JPH04211428A - 末端をアルコキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造方法 - Google Patents

末端をアルコキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造方法

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JPH04211428A
JPH04211428A JP3004111A JP411191A JPH04211428A JP H04211428 A JPH04211428 A JP H04211428A JP 3004111 A JP3004111 A JP 3004111A JP 411191 A JP411191 A JP 411191A JP H04211428 A JPH04211428 A JP H04211428A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、アルコキシシルエチレン末端ブ
ロック基を有するポリジオルガノシロキサンの調製に関
する。
【0002】1965年3月30日発行の米国特許第 
3175993号明細書において Weyenberg
は、末端アルコキシ基を含有している多官能性シロキサ
ン類を教示する。末端を水素でブロックされたポリジオ
ルガノシロキサンを白金触媒の存在下でC=C原子団を
有するアルコキシシランと反応させる調製方法が示され
ている。
【0003】1988年9月20日発行の米国特許第 
4772675号明細書において Klosowski
は、シリコーンエラストマーシーラントの保存寿命を向
上させる方法を教示する。 ジメチル水素シロキシ基で末端をブロックされたポリジ
メチルシロキサンをビニルトリメトキシシランと反応さ
せてアルコキシシルエチレン基で末端をブロックされた
重合体を製造する方法が示されている。末端をビニル基
でブロックされたポリジオルガノシロキサンを下式の末
端キャップ用組成物と反応させる方法が示されている。
【化1】
【0004】1989年7月11日発行の米国特許第 
4847400号明細書において Krahnkeらは
、ヒドロキシル基で末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンを酸性触媒の存在下でポリアルコキシシリ
ルアルキレンジシラザン又はポリアルコキシシリルアル
キレンシリルアミンと反応させてポリアルコキシシリル
基で末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンを
製造する方法を教示する。
【0005】アルコキシシルエチレン基で末端のブロッ
クされたポリジオルガノシロキサンは、最初にヒドロキ
シル基で末端をブロックされたポリジオルガノシロキサ
ンを2〜4個の SiH原子団を有する過剰の SiH
化合物と反応させ、次いでその生成物をビニルトリアル
コキシシランと反応させて所望の重合体を得ることによ
り製造される。
【0006】本発明の方法は、結果として副生物の塩類
を少しも生じさせず、また重合体にアミン臭も存在させ
ない容易に入手可能な出発成分を使って一容器法(on
e pot process) で、末端をトリアルコ
キシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノシ
ロキサンを与える。
【0007】本発明は、(A)末端をヒドロキシル基で
ブロックされたポリジオルガノシロキサンを、2〜4個
の SiH原子団を有し、上記の出発重合体の分子量を
認めうるほど増大させずにこのポリジオルガノシロキサ
ンのヒドロキシル基と反応するのに十分な SiH化合
物及び白金触媒と混合し、次いで当該ポリジオルガノシ
ロキサンのヒドロキシル基の全部を反応させるのに十分
な時間25〜 150℃の温度に加熱する工程、次いで
、(B)25mmHg未満の真空を適用し且つ25〜 
150℃の温度に加熱することによって上記混合物から
過剰の SiH化合物を除去して、末端を SiH原子
団でブロックされた重合体を残す工程、次いで、(C)
工程(B)の重合体のSiH原子団と反応するのに十分
なビニルトリアルコキシシランを加え、そして存在して
いる SiH原子団の全てを反応させるのに十分な時間
25〜 150℃の温度に加熱する工程、次いで、(D
)25mmHg未満の真空を適用し且つ25〜 150
℃の温度に加熱することによって上記混合物から過剰の
ビニルトリアルコキシシランを除去して、末端をトリア
ルコキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンを残す工程から本質的になる、末端をアル
コキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノ
シロキサンの製造方法に関する。
【0008】本発明の方法は、下式の末端をトリアルコ
キシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノシ
ロキサンを製造する。
【化2】 この式中、各R基は脂肪族不飽和がなく、且つ、炭素原
子数1〜18個の一価の炭化水素基、一価のハロ炭化水
素基及び一価のシアノアルキル基からなる群より選択さ
れる少なくとも一つの基であり、各R″はメチル基、エ
チル基、プロピル基及びブチル基からなる群より選ばれ
る少なくとも一つの基であり、mは0又は1であり、そ
してxはこの重合体が25℃において0.5〜3000
Pa・s の粘度を有するような値である。Rは、シリ
コーンシーラント材料において有効なことが知られてい
る、炭素原子数1〜18個の一価の炭化水素基、一価の
ハロ炭化水素基又は一価のシアノアルキル基のうちのい
ずれでもよい。好ましい基は、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、フェニル基及びトリフルオロプロピル基であ
る。この重合体の好ましい粘度は、25℃で1〜100
0Pa・s である。より低い粘度は、架橋の量が多く
なるため非常に硬質でモジュラスの高い硬化シーラント
を与え、その一方でより高い粘度は、押出速度の非常に
遅いシーラントを与える。
【0009】工程(A)のヒドロキシル基で末端ブロッ
クされたポリジオルガノシロキサンは、下式のシロキサ
ンである。
【化3】 この式のR及びxは先に定義されたとおりである。好ま
しいRはメチル基又はフェニル基であり、メチル基が最
も好ましい。これらのヒドロキシル基で末端ブロックさ
れたポリジオルガノシロキサンの製造方法は、当該技術
分野においてよく知られており、ジオルガノジクロロシ
ランの加水分解、加水分解混合物からのテトラシロキサ
ン環式物質の分離、そしてアルカリ性触媒の利用による
当該環式物質のポリジオルガノシロキサンへのその後の
重合に基礎を置いている。
【0010】SiH原子団を2〜4個有する SiH化
合物は次に揚げる式で代表することができる。
【化4】 この式のRは、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、
又は例えばR3SiO(R2SiO)n R2SiO 
−のようなシリコーン基である。Xは、酸素原子、二価
の炭化水素基、もしくはシロキサン基であり、あるいは
Xはなくてもよく、この場合にはその化合物はジシラン
となる。3又は4個の SiH結合を有する同様の分子
を使用してもよいが、上に示したように2個の SiH
結合を有するものが好ましい。 これらの SiH含有ケイ素化合物は当該技術分野でよ
く知られており、それらは、ケイ素をメタノール及び 
HClとの反応により転化させる直接法での生成を含め
て、多くの様々な経路で調製することができる。好まし
いケイ素化合物は、式HMe2SiOSiMe2H を
有するテトラメチルジシロキサンである。
【0011】工程(B)の末端を SiH原子団でブロ
ックされた重合体は、工程(C)で下式のビニルトリア
ルコキシシランと反応させられる。
【化5】 この式の各R″は、メチル基、エチル基、プロピル基及
びブチル基からなる群より選ばれる少なくとも一つの基
である。好ましいビニルトリアルコキシシランはビニル
トリメトキシシランである。
【0012】アルコキシシルエチレン基で末端をブロッ
クされたポリジオルガノシロキサンを製造するこの簡易
化された方法は、初めにヒドロキシル基で末端をブロッ
クされたポリジオルガノシロキサンを SiH化合物と
混合する。このポリジオルガノシロキサンのSiOH原
子団に比べて過剰モルの SiH原子団が存在するよう
に、過剰のSiH化合物が存在すべきである。出発重合
体の分子量が認めうるほど増大させないように、すなわ
ち SiH化合物が連鎖延長剤として使われないように
、 SiH化合物の過剰は十分であるべきである。最小
量は1モルのSiOH原子団ごとに2モルのSiH原子
団であろう。そしてこのため、平均して、各SiOH部
位においてポリジオルガノシロキサンに1モルの Si
H化合物が付加されよう。実際のところ、1モルのSi
OH原子団ごとに10モルの SiH原子団が効果的で
あることが分っている。SiOH原子団と SiH原子
団との反応は白金触媒を使って触媒される。この反応の
ために適している周知の白金の形態のうちのいずれを使
用してもよい。好ましい触媒は、0.7重量%の白金を
供給するようにジメチルビニルシロキシ単位で末端ブロ
ックされたポリジメチルシロキサンで希釈されたジビニ
ルテトラメチルジシロキサンの塩化白金酸錯体である。 触媒の適切な量は、実験により容易に決めることができ
る。 そして、ヒドロキシル基で末端ブロックされたポリジオ
ルガノシロキサンを基準として0.6%の白金量が有効
であることが分っている。反応は、25〜 150℃の
温度で実施することができ、50〜 100℃の温度が
好ましいことが分っている。より高い温度は反応をより
速くする。
【0013】反応がすっかり完了し、そのため水素ガス
がそれ以上発生しなくなってから、25mmHg未満の
真空下且つ25〜 150℃の温度で加熱して混合物か
ら過剰の SiH化合物を除去する。使用される除去条
件は、使用される SiH化合物そのものに依存し、沸
点のより高いSiH化合物についてはより高い真空度及
びより高い温度が使用される。
【0014】過剰 SiH化合物の全てが除去されたな
らば、わずかに過剰のビニルトリアルコキシシランを加
えて、重合体の末端に存在している SiH原子団と反
応させる。適切な過剰量は、存在している SiH原子
団当り1.05〜3.0モルのビニルトリアルコキシシ
ランである。 SiH原子団とビニル基との反応は、2
5〜 150℃の温度で行うことができる。反応を完了
させるのに必要な時間は、温度を上昇させることによっ
て短縮される。反応は、混合物中にもはや SiH原子
団が存在しなくなるまで続けるべきであり、そしてこの
ことは赤外分光分析により監視することができる。次い
で、揮発性物質の全てが除去されるまで容器内の圧力を
25mmHg未満に低下させ且つ25〜 150℃の温
度に加熱して、混合物から過剰のビニルトリメトキシシ
ランを除去する。残りの物質は、所望の末端をトリアル
コキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノ
シロキサンである。
【0015】本発明の方法により製造された末端をトリ
アルコキシシルエチレン基でブロックされたポリジオル
ガノシロキサンは、湿分への暴露により硬化するシリコ
ーンシーラントを製造する際の成分としてアルコキシ基
で末端のブロックされたポリジオルガノシロキサンを必
要とする周知の組成物のいずれにおいて使用するのにも
特に適している。
【0016】以下に掲げる例は、例示目的のためにのみ
提示されるものであって、特許請求の範囲に正確に示さ
れた本発明を限定するものと解釈すべきではない。
【0017】加熱、冷却及び真空引きのための装備を有
する反応容器に、分子量が約58,000であってヒド
ロキシル基を0.14重量%有するヒドロキシル基で末
端をブロックされたポリジメチルシロキサンを1200
g入れ、そして67.3gのテトラメチルジシロキサン
と混合して、SiOH原子団のモル数に対する SiH
原子団のモル数を10倍過剰にした。次に0.7重量%
の白金を供給するようにジメチルビニルシロキシ基で末
端のブロックされたポリジメチルシロキサンで希釈され
たジビニルテトラメチルジシロキサンの塩化白金酸錯体
2mlを加えて、混合物中の白金を0.64%にした。 この混合物を攪拌しそして50℃に加熱した。45分後
にガスの発生がやみ、この間に合計して 703mlの
ガスが集められた。混合物を1mmHgの真空をさらし
、そしてこの混合物から合計して51.4gの揮発性流
体を除去して、それをコールドトラップでもって集めた
。 容器を大気圧に戻し、そしてかき混ぜながら74.5g
のビニルトリメトキシシランを加えた。攪拌を続けなが
ら温度を 100℃に上昇させた。 SiH原子団が消
失するのをFTIR分光分析により監視した。1時間後
に2120cm−1での吸光度にそれ以上の低下が認め
られなくなり、重合体を1mmHg及び 100℃でス
トリッピング処理した。合計して43.7gの揮発性流
体がコールドトラップで集められた。
【0018】製造された重合体のアルコキシ官能性につ
いての試験として、3gの重合体を4滴のテトラブチル
チタネートと混合した。粘度の上昇が即座にはっきりと
し、そして重合体はゆっくりとゲル化して5分後には速
くなった。
【0019】この重合体を使い、湿分の不存在下で10
00gの重合体を70gのメチルトリメトキシシラン、
20gの2,5−ジイソプロポキシ−ビスエチルアセト
アセテートチタン及び20gの付着添加剤と混合して、
湿分で硬化するシーラントを作った。均一になるまで混
合後、表面積約 150m2 /gのフュームドシリカ
90g及び細かく粉砕された酸化チタン10gを、27
インチ(686mm)Hg の真空下で均一になるまで
混合した。次いでこの混合物を、貯蔵しそして試験を行
うために密封チューブに移した。
【0020】このシーラントの硬化特性を、25℃で標
準の貯蔵を2日行った後及び70℃で7日後に測定した
。70℃での7日間は、室温で1年の貯蔵期間に近いこ
とが分っている。結果は次のとおりであった。
【0021】
【表1】
【0022】硬化した試料をASTM D 412に従
って物理的性質について試験して、下記の結果を得た。
【0023】
【表2】
【0024】末端をヒドロキシル基でブロックされた重
合体及びメチルトリメトキシシラン架橋剤を用いること
を除いて同様の配合物から作られた比較シーラントを評
価して、次に掲げる結果が得られた。
【0025】
【表3】
【0026】上述の例は、アルコキシシルエチレン基で
末端をブロックされた重合体が生成されたこと、そして
このような重合体を用いて製造されたシーラントの貯蔵
安定性は通常のアルコキシ基で末端のブロックされた重
合体から製造されたシーラントのそれよりもはるかに向
上することを例示する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  下記の工程(A)〜(D)から本質的
    になる、末端をアルコキシシルエチレン基でブロックさ
    れたポリジオルガノシロキサンの製造方法。 (A)末端をヒドロキシル基でブロックされたポリジオ
    ルガノシロキサンを、2〜4個の SiH原子団を有し
    、上記の出発重合体の分子量を認めうるほど増大させず
    にこのポリジオルガノシロキサンのヒドロキシル基と反
    応するのに十分な SiH化合物及び白金触媒と混合し
    、次いで当該ポリジオルガノシロキサンのヒドロキシル
    基の全部を反応させるのに十分な時間25〜 150℃
    の温度に加熱する工程 (B)25mmHg未満の真空を適用し且つ25〜 1
    50℃の温度に加熱することによって上記混合物から過
    剰の SiH化合物を除去して、末端を SiH原子団
    でブロックされた重合体を残す工程 (C)工程(B)の重合体の SiH原子団と反応する
    のに十分なビニルトリアルコキシシランを加え、そして
    存在している SiH原子団の全てを反応させるのに十
    分な時間25〜 150℃の温度に加熱する工程(D)
    25mmHg未満の真空を適用し且つ25〜 150℃
    の温度に加熱することによって上記混合物から過剰のビ
    ニルトリアルコキシシランを除去して、末端をトリアル
    コキシシルエチレン基でブロックされたポリジオルガノ
    シロキサンを残す工程
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