JPH04212126A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH04212126A
JPH04212126A JP3025131A JP2513191A JPH04212126A JP H04212126 A JPH04212126 A JP H04212126A JP 3025131 A JP3025131 A JP 3025131A JP 2513191 A JP2513191 A JP 2513191A JP H04212126 A JPH04212126 A JP H04212126A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カイラルスメクチック
C相を有する液晶材料を用いた新規な液晶表示素子に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイの開発動向としては、
これまでSTNのマルチプレックス駆動及びTNのTF
Tアクティブマトリックス駆動が主流となっているが、
大画面化や高精細度化を達成するには、より高速なデバ
イスが必要となっている。このような状況から、液晶表
示素子に使用される液晶材料として、カイラルスメクチ
ックC相を有する強誘電性液晶が注目を集めており、か
かる強誘電性液晶を用いカイラルスメクチックC相の光
スイッチング効果を利用した強誘電性液晶デバイスとし
て、エヌ・エー・クラーク及びエス・ティー・ラガウォ
ール等によって提案された表面安定化強誘電性液晶(S
SFLC:SurfaceStabilized Fe
rroelectric Liquid Crysta
l )デバイス等が知られている。
【0003】前記SSFLCデバイスは、狭ギャップセ
ル中にカイラルスメクチックC相(以下、SmC* 相
と称する。)を有する液晶成分を充填した液晶デバイス
で、基板の配向処理方向に対して所定の角度α及び−α
傾いた方向に液晶分子の分子軸が揃った状態を安定状態
とするものである。そして、この双安定の2状態間での
スイッチングを行うことで、明暗2状態を発現するもの
である。したがって、SSFLCにおいては、明,暗の
2状態でのスイッチングに限られ、メモリー性は有する
ものの階調表示ができないという問題を抱えている。
【0004】強誘電性液晶デバイスにおいて、階調性を
得るための技術としては、しきい値電圧の異なるマルチ
ドメインを制御し、面積階調を行う方法も提案されてい
るが、この場合には、マルチドメインのしきい値が離散
的であり、連続階調がとれないという問題が残る。
【0005】このような問題点を改良するために、例え
ば特開平1−152430号公報に記載されるように、
SmC* 相のピッチpとセルギャップdとの関係がd
/p>5,すなわちd=2μmでp<0.4μmのピッ
チを有するSmC* 液晶を使用し、SmC* 相のら
せん軸が基板の配向処理方向に向き、且つ安定状態にお
いて液晶分子のダイレクタ(分子軸)が螺旋を形成する
ようにした液晶表示セルが提案されている。この液晶表
示セルでは、強誘電性液晶のヘリックス歪効果を用いた
単安定状態において、低電圧駆動でテレビレートのアナ
ログ階調が実現可能とされている。しかしながら、この
場合には、高速応答性及びその動作原理のためにヘリカ
ルピッチの極端に短い液晶系が必要となり、均一配向が
難しいという新たな問題が生ずる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の強
誘電性液晶デバイスにおいては、連続階調表示(いわゆ
るアナログ階調表示)の実現が難しく、実用化に際して
その用途が大きく制約されるという不都合を有している
。そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、連続階調表示が可能で、しかも液晶の
配向が容易な液晶表示素子を提供することを目的とする
【0007】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示素子は、一軸配向処理が施され
た一対の基板が配向処理方向が互いに略平行となるよう
に対向配置されるとともに、これら基板間にカイラルス
メクチックC相を有する液晶材料が充填されてなり、前
記カイラルスメクチックC相を有する液晶材料の液晶分
子が描くコーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分
子自身の分子軸方向の基板への投影成分がそれぞれ基板
の配向処理方向と同一とされ、この状態が初期状態とし
て単安定化されたことを特徴とするものであり、さらに
は基板間に充填された液晶材料がモノドメイン化されて
いることを特徴とするものである。
【0008】本発明の液晶表示素子の基本構成は、図1
に示すようなものであり、ラビング処理や斜方蒸着等の
一軸配向処理を施した一対の基板1,2を面対向する如
く配置して液晶セルとなし、これら基板1,2の間隙に
SmC* 相を有する液晶材料を充填してなる。用いる
液晶材料としては、強誘電性液晶であってもよいし、反
強誘電性液晶であってもよく、要はSmC* 相をとり
うる液晶材料であれば如何なるものであってもよい。た
だし、配向性等を考慮すると、SmC* 相の螺旋ピッ
チが十分に長いことが好ましく、さらには大きな自発分
極を有し且つSmC* 相を室温を含む広い温度範囲で
示すことが好ましい。
【0009】したがって、従来より公知のカイラル液晶
あるいは下記の化1で表されるカイラル液晶と、3環性
エステルのフッ素置換誘導体,フェニルピリミジン系,
フェニルベンゾエート系等の非カイラル液晶(ホスト液
晶)とを混合した組成物等が好適である。
【化1】
【0010】特に、単安定性構造を安定に発現するため
には、非カイラル液晶として3環性エステルのフッ素置
換誘導体またはフェニルピリミジン系液晶、さらにはこ
れらの混合物を使用することが好ましく、フェニルピリ
ミジン系液晶が欠陥等の観点から最も好適である。
【0011】また、上述のようにカイラル液晶と非カイ
ラル液晶の混合物を使用する場合、ホスト液晶である非
カイラル液晶へのカイラル液晶の添加量がコントラスト
,応答時間等に影響する。実用的な応答時間を維持し、
しかも高コントラストを実現するためには、カイラル液
晶の添加量を1〜3重量%とすることが好ましい。
【0012】一方、基板1,2は、いずれも透明基板上
に透明電極を形成し、さらにその上にポリイミド膜を被
着してラビング処理したり、斜方蒸着膜を形成してなる
ものであって、それぞれの一軸配向処理方向(図1中矢
印X及び矢印Yで示す。)が互いに略平行となるように
配置されている。ここで、例えばラビング処理はポリイ
ミド膜の表面を一方向に擦って表面に微細な傷を付けて
配向性を持たせる手法であるが、擦った方向まで同一(
全くの平行。以下、パラレルと称する。)になるように
配置してもよいし、擦った方向が互いに逆(反平行。 以下、アンチパラレルと称する。)になるように配置し
てもよい。すなわち、前者は基板1のラビング方向をX
1 としたときに基板2のラビング方向をY1 とした
場合であり、後者は基板1のラビング方向をX1 とし
たときに基板2のラビング方向をY2 とした場合であ
る。ただし、パラレルとした場合には2値状態しかとり
得ない双安定セルとなり易い傾向にあることから、アン
チパラレルとすることがより好ましい。
【0013】また、液晶分子が単安定化されるためには
、基板1,2間の距離(いわゆるセルギャップ)が適正
な値に設定されることが必要で、本発明者等の実験によ
れば、セルギャップを1.2〜3μmとすることが好ま
しい。セルギャップが3μmを越えると双安定化し易く
なり、逆にセルギャップが1.2μm未満であると電圧
印加時のチルト角が小さく光透過率が低くなってしまう
。特に高電界印加を可能とし十分な光透過率を確保する
ためには、セルギャップを1.6〜2.7μmなる範囲
とするのが良い。
【0014】上述のように上下両方の基板1,2に一軸
配向処理を施し、その配向方向が互いに略平行となるよ
うに配した液晶セルに、SmC* 相を有する液晶材料
を充填すると、例えば液晶材料が層構造を有するもので
あれば、各層の法線方向(あるいはその基板への投影成
分の方向)が前記配向処理方向と一致する。ここで、各
層の液晶分子3は、図2に示すように円錐の外周面に沿
う形で回転するが、この液晶分子3の描くコーン(円錐
)の軸方向Z(あるいはその基板への投影成分の方向)
も前記配向処理方向と一致する。さらには、液晶分子3
自身のダイレクタ(分子軸)の方向D(あるいはその基
板への投影成分の方向)もやはり前記配向処理方向と一
致する。すなわち、各液晶分子3は、コーンの円周上の
点rあるいは点sの位置で安定する。したがって、本発
明の液晶表示素子は、基板表面での液晶分子の安定化効
果を用いたものであるが、これまで知られる双安定を利
用したものではなく、また双安定のどちらか片側だけで
安定化する片安定でもなく、その中間の状態で単安定さ
れたものと言える。
【0015】本発明の液晶表示素子は、基板1,2の法
線方向から見たときに、電界を印加しない状態で各基板
1,2の一軸配向処理方向X,Yと液晶分子3が描くコ
ーンの軸方向Z、液晶分子3自身のダイレクタの方向D
が一致する構造である。ここで、一対の偏光子(アナラ
イザとポーラライザ。それぞれの偏光方向をA及びPで
表す。)の偏光方向を直交させたまま、いずれか一方の
偏光方向を前記配向処理方向と一致させると、光は透過
せず黒レベルが得られる。これに対して、電界を印加す
ると、液晶分子3のダイレクタはコーンに沿って回転し
、電界強度や極性に応じて右あるいは左に連続的(アナ
ログ的)にチルトすることになり、これによって連続階
調(アナログ階調)が得られる。なお、印加する電界の
駆動電圧波形は任意であるが、+,−交互の印加であっ
て、電気的中性条件をほぼ満足した振幅変調型であるこ
とが好ましい。
【0016】このときの液晶分子の挙動を図3、図4及
び図5に示す。図3は図1中a方向から見た液晶分子の
挙動、図4は図1中b方向から見た液晶分子の挙動、図
5は図1中c方向から見た液晶分子の挙動である。また
、これらの図面においては、ガラス板1a,2a上に透
明電極1b,2b及びラビング処理層1c,2cが成膜
されたものが基板1,2として配置されている。電界を
印加していない状態では、各液晶分子3のダイレクタの
方向Dは、基板1,2のラビング処理層1c,2cの一
軸配向処理方向に揃う。すなわち、図3中央に示すよう
に、液晶分子3のダイレクタの方向Dは、コーンの投影
面のセンターに来る。この状態が単安定状態であり、例
えばポーラライザの偏光方向Pを配向処理方向X,Yに
一致させ、アナライザの偏光方向Aをこれと直交させる
と、光は透過せずに暗状態となる。
【0017】一方、例えば上方の基板1の透明電極1b
に+、下方の基板2の透明電極2bに−の電界を印加す
ると、各図面において左側に示すように、液晶分子3は
反時計回り方向(回転方向は液晶材料の自発分極の極性
に依存する。)に回転する。このとき、ラビング処理層
1c,2cとの界面から離れるに従って見掛けのチルト
角θは大きくなるが、これはラビング処理層1c,2c
との界面では相互作用が大きく、いわゆるアンカー効果
が働くためと考えられる。ここで、見掛けのチルト角θ
の最大値θmax は電界強度によって決まり、したが
って電界強度に応じて前記チルト角の最大値θmax 
が連続的に変化することになる。これに伴い、当然のこ
とながら液晶セル全体で見た見掛けのチルト角の平均値
θAVG も連続的に変化する。
【0018】上方の基板1の透明電極1bに−、下方の
基板2の透明電極2bに+の電界を印加した場合も同様
で、この場合には各図面において右側に示すように、液
晶分子3は時計回り方向に回転し、やはり見掛けのチル
ト角の最大値θmax や平均値θAVG が連続的に
変化する。このとき、ポーラライザからの直線偏光は、
この液晶分子3のダイレクタのチルトにより位相差を生
じ楕円偏光となるため、アナライザからの透過光量はチ
ルト角の平均値θAVG に対応して大きくなる。すな
わち、前記液晶セルにおける透過光強度Iは、次の式1
に示す関係となり、電界強度に対応して連続的に変化す
る見掛けのチルト角の平均値θAVG に応じて変化し
、アナログ階調が得られることになる。
【式1】
【0019】(ただし、式中のI0 はセルを透過する
前の光の強度。)電界印加状態から外部電界を除去する
と、液晶の内部電界及び界面の安定化効果により、すみ
やかに初期状態に戻る。
【0020】ところで、上述の構成を有する液晶セルに
おいては、コーン軸及び液晶分子ダイレクタの配向状態
として、図6及び図7に示すような、2つのモデルが考
えられる。すなわち、図6に示すように層のチルトがセ
ル全体で一様である場合(モノドメイン)と、図7に示
すようにコーン軸の周期に伴い所定のピッチ(例えば2
.25μmピッチ)で層のチルトが逆となる場合(縞状
ドメイン)である。一軸配向処理方向を互いに略平行に
した基板1,2間にただ単に液晶材料を充填したときに
は、通常は後者(縞状ドメイン)となり、非常に規則性
の高い縞状組織を呈する。しかしながら、低電圧でリニ
アな階調性が得られ、高コントラストを有することから
、液晶表示素子としてはモノドメイン化されている方が
有利である。
【0021】基板1,2間に充填された液晶材料をモノ
ドメイン化するには、非カイラル液晶としてフェニルピ
リミジン系液晶を用い、高電圧を印加すればよい。高電
圧印加によって、単安定のままで縞状組織が解けてモノ
ドメイン化する。例えば、前記フェニルピリミジン系液
晶をホスト液晶とし、カイラル液晶を2重量%添加した
液晶材料を使用した場合、700Hz、±45〜±50
Vの矩形波処理でほぼモノドメイン化する。ただし、室
温近傍での電界処理のみでは縞状構造が若干残存する。 そこで、カイラルネマチック相(N* )の温度で電界
(700Hz、±20〜±50V)を印加し、電界印加
状態のままスメクチックA相(SmA)、さらにはカイ
ラルスメクチックC相(SmC* )まで冷却すること
により、より完全なモノドメイン組織ができる。なお、
いずれの場合にも印加する電界の周波数が重要で、70
0Hz前後でのみ特異的にモノドメイン化が起こり、6
00Hz以下では効果が少ない。
【0022】
【作用】本発明の液晶表示素子においては、コーン軸及
び液晶ダイレクタの基板への投影成分が一軸配向処理方
向に配列し、単安定化されている。そして、電界無印加
時にはこの単安定化状態が初期状態として保たれ、黒レ
ベルとなる。これに対して、所定の極性の電界を印加す
ると、液晶ダイレクタはコーン面に沿って例えば右回り
に回転しようとするが、界面近傍では液晶ダイレクタが
アンカリングされ、界面から離れた領域でチルトする。 一方、逆極性の電界では、左回りに回転し、チルトの向
きは逆になる。ここで、チルト角は印加した電界の強度
に応じて大きくなり、また透過光量はチルト角に対応し
て大きくなる。したがって、電界強度を変化させること
によって連続的なアナログ階調が実現される。電界印加
状態から外部電界を除去すると、界面の安定化効果等に
より速やかに初期状態に戻る。
【0023】上述の動作原理を有する本発明の液晶表示
素子においては、SmC* 相のピッチ長が長くても原
理的に動作可能であり、したがって液晶材料の配向も非
常に容易である。また、特に層のチルトがセル全体で一
様となるようにモノドメイン化した場合には、高コント
ラスト化が図られ、しかも低電圧領域でリニアな階調性
が得られる。
【0024】
【実施例】以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて
説明する。 液晶セルの作製 透明電極(ITO)を配したガラス板の前記透明電極側
をシランカップリング処理した後、スピンコート法によ
りポリアミド膜を塗布し、ベーキングによりイミド化し
てポリイミド膜を形成した。このポリイミド膜をベルベ
ット布で一方向に10回ラビング処理を施し、配向膜と
した。配向膜の厚さは約200Åであり、ラビング処理
方向に関して非対称性を有する。以上により配向膜を形
成したガラス板をラビング処理方向が互いに反平行(ア
ンチパラレル)となるように透明電極を対向させて配置
し、2μmの真絲球(マイクロパール)を分散させた紫
外線硬化接着剤を用いてギャップ2μmのセルを組み立
てた。
【0025】液晶材料としては、カイラル成分として下
記の化2に示す化合物(A)を用い、非カイラル成分と
して化3に示す化合物(B)(3環性2フッ素系)、化
4に示す化合物(C)(フェニルピリミジン系)及び化
5に示す化合物(D)(フェニルベンゾエート系)を用
いた。
【化2】
【化3】
【化4】
【化5】
【0026】非カイラル成分の組成は、化合物(B)が
58重量%、化合物(C)が22重量%、化合物(D)
が20重量%である。カイラル成分と非カイラル成分の
割合は、カイラル成分(A):非カイラル成分(B+C
+D)=10:90(重量比)とした。この液晶材料は
、図8に示す相転移挙動を示した。SmC* 相の25
℃におけるピッチ長は2.5μmであり、例えば特開平
1−152430号公報に記載される条件よりも遥かに
長い。また、この液晶材料の自発分極は、25nC/c
m2 (25℃)であった。
【0027】上述の液晶材料を真空中において110℃
の等方性液体相(Iso)の状態で液晶セル中に注入し
、室温まで徐冷した。このようにして作製した液晶セル
を偏光顕微鏡で観察すると、配向膜のラビング方向に縞
状の組織が観察された。この縞状組織の規則性は非常に
良く、さらに前記縞の方向に液晶分子が並んでいた。 すなわち、作製した液晶セルにおいては、液晶材料が層
構造をとり、各層の法線方向あるいはコーンの軸方向の
基板への投影成分が配向膜におけるラビング方向と同じ
になり、且つ液晶分子自身のダイレクタの基板への投影
成分も配向膜におけるラビング方向と同じになっていた
。なお、ラビング方向に液晶分子が並んでいることは、
複屈折測定における遅相軸がラビング方向と一致するこ
とにより確認した。そして、直交したポーラライザとア
ナライザのうち、例えばポーラライザと配向軸とを平行
あるいは直交させると、透過光をほぼ遮蔽することがで
き、暗状態とすることができた。
【0028】 動作実験 図9に示すような評価用の駆動波形により作製した液晶
セルのアナログ階調性を調べた。この駆動波形は、印加
電圧の電位により階調を持たせるものであり、電圧の極
性を交互に変えているのは、液晶材料に対する電気的中
性条件を考慮したためである。アクティブマトリックス
の1画素を想定すれば、1パルスが1フィールドに相当
し、2フィールド目のパルスで電気的にほぼキャンセル
されるわけである。したがって、このパルス幅は1/6
0秒(16.6ミリ秒)としてある。パルス間にある電
圧0ボルトのパルスは、液晶分子のダイレクタのチルト
状態からの緩和時間を評価するものである。図9の(b
)に前記駆動波形を、(a)に液晶セルにおける応答波
形を示す。図9から明らかなように、作成した液晶セル
においては電圧変調により階調が出せることが確認され
た。また、この液晶セルは、電圧ゼロボルト時の立ち下
がりが速いのが特徴である。
【0029】また、印加電圧と液晶セルにおける光透過
率の関係を図10及び表1に示す。なお、ここでの光透
過率は便宜上最大透過率(±11.1V印加したときの
光透過率)を100%としてある。
【表1】
【0030】印加電圧に応じて光透過率が変わり、階調
表示が達成されたことがわかる。また、印加電圧を連続
的に振幅変調することによって、アナログ階調も達成す
ることができた。さらに、各印加電圧におけるスイッチ
ング時間は、電圧印加時の応答時間τONで1〜8ミリ
秒、電圧印加状態からオフ(0V)への応答速度τOF
F で0.6〜3.3ミリ秒であり、非常に速い応答を
示した。特にオフ時の応答が高速であるのは、単安定状
態の安定度が非常に高いためであると推定される。一般
的なTN液晶では、応答時間は数十〜数百ミリ秒程度で
あり、したがって本発明の液晶セル構造を例えば薄膜ト
ランジスタ(TFT)セルに取り入れることで、従来の
TN型TFTディスプレイよりも遥かに高速動作可能な
ディスプレイが構築されるものと期待される。
【0031】以上のように、本発明を適用した液晶セル
においては、アナログ階調が可能でしかも高速動作が可
能であることが明らかとされたが、さらに単安定セル構
成要件の最適化を目指し、液晶セル構造や液晶材料物性
等が単安定化に及ぼす影響について検討を重ねた。以下
、これら検討結果について述べる。
【0032】 配向処理方向の検討 先ず、ポリイミド界面の構造的な因子が単安定に及ぼす
効果を明確にするために、液晶セルにおける一対の基板
の配向処理方向の組み合わせ、すなわちパラレル(平行
)あるいはアンチパラレル(反平行)、による配向状態
の相違を検討した。液晶セルの構成や使用した液晶材料
は、先に作製した液晶セルと同様であり、配向膜のラビ
ング方向の組み合わせのみをパラレル及びアンチパラレ
ルの二種類とした。パラレル配向では、消光位はラビン
グ方向に対して±ψチルトしており、黒レベルの良好な
双安定状態をとった。したがって、この場合には2値状
態しかとり得ない双安定セルとなる。このときのセル中
の液晶配向構造は、いわゆるシェブロン構造と推定され
る。一方、アンチパラレル配向では、消光位はラビング
方向と一致し、単安定特有の縞状組織が観察された。 この液晶セルにおいて階調表示が可能であることは、先
の動作実験に示した通りである。このときのセル中の液
晶配向構造は、いわゆるブックシェルフ構造と推定され
る。以上より、単安定セルとするためには、アンチパラ
レル配向セルとすることが好適であると言える。
【0033】 最適セルギャップの検討 ポリイミド界面においては、ラビング方向の影響ばかり
でなく、アンカリング効果による影響も予想される。す
なわち、ポリイミド界面が液晶分子に及ぼす相互作用は
、界面から離れるに従い減少するものと考えられ、した
がってセルギャップを変化させることにより単安定の度
合いを制御できるものと推察される。そこで、セルギャ
ップを0.8μm〜6.3μmの間で変化させてそれぞ
れ液晶セルを作製し、各セルにおける透過率、単安定ス
イッチング特性等について検討した。作製した液晶セル
の構成や使用した液晶材料は、ここでも先に作製した液
晶セルと同様とし、セルギャップを0.8μm、1.2
μm、1.65μm、1.8μm、2.0μm、2.1
μm、2.7μm、3.0μm、3.9μm、6.3μ
mとした。
【0034】その結果、セルギャップ3μm以下の液晶
セルでは、液晶分子の配向性が良く、且つツイストの無
い構造をとり、黒レベルも良好であることがわかった。 ただし、セルギャップ0.8μm及び1.2μmでは、
黒レベルは良好であるものの、電圧印加時のチルト角が
小さく光透過率が低かった。一方、単安定用駆動波形で
各液晶セルのスイッチングを調べたところ、セルギャッ
プ0.8μ〜3.0μmで単安定を示したが、ギャップ
が大きくなり3.9μmあるいは6.3μmとなると双
安定性を示すようになった。そこで、セルギャップ1.
65μm〜3.0μmの液晶セルについて、応答時間を
測定した。結果を表2に示す。
【表2】
【0035】上記ギャップ範囲において、立ち上がり応
答時間は低電界下ではギャップに若干依存するが、高電
界下では一定値に近づいてくる。立ち下がり応答時間は
、印加電界強度に依存せず、ほぼ一定であり、これは主
にポリイミド界面の拘束力によるものと考えられる。 なお、セルギャップ3.0μmでは、高電界印加により
双安定に移行してしまうため、スイッチングデバイスと
して使用するには、セルギャップ2.7μm以下とする
ことが必要であることがわかった。
【0036】 非カイラル液晶の効果 本発明の液晶セルにおいて、液晶材料として使用される
強誘電性液晶組成物は、非カイラル液晶にカイラル液晶
を添加してなるものである。そこで、最初に、非カイラ
ル成分が単安定性に及ぼす効果について検討した。先ず
、3環性2フッ素系(DFE)、フェニルピリミジン系
(PPm)、フェニルベンゾエート系(PE)からなる
3成分系の非カイラル液晶をアンチパラレルに組んだセ
ルに注入したところ、先に作製した液晶セルと同様の縞
状組織が観察された。すなわち、縞状組織の発生は、カ
イラル液晶によるものではなく、非カイラル液晶に起因
することがわかった。
【0037】そこでさらに、個々の成分について検討し
た。結果は次の通りである。 (イ)DFE/PPm組成物 DFE/PPm/PE組成物と同様、配向処理方向と同
方向の縞状組織が見られた。 (ロ)DFE組成物縞状組織の完成度は低いが、同様の
ラインが出現した。 (ハ)PPm組成物縞状組織の完成度が非常に高いもの
であった。 (ニ)PE組成物縞状組織は見られず、双安定類似構造
を有していた。 このように、PPm,DFEの各非カイラル成分により
単安定性が発現し、単安定性構造の発現にはカイラル成
分は必要ないことがわかった。特に、PPmでは欠陥が
少なく、本発明の液晶セルにおける非カイラル成分とし
て好適であることが示唆された。ただし、これら非カイ
ラル成分のみでは単安定特有の縞が移動するスイッチン
グモードは僅かであり、このモードの有効な発現のため
にはカイラル成分の存在が必要であることがわかった。
【0038】 カイラル液晶の添加効果 極めて欠陥の少ないフェニルピリミジン系液晶(PPm
)にカイラル成分を添加することにより、単安定セルの
組織構造及び電気光学特性にどのような効果をもたらす
かを検討した。配向膜はポリイミド、セルはアンチパラ
レルとした。添加したカイラル液晶は、先の化合物(A
)である。カイラル成分添加量を0〜5重量%とし、各
セルを偏光顕微鏡にて観察したところ、カイラル成分添
加量0〜3重量%で欠陥の少ない単安定の縞状組織が確
認された。これに対して、カイラル成分添加量が3重量
%を越えると、液晶材料注入後の冷却時に発生した欠陥
により黒レベルが浮いてしまい、コントラスト比が低下
した。図11にコントラスト比のカイラル濃度依存性を
示すが、これよりカイラル液晶の添加量は3重量%以下
とすることが好ましいことがわかる。
【0039】さらに、カイラル成分の濃度を変えたフェ
ニルピリミジン系液晶組成物について、電気光学特性を
調べた。カイラル成分の添加により応答のしきい値電圧
が低下し、応答時間も短くなっているが、これら特性を
表3に示す。
【表3】
【0040】非カイラル液晶だけでは7V以上印加しな
いと応答しないが、カイラル液晶を僅か1重量%添加す
るだけで1V以下の低電圧でも駆動可能となり、10V
印加で光透過率100%となった。さらにカイラル成分
を増量すると、5V以下でも光透過率100%を達成で
きた。一方、応答時間については、τONはカイラル成
分の増加に伴い高速化し、3重量%で500μ秒となり
、それ以上は高速化しなかった。電圧印加を解除したと
きの応答速度であるτOFF は、カイラル成分1重量
%以上で約1.0〜1.25m秒でほぼ一定となった。 先のコントラスト比と併せて考えると、カイラル成分量
は実用的には1〜3重量%とするのが好適であることが
わかった。なお、フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を3重量%添加した強誘電性液晶組成物のヘリカル
ピッチは、N* 相で3μm,SmC* 相で9.3μ
mであり、さらには9.3μm以上のヘリカルピッチで
も単安定駆動を発現することができ、例えば特開平1−
152430号公報等に記載されるピッチ条件等とは大
きく異なる。
【0041】 縞状組織のモノドメイン化 単安定を利用したアナログ階調表示デバイスにおいては
、単安定セルを作製すると規則性の高い縞状組織が形成
され、これによって単安定性が発現されていたが、コン
トラスト比は最大でも46程度である。そこで、縞状組
織のモノドメイン化によるコントラスト比の改善効果に
ついて検討した。フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を2重量%添加した強誘電性液晶組成物を液晶セル
に注入した。使用した液晶セルの構成は、先の「液晶セ
ルの作製」の項において記載した通りである。この状態
では非常に規則性の高い縞状組織を呈したが、カイラル
ネマチック相の温度で700Hz,20〜50Vの電界
を印加し、電界印加状態のままスメクチックA相,さら
にはカイラルスメクチックC相まで冷却することにより
、モノドメイン化したセルを作製することができた。 モノドメイン化した液晶セルでは、コントラスト比81
が達成され、またアナログ階調性は、図12に示すよう
に低電圧域で線形性の良好なものであった。このように
、モノドメイン化することにより、低電圧(4V以下)
駆動で高コントラスト、応答時間1ミリ秒前後の特性を
有するアナログ階調表示デバイスが実現された。
【0042】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、カイラルスメクチックC相を有する液晶
材料を用いた液晶表示素子において、液晶分子が描くコ
ーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分
子軸方向の基板への投影成分を基板の一軸配向処理方向
と同一とし、この状態を単安定初期状態としているので
、アナログ階調表示が可能であり、また高速応答性にも
優れたものとすることができる。また、特に液晶材料を
モノドメイン化することにより、コントラスト比を大幅
に向上することができ、また低電圧域でのアナログ階調
の線形性を著しく改善することができる。
【0043】さらに、本発明の液晶表示素子は、カイラ
ルスメクチックC相のピッチ長の長いものにも適用でき
、液晶分子の配向が容易であり、量産性を考えた場合に
非常に有利である。さらにまた、本発明の液晶表示素子
においては、駆動波形として電気的中性条件を保ったも
ので使用でき、また本質的にこの駆動波形はTN型TF
Tディスプレイの場合と同様であることから、TFTア
クティブマトリックス駆動による振幅変調により高速ア
ナログ階調表示を達成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した液晶セルの構成例を模式的に
示す斜視図である。
【図2】液晶分子が描くコーンを説明する模式図である
【図3】図1の矢印a方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図4】図1の矢印b方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図5】図1の矢印c方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図6】モノドメイン化された場合の液晶ダイレクタの
配列状態を示す模式図である。
【図7】縞状組織を示す場合の液晶ダイレクタの配列状
態を示す模式図である。
【図8】実施例において使用した液晶材料の相転移温度
を説明するための図である。
【図9】単安定セルにおける応答波形を示す特性図であ
る。
【図10】作製した液晶セルにおける印加電圧と光透過
率の関係を示す特性図である。
【図11】コントラスト比のカイラル濃度依存性を示す
特性図である。
【図12】モノドメイン化した液晶セルにおける印加電
圧と光透過率の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
1,2・・・基板 3・・・液晶分子 X,Y・・・配向処理方向 Z・・・コーンの軸方向 D・・・液晶分子の分子軸方向

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  一軸配向処理が施された一対の基板が
    配向処理方向が互いに略平行となるように対向配置され
    るとともに、これら基板間にカイラルスメクチックC相
    を有する液晶材料が充填されてなり、前記カイラルスメ
    クチックC相を有する液晶材料の液晶分子が描くコーン
    の軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分子軸
    方向の基板への投影成分がそれぞれ基板の配向処理方向
    と同一とされ、この状態が初期状態として単安定化され
    たことを特徴とする液晶表示素子。
  2. 【請求項2】  一対の基板の配向処理方向が互いにア
    ンチパラレルとなるように対向配置されていることを特
    徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
  3. 【請求項3】  一対の基板間の距離が1.2〜3μm
    とされていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示
    素子。
  4. 【請求項4】  カイラルスメクチックC相を有する液
    晶材料がカイラル液晶と非カイラル液晶の組成物からな
    り、非カイラル液晶がフェニルピリミジン液晶系及び/
    又は3環性2フッ素液晶系であることを特徴とする請求
    項1記載の液晶表示素子。
  5. 【請求項5】  カイラル成分の添加量が1〜3重量%
    であることを特徴とする請求項4記載の液晶表示素子。
  6. 【請求項6】  基板間に充填された液晶材料がモノド
    メイン化されていることを特徴とする請求項1記載の液
    晶表示素子。
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