JPH04211268A - 有機系感光体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は感光体、特に表面保護層
を有する有機系感光体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機光導電性材料を結着樹脂に配
合した有機系感光体が広く使用されている。有機系感光
体はセレンや硫化カドミウム等を用いた感光体と比べて
衛生上の問題がなく、また工業的生産性に優れていると
いう利点を有している。

【０００３】しかし、有機系感光体は低硬度であり、繰
り返し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤
等との摩擦により感光体が削れたり、傷付き易いという
問題がある。

【０００４】そこで、そのような問題を解消するために
有機系感光体の表面に、高硬度を有する表面保護層を形
成する技術が提案されている。

【０００５】例えば、高硬度を有する表面保護層の材料
として非晶質炭化水素が知られており、特開昭６３−９
７９６２号、特開平１−４７５４号、特開平１−８６１
５８号等によって有機系感光体の表面に非晶質炭化水素
からなる表面保護層を形成する技術が提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、単に有機系感
光層上に非晶質炭化水素膜を形成すると、度々非晶質炭
化水素膜に無数のしわ（粗面化）が生じ平滑な表面保護
層が得られないためクリーニング不良が生じる。

【０００７】本願発明者らは、非晶質炭化水素膜の有機
系感光体への応用を研究した結果、非晶質炭化水素膜の
粗面化の問題は、非晶質炭化水素膜が非常に内部応力の
高い膜であることから、下地の有機系感光層が柔らかい
ために非晶質炭化水素膜の応力緩和によって非晶質炭化
水素膜が収縮し粗面化が起こるのであり、このような現
象は有機系感光層の製造時に有機系感光層中の溶剤含有
量を１５００ｐｐｍ以下に調整することによってほぼ改
善されることを見いだした。これによって晶質炭化水素
膜の製造条件を広く設定することができる。

【０００８】また、一般に有機系感光層は、溶剤に樹脂
を溶解した樹脂溶液に、有機系感光材料を溶解または分
散させ、これを導電性基板に塗布・乾燥することによっ
て製造されるが、有機系感光層には乾燥工程において溶
剤が抜け出た細孔が存在しており、ある程度ポーラスな
構造を有していると考えられている。そして上述したよ
うに溶剤含有量が１５００ｐｐｍ以下と少ない場合、有
機系感光層の細孔が非常に多くなっていると考えられる
が、この上に非晶質炭化水素膜を設けた感光体を複写機
等に使用すると、繰り返し使用時に残留電位が上昇する
という問題が生じてしまう。

【０００９】これは、非晶質炭化水素膜がその製法上ポ
ーラスな構造でダングリングボンドを多く有しているた
め、オゾン、ＮＯｘ等の活性ガスを非常に吸着し易い性
質を有しているため、非晶質炭化水素膜に吸着した活性
ガスが有機系感光層の細孔から侵入し、電荷輸送材料や
電荷発生材料を劣化（電荷輸送材料のキャリア移動度の
低下、あるいは電荷発生材料の量子効率の低下）させ、
残留電位上昇の問題が生じるものと推測される。

【００１０】本発明は上述した問題を解決するものであ
り、有機系感光層上に非晶質炭化水素よりなる表面保護
層を設けた感光体において、有機系感光層上の非晶質炭
化水素膜の粗面化の問題ならびに繰り返し使用時に残留
電位が上昇するという問題を解決し、優れた静電特性を
有する有機系感光体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために次の構成を有するものである。

【００１２】（１）導電性基板上に、１５００ｐｐｍ以
下の溶剤を含有する有機系感光層が形成され、この有機
系感光層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４
００〜５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面
保護層が形成されてなる有機系感光体。

【００１３】（２）導電性基板上に、１５００ｐｐｍ以
下の溶剤を含有する有機系感光層を形成する工程、およ
びこの有機系感光層上に設けられ、プラズマＣＶＤ法を
用いて下記式［数１］を満足する条件下で非晶質炭化水
素よりなる表面保護層を形成する工程からなることを特
徴とする有機系感光体の製造方法。

【００１４】

【数１】 　　　　０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。

【００１５】本願発明者等は非晶質炭化水素膜の特性に
ついてさらに探求したところ、非晶質炭化水素膜の特性
は、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数（以下α４５０
ｎｍ　と略す）によって大きく変化し、α４５０ｎｍ　
を４００〜５０００（ｃｍ−１）とすることによって、
上述した初期表面電位低下の問題も改善できることを見
い出した。

【００１６】非晶質炭化水素膜は前述したようにポーラ
スな膜であるが、非晶質炭化水素膜における光吸収係数
（α４５０ｎｍ　）は非晶質炭化水素膜の孔の開き方と
対応していると考えられ、空孔の多い膜は、空孔での光
の散乱あるいは空孔に露出しているダングリングボンド
での光の吸収によって吸収係数が大きくなり、逆に光吸
収係数の小さい膜は空孔の少ない膜となっているので、
α４５０ｎｍ　を４００〜５０００（ｃｍ−１）にする
ことにより非晶質炭化水素膜の空孔を少なくし、有機系
感光層に活性ガスが侵入するのを防止することによって
、感光体の繰り返し使用時の残留電位上昇の問題が解決
されたものと推測される。また、α４５０ｎｍ　を４０
０〜５０００（ｃｍ−１）程度の低い光吸収係数を有す
る非晶質炭化水素膜は、その内部応力が低いので製膜時
に内部応力の緩和に起因する非晶質炭化水素膜表面の粗
面化の問題も完全に解消することができる。

【００１７】本発明において、有機系感光層の構成は、
光導電性材料を結着剤に配合した単層型構成の感光層、
電荷発生層および電荷輸送層を順次積層した構成の感光
層、または電荷輸送層および電荷発生層を順次積層した
構成の感光層のいずれであってもよい。

【００１８】有機系感光層の溶剤含有量は１５００ｐｐ
ｍ以下、好ましくは１００〜１５０００ｐｐｍの範囲に
調整する。溶剤含有量が１５００ｐｐｍより多いと、非
晶質炭化水素膜形成時に粗面化が生じ易い。１００ｐｐ
ｍより少ないと感光層と非晶質炭化水素膜との接着性が
低下する傾向が生じ易い。

【００１９】導電性支持体は少なくとも最表面が導電性
を示す素材であればよく、形状も円筒形、可橈性ベルト
状、平板状等任意の形態をとることができる。

【００２０】本発明の表面保護層は、非晶質炭化水素よ
り形成され、その光吸収係数α４５０ｎｍ　は４００〜
５０００ｃｍ−１、好ましくは１０００〜４０００ｃｍ
−１である。α４５０ｎｍ　が５０００ｃｍ−１より大
きくなると、繰り返し使用時の残留電位上昇を十分改善
することができず、４００ｃｍ−１より小さいと、非晶
質炭化水素膜が低硬度となって耐久性が乏しくなる。

【００２１】表面保護層の膜厚は、０．０１〜５μｍ、
好ましくは０．０４〜１μｍ、より好ましくは０．０８
〜０．５μｍが望ましい。０．０１μｍより薄いと、膜
強度が低下し、傷、膜削れ等の問題が発生し易い。５μ
ｍより厚いと、透光性低下による感度の低下、残留電位
の上昇、成膜性の悪化、膜接着性の悪化等の問題が生じ
る傾向がある。

【００２２】本発明において、表面保護層が可視光の透
過率が８０％以上であることが望ましい。

【００２３】すなわち、Ｉ＝Ｉ０　ｅｘｐ　（−αｄ）
より、ＩがＩ０　の８０％以上となるためには、αｄ≦
０．２２３である必要があり、一般に複写機用感光体で
用いられる波長（４５０〜７８０ｎｍ）に対して、非晶
質炭化水素膜は４５０ｎｍにおける吸収が最も高いこと
から、表面保護層の光吸収係数と膜厚が下記式［数２］
を満足することが好ましい。

【００２４】

【数２】α４５０　×ｄ≦２２３０ ［α４５０　は４５０ｎｍにおける吸収係数（ｃｍ−１
）、ｄは表面保護層の膜厚（μｍ）である。］

【００２５】表面保護層はその表面粗さが、最大高さＲ
ｍａｘ　で０．４μｍ以下になるように形成する。０．
４μｍより大きいとクリーニング不良が発生しやすい。

【００２６】非晶質炭化水素膜中に含有される水素原子
の量は特に制限はないが、表面保護層の構造およびグロ
ー放電という製造面から必然的に制約され、その量は概
ね５〜６０ａｔｏｍｉｃ％となる。

【００２７】非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子
、水素原子の量は、有機元素分析、オージェ分析、ＳＩ
ＭＳ分析等の手段により知ることができる。

【００２８】本発明の表面保護層はグロー放電分解法に
より形成する。表面保護層は気相状態の少なくとも炭素
原子および水素原子を含む分子を減圧下で放電し、発生
したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷
電種を基板上に拡散、電気力あるいは磁気力等により誘
導し、基板上での再結合反応により固相として堆積させ
る、いわゆるプラズマ反応（以下Ｐ−ＣＶＤ反応または
プラズマＣＶＤ法と称す）することにより非晶質炭化水
素膜として形成することができる。

【００２９】上記各分子は常温常圧において必ずしも気
相である必要はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。

【００３０】少なくとも炭素原子および水素原子を含め
分子としては炭化水素、例えば飽和炭化水素、不飽和炭
化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等を用いるこ
とができる。

【００３１】非晶質炭化水素膜の吸収係数は成膜時の条
件、例えば、圧力、放電周波数、電力、原料ガス種、ガ
ス流量等により制御することができる。

【００３２】非晶質炭化水素膜の形成時、その原料ガス
を高いエネルギーで分解すると、生成された非晶質炭化
水素膜中に未結合手（ダングリングボンド）が多くでき
るため吸収係数が大きくなってしまう。

【００３３】非晶質炭化水素膜の吸収係数を小さくする
ためには、原料ガス１分子当りに供給される分解エネル
ギーを低くし、膜生成のみに必要なエネルギーを供給す
ることによって、余計な未結合手を生成しないようにす
る。ただし、エネルギーが低すぎると、非晶質炭化水素
膜生成に必要な分子間の結合が不十分となり、膜の硬度
低下および耐摩耗性の低下を招くので注意が必要である
。

【００３４】従って、非晶質炭化水素膜の吸収係数を小
さくするには、例えば、圧力を高くする、電力を小さく
する、ガス流量を大きくする、原料ガスに炭素数の多い
炭化水素を用いる、放電周波数を大きくする、基板温度
を低くする、放電時間を短くする等の手法によって適宜
制御することができる。これらの制御手法は、単独で行
ってもよいし併用してもよく、非晶質炭化水素のα４５
０ｎｍが４００〜５０００ｃｍ−１になるように製造す
れば良い。

【００３５】特に、本発明においては、下記式［数１］
を満足する条件で非晶質炭化水素を製造することにより
α４５０ｎｍ　が４００〜５０００ｃｍ−１である非晶
質炭化水素膜を良好に製造することができる。

【００３６】

【数１】 　　　　０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］。

【００３７】式［数１］において、供給電力／（原料ガ
ス導入量×圧力）の値（以下この値をＡ値と略称する。 ）が０．００５より小さいと製造された非晶質炭化水素
膜の硬度が低くなり耐久性が乏しくなる。０．１５より
大きいと非晶質炭化水素膜の吸収係数が大きくなりやす
い。

【００３８】

【作用】本発明においては、有機系感光層の製造時に有
機系感光層中の溶剤含有量を１５００ｐｐｍ以下に調整
することによって非晶質炭化水素膜の粗面化の問題のな
い有機系感光体が得られる。

【００３９】

【実施例】（１）感光層の作製 ■　　有機系感光層ａの作製 ジスアゾ顔料クロロジアンブル−（ＣＤＢ）１重量部、
ポリエステル樹脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−２００）１
重量部、及びシクロヘキサノン１００重量部の混合液を
サンドグラインダーにて１３時間分散した。この分散液
を直径８０ｍｍ×長さ３３０ｍｍの円筒状アルミニウム
基板上にディッピングにて塗布し、乾燥して膜厚０．３
μｍの電荷発生層を形成した。

【００４０】別に、４−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−ジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）１重量部、及びポ
リカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１重量部
をＴＨＦ６重量部に溶解し、この溶液を前記電荷発生層
上に塗布、乾燥（１００℃、４５分間）し、乾燥後膜厚
１５μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ａを得た
。

【００４１】有機系感光層ａの溶剤含有量は、１５２０
ｐｐｍ　であった。

【００４２】感光層中の溶剤含有量は、残留する溶剤を
抽出しガスクロマトグラフィーを用いることによって定
量することができる。具体的には、感光体を一定量正確
に秤量し、これをアセトン、メチルエチルケトン、テト
ラヒドロフラン、エタノール等の溶剤に浸漬させ、超音
波等を用いて残留する溶剤を抽出する。そして、これに
内部標準物質としてベンゼン、トルエン、キシレン、ヘ
キサン等を加え、ガスクロマトグラフィーを用いて内部
標準法によって定量する。

【００４３】■　　有機系感光層ｂの作製下記式［化１
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績（株）製Ｖ−５００）１重量部、及びメチ
ルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４時
間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３３
０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングにて
塗布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電荷
発生層を得た。

【００４４】

【化１】

【００４５】次いで、この電荷発生層の上に、下記式［
化２］に示されるヒドラゾン化合物１０重量部、及びポ
リカーボネート樹脂（帝人化成社製Ｋ−１３００）１０
重量部をテトラヒドロフラン８０重量部中に溶解した液
を塗布し、乾燥（８０℃１時間）して膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成し、有機系感光層ｂを得た。

【００４６】

【化２】

【００４７】溶剤含有量は、１９００ｐｐｍ　であった
。

【００４８】■　　有機系感光層ｃの作製下記式［化３
］に示されるジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹
脂（東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメ
チルエチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４
時間混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３
３０ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
て塗布し、乾燥して膜厚２５００オングストロームの電
荷発生層を得た。

【００４９】

【化３】

【００５０】次いで、後記式［化４］に示されるスチリ
ル化合物１０重量部、及びポリアリレート樹脂（ユニチ
カ社製Ｕ−４０００）１０重量部をテトラヒドロフラン
８５重量部中に溶解した。得られた塗布液を前記電荷輸
送層の上に塗布し、乾燥（８０℃３０分間）して膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｃを得た
。

【００５１】

【化４】

【００５２】溶剤含有量は、２１２０ｐｐｍ　であった
。

【００５３】■　　有機系感光層ｄの作製下記式［化５
］に示すジスアゾ化合物２重量部、ポリエステル樹脂（
東洋紡績株式会社製Ｖ−５００）１重量部、及びメチル
エチルケトン１００重量部をボールミルにて、２４時間
混合分散した。この分散液を直径８０ｍｍ×長さ３３０
ｍｍの円筒状アルミニウム基板上にディッピングにて塗
布し、乾燥して膜厚３０００オングストロームの電荷発
生層を得た。

【００５４】

【化５】

【００５５】次いで、下記式［化６］示すスチリル化合
物１０重量部、及びメチルメタクリレート樹脂（三菱レ
ーヨン株式会社製ＢＲ−８５）１０重量部をテトラヒド
ロフラン８０重量部に溶解した。得られた液を前記電荷
輸送層の上に塗布後乾燥（７０℃３０分間）して膜厚が
２０μｍの電荷輸送層を形成し、有機系感光層ｄを得た
。

【００５６】

【化６】

【００５７】溶剤含有量は、２３８０ｐｐｍ　であった
。

【００５８】■　　有機系感光層ｅの作製チタニルフタ
ロシアニン（ＴｉＯＰｃ）を抵抗加熱法を用いてボート
温度４００〜５００℃、真空度１０−４〜１０−６Ｔｏ
ｒｒのもとで真空蒸着し、厚さ２５００オングストロー
ムのＴｉＯＰｃ蒸着膜を、電荷発生層として形成した。

【００５９】次いで、下記式［化７］に示すｐ，ｐ−ビ
スジエチルアミノテトラフェニルブタジエン１重量部、
及びポリカーボネート（帝人化成社製Ｋ−１３００）１
重量部をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６重量部に溶解
し、この溶液を前記電荷発生層の上に塗布し乾燥（１０
０℃３０分間）して膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し
、有機系感光層ｅを得た。

【００６０】

【化７】

【００６１】溶剤含有量は、１６７０ｐｐｍ　であった
。

【００６２】なお、これらの感光層のうち、感光層ｅは
長波長露光用、他は通常露光用である。

【００６３】（２）表面保護層の作成 実施例１ 有機系感光層の溶剤含有量が１５２０ｐｐｍ　である有
機系感光層ａを、特開昭６３−９７９６２号公報に示さ
れる装置の真空槽内にセットした。

【００６４】次いで、真空槽内を排気し、圧力を０．０
０５Ｔｏｒｒに保ち、１２時間放置した。このとき有機
系感光層の温度は５０℃に保った。

【００６５】１２時間放置した後の有機系感光層中に含
有される残留溶剤量は１０００ｐｐｍであった。

【００６６】次いで、水素ガス６００ｓｃｃｍ、ブタジ
エンガス６００ｓｃｃｍを真空槽内に導入し、圧力を２
Ｔｏｒｒに設定した。

【００６７】圧力が一定になったところで、周波数８０
ＫＨｚの電源を用いて５０Ｗの電力を投入した。

【００６８】前記のＡ値は０．０２０８であり、また、
感光層の温度は５０℃とした。

【００６９】２３０秒間成膜を行ない、膜厚０．１μｍ
の非晶質炭化水素膜を表面保護層として有する感光体を
得た。

【００７０】α４５０ｎｍ　は２０００［１／ｃｍ］、
ｄ・α４５０ｎｍ　の値は２００であった。

【００７１】この感光体について最大高さＲｍａｘ　は
０．０４μｍであり、残留電位評価を行ったところ、２
０Ｖの残留電位が観測された。硬度は９Ｈであった。

【００７２】α４５０ｎｍ　の測定は以下の方法で行っ
た。

【００７３】透明なガラス基板（例えばコーニング社製
＃７０５９）上に、非晶質炭化水素膜を載置し、可視紫
外光度計（例えば、日本分光工業株式会社製　　ＵＶＩ
ＤＥＣ−６１０型）で可視光透過スペクトルを測定する
。

【００７４】図１は、その典型的なスペクトルを示した
ものであるが、ａ，ｂは４５０ｎｍ光に対する透過率が
高く、即ち、α４５０ｎｍ　（４５０ｎｍ光に対する吸
収係数）が低い非晶質炭化水素膜の例であり、ｃはα４
５０ｎｍ　が高い非晶質炭化水素膜の例である。

【００７５】ガラス基板には一部マスキングを施し、着
膜しない部分を設け、着膜部との段差を表面粗さ計（例
えば、東京精密社製　　サーフコム５５０Ａ）で測定し
、膜厚を求める。

【００７６】次式［数３］を用いてαを求める。

【００７７】

【数３】αλ＝−（１／Ｄ）・ｌｏｇｅ　（Ｉλ／Ｉ０
　λ） （式中αλは波長λにおける吸収係数、Ｄは膜厚、Ｉλ
／Ｉ０　λは波長λにおける透過率を示す。）αとして
４５０ｎｍ光における値を選択したのは、次の理由によ
る。

【００７８】通常の感光体は、比視感度域（４５０〜６
５０ｎｍ）或いはＬＥＤ、半導体レーザー感度域（６８
０、７８０ｎｍ）で用いられ、従って、非晶質炭化水素
膜は、少なくとも、その範囲の波長の光を透過する必要
がある。逆にこれら以外の波長での透過特性は、求めた
ところで意味がない。

【００７９】そこで有用な波長域で最もαの変化を測定
しやすい４５０ｎｍを選んだ。

【００８０】最大高さＲｍａｘ　は表面粗さ計サーフコ
ム５５０Ａ（東京精密社製）によって測定した。

【００８１】最大高さの求め方の例を図２に示す。

【００８２】最大高さ（　Ｒｍａｘ）は、粗さ曲線から
基準長さ（Ｌ：０．２５ｍｍ）だけ抜き取った部分の平
行線に平行な２直線Ｐ、Ｑで抜き取り部分を挟んだ時、
この２直線の間隔を断面曲線の縦倍率の方向に測定して
、この値をマイクロメートル（μｍ）で表わしたものを
いう。

【００８３】Ｒｍａｘ　が０．４μｍより大きい場合は
クリーニング不良が発生し易くなるので、０．４μｍ以
下が実用上好ましい。

【００８４】残留電位の測定には図３の如き試験機を用
いた。

【００８５】帯電器４によりＣＨＧ出力を調整し、第１
表面電位計２でのモニター値を常に−５００±２０Ｖに
保った。

【００８６】除電ランプ５にはハロゲンランプを用い、
色温度２８００°Ｋで点灯し、フィルター６を用い、３
０［ｌｕｘ　ｓｅｃ　］の光量が感光体に照射されるよ
うにした。但し、感光層ｅについては、色温度２２００
°Ｋとした。

【００８７】感光体１の形状は直径８０×長さ３３０ｍ
ｍであり、周速１３ｃｍ／ｓｅｃ　で回転させた。

【００８８】そして、第２表面電位計３でのモニター値
により、残留電位を観測した。

【００８９】残留電位の評価は下記のとおりである。

【００９０】感光体１回転目の残留電位（Ｖｒ）に対し
５０００回転目の残留電位（Ｖｒ´）がどの程度上昇し
たかで、○△×を付けた。

【００９１】 ｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦５０　　　　　　　　　　　　　　
　　　　○５０＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜≦１００　　　　　
　　　　　△１００＜｜Ｖｒ′−Ｖｒ｜　　　　　　　
　　　　　　　　　×表面電位低下の測定はα４５０ｎ
ｍ　の測定の場合と同様に、ガラス基板上にａ−Ｃ膜を
設け（但し膜厚は１０００オングストロームとする）、
ＪＩＳ−Ｋ−５４００規格の鉛筆引っかき試験を行なっ
た。

【００９２】評価は下記のとおりである。

【００９３】 　　また、実施例２〜１６、比較例１〜６については、
有機系感光層および表面保護層の製造条件を表１及び表
２に示す条件とする以外は実施例１と同様にして感光体
を作製した。

【００９４】また、それぞれの感光体について実施例１
と同じ評価を行ない結果を表１及び表２に示した。

【００９５】尚、表１、表２において“ｅｘ”は実施例
、“ｃｅ”は比較例を意味するものである。

【００９６】

【表１】 ｅｘ　　　　有機系　　　　低溶剤　　溶　　剤　　　
　原　　料　　ガ　　ス　　　　総流量　　電力　　圧
力ｃｅ　　　　感光層　　　　化処理　　存在量　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　番号　（溶剤ｐｐ
ｍ）　　法注１）　　（ｐｐｍ）　　　ガスｓｃｃｍ　
　ガスｓｃｃｍ　　［ｓｃｃｍ］　　　［Ｗ］　　Ｔｏ
ｒｒｃｅ１　　　ａ（１５２０）　　　１２ｈｒ　　　
１０００　　　水素１０００　　注２）ＢＤ８００　　
　１８００　　　４０　　　　　５ｅｘ２　　　　　〃
　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　水素　８０
０　　注２）ＢＤ８００　　　１６００　　　４０　　
　　　５ｅｘ３　　　　　〃　　　　　　　　〃　　　
　　　〃　　　　水素　８００　　注２）ＢＤ６００　
　　１４００　　　５０　　　　　４ｅｘ４　　　　　
〃　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　水素　６
００　　注２）ＢＤ６００　　　１２００　　　５０　
　　　　３ｅｘ１　　　　　〃　　　　　　　　〃　　
　　　　〃　　　　水素　６００　　注２）ＢＤ６００
　　　１２００　　　５０　　　　　２ｅｘ５　　　　
　〃　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　水素　
４００　　注２）ＢＤ３００　　　７００　　　　５０
　　　　　２ｅｘ６　　　　　〃　　　　　　　　〃　
　　　　　〃　　　　水素　４００　　注２）ＢＤ１５
０　　　５５０　　　　６０　　　　　１ｅｘ７　　　
　　〃　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　水素
　３５０　　注２）ＢＤ　５０　　　４００　　　　６
０　　　　　１ｃｅ２　　　　　〃　　　　　　　　〃
　　　　　　〃　　　　水素　３００　　注２）ＢＤ　
５０　　　３５０　　　　７０　　　　　１ｃｅ３　　
　ａ（１５２０）　　　３６ｈｒ　　　　２００　　　
ｃｅ１と同じｅｘ８　　　　　〃　　　　　　　　〃　
　　　　　〃　　　　ｅｘ２と同じｅｘ９　　　　　〃
　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　ｅｘ４と同
じｅｘ１０　　　　〃　　　　　　　　〃　　　　　　
〃　　　　ｅｘ６と同じｅｘ１１　　　　〃　　　　　
　　　〃　　　　　　〃　　　　ｅｘ７と同じｃｅ４　
　　　　〃　　　　　　　　〃　　　　　　〃　　　　
ｃｅ２と同じ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　ｅｘ１２　　ａ（１５２０）　　　３６
ｈｒ　　　　２００　　　Ａｒ　８００　　注５）　　
３００　　１１００　　　１００　　　　　１ｅｘ１３
　　ｂ（１９００）　　　１２ｈｒ　　　　８１０　　
　水素　８００　　注３）　　４００　　１２００　　
　１００　　　　１．４ｅｘ１４　　ｃ（２１２０）　
　　１２ｈｒ　　　　９００　　　水素　８００　　注
４）　　６００　　１４００　　　　５０　　　　１．
６ｅｘ１５　　ｄ（２３８０）　　　１２ｈｒ　　　１
０００　　　水素　９００　　注５）　　４００　　１
３００　　　　４０　　　　１．８ｅｘ１６　　ｅ（１
６７０）　　　１２ｈｒ　　　　６９０　　　Ｈｅ　７
００　　注２）ＢＤ３００　　１０００　　　　３０　
　　　　２ｃｅ５　　　ｄ（２３８０）　　　無処理　
　　２３８０　　　水素　３００　　注２）ＢＤ　５０
　　　３５０　　　　７０　　　　０．８ｃｅ６　　　
ｃ（２１２０）　　　　　〃　　　　　２１２０　　　
水素　３００　　注２）ＢＤ　５０　　　３５０　　　
　７０　　　　０．７ 　　注１）は真空槽（０．００５Ｔｏｒｒ）　中にＴｓ
＝５０　℃で放置した時間、注２）ＢＤはブタジエン、
注３）はプロパン、注４）はアセチレン、注５）はプロ
ピレン。

【００９７】

【表２】 ｅｘ　　　　Ａ　　値　　Ｆｒｅｑ．　　　Ｔｓ　　成
膜　　膜厚　　係数　　　　ｄ×　　表面　　ＣＤ残留
　　硬度ｃｅ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　時間　　　　ｄ　　α４５０　　　α４５０
　粗さ　　上　　昇番号　　　　　　　　　　　［Ｈｚ
］　　（℃）　［ｓｅｃ］　［ｕｍ］　　［／ｃｍ］　
　　　　　　　　Ｒｍａｘ　　評　　価　　評価ｃｅ１
　　　０．００４４　　　８０Ｋ　　　　５０　　　１
８０　　　０．１　　　　３５０　　　　　３５　　０
．０２　　　　○　　　　　　×ｅｘ２　　　０．００
５　　　　８０Ｋ　　　　５０　　　１９０　　　０．
１　　　　４００　　　　　４０　　０．０２　　　　
○　　　　　　△ｅｘ３　　　０．００８９　　　８０
Ｋ　　　　５０　　　２００　　　０．１　　　　６０
０　　　　　６０　　０．０３　　　　○　　　　　　
△ｅｘ４　　　０．０１３９　　　８０Ｋ　　　　５０
　　　２１０　　　０．１　　　１０００　　　　１０
０　　０．０３　　　　○　　　　　　○ｅｘ１　　　
０．０２０８　　　８０Ｋ　　　　５０　　　２３０　
　　０．１　　　２０００　　　　２００　　０．０４
　　　　○　　　　　　○ｅｘ５　　　０．０３５７　
　　８０Ｋ　　　　５０　　　２４０　　　０．１　　
　３０００　　　　３００　　０．０５　　　　○　　
　　　　○ｅｘ６　　　０．１０９１　　　８０Ｋ　　
　　５０　　　２６０　　　０．１　　　４０００　　
　　４００　　０．０６　　　　○　　　　　　○ｅｘ
７　　　０．１５　　　　　８０Ｋ　　　　５０　　　
２８０　　　０．１　　　５０００　　　　５００　　
０．０８　　　　△　　　　　　○ｃｅ２　　　０．２
　　　　　　８０Ｋ　　　　５０　　　３００　　　０
．１　　　６０００　　　　６００　　０．１　　　　
　×　　　　　　○ｃｅ３　　　ｃｅ１と同じ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　０．０２　　　　○　　　　　　×ｅｘ８　
　　ｅｘ２と同じ　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０２　　　　
○　　　　　　△ｅｘ９　　　ｅｘ４と同じ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　０．０２　　　　○　　　　　　○ｅｘ１０　
　ｅｘ６と同じ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　０．０３　　　　○
　　　　　　○ｅｘ１１　　ｅｘ７と同じ　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　０．０５　　　　△　　　　　　○ｃｅ４　　　
ｃｅ２と同じ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　０．０８　　　　×　
　　　　　○ｅｘ１２　　０．０９０９　　　８０Ｋ　
　　　７０　　　５００　　　０．２　　　３８００　
　　　７６０　　０．０８　　　　○　　　　　　○ｅ
ｘ１３　　０．０５９５　　　８０Ｋ　　　　３０　　
１１５０　　　０．７５　　２２００　　　１１００　
　０．０８　　　　○　　　　　　○ｅｘ１４　　０．
０２２３　　２００Ｋ　　　　５０　　　２２０　　　
０．１　　　２２００　　　　２２０　　０．０３　　
　　○　　　　　　○ｅｘ１５　　０．０１７１　　　
　＊　　　　５０　　　４２０　　　０．２　　　１３
００　　　　２６０　　０．０４　　　　○　　　　　
　○ｅｘ１６　　０．０１５　　　　８０Ｋ　　　　３
０　　　２００　　　０．１　　　１１００　　　　１
１０　　０．０２　　　　○　　　　　　○ｃｅ５　　
　０．２５　　　　　８０Ｋ　　　　５０　　　３２０
　　　０．１　　１００００　　　１０００　　０．５
　　　　　○　　　　　　○ｃｅ６　　　０．２８６　
　　　８０Ｋ　　　　５０　　　３４０　　　０．１　
　１５０００　　　１５００　　１．１　　　　　○　
　　　　　○ （備考：＊は１３．５６Ｍ）

【００９８】

【発明の効果】本発明は、有機系感光層上に非晶質炭化
水素よりなる表面保護層を設けた感光体において、非晶
質炭化水素膜が粗面化する欠点がなく、繰り返し使用時
の残留電位の上昇のない優れた静電特性を有する有機系
感光体ならびにその製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】非晶質炭化水素膜の可視光透過スペクトルを示
すチャートである。

【図２】表面粗さの最大高さの求め方の例を示す図であ
る。

【図３】残留電位測定試験機の略図である。

【符号の説明】

１…感光体、２…第１表面電位計、３…第２表面電位計
、４…帯電器、５…除電ランプ、６…フィルター。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　導電性基板上に、１５００ｐｐｍ以下
   の溶剤を含有する有機系感光層が形成され、この有機系
   感光層上に、波長４５０ｎｍにおける光吸収係数が４０
   ０〜５０００ｃｍ−１の非晶質炭化水素よりなる表面保
   護層が形成されてなる有機系感光体。
2. 【請求項２】　　導電性基板上に、１５００ｐｐｍ以下
   の溶剤を含有する有機系感光層を形成する工程、および
   この有機系感光層上に設けられ、プラズマＣＶＤ法を用
   いて下記式［数１］を満足する条件下で非晶質炭化水素
   よりなる表面保護層を形成する工程からなることを特徴
   とする有機系感光体の製造方法。 【数１】 　　　　０．００５≦供給電力／（原料ガス導入量×圧
   力）≦０．１５［供給電力（Ｗ）、原料ガス導入量（ｓ
   ｃｃｍ）、圧力（Ｔｏｒｒ）］