JPH04212126A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH04212126A JPH04212126A JP3025131A JP2513191A JPH04212126A JP H04212126 A JPH04212126 A JP H04212126A JP 3025131 A JP3025131 A JP 3025131A JP 2513191 A JP2513191 A JP 2513191A JP H04212126 A JPH04212126 A JP H04212126A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 197
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=N1 OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 34
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 41
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 37
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 30
- 230000004044 response Effects 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N phenyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OC1=CC=CC=C1 FCJSHPDYVMKCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カイラルスメクチック
Ｃ相を有する液晶材料を用いた新規な液晶表示素子に関
するものである。
Ｃ相を有する液晶材料を用いた新規な液晶表示素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイの開発動向としては、
これまでＳＴＮのマルチプレックス駆動及びＴＮのＴＦ
Ｔアクティブマトリックス駆動が主流となっているが、
大画面化や高精細度化を達成するには、より高速なデバ
イスが必要となっている。このような状況から、液晶表
示素子に使用される液晶材料として、カイラルスメクチ
ックＣ相を有する強誘電性液晶が注目を集めており、か
かる強誘電性液晶を用いカイラルスメクチックＣ相の光
スイッチング効果を利用した強誘電性液晶デバイスとし
て、エヌ・エー・クラーク及びエス・ティー・ラガウォ
ール等によって提案された表面安定化強誘電性液晶（Ｓ
ＳＦＬＣ：ＳｕｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｆｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ ）デバイス等が知られている。
これまでＳＴＮのマルチプレックス駆動及びＴＮのＴＦ
Ｔアクティブマトリックス駆動が主流となっているが、
大画面化や高精細度化を達成するには、より高速なデバ
イスが必要となっている。このような状況から、液晶表
示素子に使用される液晶材料として、カイラルスメクチ
ックＣ相を有する強誘電性液晶が注目を集めており、か
かる強誘電性液晶を用いカイラルスメクチックＣ相の光
スイッチング効果を利用した強誘電性液晶デバイスとし
て、エヌ・エー・クラーク及びエス・ティー・ラガウォ
ール等によって提案された表面安定化強誘電性液晶（Ｓ
ＳＦＬＣ：ＳｕｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｚｅｄ Ｆｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ ）デバイス等が知られている。
【０００３】前記ＳＳＦＬＣデバイスは、狭ギャップセ
ル中にカイラルスメクチックＣ相（以下、ＳｍＣ＊ 相
と称する。）を有する液晶成分を充填した液晶デバイス
で、基板の配向処理方向に対して所定の角度α及び−α
傾いた方向に液晶分子の分子軸が揃った状態を安定状態
とするものである。そして、この双安定の２状態間での
スイッチングを行うことで、明暗２状態を発現するもの
である。したがって、ＳＳＦＬＣにおいては、明，暗の
２状態でのスイッチングに限られ、メモリー性は有する
ものの階調表示ができないという問題を抱えている。
ル中にカイラルスメクチックＣ相（以下、ＳｍＣ＊ 相
と称する。）を有する液晶成分を充填した液晶デバイス
で、基板の配向処理方向に対して所定の角度α及び−α
傾いた方向に液晶分子の分子軸が揃った状態を安定状態
とするものである。そして、この双安定の２状態間での
スイッチングを行うことで、明暗２状態を発現するもの
である。したがって、ＳＳＦＬＣにおいては、明，暗の
２状態でのスイッチングに限られ、メモリー性は有する
ものの階調表示ができないという問題を抱えている。
【０００４】強誘電性液晶デバイスにおいて、階調性を
得るための技術としては、しきい値電圧の異なるマルチ
ドメインを制御し、面積階調を行う方法も提案されてい
るが、この場合には、マルチドメインのしきい値が離散
的であり、連続階調がとれないという問題が残る。
得るための技術としては、しきい値電圧の異なるマルチ
ドメインを制御し、面積階調を行う方法も提案されてい
るが、この場合には、マルチドメインのしきい値が離散
的であり、連続階調がとれないという問題が残る。
【０００５】このような問題点を改良するために、例え
ば特開平１−１５２４３０号公報に記載されるように、
ＳｍＣ＊ 相のピッチｐとセルギャップｄとの関係がｄ
／ｐ＞５，すなわちｄ＝２μｍでｐ＜０．４μｍのピッ
チを有するＳｍＣ＊ 液晶を使用し、ＳｍＣ＊ 相のら
せん軸が基板の配向処理方向に向き、且つ安定状態にお
いて液晶分子のダイレクタ（分子軸）が螺旋を形成する
ようにした液晶表示セルが提案されている。この液晶表
示セルでは、強誘電性液晶のヘリックス歪効果を用いた
単安定状態において、低電圧駆動でテレビレートのアナ
ログ階調が実現可能とされている。しかしながら、この
場合には、高速応答性及びその動作原理のためにヘリカ
ルピッチの極端に短い液晶系が必要となり、均一配向が
難しいという新たな問題が生ずる。
ば特開平１−１５２４３０号公報に記載されるように、
ＳｍＣ＊ 相のピッチｐとセルギャップｄとの関係がｄ
／ｐ＞５，すなわちｄ＝２μｍでｐ＜０．４μｍのピッ
チを有するＳｍＣ＊ 液晶を使用し、ＳｍＣ＊ 相のら
せん軸が基板の配向処理方向に向き、且つ安定状態にお
いて液晶分子のダイレクタ（分子軸）が螺旋を形成する
ようにした液晶表示セルが提案されている。この液晶表
示セルでは、強誘電性液晶のヘリックス歪効果を用いた
単安定状態において、低電圧駆動でテレビレートのアナ
ログ階調が実現可能とされている。しかしながら、この
場合には、高速応答性及びその動作原理のためにヘリカ
ルピッチの極端に短い液晶系が必要となり、均一配向が
難しいという新たな問題が生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の強
誘電性液晶デバイスにおいては、連続階調表示（いわゆ
るアナログ階調表示）の実現が難しく、実用化に際して
その用途が大きく制約されるという不都合を有している
。そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、連続階調表示が可能で、しかも液晶の
配向が容易な液晶表示素子を提供することを目的とする
。
誘電性液晶デバイスにおいては、連続階調表示（いわゆ
るアナログ階調表示）の実現が難しく、実用化に際して
その用途が大きく制約されるという不都合を有している
。そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、連続階調表示が可能で、しかも液晶の
配向が容易な液晶表示素子を提供することを目的とする
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示素子は、一軸配向処理が施され
た一対の基板が配向処理方向が互いに略平行となるよう
に対向配置されるとともに、これら基板間にカイラルス
メクチックＣ相を有する液晶材料が充填されてなり、前
記カイラルスメクチックＣ相を有する液晶材料の液晶分
子が描くコーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分
子自身の分子軸方向の基板への投影成分がそれぞれ基板
の配向処理方向と同一とされ、この状態が初期状態とし
て単安定化されたことを特徴とするものであり、さらに
は基板間に充填された液晶材料がモノドメイン化されて
いることを特徴とするものである。
めに、本発明の液晶表示素子は、一軸配向処理が施され
た一対の基板が配向処理方向が互いに略平行となるよう
に対向配置されるとともに、これら基板間にカイラルス
メクチックＣ相を有する液晶材料が充填されてなり、前
記カイラルスメクチックＣ相を有する液晶材料の液晶分
子が描くコーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分
子自身の分子軸方向の基板への投影成分がそれぞれ基板
の配向処理方向と同一とされ、この状態が初期状態とし
て単安定化されたことを特徴とするものであり、さらに
は基板間に充填された液晶材料がモノドメイン化されて
いることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の液晶表示素子の基本構成は、図１
に示すようなものであり、ラビング処理や斜方蒸着等の
一軸配向処理を施した一対の基板１，２を面対向する如
く配置して液晶セルとなし、これら基板１，２の間隙に
ＳｍＣ＊ 相を有する液晶材料を充填してなる。用いる
液晶材料としては、強誘電性液晶であってもよいし、反
強誘電性液晶であってもよく、要はＳｍＣ＊ 相をとり
うる液晶材料であれば如何なるものであってもよい。た
だし、配向性等を考慮すると、ＳｍＣ＊ 相の螺旋ピッ
チが十分に長いことが好ましく、さらには大きな自発分
極を有し且つＳｍＣ＊ 相を室温を含む広い温度範囲で
示すことが好ましい。
に示すようなものであり、ラビング処理や斜方蒸着等の
一軸配向処理を施した一対の基板１，２を面対向する如
く配置して液晶セルとなし、これら基板１，２の間隙に
ＳｍＣ＊ 相を有する液晶材料を充填してなる。用いる
液晶材料としては、強誘電性液晶であってもよいし、反
強誘電性液晶であってもよく、要はＳｍＣ＊ 相をとり
うる液晶材料であれば如何なるものであってもよい。た
だし、配向性等を考慮すると、ＳｍＣ＊ 相の螺旋ピッ
チが十分に長いことが好ましく、さらには大きな自発分
極を有し且つＳｍＣ＊ 相を室温を含む広い温度範囲で
示すことが好ましい。
【０００９】したがって、従来より公知のカイラル液晶
あるいは下記の化１で表されるカイラル液晶と、３環性
エステルのフッ素置換誘導体，フェニルピリミジン系，
フェニルベンゾエート系等の非カイラル液晶（ホスト液
晶）とを混合した組成物等が好適である。
あるいは下記の化１で表されるカイラル液晶と、３環性
エステルのフッ素置換誘導体，フェニルピリミジン系，
フェニルベンゾエート系等の非カイラル液晶（ホスト液
晶）とを混合した組成物等が好適である。
【化１】
【００１０】特に、単安定性構造を安定に発現するため
には、非カイラル液晶として３環性エステルのフッ素置
換誘導体またはフェニルピリミジン系液晶、さらにはこ
れらの混合物を使用することが好ましく、フェニルピリ
ミジン系液晶が欠陥等の観点から最も好適である。
には、非カイラル液晶として３環性エステルのフッ素置
換誘導体またはフェニルピリミジン系液晶、さらにはこ
れらの混合物を使用することが好ましく、フェニルピリ
ミジン系液晶が欠陥等の観点から最も好適である。
【００１１】また、上述のようにカイラル液晶と非カイ
ラル液晶の混合物を使用する場合、ホスト液晶である非
カイラル液晶へのカイラル液晶の添加量がコントラスト
，応答時間等に影響する。実用的な応答時間を維持し、
しかも高コントラストを実現するためには、カイラル液
晶の添加量を１〜３重量％とすることが好ましい。
ラル液晶の混合物を使用する場合、ホスト液晶である非
カイラル液晶へのカイラル液晶の添加量がコントラスト
，応答時間等に影響する。実用的な応答時間を維持し、
しかも高コントラストを実現するためには、カイラル液
晶の添加量を１〜３重量％とすることが好ましい。
【００１２】一方、基板１，２は、いずれも透明基板上
に透明電極を形成し、さらにその上にポリイミド膜を被
着してラビング処理したり、斜方蒸着膜を形成してなる
ものであって、それぞれの一軸配向処理方向（図１中矢
印Ｘ及び矢印Ｙで示す。）が互いに略平行となるように
配置されている。ここで、例えばラビング処理はポリイ
ミド膜の表面を一方向に擦って表面に微細な傷を付けて
配向性を持たせる手法であるが、擦った方向まで同一（
全くの平行。以下、パラレルと称する。）になるように
配置してもよいし、擦った方向が互いに逆（反平行。 以下、アンチパラレルと称する。）になるように配置し
てもよい。すなわち、前者は基板１のラビング方向をＸ
１ としたときに基板２のラビング方向をＹ１ とした
場合であり、後者は基板１のラビング方向をＸ１ とし
たときに基板２のラビング方向をＹ２ とした場合であ
る。ただし、パラレルとした場合には２値状態しかとり
得ない双安定セルとなり易い傾向にあることから、アン
チパラレルとすることがより好ましい。
に透明電極を形成し、さらにその上にポリイミド膜を被
着してラビング処理したり、斜方蒸着膜を形成してなる
ものであって、それぞれの一軸配向処理方向（図１中矢
印Ｘ及び矢印Ｙで示す。）が互いに略平行となるように
配置されている。ここで、例えばラビング処理はポリイ
ミド膜の表面を一方向に擦って表面に微細な傷を付けて
配向性を持たせる手法であるが、擦った方向まで同一（
全くの平行。以下、パラレルと称する。）になるように
配置してもよいし、擦った方向が互いに逆（反平行。 以下、アンチパラレルと称する。）になるように配置し
てもよい。すなわち、前者は基板１のラビング方向をＸ
１ としたときに基板２のラビング方向をＹ１ とした
場合であり、後者は基板１のラビング方向をＸ１ とし
たときに基板２のラビング方向をＹ２ とした場合であ
る。ただし、パラレルとした場合には２値状態しかとり
得ない双安定セルとなり易い傾向にあることから、アン
チパラレルとすることがより好ましい。
【００１３】また、液晶分子が単安定化されるためには
、基板１，２間の距離（いわゆるセルギャップ）が適正
な値に設定されることが必要で、本発明者等の実験によ
れば、セルギャップを１．２〜３μｍとすることが好ま
しい。セルギャップが３μｍを越えると双安定化し易く
なり、逆にセルギャップが１．２μｍ未満であると電圧
印加時のチルト角が小さく光透過率が低くなってしまう
。特に高電界印加を可能とし十分な光透過率を確保する
ためには、セルギャップを１．６〜２．７μｍなる範囲
とするのが良い。
、基板１，２間の距離（いわゆるセルギャップ）が適正
な値に設定されることが必要で、本発明者等の実験によ
れば、セルギャップを１．２〜３μｍとすることが好ま
しい。セルギャップが３μｍを越えると双安定化し易く
なり、逆にセルギャップが１．２μｍ未満であると電圧
印加時のチルト角が小さく光透過率が低くなってしまう
。特に高電界印加を可能とし十分な光透過率を確保する
ためには、セルギャップを１．６〜２．７μｍなる範囲
とするのが良い。
【００１４】上述のように上下両方の基板１，２に一軸
配向処理を施し、その配向方向が互いに略平行となるよ
うに配した液晶セルに、ＳｍＣ＊ 相を有する液晶材料
を充填すると、例えば液晶材料が層構造を有するもので
あれば、各層の法線方向（あるいはその基板への投影成
分の方向）が前記配向処理方向と一致する。ここで、各
層の液晶分子３は、図２に示すように円錐の外周面に沿
う形で回転するが、この液晶分子３の描くコーン（円錐
）の軸方向Ｚ（あるいはその基板への投影成分の方向）
も前記配向処理方向と一致する。さらには、液晶分子３
自身のダイレクタ（分子軸）の方向Ｄ（あるいはその基
板への投影成分の方向）もやはり前記配向処理方向と一
致する。すなわち、各液晶分子３は、コーンの円周上の
点ｒあるいは点ｓの位置で安定する。したがって、本発
明の液晶表示素子は、基板表面での液晶分子の安定化効
果を用いたものであるが、これまで知られる双安定を利
用したものではなく、また双安定のどちらか片側だけで
安定化する片安定でもなく、その中間の状態で単安定さ
れたものと言える。
配向処理を施し、その配向方向が互いに略平行となるよ
うに配した液晶セルに、ＳｍＣ＊ 相を有する液晶材料
を充填すると、例えば液晶材料が層構造を有するもので
あれば、各層の法線方向（あるいはその基板への投影成
分の方向）が前記配向処理方向と一致する。ここで、各
層の液晶分子３は、図２に示すように円錐の外周面に沿
う形で回転するが、この液晶分子３の描くコーン（円錐
）の軸方向Ｚ（あるいはその基板への投影成分の方向）
も前記配向処理方向と一致する。さらには、液晶分子３
自身のダイレクタ（分子軸）の方向Ｄ（あるいはその基
板への投影成分の方向）もやはり前記配向処理方向と一
致する。すなわち、各液晶分子３は、コーンの円周上の
点ｒあるいは点ｓの位置で安定する。したがって、本発
明の液晶表示素子は、基板表面での液晶分子の安定化効
果を用いたものであるが、これまで知られる双安定を利
用したものではなく、また双安定のどちらか片側だけで
安定化する片安定でもなく、その中間の状態で単安定さ
れたものと言える。
【００１５】本発明の液晶表示素子は、基板１，２の法
線方向から見たときに、電界を印加しない状態で各基板
１，２の一軸配向処理方向Ｘ，Ｙと液晶分子３が描くコ
ーンの軸方向Ｚ、液晶分子３自身のダイレクタの方向Ｄ
が一致する構造である。ここで、一対の偏光子（アナラ
イザとポーラライザ。それぞれの偏光方向をＡ及びＰで
表す。）の偏光方向を直交させたまま、いずれか一方の
偏光方向を前記配向処理方向と一致させると、光は透過
せず黒レベルが得られる。これに対して、電界を印加す
ると、液晶分子３のダイレクタはコーンに沿って回転し
、電界強度や極性に応じて右あるいは左に連続的（アナ
ログ的）にチルトすることになり、これによって連続階
調（アナログ階調）が得られる。なお、印加する電界の
駆動電圧波形は任意であるが、＋，−交互の印加であっ
て、電気的中性条件をほぼ満足した振幅変調型であるこ
とが好ましい。
線方向から見たときに、電界を印加しない状態で各基板
１，２の一軸配向処理方向Ｘ，Ｙと液晶分子３が描くコ
ーンの軸方向Ｚ、液晶分子３自身のダイレクタの方向Ｄ
が一致する構造である。ここで、一対の偏光子（アナラ
イザとポーラライザ。それぞれの偏光方向をＡ及びＰで
表す。）の偏光方向を直交させたまま、いずれか一方の
偏光方向を前記配向処理方向と一致させると、光は透過
せず黒レベルが得られる。これに対して、電界を印加す
ると、液晶分子３のダイレクタはコーンに沿って回転し
、電界強度や極性に応じて右あるいは左に連続的（アナ
ログ的）にチルトすることになり、これによって連続階
調（アナログ階調）が得られる。なお、印加する電界の
駆動電圧波形は任意であるが、＋，−交互の印加であっ
て、電気的中性条件をほぼ満足した振幅変調型であるこ
とが好ましい。
【００１６】このときの液晶分子の挙動を図３、図４及
び図５に示す。図３は図１中ａ方向から見た液晶分子の
挙動、図４は図１中ｂ方向から見た液晶分子の挙動、図
５は図１中ｃ方向から見た液晶分子の挙動である。また
、これらの図面においては、ガラス板１ａ，２ａ上に透
明電極１ｂ，２ｂ及びラビング処理層１ｃ，２ｃが成膜
されたものが基板１，２として配置されている。電界を
印加していない状態では、各液晶分子３のダイレクタの
方向Ｄは、基板１，２のラビング処理層１ｃ，２ｃの一
軸配向処理方向に揃う。すなわち、図３中央に示すよう
に、液晶分子３のダイレクタの方向Ｄは、コーンの投影
面のセンターに来る。この状態が単安定状態であり、例
えばポーラライザの偏光方向Ｐを配向処理方向Ｘ，Ｙに
一致させ、アナライザの偏光方向Ａをこれと直交させる
と、光は透過せずに暗状態となる。
び図５に示す。図３は図１中ａ方向から見た液晶分子の
挙動、図４は図１中ｂ方向から見た液晶分子の挙動、図
５は図１中ｃ方向から見た液晶分子の挙動である。また
、これらの図面においては、ガラス板１ａ，２ａ上に透
明電極１ｂ，２ｂ及びラビング処理層１ｃ，２ｃが成膜
されたものが基板１，２として配置されている。電界を
印加していない状態では、各液晶分子３のダイレクタの
方向Ｄは、基板１，２のラビング処理層１ｃ，２ｃの一
軸配向処理方向に揃う。すなわち、図３中央に示すよう
に、液晶分子３のダイレクタの方向Ｄは、コーンの投影
面のセンターに来る。この状態が単安定状態であり、例
えばポーラライザの偏光方向Ｐを配向処理方向Ｘ，Ｙに
一致させ、アナライザの偏光方向Ａをこれと直交させる
と、光は透過せずに暗状態となる。
【００１７】一方、例えば上方の基板１の透明電極１ｂ
に＋、下方の基板２の透明電極２ｂに−の電界を印加す
ると、各図面において左側に示すように、液晶分子３は
反時計回り方向（回転方向は液晶材料の自発分極の極性
に依存する。）に回転する。このとき、ラビング処理層
１ｃ，２ｃとの界面から離れるに従って見掛けのチルト
角θは大きくなるが、これはラビング処理層１ｃ，２ｃ
との界面では相互作用が大きく、いわゆるアンカー効果
が働くためと考えられる。ここで、見掛けのチルト角θ
の最大値θｍａｘ は電界強度によって決まり、したが
って電界強度に応じて前記チルト角の最大値θｍａｘ
が連続的に変化することになる。これに伴い、当然のこ
とながら液晶セル全体で見た見掛けのチルト角の平均値
θＡＶＧ も連続的に変化する。
に＋、下方の基板２の透明電極２ｂに−の電界を印加す
ると、各図面において左側に示すように、液晶分子３は
反時計回り方向（回転方向は液晶材料の自発分極の極性
に依存する。）に回転する。このとき、ラビング処理層
１ｃ，２ｃとの界面から離れるに従って見掛けのチルト
角θは大きくなるが、これはラビング処理層１ｃ，２ｃ
との界面では相互作用が大きく、いわゆるアンカー効果
が働くためと考えられる。ここで、見掛けのチルト角θ
の最大値θｍａｘ は電界強度によって決まり、したが
って電界強度に応じて前記チルト角の最大値θｍａｘ
が連続的に変化することになる。これに伴い、当然のこ
とながら液晶セル全体で見た見掛けのチルト角の平均値
θＡＶＧ も連続的に変化する。
【００１８】上方の基板１の透明電極１ｂに−、下方の
基板２の透明電極２ｂに＋の電界を印加した場合も同様
で、この場合には各図面において右側に示すように、液
晶分子３は時計回り方向に回転し、やはり見掛けのチル
ト角の最大値θｍａｘ や平均値θＡＶＧ が連続的に
変化する。このとき、ポーラライザからの直線偏光は、
この液晶分子３のダイレクタのチルトにより位相差を生
じ楕円偏光となるため、アナライザからの透過光量はチ
ルト角の平均値θＡＶＧ に対応して大きくなる。すな
わち、前記液晶セルにおける透過光強度Ｉは、次の式１
に示す関係となり、電界強度に対応して連続的に変化す
る見掛けのチルト角の平均値θＡＶＧ に応じて変化し
、アナログ階調が得られることになる。
基板２の透明電極２ｂに＋の電界を印加した場合も同様
で、この場合には各図面において右側に示すように、液
晶分子３は時計回り方向に回転し、やはり見掛けのチル
ト角の最大値θｍａｘ や平均値θＡＶＧ が連続的に
変化する。このとき、ポーラライザからの直線偏光は、
この液晶分子３のダイレクタのチルトにより位相差を生
じ楕円偏光となるため、アナライザからの透過光量はチ
ルト角の平均値θＡＶＧ に対応して大きくなる。すな
わち、前記液晶セルにおける透過光強度Ｉは、次の式１
に示す関係となり、電界強度に対応して連続的に変化す
る見掛けのチルト角の平均値θＡＶＧ に応じて変化し
、アナログ階調が得られることになる。
【式１】
【００１９】（ただし、式中のＩ０ はセルを透過する
前の光の強度。）電界印加状態から外部電界を除去する
と、液晶の内部電界及び界面の安定化効果により、すみ
やかに初期状態に戻る。
前の光の強度。）電界印加状態から外部電界を除去する
と、液晶の内部電界及び界面の安定化効果により、すみ
やかに初期状態に戻る。
【００２０】ところで、上述の構成を有する液晶セルに
おいては、コーン軸及び液晶分子ダイレクタの配向状態
として、図６及び図７に示すような、２つのモデルが考
えられる。すなわち、図６に示すように層のチルトがセ
ル全体で一様である場合（モノドメイン）と、図７に示
すようにコーン軸の周期に伴い所定のピッチ（例えば２
．２５μｍピッチ）で層のチルトが逆となる場合（縞状
ドメイン）である。一軸配向処理方向を互いに略平行に
した基板１，２間にただ単に液晶材料を充填したときに
は、通常は後者（縞状ドメイン）となり、非常に規則性
の高い縞状組織を呈する。しかしながら、低電圧でリニ
アな階調性が得られ、高コントラストを有することから
、液晶表示素子としてはモノドメイン化されている方が
有利である。
おいては、コーン軸及び液晶分子ダイレクタの配向状態
として、図６及び図７に示すような、２つのモデルが考
えられる。すなわち、図６に示すように層のチルトがセ
ル全体で一様である場合（モノドメイン）と、図７に示
すようにコーン軸の周期に伴い所定のピッチ（例えば２
．２５μｍピッチ）で層のチルトが逆となる場合（縞状
ドメイン）である。一軸配向処理方向を互いに略平行に
した基板１，２間にただ単に液晶材料を充填したときに
は、通常は後者（縞状ドメイン）となり、非常に規則性
の高い縞状組織を呈する。しかしながら、低電圧でリニ
アな階調性が得られ、高コントラストを有することから
、液晶表示素子としてはモノドメイン化されている方が
有利である。
【００２１】基板１，２間に充填された液晶材料をモノ
ドメイン化するには、非カイラル液晶としてフェニルピ
リミジン系液晶を用い、高電圧を印加すればよい。高電
圧印加によって、単安定のままで縞状組織が解けてモノ
ドメイン化する。例えば、前記フェニルピリミジン系液
晶をホスト液晶とし、カイラル液晶を２重量％添加した
液晶材料を使用した場合、７００Ｈｚ、±４５〜±５０
Ｖの矩形波処理でほぼモノドメイン化する。ただし、室
温近傍での電界処理のみでは縞状構造が若干残存する。 そこで、カイラルネマチック相（Ｎ＊ ）の温度で電界
（７００Ｈｚ、±２０〜±５０Ｖ）を印加し、電界印加
状態のままスメクチックＡ相（ＳｍＡ）、さらにはカイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）まで冷却すること
により、より完全なモノドメイン組織ができる。なお、
いずれの場合にも印加する電界の周波数が重要で、７０
０Ｈｚ前後でのみ特異的にモノドメイン化が起こり、６
００Ｈｚ以下では効果が少ない。
ドメイン化するには、非カイラル液晶としてフェニルピ
リミジン系液晶を用い、高電圧を印加すればよい。高電
圧印加によって、単安定のままで縞状組織が解けてモノ
ドメイン化する。例えば、前記フェニルピリミジン系液
晶をホスト液晶とし、カイラル液晶を２重量％添加した
液晶材料を使用した場合、７００Ｈｚ、±４５〜±５０
Ｖの矩形波処理でほぼモノドメイン化する。ただし、室
温近傍での電界処理のみでは縞状構造が若干残存する。 そこで、カイラルネマチック相（Ｎ＊ ）の温度で電界
（７００Ｈｚ、±２０〜±５０Ｖ）を印加し、電界印加
状態のままスメクチックＡ相（ＳｍＡ）、さらにはカイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊ ）まで冷却すること
により、より完全なモノドメイン組織ができる。なお、
いずれの場合にも印加する電界の周波数が重要で、７０
０Ｈｚ前後でのみ特異的にモノドメイン化が起こり、６
００Ｈｚ以下では効果が少ない。
【００２２】
【作用】本発明の液晶表示素子においては、コーン軸及
び液晶ダイレクタの基板への投影成分が一軸配向処理方
向に配列し、単安定化されている。そして、電界無印加
時にはこの単安定化状態が初期状態として保たれ、黒レ
ベルとなる。これに対して、所定の極性の電界を印加す
ると、液晶ダイレクタはコーン面に沿って例えば右回り
に回転しようとするが、界面近傍では液晶ダイレクタが
アンカリングされ、界面から離れた領域でチルトする。 一方、逆極性の電界では、左回りに回転し、チルトの向
きは逆になる。ここで、チルト角は印加した電界の強度
に応じて大きくなり、また透過光量はチルト角に対応し
て大きくなる。したがって、電界強度を変化させること
によって連続的なアナログ階調が実現される。電界印加
状態から外部電界を除去すると、界面の安定化効果等に
より速やかに初期状態に戻る。
び液晶ダイレクタの基板への投影成分が一軸配向処理方
向に配列し、単安定化されている。そして、電界無印加
時にはこの単安定化状態が初期状態として保たれ、黒レ
ベルとなる。これに対して、所定の極性の電界を印加す
ると、液晶ダイレクタはコーン面に沿って例えば右回り
に回転しようとするが、界面近傍では液晶ダイレクタが
アンカリングされ、界面から離れた領域でチルトする。 一方、逆極性の電界では、左回りに回転し、チルトの向
きは逆になる。ここで、チルト角は印加した電界の強度
に応じて大きくなり、また透過光量はチルト角に対応し
て大きくなる。したがって、電界強度を変化させること
によって連続的なアナログ階調が実現される。電界印加
状態から外部電界を除去すると、界面の安定化効果等に
より速やかに初期状態に戻る。
【００２３】上述の動作原理を有する本発明の液晶表示
素子においては、ＳｍＣ＊ 相のピッチ長が長くても原
理的に動作可能であり、したがって液晶材料の配向も非
常に容易である。また、特に層のチルトがセル全体で一
様となるようにモノドメイン化した場合には、高コント
ラスト化が図られ、しかも低電圧領域でリニアな階調性
が得られる。
素子においては、ＳｍＣ＊ 相のピッチ長が長くても原
理的に動作可能であり、したがって液晶材料の配向も非
常に容易である。また、特に層のチルトがセル全体で一
様となるようにモノドメイン化した場合には、高コント
ラスト化が図られ、しかも低電圧領域でリニアな階調性
が得られる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて
説明する。 液晶セルの作製 透明電極（ＩＴＯ）を配したガラス板の前記透明電極側
をシランカップリング処理した後、スピンコート法によ
りポリアミド膜を塗布し、ベーキングによりイミド化し
てポリイミド膜を形成した。このポリイミド膜をベルベ
ット布で一方向に１０回ラビング処理を施し、配向膜と
した。配向膜の厚さは約２００Åであり、ラビング処理
方向に関して非対称性を有する。以上により配向膜を形
成したガラス板をラビング処理方向が互いに反平行（ア
ンチパラレル）となるように透明電極を対向させて配置
し、２μｍの真絲球（マイクロパール）を分散させた紫
外線硬化接着剤を用いてギャップ２μｍのセルを組み立
てた。
説明する。 液晶セルの作製 透明電極（ＩＴＯ）を配したガラス板の前記透明電極側
をシランカップリング処理した後、スピンコート法によ
りポリアミド膜を塗布し、ベーキングによりイミド化し
てポリイミド膜を形成した。このポリイミド膜をベルベ
ット布で一方向に１０回ラビング処理を施し、配向膜と
した。配向膜の厚さは約２００Åであり、ラビング処理
方向に関して非対称性を有する。以上により配向膜を形
成したガラス板をラビング処理方向が互いに反平行（ア
ンチパラレル）となるように透明電極を対向させて配置
し、２μｍの真絲球（マイクロパール）を分散させた紫
外線硬化接着剤を用いてギャップ２μｍのセルを組み立
てた。
【００２５】液晶材料としては、カイラル成分として下
記の化２に示す化合物（Ａ）を用い、非カイラル成分と
して化３に示す化合物（Ｂ）（３環性２フッ素系）、化
４に示す化合物（Ｃ）（フェニルピリミジン系）及び化
５に示す化合物（Ｄ）（フェニルベンゾエート系）を用
いた。
記の化２に示す化合物（Ａ）を用い、非カイラル成分と
して化３に示す化合物（Ｂ）（３環性２フッ素系）、化
４に示す化合物（Ｃ）（フェニルピリミジン系）及び化
５に示す化合物（Ｄ）（フェニルベンゾエート系）を用
いた。
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
【００２６】非カイラル成分の組成は、化合物（Ｂ）が
５８重量％、化合物（Ｃ）が２２重量％、化合物（Ｄ）
が２０重量％である。カイラル成分と非カイラル成分の
割合は、カイラル成分（Ａ）：非カイラル成分（Ｂ＋Ｃ
＋Ｄ）＝１０：９０（重量比）とした。この液晶材料は
、図８に示す相転移挙動を示した。ＳｍＣ＊ 相の２５
℃におけるピッチ長は２．５μｍであり、例えば特開平
１−１５２４３０号公報に記載される条件よりも遥かに
長い。また、この液晶材料の自発分極は、２５ｎＣ／ｃ
ｍ２ （２５℃）であった。
５８重量％、化合物（Ｃ）が２２重量％、化合物（Ｄ）
が２０重量％である。カイラル成分と非カイラル成分の
割合は、カイラル成分（Ａ）：非カイラル成分（Ｂ＋Ｃ
＋Ｄ）＝１０：９０（重量比）とした。この液晶材料は
、図８に示す相転移挙動を示した。ＳｍＣ＊ 相の２５
℃におけるピッチ長は２．５μｍであり、例えば特開平
１−１５２４３０号公報に記載される条件よりも遥かに
長い。また、この液晶材料の自発分極は、２５ｎＣ／ｃ
ｍ２ （２５℃）であった。
【００２７】上述の液晶材料を真空中において１１０℃
の等方性液体相（Ｉｓｏ）の状態で液晶セル中に注入し
、室温まで徐冷した。このようにして作製した液晶セル
を偏光顕微鏡で観察すると、配向膜のラビング方向に縞
状の組織が観察された。この縞状組織の規則性は非常に
良く、さらに前記縞の方向に液晶分子が並んでいた。 すなわち、作製した液晶セルにおいては、液晶材料が層
構造をとり、各層の法線方向あるいはコーンの軸方向の
基板への投影成分が配向膜におけるラビング方向と同じ
になり、且つ液晶分子自身のダイレクタの基板への投影
成分も配向膜におけるラビング方向と同じになっていた
。なお、ラビング方向に液晶分子が並んでいることは、
複屈折測定における遅相軸がラビング方向と一致するこ
とにより確認した。そして、直交したポーラライザとア
ナライザのうち、例えばポーラライザと配向軸とを平行
あるいは直交させると、透過光をほぼ遮蔽することがで
き、暗状態とすることができた。
の等方性液体相（Ｉｓｏ）の状態で液晶セル中に注入し
、室温まで徐冷した。このようにして作製した液晶セル
を偏光顕微鏡で観察すると、配向膜のラビング方向に縞
状の組織が観察された。この縞状組織の規則性は非常に
良く、さらに前記縞の方向に液晶分子が並んでいた。 すなわち、作製した液晶セルにおいては、液晶材料が層
構造をとり、各層の法線方向あるいはコーンの軸方向の
基板への投影成分が配向膜におけるラビング方向と同じ
になり、且つ液晶分子自身のダイレクタの基板への投影
成分も配向膜におけるラビング方向と同じになっていた
。なお、ラビング方向に液晶分子が並んでいることは、
複屈折測定における遅相軸がラビング方向と一致するこ
とにより確認した。そして、直交したポーラライザとア
ナライザのうち、例えばポーラライザと配向軸とを平行
あるいは直交させると、透過光をほぼ遮蔽することがで
き、暗状態とすることができた。
【００２８】
動作実験
図９に示すような評価用の駆動波形により作製した液晶
セルのアナログ階調性を調べた。この駆動波形は、印加
電圧の電位により階調を持たせるものであり、電圧の極
性を交互に変えているのは、液晶材料に対する電気的中
性条件を考慮したためである。アクティブマトリックス
の１画素を想定すれば、１パルスが１フィールドに相当
し、２フィールド目のパルスで電気的にほぼキャンセル
されるわけである。したがって、このパルス幅は１／６
０秒（１６．６ミリ秒）としてある。パルス間にある電
圧０ボルトのパルスは、液晶分子のダイレクタのチルト
状態からの緩和時間を評価するものである。図９の（ｂ
）に前記駆動波形を、（ａ）に液晶セルにおける応答波
形を示す。図９から明らかなように、作成した液晶セル
においては電圧変調により階調が出せることが確認され
た。また、この液晶セルは、電圧ゼロボルト時の立ち下
がりが速いのが特徴である。
セルのアナログ階調性を調べた。この駆動波形は、印加
電圧の電位により階調を持たせるものであり、電圧の極
性を交互に変えているのは、液晶材料に対する電気的中
性条件を考慮したためである。アクティブマトリックス
の１画素を想定すれば、１パルスが１フィールドに相当
し、２フィールド目のパルスで電気的にほぼキャンセル
されるわけである。したがって、このパルス幅は１／６
０秒（１６．６ミリ秒）としてある。パルス間にある電
圧０ボルトのパルスは、液晶分子のダイレクタのチルト
状態からの緩和時間を評価するものである。図９の（ｂ
）に前記駆動波形を、（ａ）に液晶セルにおける応答波
形を示す。図９から明らかなように、作成した液晶セル
においては電圧変調により階調が出せることが確認され
た。また、この液晶セルは、電圧ゼロボルト時の立ち下
がりが速いのが特徴である。
【００２９】また、印加電圧と液晶セルにおける光透過
率の関係を図１０及び表１に示す。なお、ここでの光透
過率は便宜上最大透過率（±１１．１Ｖ印加したときの
光透過率）を１００％としてある。
率の関係を図１０及び表１に示す。なお、ここでの光透
過率は便宜上最大透過率（±１１．１Ｖ印加したときの
光透過率）を１００％としてある。
【表１】
【００３０】印加電圧に応じて光透過率が変わり、階調
表示が達成されたことがわかる。また、印加電圧を連続
的に振幅変調することによって、アナログ階調も達成す
ることができた。さらに、各印加電圧におけるスイッチ
ング時間は、電圧印加時の応答時間τＯＮで１〜８ミリ
秒、電圧印加状態からオフ（０Ｖ）への応答速度τＯＦ
Ｆ で０．６〜３．３ミリ秒であり、非常に速い応答を
示した。特にオフ時の応答が高速であるのは、単安定状
態の安定度が非常に高いためであると推定される。一般
的なＴＮ液晶では、応答時間は数十〜数百ミリ秒程度で
あり、したがって本発明の液晶セル構造を例えば薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）セルに取り入れることで、従来の
ＴＮ型ＴＦＴディスプレイよりも遥かに高速動作可能な
ディスプレイが構築されるものと期待される。
表示が達成されたことがわかる。また、印加電圧を連続
的に振幅変調することによって、アナログ階調も達成す
ることができた。さらに、各印加電圧におけるスイッチ
ング時間は、電圧印加時の応答時間τＯＮで１〜８ミリ
秒、電圧印加状態からオフ（０Ｖ）への応答速度τＯＦ
Ｆ で０．６〜３．３ミリ秒であり、非常に速い応答を
示した。特にオフ時の応答が高速であるのは、単安定状
態の安定度が非常に高いためであると推定される。一般
的なＴＮ液晶では、応答時間は数十〜数百ミリ秒程度で
あり、したがって本発明の液晶セル構造を例えば薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）セルに取り入れることで、従来の
ＴＮ型ＴＦＴディスプレイよりも遥かに高速動作可能な
ディスプレイが構築されるものと期待される。
【００３１】以上のように、本発明を適用した液晶セル
においては、アナログ階調が可能でしかも高速動作が可
能であることが明らかとされたが、さらに単安定セル構
成要件の最適化を目指し、液晶セル構造や液晶材料物性
等が単安定化に及ぼす影響について検討を重ねた。以下
、これら検討結果について述べる。
においては、アナログ階調が可能でしかも高速動作が可
能であることが明らかとされたが、さらに単安定セル構
成要件の最適化を目指し、液晶セル構造や液晶材料物性
等が単安定化に及ぼす影響について検討を重ねた。以下
、これら検討結果について述べる。
【００３２】
配向処理方向の検討
先ず、ポリイミド界面の構造的な因子が単安定に及ぼす
効果を明確にするために、液晶セルにおける一対の基板
の配向処理方向の組み合わせ、すなわちパラレル（平行
）あるいはアンチパラレル（反平行）、による配向状態
の相違を検討した。液晶セルの構成や使用した液晶材料
は、先に作製した液晶セルと同様であり、配向膜のラビ
ング方向の組み合わせのみをパラレル及びアンチパラレ
ルの二種類とした。パラレル配向では、消光位はラビン
グ方向に対して±ψチルトしており、黒レベルの良好な
双安定状態をとった。したがって、この場合には２値状
態しかとり得ない双安定セルとなる。このときのセル中
の液晶配向構造は、いわゆるシェブロン構造と推定され
る。一方、アンチパラレル配向では、消光位はラビング
方向と一致し、単安定特有の縞状組織が観察された。 この液晶セルにおいて階調表示が可能であることは、先
の動作実験に示した通りである。このときのセル中の液
晶配向構造は、いわゆるブックシェルフ構造と推定され
る。以上より、単安定セルとするためには、アンチパラ
レル配向セルとすることが好適であると言える。
効果を明確にするために、液晶セルにおける一対の基板
の配向処理方向の組み合わせ、すなわちパラレル（平行
）あるいはアンチパラレル（反平行）、による配向状態
の相違を検討した。液晶セルの構成や使用した液晶材料
は、先に作製した液晶セルと同様であり、配向膜のラビ
ング方向の組み合わせのみをパラレル及びアンチパラレ
ルの二種類とした。パラレル配向では、消光位はラビン
グ方向に対して±ψチルトしており、黒レベルの良好な
双安定状態をとった。したがって、この場合には２値状
態しかとり得ない双安定セルとなる。このときのセル中
の液晶配向構造は、いわゆるシェブロン構造と推定され
る。一方、アンチパラレル配向では、消光位はラビング
方向と一致し、単安定特有の縞状組織が観察された。 この液晶セルにおいて階調表示が可能であることは、先
の動作実験に示した通りである。このときのセル中の液
晶配向構造は、いわゆるブックシェルフ構造と推定され
る。以上より、単安定セルとするためには、アンチパラ
レル配向セルとすることが好適であると言える。
【００３３】
最適セルギャップの検討
ポリイミド界面においては、ラビング方向の影響ばかり
でなく、アンカリング効果による影響も予想される。す
なわち、ポリイミド界面が液晶分子に及ぼす相互作用は
、界面から離れるに従い減少するものと考えられ、した
がってセルギャップを変化させることにより単安定の度
合いを制御できるものと推察される。そこで、セルギャ
ップを０．８μｍ〜６．３μｍの間で変化させてそれぞ
れ液晶セルを作製し、各セルにおける透過率、単安定ス
イッチング特性等について検討した。作製した液晶セル
の構成や使用した液晶材料は、ここでも先に作製した液
晶セルと同様とし、セルギャップを０．８μｍ、１．２
μｍ、１．６５μｍ、１．８μｍ、２．０μｍ、２．１
μｍ、２．７μｍ、３．０μｍ、３．９μｍ、６．３μ
ｍとした。
でなく、アンカリング効果による影響も予想される。す
なわち、ポリイミド界面が液晶分子に及ぼす相互作用は
、界面から離れるに従い減少するものと考えられ、した
がってセルギャップを変化させることにより単安定の度
合いを制御できるものと推察される。そこで、セルギャ
ップを０．８μｍ〜６．３μｍの間で変化させてそれぞ
れ液晶セルを作製し、各セルにおける透過率、単安定ス
イッチング特性等について検討した。作製した液晶セル
の構成や使用した液晶材料は、ここでも先に作製した液
晶セルと同様とし、セルギャップを０．８μｍ、１．２
μｍ、１．６５μｍ、１．８μｍ、２．０μｍ、２．１
μｍ、２．７μｍ、３．０μｍ、３．９μｍ、６．３μ
ｍとした。
【００３４】その結果、セルギャップ３μｍ以下の液晶
セルでは、液晶分子の配向性が良く、且つツイストの無
い構造をとり、黒レベルも良好であることがわかった。 ただし、セルギャップ０．８μｍ及び１．２μｍでは、
黒レベルは良好であるものの、電圧印加時のチルト角が
小さく光透過率が低かった。一方、単安定用駆動波形で
各液晶セルのスイッチングを調べたところ、セルギャッ
プ０．８μ〜３．０μｍで単安定を示したが、ギャップ
が大きくなり３．９μｍあるいは６．３μｍとなると双
安定性を示すようになった。そこで、セルギャップ１．
６５μｍ〜３．０μｍの液晶セルについて、応答時間を
測定した。結果を表２に示す。
セルでは、液晶分子の配向性が良く、且つツイストの無
い構造をとり、黒レベルも良好であることがわかった。 ただし、セルギャップ０．８μｍ及び１．２μｍでは、
黒レベルは良好であるものの、電圧印加時のチルト角が
小さく光透過率が低かった。一方、単安定用駆動波形で
各液晶セルのスイッチングを調べたところ、セルギャッ
プ０．８μ〜３．０μｍで単安定を示したが、ギャップ
が大きくなり３．９μｍあるいは６．３μｍとなると双
安定性を示すようになった。そこで、セルギャップ１．
６５μｍ〜３．０μｍの液晶セルについて、応答時間を
測定した。結果を表２に示す。
【表２】
【００３５】上記ギャップ範囲において、立ち上がり応
答時間は低電界下ではギャップに若干依存するが、高電
界下では一定値に近づいてくる。立ち下がり応答時間は
、印加電界強度に依存せず、ほぼ一定であり、これは主
にポリイミド界面の拘束力によるものと考えられる。 なお、セルギャップ３．０μｍでは、高電界印加により
双安定に移行してしまうため、スイッチングデバイスと
して使用するには、セルギャップ２．７μｍ以下とする
ことが必要であることがわかった。
答時間は低電界下ではギャップに若干依存するが、高電
界下では一定値に近づいてくる。立ち下がり応答時間は
、印加電界強度に依存せず、ほぼ一定であり、これは主
にポリイミド界面の拘束力によるものと考えられる。 なお、セルギャップ３．０μｍでは、高電界印加により
双安定に移行してしまうため、スイッチングデバイスと
して使用するには、セルギャップ２．７μｍ以下とする
ことが必要であることがわかった。
【００３６】
非カイラル液晶の効果
本発明の液晶セルにおいて、液晶材料として使用される
強誘電性液晶組成物は、非カイラル液晶にカイラル液晶
を添加してなるものである。そこで、最初に、非カイラ
ル成分が単安定性に及ぼす効果について検討した。先ず
、３環性２フッ素系（ＤＦＥ）、フェニルピリミジン系
（ＰＰｍ）、フェニルベンゾエート系（ＰＥ）からなる
３成分系の非カイラル液晶をアンチパラレルに組んだセ
ルに注入したところ、先に作製した液晶セルと同様の縞
状組織が観察された。すなわち、縞状組織の発生は、カ
イラル液晶によるものではなく、非カイラル液晶に起因
することがわかった。
強誘電性液晶組成物は、非カイラル液晶にカイラル液晶
を添加してなるものである。そこで、最初に、非カイラ
ル成分が単安定性に及ぼす効果について検討した。先ず
、３環性２フッ素系（ＤＦＥ）、フェニルピリミジン系
（ＰＰｍ）、フェニルベンゾエート系（ＰＥ）からなる
３成分系の非カイラル液晶をアンチパラレルに組んだセ
ルに注入したところ、先に作製した液晶セルと同様の縞
状組織が観察された。すなわち、縞状組織の発生は、カ
イラル液晶によるものではなく、非カイラル液晶に起因
することがわかった。
【００３７】そこでさらに、個々の成分について検討し
た。結果は次の通りである。 （イ）ＤＦＥ／ＰＰｍ組成物 ＤＦＥ／ＰＰｍ／ＰＥ組成物と同様、配向処理方向と同
方向の縞状組織が見られた。 （ロ）ＤＦＥ組成物縞状組織の完成度は低いが、同様の
ラインが出現した。 （ハ）ＰＰｍ組成物縞状組織の完成度が非常に高いもの
であった。 （ニ）ＰＥ組成物縞状組織は見られず、双安定類似構造
を有していた。 このように、ＰＰｍ，ＤＦＥの各非カイラル成分により
単安定性が発現し、単安定性構造の発現にはカイラル成
分は必要ないことがわかった。特に、ＰＰｍでは欠陥が
少なく、本発明の液晶セルにおける非カイラル成分とし
て好適であることが示唆された。ただし、これら非カイ
ラル成分のみでは単安定特有の縞が移動するスイッチン
グモードは僅かであり、このモードの有効な発現のため
にはカイラル成分の存在が必要であることがわかった。
た。結果は次の通りである。 （イ）ＤＦＥ／ＰＰｍ組成物 ＤＦＥ／ＰＰｍ／ＰＥ組成物と同様、配向処理方向と同
方向の縞状組織が見られた。 （ロ）ＤＦＥ組成物縞状組織の完成度は低いが、同様の
ラインが出現した。 （ハ）ＰＰｍ組成物縞状組織の完成度が非常に高いもの
であった。 （ニ）ＰＥ組成物縞状組織は見られず、双安定類似構造
を有していた。 このように、ＰＰｍ，ＤＦＥの各非カイラル成分により
単安定性が発現し、単安定性構造の発現にはカイラル成
分は必要ないことがわかった。特に、ＰＰｍでは欠陥が
少なく、本発明の液晶セルにおける非カイラル成分とし
て好適であることが示唆された。ただし、これら非カイ
ラル成分のみでは単安定特有の縞が移動するスイッチン
グモードは僅かであり、このモードの有効な発現のため
にはカイラル成分の存在が必要であることがわかった。
【００３８】
カイラル液晶の添加効果
極めて欠陥の少ないフェニルピリミジン系液晶（ＰＰｍ
）にカイラル成分を添加することにより、単安定セルの
組織構造及び電気光学特性にどのような効果をもたらす
かを検討した。配向膜はポリイミド、セルはアンチパラ
レルとした。添加したカイラル液晶は、先の化合物（Ａ
）である。カイラル成分添加量を０〜５重量％とし、各
セルを偏光顕微鏡にて観察したところ、カイラル成分添
加量０〜３重量％で欠陥の少ない単安定の縞状組織が確
認された。これに対して、カイラル成分添加量が３重量
％を越えると、液晶材料注入後の冷却時に発生した欠陥
により黒レベルが浮いてしまい、コントラスト比が低下
した。図１１にコントラスト比のカイラル濃度依存性を
示すが、これよりカイラル液晶の添加量は３重量％以下
とすることが好ましいことがわかる。
）にカイラル成分を添加することにより、単安定セルの
組織構造及び電気光学特性にどのような効果をもたらす
かを検討した。配向膜はポリイミド、セルはアンチパラ
レルとした。添加したカイラル液晶は、先の化合物（Ａ
）である。カイラル成分添加量を０〜５重量％とし、各
セルを偏光顕微鏡にて観察したところ、カイラル成分添
加量０〜３重量％で欠陥の少ない単安定の縞状組織が確
認された。これに対して、カイラル成分添加量が３重量
％を越えると、液晶材料注入後の冷却時に発生した欠陥
により黒レベルが浮いてしまい、コントラスト比が低下
した。図１１にコントラスト比のカイラル濃度依存性を
示すが、これよりカイラル液晶の添加量は３重量％以下
とすることが好ましいことがわかる。
【００３９】さらに、カイラル成分の濃度を変えたフェ
ニルピリミジン系液晶組成物について、電気光学特性を
調べた。カイラル成分の添加により応答のしきい値電圧
が低下し、応答時間も短くなっているが、これら特性を
表３に示す。
ニルピリミジン系液晶組成物について、電気光学特性を
調べた。カイラル成分の添加により応答のしきい値電圧
が低下し、応答時間も短くなっているが、これら特性を
表３に示す。
【表３】
【００４０】非カイラル液晶だけでは７Ｖ以上印加しな
いと応答しないが、カイラル液晶を僅か１重量％添加す
るだけで１Ｖ以下の低電圧でも駆動可能となり、１０Ｖ
印加で光透過率１００％となった。さらにカイラル成分
を増量すると、５Ｖ以下でも光透過率１００％を達成で
きた。一方、応答時間については、τＯＮはカイラル成
分の増加に伴い高速化し、３重量％で５００μ秒となり
、それ以上は高速化しなかった。電圧印加を解除したと
きの応答速度であるτＯＦＦ は、カイラル成分１重量
％以上で約１．０〜１．２５ｍ秒でほぼ一定となった。 先のコントラスト比と併せて考えると、カイラル成分量
は実用的には１〜３重量％とするのが好適であることが
わかった。なお、フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を３重量％添加した強誘電性液晶組成物のヘリカル
ピッチは、Ｎ＊ 相で３μｍ，ＳｍＣ＊ 相で９．３μ
ｍであり、さらには９．３μｍ以上のヘリカルピッチで
も単安定駆動を発現することができ、例えば特開平１−
１５２４３０号公報等に記載されるピッチ条件等とは大
きく異なる。
いと応答しないが、カイラル液晶を僅か１重量％添加す
るだけで１Ｖ以下の低電圧でも駆動可能となり、１０Ｖ
印加で光透過率１００％となった。さらにカイラル成分
を増量すると、５Ｖ以下でも光透過率１００％を達成で
きた。一方、応答時間については、τＯＮはカイラル成
分の増加に伴い高速化し、３重量％で５００μ秒となり
、それ以上は高速化しなかった。電圧印加を解除したと
きの応答速度であるτＯＦＦ は、カイラル成分１重量
％以上で約１．０〜１．２５ｍ秒でほぼ一定となった。 先のコントラスト比と併せて考えると、カイラル成分量
は実用的には１〜３重量％とするのが好適であることが
わかった。なお、フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を３重量％添加した強誘電性液晶組成物のヘリカル
ピッチは、Ｎ＊ 相で３μｍ，ＳｍＣ＊ 相で９．３μ
ｍであり、さらには９．３μｍ以上のヘリカルピッチで
も単安定駆動を発現することができ、例えば特開平１−
１５２４３０号公報等に記載されるピッチ条件等とは大
きく異なる。
【００４１】
縞状組織のモノドメイン化
単安定を利用したアナログ階調表示デバイスにおいては
、単安定セルを作製すると規則性の高い縞状組織が形成
され、これによって単安定性が発現されていたが、コン
トラスト比は最大でも４６程度である。そこで、縞状組
織のモノドメイン化によるコントラスト比の改善効果に
ついて検討した。フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を２重量％添加した強誘電性液晶組成物を液晶セル
に注入した。使用した液晶セルの構成は、先の「液晶セ
ルの作製」の項において記載した通りである。この状態
では非常に規則性の高い縞状組織を呈したが、カイラル
ネマチック相の温度で７００Ｈｚ，２０〜５０Ｖの電界
を印加し、電界印加状態のままスメクチックＡ相，さら
にはカイラルスメクチックＣ相まで冷却することにより
、モノドメイン化したセルを作製することができた。 モノドメイン化した液晶セルでは、コントラスト比８１
が達成され、またアナログ階調性は、図１２に示すよう
に低電圧域で線形性の良好なものであった。このように
、モノドメイン化することにより、低電圧（４Ｖ以下）
駆動で高コントラスト、応答時間１ミリ秒前後の特性を
有するアナログ階調表示デバイスが実現された。
、単安定セルを作製すると規則性の高い縞状組織が形成
され、これによって単安定性が発現されていたが、コン
トラスト比は最大でも４６程度である。そこで、縞状組
織のモノドメイン化によるコントラスト比の改善効果に
ついて検討した。フェニルピリミジン系液晶にカイラル
液晶を２重量％添加した強誘電性液晶組成物を液晶セル
に注入した。使用した液晶セルの構成は、先の「液晶セ
ルの作製」の項において記載した通りである。この状態
では非常に規則性の高い縞状組織を呈したが、カイラル
ネマチック相の温度で７００Ｈｚ，２０〜５０Ｖの電界
を印加し、電界印加状態のままスメクチックＡ相，さら
にはカイラルスメクチックＣ相まで冷却することにより
、モノドメイン化したセルを作製することができた。 モノドメイン化した液晶セルでは、コントラスト比８１
が達成され、またアナログ階調性は、図１２に示すよう
に低電圧域で線形性の良好なものであった。このように
、モノドメイン化することにより、低電圧（４Ｖ以下）
駆動で高コントラスト、応答時間１ミリ秒前後の特性を
有するアナログ階調表示デバイスが実現された。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、カイラルスメクチックＣ相を有する液晶
材料を用いた液晶表示素子において、液晶分子が描くコ
ーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分
子軸方向の基板への投影成分を基板の一軸配向処理方向
と同一とし、この状態を単安定初期状態としているので
、アナログ階調表示が可能であり、また高速応答性にも
優れたものとすることができる。また、特に液晶材料を
モノドメイン化することにより、コントラスト比を大幅
に向上することができ、また低電圧域でのアナログ階調
の線形性を著しく改善することができる。
明においては、カイラルスメクチックＣ相を有する液晶
材料を用いた液晶表示素子において、液晶分子が描くコ
ーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分
子軸方向の基板への投影成分を基板の一軸配向処理方向
と同一とし、この状態を単安定初期状態としているので
、アナログ階調表示が可能であり、また高速応答性にも
優れたものとすることができる。また、特に液晶材料を
モノドメイン化することにより、コントラスト比を大幅
に向上することができ、また低電圧域でのアナログ階調
の線形性を著しく改善することができる。
【００４３】さらに、本発明の液晶表示素子は、カイラ
ルスメクチックＣ相のピッチ長の長いものにも適用でき
、液晶分子の配向が容易であり、量産性を考えた場合に
非常に有利である。さらにまた、本発明の液晶表示素子
においては、駆動波形として電気的中性条件を保ったも
ので使用でき、また本質的にこの駆動波形はＴＮ型ＴＦ
Ｔディスプレイの場合と同様であることから、ＴＦＴア
クティブマトリックス駆動による振幅変調により高速ア
ナログ階調表示を達成することが可能である。
ルスメクチックＣ相のピッチ長の長いものにも適用でき
、液晶分子の配向が容易であり、量産性を考えた場合に
非常に有利である。さらにまた、本発明の液晶表示素子
においては、駆動波形として電気的中性条件を保ったも
ので使用でき、また本質的にこの駆動波形はＴＮ型ＴＦ
Ｔディスプレイの場合と同様であることから、ＴＦＴア
クティブマトリックス駆動による振幅変調により高速ア
ナログ階調表示を達成することが可能である。
【図１】本発明を適用した液晶セルの構成例を模式的に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】液晶分子が描くコーンを説明する模式図である
。
。
【図３】図１の矢印ａ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
す模式図である。
【図４】図１の矢印ｂ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
す模式図である。
【図５】図１の矢印ｃ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
す模式図である。
【図６】モノドメイン化された場合の液晶ダイレクタの
配列状態を示す模式図である。
配列状態を示す模式図である。
【図７】縞状組織を示す場合の液晶ダイレクタの配列状
態を示す模式図である。
態を示す模式図である。
【図８】実施例において使用した液晶材料の相転移温度
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図９】単安定セルにおける応答波形を示す特性図であ
る。
る。
【図１０】作製した液晶セルにおける印加電圧と光透過
率の関係を示す特性図である。
率の関係を示す特性図である。
【図１１】コントラスト比のカイラル濃度依存性を示す
特性図である。
特性図である。
【図１２】モノドメイン化した液晶セルにおける印加電
圧と光透過率の関係を示す特性図である。
圧と光透過率の関係を示す特性図である。
１，２・・・基板
３・・・液晶分子
Ｘ，Ｙ・・・配向処理方向
Ｚ・・・コーンの軸方向
Ｄ・・・液晶分子の分子軸方向
Claims (6)
- 【請求項１】 一軸配向処理が施された一対の基板が
配向処理方向が互いに略平行となるように対向配置され
るとともに、これら基板間にカイラルスメクチックＣ相
を有する液晶材料が充填されてなり、前記カイラルスメ
クチックＣ相を有する液晶材料の液晶分子が描くコーン
の軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分子軸
方向の基板への投影成分がそれぞれ基板の配向処理方向
と同一とされ、この状態が初期状態として単安定化され
たことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 一対の基板の配向処理方向が互いにア
ンチパラレルとなるように対向配置されていることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 一対の基板間の距離が１．２〜３μｍ
とされていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
素子。 - 【請求項４】 カイラルスメクチックＣ相を有する液
晶材料がカイラル液晶と非カイラル液晶の組成物からな
り、非カイラル液晶がフェニルピリミジン液晶系及び／
又は３環性２フッ素液晶系であることを特徴とする請求
項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項５】 カイラル成分の添加量が１〜３重量％
であることを特徴とする請求項４記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 基板間に充填された液晶材料がモノド
メイン化されていることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025131A JP2982330B2 (ja) | 1990-04-28 | 1991-01-28 | 液晶表示素子 |
| EP91106790A EP0455160B1 (en) | 1990-04-28 | 1991-04-26 | Liquid crystal display device |
| US07/691,786 US5214523A (en) | 1990-04-28 | 1991-04-26 | Ferroelectric liquid crystal display device having monostabilized state as an initial state and continuous gray-scale |
| DE69127393T DE69127393T2 (de) | 1990-04-28 | 1991-04-26 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-112728 | 1990-04-28 | ||
| JP11272890 | 1990-04-28 | ||
| JP3025131A JP2982330B2 (ja) | 1990-04-28 | 1991-01-28 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212126A true JPH04212126A (ja) | 1992-08-03 |
| JP2982330B2 JP2982330B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=26362730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025131A Expired - Fee Related JP2982330B2 (ja) | 1990-04-28 | 1991-01-28 | 液晶表示素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214523A (ja) |
| EP (1) | EP0455160B1 (ja) |
| JP (1) | JP2982330B2 (ja) |
| DE (1) | DE69127393T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6351301B1 (en) | 1999-07-08 | 2002-02-26 | Nec Corporation | Smectic liquid crystal which enables grayscale display, and liquid crystal using the same |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5364561A (en) * | 1990-07-13 | 1994-11-15 | Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha | Liquid crystal compounds and liquid crystal compositions containing them |
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| JPH0588186A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-09 | Showa Shell Sekiyu Kk | 液晶配向制御膜とそれを用いた液晶素子 |
| JP2952122B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子、及びこれを用いた表示装置 |
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| DE69318276T2 (de) * | 1992-12-25 | 1998-10-08 | Canon Kk | Flüssigkristall-Vorrichtung und Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
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| EP0455160A2 (en) | 1991-11-06 |
| EP0455160B1 (en) | 1997-08-27 |
| JP2982330B2 (ja) | 1999-11-22 |
| DE69127393D1 (de) | 1997-10-02 |
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