JPH0420881A - 半導体集積回路内のテストモード設定回路 - Google Patents

半導体集積回路内のテストモード設定回路

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JPH0420881A
JPH0420881A JP2126440A JP12644090A JPH0420881A JP H0420881 A JPH0420881 A JP H0420881A JP 2126440 A JP2126440 A JP 2126440A JP 12644090 A JP12644090 A JP 12644090A JP H0420881 A JPH0420881 A JP H0420881A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、論理回路等を含む半導体集積回路内のテスト
モード設定回路に関し、特に一つのテストモード設定回
路によって、テストモード設定信号を発生する半導体集
積回路内のテストモード設定回路に関する。
[従来の技術] 従来半導体集積回路の製造において、製造工程において
、内部論理回路等の点検を行うために、テストモード設
定回路を同じ半導体集積回路の中に設けて、このテスト
モード設定回路を外部から制御して、いろいろなテスト
モード信号を発生させている。
このテストモード信号を、内部論理回路等に入力させて
、その応答状態から正常/異常の判定や異常部分の探求
に応用されており、今日、半導体集積回路全盛の時代に
おいては、複雑な半導体集積回路を効率的に大量生産す
るために、必須の回路となっている。
次に回路図を用いて半導体集積回路内の従来のテストモ
ード設定回路を説明する。
従来の回路を第3図に示す。
回路構成説明: 第3図において、半導体集積回路1は、入力端子Aと内
部の論理回路5と出力端子Bと中間電位検出手段2から
構成される。
中間電位検出手段2は、高レベルしきい値インバータ2
1と低レベルしきい値インバータ22とインバータ23
とAND24から構成され、テストモード設定信号を出
力するテストモード設定回路である。
インバータ21〜23の入力電圧と論理レベルの関係を
第4図に示す。
入力端子Aには、通常の論理レベル信号(1又は0)と
は異なるレベルの信号を入力端子Aに入力する。
つまり、論理入力端子とテストモード設定用信号入力端
子を入力端子Aて共用して入力され、入力端子Aに中間
電位の信号(1/2  V)が入力された場合は、テス
トモード設定回路が動作され、中間電位以外の論理レベ
ル信号が入力された場合は、通常の内部論理回路が正常
に動作される。
入力端子Aに、中間電位信号が入力されると、テストモ
ード設定回路2の、高レベルしきい値インバータ21(
しきい値電圧>1/2  V)と低レベルしきい値イン
バータ22(しきい値電圧く1/2  V)に入力され
る。
高レベルしきい値インバータ21は、中間電位信号か入
力されると、入力電位がしきい値電圧よりも低いために
、論理レベル0と判定され、出力は反転されて論理レベ
ル1信号が、AND24に出力される。
低レベルしきい値インバータは22は、中間電位信号が
入力されると、入力電位がしきい値電圧よりも高いため
に、論理レベル1と判定され、出力は反転されて論理レ
ベル0信号が、インバータ23に出力される。
インバータ23に入力された、論理レベル0信号は反転
されて論理1信号が、AND24に出力される。
AND24は、高レベルしきい値インバータ21から出
力された論理レベル1信号と、インバータ23から出力
された論理レベル1信号との、AND24を行って、論
理レベル1の出力信号Cが出力される。
この出力信号Cかテストモード設定信号とじて内部テス
ト回路へ使用される。もし、AND24の出力が論理レ
ベル0の場合は、テストモードにはされない。
以上がテストモード設定口路2がテストモルトとして動
作される場合を示した。
この回路で設定されるテストモード設定信号の状態は1
つしか出力し得ない、つまり、論理圧力0の時は、否テ
ストモード設定の状態であり、1の時は、1つのテスト
モード設定状態を表す。
〔発明が解決しようとする課題] 従来の回路では、テストモード設定信号か1種類しか、
出力できないためテストできる範囲か限定されてしまっ
ていた。
いろいろなモードでテストするために、複数の異なるテ
ストモード設定信号が発生できる回路が望まれていた。
本発明の目的は、半導体集積回路のテストモト設定回路
で複数の異なるテストモード設定信号が発生できるよう
にしたテストモード設定回路を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、以上の課題に鑑み、目的を達成するために、
従来のテストモード設定回路に改良を加えた。
つまり、 クロック入力に応じて記憶内容が順次変化する多段レジ
スタと、 内部論理回路用テストモード信号を発生するテストモー
ド設定回路と、 を含む半導体集積回路において、 内部論理回路用の一つの入力端子に入力される論理1レ
ベル信号と論理0レベル信号との間の中間電位を検出す
る中間電位検出手段と、中間電位検出手段から出力され
る検出信号によって、クロック入力を可能とし、且つ多
段レジスタの最終段から出力される信号を入力するテス
トモード設定用フリップフロップと、 フリップフロップから出力される信号と、多段レジスタ
の各段のレジスタからの出力に応じてテストモード信号
を出力するテストモード選択手段と、 を含むことを特徴とし、 更に 前記フリップフロップが、 内部論理回路用の一つの入力端子に中間電位以外の電位
が加わった場合に中間電位検出手段から出力される信号
によってリセットされる手段、を含むことを特徴とする
[作用] 本発明においては、半導体集積回路内の論理回路の多段
レジスタを利用し、多段レジスタの出力を使って、対応
するテストモード設定信号を発生する。つまり、多段レ
ジスタの段数が多いほどテストモード設定信号の種類も
多く発生できる。
[実施例] 以下、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図である。
回路構成説明: 第1図において、半導体集積回路1は、入力端子A、C
SDと、内部論理回路5と、テストモード設定回路8で
構成される。
テストモード設定回路8は、中間電位検出手段2と、A
ND3と、インバータ7と、フリップフロップ4と、テ
ストモード選択手段6で構成される。
中間電位検出手段2は、従来と同じ回路で構成され、高
レベルしきい値インバータ21と、低レベルしきい値イ
ンバータ22と、インバータ23と、AND24で構成
される。
テストモード選択手段6は、AND61〜64・で構成
される。
内部論理回路5は、レジスタ51〜54を含み、それぞ
れのレジスタから、出力がテストモード選択手段6へ出
力され、最終段のレジスタ出力はフリップフロップ4へ
も出力される。
入力端子Cに入力されたクロックは、レジスタ51〜5
4に並行して出力されると共に、中間電位検出手段2か
ら出力された論理1信号(テストモードに設定するため
の信号)によって、AND13でゲートされて、フリッ
プフロップ4に出力される。
フリップフロップ4から出力された信号が、テストモー
ド選択手段のAND61〜64に出力され、この信号に
よって、レジスタ51〜54から出力された信号かAN
Dゲートされて出力される。
回路動作説明: 第1図において、 テストモード設定を行う場合; 入力端子Aには、データが入力され、入力端子Cには、
クロックか入力され、入力端子りには、中間電位が入力
される。
テストモード設定中は、入力端子りには中間電位を入力
する必要がある。
以上の準備ができると、テストモード設定信号発生の動
作に入る。
つまり、第2図に示すタイミングチャート(A)、(B
)、(C)、(D)の動作が行われ、最終的に第1図の
テスト1.2.3.4から異なる組合わせのテストモー
ド設定信号が出力される。
入力端子りに中間電位が入力されると、中間電位検出手
段2は従来の動作が行われ、論理レベル1がAND3に
出力される。
この論理レベル1出力によって、AND3で、入力端子
Cに入力されたクロックが、ANDされて、入力クロッ
クがフリップフロップ4へ出力される。
入力端子Aに入力されたデータは、レジスタ51に入力
され、入力クロックに対応してシフトされたデータが、
レジスタ52へ出力される。
以下レジスタ53〜54においても同様にデータがシフ
トされて、それぞれ出力データはテストモード選択手段
6のAND61〜64へ出力される。
最終段のレジスタ54から出力されたデータは、フリッ
プフロップ4へも出力される。
フリップフロップ4は、レジスタ54から出力されたデ
ータが、AND3から出力されたクロックによって、イ
ンバータ7から出力される信号が論理レベル0の時に、
移送されてAND61〜64へ出力される。
ここで入力データとクロックとレジスタ51〜54出力
とフリップフロップ4出力の関係を第2図(A)に示す
第2図(A)において、クロックの5番目にテスト信号
発生用パルスがフリップフロップ4からAND61〜6
4へ出力され、それぞれAND出力として、(テスト1
出力、テスト2田力、テスト3出力、テスト4出力)は
(1,0,0SO)という信号が出力される。
また入力データを変更すると、第2図(B)においては
、(0,1,0,0)という信号か出力され、第2図(
C)においては、(0,0,1,0)という信号が出力
され、第2図(D)においては、(0,0,0,1)と
いう信号が出力される。
このように、入力データが変更されることによって、異
なる複数のテストモード設定信号が発生される。
このようにして発生されたテスト信号によって、モード
の異なるテストデータを発生し、内部論理回路をテスト
する信号として使用される。
テストモード設定を行わない場合: 入力端子A、、C,,Dには通常の論理レベル信号(1
,0)を入力することによって、内部論理回路を動作さ
せることができる。
また、テストモード設定回路8においては、入力端子り
の入力論理レベルが、0又は1の場合、中間電位検出手
段2の出力が論理レベルOにされるため、インバータ7
出力が論理レベル1とされ、この出力でフリップフロッ
プ4がリセットされることによって、フリップフロップ
4からも出力されないため、テストモード設定信号は出
力されない。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、内部回路のレジ
スタ等を利用して、テストモード設定回路で組合わせの
ことなる信号を発生できるので、異なるパターンの信号
で内部回路をテストすることができる。
よって半導体集積回路の信頼性品質の向上と維持及び経
済性に著しい貢献を与えることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図はタイ
ミングチャート、 第3図は従来の回路図、 第4図は、インバータ21〜220入力電圧と論理レベ
ルの定義を示す図である。 1 ・・・ 半導体集積回路 2 ・・・ 中間電位検出手段 3.24.61〜64 ・・ AND 4 ・・・ フリップフロップ 5 ・・・ 内部論理回路 6 ・・・ テストモード選択手段 7.23 ・・・ インバータ 8 ・・・ テストモード設定回路 21 ・・・ 高レベルしきい値インバータ22 ・・
・ 低レベルしきい値インバータ51〜54 ・・・ 
レジスタ (A)インバータ21の入力電圧とま金運しNルの定義
(B)イソハ゛−タ22の入力電圧と論理レベルの定義
インバータ21〜22の入力 第 図 (C)什/バータ23の入力電力と論理レベルΦ定義電
圧と論工里しベ゛ルの定義

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)クロック入力に応じて記憶内容が順次変化する多
    段レジスタと、 内部論理回路用テストモード信号を発生するテストモー
    ド設定回路と、 を含む半導体集積回路において、 内部論理回路用の入力端子に入力される論理1レベル信
    号と論理0レベル信号との間の中間電位を検出する中間
    電位検出手段と、 中間電位検出手段から出力される検出信号によって、ク
    ロック入力を可能とし、且つ多段レジスタの最終段から
    出力される信号を入力するテストモード設定用フリップ
    フロップと、 フリップフロップから出力される信号と、多段レジスタ
    の各段のレジスタからの出力に応じてテストモード信号
    を出力するテストモード選択手段を含むことを特徴とす
    る半導体集積回路内のテストモード設定回路。
  2. (2)請求項(1)において、 フリップフロップが、 中間電位検出手段の入力が接続される内部論理回路用の
    入力端子に、中間電位以外の論理レベル信号電位が加わ
    った場合に中間電位検出手段から出力される信号によっ
    てリセットされる手段、を含むことを特徴とする半導体
    集積回路のテストモード設定回路。
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