コ−ナ−を有する成膜対象品に対しても、Ｃ
ＢＮの密着性確保に必要な深いミキシング層の形成を可
能とするため、密着力の優れたＣＢＮ成膜が可能であり
、ＣＢＮコ−ティングの適用対象品を広げ、産業上の効
果が大きい窒化ほう素成膜の形成方法を提供できる。
面，曲面，コ−ナ−を有する成膜対象品に対しても、Ｃ
ＢＮの密着性確保に必要な深いミキシング層の形成を可
能とするため、密着力の優れたＣＢＮ成膜が可能であり
、ＣＢＮコ−ティングの適用対象品を広げ、産業上の効
果が大きい窒化ほう素成膜の形成方法を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係る窒化ほう素成膜の形成
方法の説明図。
方法の説明図。
【図２】従来の窒化ほう素成膜の形成方法の説明図。
１…切削工具，２…左側面、３…左コ−ナ−、４…刃先
面、５…右コ−ナ−、６…右側面、７…マスク。
面、５…右コ−ナ−、６…右側面、７…マスク。
Claims (2)
- 【請求項１】 ほう素蒸発源又はほう素イオン供給源
と、窒素イオン又は窒素，希ガスの混合イオン供給源を
備え、前記イオン供給源と成膜対象物との間に電界を設
けて前記イオンを成膜対象物面に照射するようにした窒
化ホウ素膜の形成方法において、前記イオンの入射方向
に対して被成膜物面の法線方向を制御する手段とを具備
し、前記成膜対象物面に対する前記イオンの入射角度を
制限するマスクを設けた上で、前記成膜対象物面とマス
クとの相対的位置関係を制御することを特徴とする窒化
ホウ素膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記マスクの材質が、成膜対象物の表
面基材と同質又はＴｉ，ＴｉＮ，Ｍｏ，カ−ボン，カ−
ボン複合材料等のエッチングレ−トの小さい材質からな
る請求項１記載の窒化ほう素膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40238190A JPH04214854A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 窒化ほう素膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40238190A JPH04214854A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 窒化ほう素膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214854A true JPH04214854A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18512199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40238190A Withdrawn JPH04214854A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 窒化ほう素膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214854A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466536B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-01-15 | 한국원자력연구소 | 이온 조사에 의한 이용기 날의 표면처리 방법 |
| JP2006205297A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 表面被覆切削工具およびその製造方法 |
| DE102008032656A1 (de) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Vefahren zur Beschichtung eines Zahnrads |
| JP2012514691A (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-28 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 機能表面のコーティングのための方法及び装置 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP40238190A patent/JPH04214854A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466536B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2005-01-15 | 한국원자력연구소 | 이온 조사에 의한 이용기 날의 표면처리 방법 |
| JP2006205297A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 表面被覆切削工具およびその製造方法 |
| DE102008032656A1 (de) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Vefahren zur Beschichtung eines Zahnrads |
| JP2012514691A (ja) * | 2009-01-09 | 2012-06-28 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト・ツァー・フォデラング・デル・アンゲワンテン・フォーシュング・エー．ファウ． | 機能表面のコーティングのための方法及び装置 |
| EP2376667B1 (de) * | 2009-01-09 | 2016-03-16 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur funktionsflächenbeschichtung |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |