JP3438263B2 - 入力セルおよび半導体集積回路の試験方法 - Google Patents

入力セルおよび半導体集積回路の試験方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スタンダードセル、ゲ
ートアレイなどの半導体集積回路の入力セルに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の入力セルは、外部信号をセル内部
に入力する入力端子と、その入力された外部信号をセル
内部より半導体集積回路内部に出力する出力端子とで構
成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の入力セルでは、
半導体集積回路において回路の大規模化および高集積化
によって複雑化された回路機能をテストするには回路を
部分的に検証しなければならなく、回路を部分的に検証
するにはその都度テストピンが必要になり多ピン化して
しまうという欠点がある。また、テストピンを必要に応
じて使用してしまうと半導体集積回路チップを大きくし
てしまうという欠点がある。本発明の目的は、このよう
な課題を解決するもので、ピン削減および、半導体集積
回路チップの面積縮小を実現することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の入力セルは、半
導体集積回路の入力セルにおいて、外部信号をセル内部
に入力する第1の入力端子と、該第1の入力端子より入
力された信号をセル内部より半導体集積回路内部へ出力
する第1の出力端子と、該第1の出力端子の信号が入力
される半導体集積回路の出力信号を入力する第2の入力
端子と、選択制御信号をセル内部に入力する第3の入力
端子と、該第3の入力端子より入力された選択信号の状
態により前記第1の入力された信号及び前記第2の入力
端子より入力された信号の一方を選択する機能と該機能
で選択された信号をセル内部より他の半導体集積回路内
部へ出力する第2の出力端子とを備えたことを特徴とす
る。本発明の入力セルを用いた第1の半導体集積回路と
第2の半導体集積回路の試験方法は、入力セルを用いた
第1の半導体集積回路と第2の半導体集積回路の試験方
法において、外部信号を前記入力セルの第1の入力端子
に入力し、前記入力セルの第1の出力端子から出力され
る信号を前記第1の半導体集積回路に入力し、前記第1
の半導体集積回路の出力を前記入力セルの第2の入力端
子に入力し、選択制御信号を前記入力セルの第3の入力
端子に入力し、前記入力セルは前記第3の入力端子に入
力される信号の状態により、前記第1の入力された信号
及び前記第2の入力端子より入力された信号の一方を第
2の出力端子から出力し、前記第2の出力端子から出力
された信号を前記第2の半導体集積回路に入力すること
を特徴とする。
【0005】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図を参照しながら
説明する。ただし、保護抵抗および保護ダイオードは図
示していない。
【0006】図1は、本発明の入力セルの一実施例の回
路図である。ただし、保護抵抗および保護ダイオードは
図示していない。
【0007】図1の入力セルの回路図において、外部信
号が入力端子1よりセル内部に入力され、インバータ
6、7を通過して出力端子2より同レベルでセル内部か
ら半導体集積回路内部に出力される。インバータ9と論
理積10、11と論理和12は、2入力選択回路を構成
している。入力端子4よりセル内部に入力された信号の
レベルがローレベルすなわち0Vに等しい場合、論理和
12の出力信号は、インバータ8の出力信号と等しくな
る。また、前記入力端子4よりセル内部に入力された信
号のレベルがハイレベルすなわち電源電圧に等しい場
合、前記論理和12の出力信号は、入力端子5よりセル
内部に入力された信号と等しくなる。
【0008】すなわち、前記入力端子4よりセル内部に
入力された信号のレベルがローレベルすなわち0Vに等
しい場合、前記入力端子1より入力された信号がインバ
ータ6、8、論理積10、論理和12を通過して出力端
子3より同レベルでセル内部から半導体集積回路内部に
出力される。また、前記入力端子4よりセル内部に入力
された信号のレベルがハイレベルすなわち電源電圧に等
しい場合、前記入力端子5よりセル内部に入力された信
号が論理積11、論理和12を通過して前記出力端子3
より同レベルでセル内部から半導体集積回路内部に出力
される。
【0009】図2は、本発明の入力セルとセル外部の回
路との接続例を示した回路図である。破線部に囲まれた
論理回路13は、図1で説明したものと同一であり、本
発明の入力セルである。ただし、保護抵抗および保護ダ
イオードは図示していない。
【0010】図2の回路図において、論理回路13は、
入力端子14、17、18と出力端子15、16とイン
バータ19、20、21、22と論理積23、24と論
理和25から構成されている。前記論理回路13の出力
端子15は、ブラックボックスで示した論理回路26に
接続され、前記論理回路26の出力信号は、前記論理回
路13の入力端子18に入力される。前記論理回路13
の出力端子16は、ブラックボックスで示した論理回路
27に接続される。
【0011】前記論理回路26を多段な分周回路とし、
前記論理回路27を前記論理回路26の次段の論理回路
としたとき、テスト入力端子28のレベルがハイレベル
すなわち電源電圧に等しい場合、外部信号が入力端子1
4よりセル内部に入力され、インバータ19、20を通
過して出力端子15より同レベルでセル内部より半導体
集積回路内部に出力され、前記論理回路26を通過して
入力端子18よりセル内部に入力され、論理積24、論
理和25を通過して出力端子16よりセル内部より半導
体集積回路内部に出力され、前記論理回路27に入力さ
れる。すなわち、外部信号が前記論理回路13を通過し
前記論理回路26に入力され、前記論理回路26の出力
信号が前記論理回路13を通過し、前記論理回路27に
入力される。
【0012】一方、前記テスト入力端子28のレベルを
ローレベルすなわち0Vに等しい場合、外部信号が入力
端子14よりセル内部に入力され、その入力された信号
は、インバータ19、21を通過して論理積23、論理
和25を通過して前記出力端子16よりセル内部より半
導体集積回路内部に出力され、前記論理回路27に入力
される。すなわち、直接外部信号が前記論理回路13を
通過し前記論理回路27に入力されることになり、半導
体集積回路において、多段な分周回路のような論理の深
い回路があった場合でも、その次段の論理回路部分を容
易にテストすることができる。
【0013】したがって、前記テスト入力端子28のレ
ベルによって、前記論理回路27に入力される信号を切
り換えることができる。つまり、前記テスト入力端子2
8のレベルがハイレベルすなわち電源電圧に等しいとき
は、前記論理回路26の出力信号が前記論理回路13経
由で前記論理回路27に入力され、前記論理回路26と
前記論理回路27で通常の動作をし、前記テスト入力端
子28のレベルがローレベルすなわち0Vに等しいとき
は、外部信号が、前記論理回路13経由で前記論理回路
27に入力され、前記論理回路27のテストを容易に行
なえる。
【0014】
【発明の効果】以上、本発明によれば特に多段な分周回
路のような複雑な順序回路を通過した次段の回路のテス
トを容易化することが出来る。また、従来テストピンと
して使用していた入力ピンを削減できる。これらのこと
により、大規模化および高集積化された半導体集積回路
においてピン削減および、チップの面積縮小を実現する
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の入力セルの一実施例の回路図である。
【図2】本発明の入力セルとセル外部の回路との接続例
を示した回路図である。
【符号の説明】
1、4、5、14、17、18 入力端子 2、3、15、16 出力端子 6〜9、19〜22 インバータ 10、11、23、24 論理積 12、25 論理和 13 入力セル 26、27 ブラックボックスで示
した論理回路 28 テスト入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 H01L 21/822 H01L 27/04 G01R 31/28 H03K 19/173 H01L 21/66

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路の入力セルにおいて、 外部信号をセル内部に入力する第1の入力端子と、該第
    1の入力端子より入力された信号をセル内部より半導体
    集積回路内部へ出力する第1の出力端子と、該第1の出
    力端子の信号が入力される半導体集積回路の出力信号を
    入力する第2の入力端子と、選択制御信号をセル内部に
    入力する第3の入力端子と、該第3の入力端子より入力
    された選択信号の状態により前記第1の入力された信号
    及び前記第2の入力端子より入力された信号の一方を選
    択する機能と該機能で選択された信号をセル内部より他
    の半導体集積回路内部へ出力する第2の出力端子とを備
    えたことを特徴とする入力セル。
  2. 【請求項2】 入力セルを用いた第1の半導体集積回路
    と第2の半導体集積回路の試験方法において、 外部信号を前記入力セルの第1の入力端子に入力し、前
    記入力セルの第1の出力端子から出力される信号を前記
    第1の半導体集積回路に入力し、前記第1の半導体集積
    回路の出力を前記入力セルの第2の入力端子に入力し、
    選択制御信号を前記入力セルの第3の入力端子に入力
    し、前記入力セルは前記第3の入力端子に入力される信
    号の状態により、前記第1の入力された信号及び前記第
    2の入力端子より入力された信号の一方を第2の出力端
    子から出力し、前記第2の出力端子から出力された信号
    を前記第2の半導体集積回路に入力することを特徴とす
    る半導体集積回路の試験方法。
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