JPH04206595A - 薄膜多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は薄膜多層配線板およびその製造方法並びに該薄
膜多層配線板に用いる絶縁性薄葉材料に関する。

〔従来の技術］ 従来、多層配線基板は導体金属をスパッタ法などにより
パターン形成し、次いで絶縁膜を形成後頁述部を加工し
た後、再び導体金属層を形成する逐次積層法により製造
されている。（特開平２−９４５９４号）。

また、フィルムなどの薄葉材料の両面に配線パターンが
形成された配線パターン付薄葉材料を接着性フィルムを
介して多層化接着することを特徴とする薄膜多層配線基
板（特開平２−４５９９８号）が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記した逐次積層法では、配線パターン形成、絶縁膜形
成、貫通部形成の工程を順次に実施するために、回路配
線の精度の点ではすぐれているが歩留まりが悪く、製造
に多大の時間を必要とするために多層化を更に進める上
での生産性向上の大きな障害となっている。歩留まり向
」１策の一つとして両面に配線パターンを形成したフィ
ルムを接着フィルムで積層接着する方法があるが、該方
法も逐次積層法に比べると各配線パターンの位置合わせ
精度が出しにくいことなど多層配線基板の信頼性向上を
計る上で大きな障害がある。

本発明の目的は、従来法の歩留まりの問題を解決でき、
しかも生産性にすぐれ、各配線パターン層の位置合わせ
精度の向上が可能な信頼性にすぐれた薄膜多層配線基板
の製造方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、上記目的を達成することができる。本
発明の要旨を次に示す。

第１の発明は、薄膜多層配線基板の製造方法に関する。

すなわち、片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料
の他の主面と表面に回路部を有する多層配線基板の表面
とを接着層を介して接着する工程（Ａ）、前記絶縁性薄
葉材料の配線パターンと多層配線基板上の回路とが貫通
するように位置合わせを行い絶縁性薄葉材料及び接着層
に貫通孔を形成する工程（Ｂ）、前記貫通孔をめっきに
より導電化する工程（Ｃ）、前記工程（Ｃ）で得られた
表面層と片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料の
他の主面とを接着層を介して接着する工程（Ｄ）、工程
（Ｄ）で使用した絶縁性薄葉材料の配線パターンと工程
（Ｃ）で得られた表面の回路層とが貫通するように位置
合わせを行い絶縁性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成
する工程（Ｅ）、更に工程（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）を
１回以上行うことを特徴とする。

”　　また、第２の発明は、片面に配線パターンを有す
る絶縁性薄葉材料（第１層）の他の主面と次層を形成す
る片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料（第２層
）の配線パターン面とを接着層を介して接着する工程（
Ｆ）、前記第１層の配線パターンと前記第２層の配線パ
ターンとが貫通するように位置合わせを行い第１層の絶
縁性薄葉材料〜及び接着層に貫通孔を形成する工程（Ｇ
）、前記貫通孔をめっきにより導電化する工程（Ｈ）か
らなる工程を１回以上繰返して多層の配線パターン層を
有する薄膜多層配線材料を作成し、該薄膜多層配線材料
の配線パターン層を有しない一方の主面と基板とを接着
層を介して接着し、基板上の回路部と薄膜多層配線材料
の配線パターン層とが貫通するように位置合わせを行い
貫通孔を形成し、該貫通孔を電気的に接合することを特
徴とする。

また、第３及び第４の発明は、絶縁性薄葉材料の片面に
配線パターンをもう一方の主面に接着層を有する薄膜配
線材料を用いて、前記第１の発明及び第２の発明の製造
方法を用いることに特徴がある。

更に、第５の発明は、第３の発明及び第４の発明に用い
る絶縁性薄葉材料の片面に配線パターン層を他方の主面
に接着層を有する薄膜配線材料に関する。第６の発明は
第５の発明の薄膜配線材料の製造方法に関する。

本発明において、使用する絶縁性薄葉材料としては、耐
熱性（減量開始温度）３５０〜５５０℃、比誘電率３．
５〜２．２、難燃性（ＵＬ−９４規格）Ｖ−０又はＶ−
１、熱膨張率２−Ｏｘ　１０−”７℃以下、膜厚１〜１
００μｍのポリマフィルム、具体的に云えばポリイミド
、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリアミ
ドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン
、ポリカーボネート、液晶ポリマ、ポリフルオロカーボ
ンの中から選ばれるポリマフィルムが有効である。これ
らの中でも特にポリイミドフィルムが上記特性を満たす
上で有効である。

本発明で使用できるポリイミドあるいはその前駆体とし
ては、一般的にはポリアミック酸を用いるが、その他エ
ステル化アミック酸、カルボン酸二無水物とジイソシア
ネートとの反応生成物などがある。また、これらの骨格
としては、多くのものが使用できる。例えば、芳香族ア
ミノカルボン酸の重合体、芳香族ジアミンあるいはジイ
ソシアネートと芳香族テトラカルボン酸を出発原料とす
るもの等がある。

本発明において、ポリイミドの前駆体としては、芳香族
アミノジカルボン酸誘導体の単独重合、または芳香族ジ
アミンあるいは芳香族イソシアネートとテトラカルボン
酸誘導体の反応によって得ることができる。テトラカル
ボン酸誘導体としては、エステル、カルボン酸二無水物
、酸塩化物がある。

カルボン酸二無水物を用いると合成上好ましい。

合成反応は、一般的にはＮ−メチルピロリドン、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
フォキサイド、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アセ
トフェノンなどの溶液中で、＝２０〜２００℃の範囲で
行われる。

本発明に用いられるアミノジカルボン酸誘導体として具
体例を挙げると、４−アミノフタル酸、４−アミノ−５
−メチルフタル酸、４−（ｐ−アニリノ）フタル酸、４
−　（３，５−ジメチル−４−アニリノ）フタル酸など
、あるいはこれらのエステル、酸無水物、麿塩化物等が
挙げられる。

本発明に用いられる芳香族ジアミンとしては、ｐ−フェ
ニレンジアミン、２．５−ジアミノトルエン、２，５−
ジアミノキシレン、ジアミノキシレン（２，３，５，６
−チトラメチルフエニレンジアミン）、２．５−ジアミ
ノベンシトリフルオライド、２．５−ジアミノアニソー
ル、２，５−ジアミノアセトフェノン、２，５−ジアミ
ノベンゾフェノン、２，５−ジアミノジフェニル、２゜
５−ジアミノフルオロベンゼン、ベンジジン、〇−トリ
ジン、ｍ−ｈリジン、３．３’　、５．５’−テトラメ
チルベンジジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、３
．３′−ジ（トリフルオロメチル）ベンジジン、３，３
′−ジアセチルベンジジン、３，３′−ジフルオロベン
ジジン、オクタフルオロベンジジン、４，４′−ジアミ
ノジフェニル、４，４′−ジアミノクォーターフェニル
等の直線上のコンフォメーションを有するものや、ｍ−
フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジフェニルメ
タン、１．２−ビス（アニリノ）エタン、４，４′−ジ
アミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフ
ォン、２．２’　−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパ
ン、２，２′−ビス（ｐ−アミノフェニル）へキサフル
オロプロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノジフエニルメタン、ジアミノトルエン、ジア
ミノベンシトリフルオライド、１．４−ビス（ｐ−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、４．４’　−ビス（ｐ−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル、ヘキサフルオロプロパン、
２．２’−ビス（４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、２．２′−ビス（４−（ｍ−アミノフェ
ノキシ）フェニル）プロパン、２，２′−ビス（４−（
ｐ−アミノフェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロ
パン、２，２′−ビス（４−（ｍ−アミノフェノキシ）
フェニル）へキサフルオロプロパン、２．２′−ビス（
４−（ｐ−アミノフェノキシ）、３．５−ジメチルフェ
ニル）へキサフルオロプロパン、２，２′−ビス（４−
（ｐ−アミノフェノキシ）、３．５−ジトリフロロメチ
ルフェニル）へキサフルオロプロパン、ｐ−ビス（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン
、４．４′−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニルス
ルフォン、４，４′−ビス（３−アミノ−５−トリフル
オロメチルフェノキシ）ビフェニルスルフォン、２，２
′−ビス（４−（ｐ−アミノ−３−トリフルオロメチル
フェノキシ）フェニル）へキサフルオロプロパン、ジア
ミノアントラキノン、４，４′−ビス（３−アミノフェ
ノキシフェニル）ジフェニルスルフォン、■。

３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１．４
−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１．５−ビ
ス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１．７−ビス（
アニリノ）テトラデカフルオロへブタン、一般式 Ｈ，Ｎ−Ｒ，−〇−−８１０寸コｒ−Ｒ，−ＮＨ。

ｌ （Ｒ４，Ｒ，は１価の有機基、Ｒ，、Ｒ，は２価の有機
基、ｐ、ｑはｌより大きい整数）で示されるジアミノシ
ロキサンが挙げられる。またこれらのジイソシアネート
化合物も使用できる。

本発明に用いるテトラカルボン酸誘導体としては、ピロ
メリット酸、メチルピロメリット酸、ジメチルピロメリ
ット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、３
．３’　、４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸、
５，５′−ジメチル−３゜３’　、４．４’　−ビフェ
ニルテトラカルボン酸、ｐ−（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ベンゼン、２．３．３’　、４−テトラカルボ
キシジフェニル、３．３’　、４．４’−テトラカルボ
キシジフェニルエーテル、２，３．３’　、４−テトラ
カルボキシジフェニルエーテル、３．３’　、４．４’
　−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３．３’　
。

４−テトラカルボキシベンゾフェノン、２，３゜６．７
−テトラカルボキシナフタレン、ｌ、４゜５．７−テト
ラカルボキシナフタレン、ｌ、２゜５．６−テトラカル
ボキシナフタレン、３．３’　。

４．４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、２．３
．３’　、４−テトラカルボキシジフェニルメタン、２
，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン
、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキ
サフロロプロパン、３゜３’　、４．４’−テトラカル
ボキシジフェニルスルフォン、３，４，９，１０−テト
ラカルボキシペリレン、２，２′−ビス（４−（３，４
−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン、２゜
２′−ビス（４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）
フェニル）へキサフロロプロパン、ブタン′　テトラカ
ルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸などが挙げ
られ、これらの酸無水物、酸塩化物、エステルなども使
用できる。

更に具体的に云えば、次式 〔式中、Ｘは芳香族ジアミン残基を示す。１で表わされ
る繰返し構造を含むポリイミドフィルムが特に有効であ
る。

本発明において、ポリイミドは完全にイミド化していな
いものの方が接着性の点で好ましい。ポリイミド前駆体
膜は、ポリイミド前駆体膜溶液をスピンコードなどによ
り均一に塗布し、好ましくは５０〜２５０℃程度の温度
範囲で乾燥することにより得られる。ポリイミド前駆体
膜を使用する場合は、ポリイミドにするため高温加熱す
るか、イミド他剤溶液中に浸種してイミド化させること
が望ましい。加熱イミド化の場合、生成するポリイミド
のガラス転移温度以上に加熱することが望ましい。

本発明において、ジアミン成分に直線上のコンフォメー
ションを有するものを用い、テトラカルボン酸にピロメ
リット酸誘導体、ビフェニルテトラカルボン酸誘導体を
使用すると、ロッドライク状のポリイミドが得られ、そ
れらは低熱膨張性になり、Ｓｉチップの直付けが可能に
なるなどの利点が非常に多い。

本発明において、予めフィルムを形成した後、その上に
導体膜を形成しても良いが、予め金属箔などの導体上に
ワニスを塗布し、硬化後導体をパターン形成する方法も
可能である。この場合、ポリイミドと種々の基材との接
着性が問題になる。

無機材質の表面を粗化したり、シランカップリング剤、
チタネートカップリング剤、アルミアルコレート、アル
ミニウムキレート、ジルコニウムキレート、アルミニウ
ムアセチルアセトンなどにより表面処理剤をポリイミド
中に添加しても良い。

本発明において、より熱膨張係数を下げたり、弾性率を
上げたり、流動性をコントロールしたりするために、無
機質、有機質または金属などの粉末、繊維などを混合す
ることもできる。

本発明においては、前記の絶縁性薄葉材料の片面に接着
剤で金属箔を張り合わせた後パターン形成したもの、金
属箔に直接前記ポリマを塗布してフィルム形成した後配
線パターン形成したものなどが使用される。このために
、前記絶縁性薄葉材料は、耐熱性（減歇開始温度）が３
５０℃以」−１比誘電率３．５〜２，２、熱膨張係数２
，０ＸＩＯ−’／℃以下とすることが配線パターン材で
ある銅などの金属との界面に生ずる熱応力の低減を計る
上で重要である。

本発明において絶縁性薄葉材料の片面に配線パターンを
形成する方法は、片面に金属箔を有する絶縁薄葉材料を
エツチング等によりパターン形成するか、薄葉材料の片
面にスパッタやめっき等によりパターン形成する。この
際は、感光材料を用いて、露光、現像、加熱処理後、め
っきなどにより導電処理を行う。該方法により得られる
配線パターンは配線厚さ、配線幅ともに４０μｍ以下の
パターン形成特に、好ましくは、１０〜４０μｍのパタ
ーン形成を提供する上で有効である。また、該配線パタ
ーンは平坦性、加工性にすぐれている。

本発明において接着層は、ポリイミドの半硬化フィルム
、ポリイミドとポリマレイミドからなる熱硬化性フィル
ム、重合反応性の官能基を持つシリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂、サーモトロピック液晶フィルム５表面に接着剤
を塗布したフィルム、接着剤を含浸した不織布、ガラス
クロス、フッ素系繊維なとの繊維系補強材、ワニスタイ
プの接着剤が用いられている。特に、次式 ［式中、Ｒ１はＨ９低級アルキル、低級フルオロアルキ
ル、ＲカはＨ９低級アルキル、低級フルオロアルキルで
あり、ｍは１〜４である。また、Ｒ，、Ｒ４はＣＨ３，
ＣＦユのいずれかであり、お互いに同じであっても異な
っていてもよい。］で表わされるエーテルビスマレイミ
ド系化合物を含む接着剤が熱応力の低減、比誘電率の低
減、耐熱性、接着性の保持を計る上で有効である。

次に、本発明の薄膜多層配線基板の製造法について説明
する。

配線パターンが形成された薄葉材料をパターン検査後、
セラミック基板等に位置合わせて、真空プレスやオート
クレーブ等を用いて接着する。その時の、接着温度は３
００℃以下好ましくは２５０℃以下で行うのが望ましい
。３００℃以上の温度では多層化時の基板の反りや寸法
安定性に問題が発生する。貫通部を形成する方法として
は、エキシマレザー、ｃｏ、ガスレーザ、ＥＢ、プラズ
マエツチング、フォトエツチング法などがある。本発明
においては、レーザ光により貫通孔を形成することが生
産性向上を計る上で望ましい。さらに、貫通部の導電処
理方法としては、化学めっき、電気めっきなどが挙げら
れる。この時のパターン幅、厚さは特性インピーダンス
や高密度化の観点から規定の寸法が要求され、貫通部の
導電処理と同時にパターン厚さをコントロールする。本
発明においては、厚さ、幅ともに４０μｍ以下、特に好
ましくは１０〜４０μｍとすることが望ましい。その他
、導電ペーストや半田等の低融点金属による穴埋めなど
も、貫通部の導電処理として使用できる。

本発明における多層化は、配線パターンを形成した薄葉
材料を基板につい逐次積層するが、金属等の仮基板を用
いて所定枚数積層し、その後セラミック等の基板に接着
して多層化する。その際、位置合わせ精度は極めて重要
な問題である。これは、マスクアライナ−と類似の装置
を用い、接着材料を介して薄葉材料を基板に吸着させ位
置合わせした後、高周波加熱、レーザ加熱等で予め粘着
性を与えておいて圧着、感光性材料の場合は露光させて
、−旦軽く接着し、次に同様な方法で薄膜基板を積層す
る方法を用いれば、高い精度が得られる。フルキュアは
この時点あるいは全層を積層後行なっても良い。

〔実施例］ 次に、本発明について具体的に実施例を用いて説明する
。

実施例１ 銅箔（１２μｍ厚）上にｐ−フェニレンジアミン、ピロ
メリット酸二無水物及び３．３’　、４゜４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とを１＝０．５：０．５
のモル比で反応させたポリアミック酸のＮ−メチル−２
−ピロリドンワニスを塗布し、水素を２％含んだ窒素ガ
ス中で１２０℃、３０分間、１２０℃から４００℃まで
２時間掛けて昇温し、さらに４００℃で十分加熱し片面
銅張りフィルムを作成した。得られたポリイミドの熱膨
張係数は、１．ＯＸ　Ｉ　Ｏ−’／℃、比誘電率３．５
゜耐熱性５１０℃、厚さ２５μｍである。このフィルム
をフォトリソグラフィでパターニングし、配線パターン
を形成した。次に、接着材料としてｐ−フェニレンジア
ミンと３．３’　、４．４’　−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物とを原料とする熱膨張係数：　１．ＯＸ
　１０−’／℃のポリイミドフィルムの両面に、約２０
μｍ厚に末端メタクリル酸エステルの光硬化性シリコー
ン樹脂膜を形成した。パターン形成したポリイミドフィ
ルムのポリイミド面をプラズマ処理し、熱膨張係数６×
１０−“７℃のムライト基板上に、上記接着材料を介し
マスグアライナーを用い位置合わせして積層し、紫外線
ランプで露光して接着し、オートクレーブで１５０℃で
５時間加熱圧着した。次に、エキシマレーザで所定の位
置に約４０μｍのスルホールをあけ、化学めっき法でム
ライト基板と導通させるとともに、幅４０μｍ、厚さ３
５μｍのパターンを得た。更に、この上に同じ操作を繰
返して６層の多層配線板を形成し、所望の薄膜多層配線
板を得た。

実施例２．３ 絶縁性薄葉材料として、ポリイミドフィルムにアクリル
系接着剤で銅箔（１８μｍ厚）を張りあわせた材料、ポ
リエーテルイミドにエポキシ系接着剤で銅箔（１８μｍ
厚）を張りあわせた材料を使用した他は、実施例１と同
様にして薄膜多層配線板を得た。

実施例４ 接着材料としてｐ−フェニレンジアミンと３゜’　　３
’　、４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物とを原料とするポリイミドとＮ、Ｎ’　−（４，４’
−ジフェニルメタン）ビスマレイミドとから接着フィル
ムを得た。この接着フィルムを用いて真空プレスで２５
０℃で１時間加熱硬化した他は、実施例１と同様にして
薄膜多層配線板を得た。

実施例５ 接着材料としてｐ−フェニレンジアミンと３゜３’　、
４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを
原料とするポリイミドと２，２−ビス（４−（４マレイ
ミドフエノキシ）フェニル］プロパンとからなる接着フ
ィルムを得た。この接着フィルムを用いて真空プレスで
２３０℃で１時間加熱硬化した他は、実施例１と同様に
して薄膜多層配線板を得た。

実施例６ 接着材料としてポリイミド系カバーコートインク：５Ｐ
Ｉ−２００（新日鉄化学製）を用い、基材に塗布して１
３０℃で３分間乾燥した後、配線パターンを形成したフ
ィルムを張りあわせ、真空プレスで２００℃で５分間加
熱硬化した他は、実施例１と同様にして薄膜多層配線板
を得た。

実施例７ 低熱膨張性ポリイミドフィルム（ｐ−フェニレンジアミ
ンと３．３’　、４．４’　−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物とを原料とする熱膨張係数：　１．ＯＸ　
Ｉ　Ｏ−’／℃、比誘電率３．５．耐熱性５１０℃のポ
リイミド）の表面をプラズマ処理し、コロイド状Ｐｄ触
媒液で処理した後、感光性ポリイミドを設けて露光、現
像、加熱処理し、化学めっき及び電気めっき処理により
配線パターンを形成した平坦性シートを用いた他は実施
例２と同様にして薄膜多層配線板を得た。

実施例８ 片面１８μｍの銅箔を有するポリイミドフィルムのもう
一方の面にポリイミド系接着剤を有する薄葉材料を用い
、２５０℃で３０分間加圧加熱する他は実施例１と同様
にして薄膜多層配線板を得た。

実施例９ 薄葉材料として片面銅箔（１２μｍ厚）付のポリイミド
フィルム（ｐ−フェニレンジアミンと３゜３’　、４．
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との脱水縮
合反応物で熱膨張係数が１．ＯＸ　Ｉ　Ｏ””７℃、比
誘電率が３．５．耐熱性（減量開始温度）が５１０℃、
厚さが２５μｍ）をフォトリソグラフィでパターニング
し、２０μｍ幅の配線パーターンを形成した。次いで、
該ポリイミドフィルムのポリイミド面をプラズマ処理し
、下記に示した接着材料（Ａ）を介してムライト基板（
熱膨張係数が６　Ｘ　Ｉ　Ｏ−”７℃）にマスクアライ
ナ−を用い位置合わせして積層接着（紫外線ランプで露
光に）した。次いで、エキシマレーザで所定の位置に約
２０μｍの貫通孔を空け、該貫通孔を化学めっき法によ
り導電化させ、厚さ２５μｍのパターン形成を行なった
。更に、接着材料を介して同じ操作を繰返して２６層の
多層配線板を形成し、最後に１５０℃で５時間加熱硬化
して目的の薄膜多層配線板を得た。

接着材料（Ａ）の作成 ｐ−フェニレンジアミン１．０　モルと、３゜３’　、
４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１．
０モルとをＮ−メチル−ピロリドン（ＮＭＰ）中で反応
させ、次式 で表わされるポリアミック酸（ポリイミド前駆体）の３
％溶液を得た。該溶液に３％Ｎ、Ｎ’　−（４゜４′−
ジフェニルエーテル）ビスマレイミドＮＭＰ溶液を添加
した。

次いで、該ポリアミック酸ビスマレイミド混合溶液をガ
ラス基板上に塗布した後、３５０℃で５時間脱水綿合反
応させ２０μｍ厚のポリイミド膜（Ａ−イミド） （熱膨張係数１．ＯＸ　１０−’／℃）を得た。

次いで、該ポリイミドフィルムの両面に、約２０ＩＬｍ
厚に末端メタクリル酸エステル基を有するシリコーン樹
脂を塗布、乾燥して接着層を形成した。

実施例１０ 薄葉材料として片面銅箔（１２μｍ厚）付のポリイミド
フィルム（ジアミン成分：ｐ−フェニレンジアミン０．
６　　モル１４，４′−ジアミノジフェニルエーテル０
．４　　モル、３．３’　、４．４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物１．０　モルの脱水縮合反応物）
熱膨張係数１．８Ｘ１０−’／℃、比誘電率が３．８、
耐熱性４８０℃、厚さ２５μｍ）をフォトリソグラフィ
でパターニングし、２０μｍ幅の配線パターンを形成し
た。次いで、該ポリイミドフィルムのポリイミド面をプ
ラズマ処理し、下記に示した接着材料（Ｂ）を介してポ
リイミド・ガラス基板（熱膨張係数ｘ　ｌ　Ｏ−”７℃
）にマスクアライナ−を用い位置合わせして積層接着し
た。次いで、エキシマレーザで所定の位置に約２０μｍ
の貫通孔を空け、該貫通孔を化学めっき法により導通化
させ、厚さ２５μｍのパターン形成を行なった。更に、
接着材料を介して同じ操作を繰返して３５層の多層配線
板を形成し、最後に２００℃で１０時間加熱硬化して目
的の薄膜多層配線板を得た。

接着材料（Ｂ）の作成 接着材料（Ａ）で用いたポリイミド膜Ａ−イミドの両面
に５μｍ厚に付加反応型の不飽和イミド８．５　重量部
とフェノキシ樹脂（ユニオンカーバイト社製ＰＫＨＨ）
１５重量部をＮＭＰに溶解した１％溶液を塗布・乾燥し
て形成した。

実施例１１．１２ 実施例１０の接着材料（Ｂ）の代りに、下記の接着材料
（Ｃ）および接着材料（Ｄ）を用いた他は同じ条件で実
施した。

接着材料（Ｃ）の作成 接着材料（Ａ）で用いたポリイミドＡ−イミドの両面に
１５μｍ厚に、Ｎ、Ｎ’　−（４，４’−ジフェニルメ
タン）ビスマレイミド８．０重量部とポリビニルブチラ
ール２．０　重量部をＮＭＰに溶解した２％溶液を塗布
・乾燥して形成した。

接着材料（Ｄ）の作成 接着材料（Ａ）で用いたポリイミドＡ−イミドの片面に
２，２−ビス−（４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル］ヘキサフルオロプロパンを、又一方の片面に２
．２−ビス−（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェ
ニル］へキサフルオロプロパン８．５重量部とフェノキ
シ樹脂ＰＫＨＨ１，５重量部の混合物のそれぞれ１％溶
液を塗布・乾燥して形成した。

（従来例） 配線パターンを有するセラミック基板３の上にポリイミ
ドワニスを塗布し、３７０℃、１時間の加熱処理を行い
、ポリイミドの絶縁層１０を形成　”する。次に所望の
部分にレジストパターン１２を形成し、エツチングで絶
縁層に貫通孔１１を形成する。次にスパッタ法により配
線金属を堆積し、その後配線となる箇所にレジストパタ
ーンを設けて不要な金属をエツチングして配線パターン
１３を形成する。さらに前記配線パターン上にポリイミ
ドワニスを塗布し、加熱処理して絶縁層を形成する。そ
の際、平坦化の為に研磨を行う（ｄ）−（ｅ）。この操
作を繰返して６層の多層配線基板を形成し、所望の薄膜
多層配線板を得た。

［発明の効果１ 本発明は、高多層の薄膜多層配線基板の製造方法として
、薄葉材料に予め配線パターンを形成した基材を用いる
ことから、パターン検査等が容易で高歩留、高信頼性の
付与に効果がある。本発明の高多層の薄膜多層配線基板
は、大型計算機、スーパーコンピュータ等のパッケージ
、モジュール基板等に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図の（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を
説明する工程順を、第４図は従来法の工程順を示した断
面図である。 １・・・絶縁性薄葉材料、２・・・配線パターン、２′
・・・金属箔、３・・・基板、４・・・接着層、５・・
・貫通孔、６・・・レジスト、７・・・配線パターン、
８・・・仮基板（金　　。 第１図 １　・絶縁性薄葉材料、２−・配線パターン、３・・基
板、４・・接着層、５・・・貫通孔、６　レジスト、７
・・配線）くターン第２図 第３図 （ｂ）

Claims (31)

【特許請求の範囲】
1. １．片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料の他の
   主面と表面に回路部を有する多層配線基板の表面とを接
   着層を介して接着する工程 （Ａ）、前記絶縁性薄葉材料の配線パターンと多層配線
   基板上の回路とが貫通するように位置合わせを行い絶縁
   性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する工程 （Ｂ）、前記貫通孔をめっきにより導電化する工程 （Ｃ）、前記工程（Ｃ）で得られた表面層と片面に配線
   パターンを有する絶縁性薄葉材料の他の主面とを接着層
   を介して接着する工程 （Ｄ）、工程（Ｄ）で使用した絶縁性薄葉材料の配線パ
   ターンと工程（Ｃ）で得られた表面の回路層とが貫通す
   るように位置合わせを行い絶縁性薄葉材料及び接着層に
   貫通孔を形成する工程 （Ｅ）、更に工程（Ｃ），（Ｄ）及び（Ｅ）を１回以上
   行うことを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
2. ２．片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料（第１
   層）の他の主面と次層を形成する片面に配線パターンを
   有する絶縁性薄葉材料（第２層）の配線パターン面とを
   接着層を介して接着する工程 （Ｆ）、前記第１層の配線パターンと前記第２層の配線
   パターンとが貫通するように位置合わせを行い第１層の
   絶縁性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する工程 （Ｇ）、前記貫通孔をめっきにより導電化する工程 （Ｈ）、からなる工程を１回以上繰返して多層の配線パ
   ターン層を有する薄膜多層配線材料を作成し、該薄膜多
   層配線材料の配線パターン層を有しない一方の主面と基
   板とを接着層を介して接着し、基板上の回路部と薄膜多
   層配線材料の配線パターン層とが貫通するように位置合
   わせを行い貫通孔を形成し、該貫通孔を電気的に接合す
   ることを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
3. ３．絶縁性薄葉材料が、耐熱性（減量開始温度）３５０
   〜５５０℃、比誘電率３．５〜２．２、難燃性（ＵＬ−
   ９４規格）Ｖ−０又はＶ−１の特性を有するポリマを含
   むことを特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２項記
   載の薄膜多層配線基板の製造方法。
4. ４．絶縁性薄葉材料が、ポリイミド、ポリエーテルイミ
   ド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエー
   テルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート
   の中から選ばれるポリマフイルムであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項及び第２項記載の薄膜多層配線
   基板の製造方法。
5. ５．絶縁性薄葉材料が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは芳香族ジアミン残基を示す。〕で表される
   繰返し構造を含むポリイミドフィルムであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項及び第２項記載の薄膜多層
   配線基板の製造方法。
6. ６．絶縁性薄葉材料が、膜厚１〜１００μｍのポリマフ
   ィルムであることを特徴とする特許請求の範囲第１項及
   び第２項記載の薄膜多層配線基板の製造方法。
7. ７．接着層が、重合反応性を有する官能基を持つシリコ
   ーン樹脂、付加反応型イミド系化合物、エポキシ系化合
   物の中の少なくとも１種類を含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項及び第２項記載の薄膜多層配線基板の
   製造方法。
8. ８．接着層が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１はＨ，低級アルキル、低級フルオロアル
   キル、Ｒ＿２はＨ，低級アルキル、低級フルオロアルキ
   ルであり、ｍは１〜４である。また、Ｒ＿３，Ｒ＿４は
   ＣＨ＿３，ＣＦ＿３のいずれかであり、お互いに同じで
   あっても異なっていてもよい。〕で表わされるエーテル
   ビスマレイミド系化合物を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項及び第２項記載の薄膜多層配線基板の製
   造方法。
9. ９．絶縁性薄葉材料の片面に形成される配線パターンの
   ライン厚さ、ライン幅とも１０〜４０μｍであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２項記載の薄膜
   多層配線基板の製造方法。
10. １０．絶縁性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する手
    段としてレーザ光を用いることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項及び第２項記載の薄膜多層配線基板の製造方
    法。
11. １１．片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料の他
    の主面に接着層を形成する工程 （Ｉ）、前記絶縁性薄葉材料の接着層面と表面に回路部
    を有する多層配線基板の表面とを接着する工程 （Ｊ）、前記絶縁性薄葉材料の配線パターンと多層配線
    基板上の回路とが貫通するように位置合わせを行い絶縁
    性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する工程（Ｂ）、
    前記貫通孔をめっきにより導電化する工程（Ｃ），前記
    工程（Ｃ）で得られた表面層と前記絶縁性薄葉材料の接
    着層とを接着する工程（Ｄ）、工程（Ｄ）で使用した絶
    縁性薄葉材料の配線パターンと工程（Ｃ）で得られた表
    面の回路層とが貫通するように位置合わせを行い絶縁性
    薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する工程（Ｅ）、更
    に工程（Ｃ），（Ｄ）及び（Ｅ）を１回以上行うことを
    特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
12. １２．片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料の他
    の主面に接着層を形成する工程（Ｉ）、前記絶縁性薄葉
    材料（第１層）の接着層を介して別の前記絶縁性薄葉材
    料（第２層）の配線パターン層と接着する工程 （Ｋ）、前記２つの配線パターン層が貫通するように位
    置合わせを行い、表面に配線層を有する絶縁性薄葉材料
    及び接着層に貫通孔を形成する工程 （Ｌ）、前記貫通孔をめっきにより導電化する工程（Ｃ
    ）、前記工程（Ｃ）で得られた表面層と前記絶縁性薄葉
    材料（第３層）の接着層とを接着する工程（Ｄ）、工程
    （Ｄ）で使用した絶縁性薄葉材料の配線パターンと工程
    （Ｃ）で得られた表面の回路層とが貫通するように位置
    合わせを行ない絶縁性薄葉材料と接着層に貫通孔を形成
    する工程（Ｅ）、更に工程（Ｃ），（Ｄ）及び（Ｅ）を
    １回以上行い多層の配線パターン層を有する薄膜多層配
    線材料を作成し、該薄膜多層配線材料の接着層を有する
    主面と回路部を有する基板とを接着層を介して接着し、
    基板上の回路部と薄膜多層配線材料の配線パターン層と
    が貫通するように貫通孔を形成し、該貫通孔を導電化し
    電気的に接合することを特徴とする薄膜多層配線基板の
    製造方法。
13. １３．絶縁性薄葉材料が、耐熱性（減量開始温度）３５
    ０〜５５０℃、比誘電率３．５〜２．２、難燃性（ＵＬ
    −９４規格）Ｖ−０又はＶ−１の特性を有するポリマを
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第１１項及び第１
    ２項記載の薄膜多層配線基板の製造方法。
14. １４．絶縁性薄葉材料が、ポリイミド、ポリエーテルイ
    ミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
    ーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネー
    トの中から選ばれるポリマフィルムであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１１項及び第１２項記載の薄膜多
    層配線基板の製造方法。
15. １５．絶縁性薄葉材料が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは芳香族ジアミン残基を示す。〕で表される
    繰返し構造を含むポリイミドフィルムであることを特徴
    とする特許請求の範囲第１１項及び第１２項記載の薄膜
    多層配線基板の製造方法。
16. １６．絶縁性薄葉材料が、膜厚１〜１００μｍのポリマ
    フィルムであることを特徴とする特許請求の範囲第１１
    項及び第１２項記載の薄膜多層配線基板の製造方法。
17. １７．接着層が、重合反応性を有する官能基を持つシリ
    コーン樹脂、付加反応型イミド系化合物、エポキシ系化
    合物の中の少なくとも１種類を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第１１項及び第１２項記載の薄膜多層配線
    基板の製造方法。
18. １８．接着層が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１はＨ，低級アルキル、低級フルオロアル
    キル、Ｒ＿２はＨ，低級アルキル、低級フルオロアルキ
    ルであり、ｍは１〜４である。また、Ｒ＿３，Ｒ＿４は
    ＣＨ＿３，ＣＦ＿３のいずれかであり、お互いに同じで
    あっても異なっていてもよい。〕で表わされるエーテル
    ビスマレイミド系化合物を含むことを特徴とする特許請
    求の範囲第１１項及び第１２項記載の薄膜多層配線基板
    の製造方法。
19. １９．絶縁性薄葉材料の片面に形成される配線パターン
    のライン厚さ、ライン幅とも１．０〜４０μｍであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１１項及び第１２項記
    載の薄膜多層配線基板の製造方法。
20. ２０．絶縁性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する手
    段としてレーザ光を用いることを特徴とする特許請求の
    範囲第１１項及び第１２項記載の薄膜多層配線基板の製
    造方法。
21. ２１．絶縁性薄葉材料の片面に配線パターン層を他方の
    主面に接着層を有することを特徴とする薄膜配線材料。
22. ２２．絶縁性薄葉材料が、耐熱性（減量開始温度）３５
    ０〜５５０℃、比誘電率３．５〜２．２、難燃性（ＵＬ
    −９４規格）Ｖ−０又はＶ−１の特性を有するポリマを
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第２１項記載の薄
    膜多層配線材料。
23. ２３．絶縁性薄葉材料が、ポリイミド、ポリエーテルイ
    ミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
    ーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネー
    トの中から選ばれるポリマフイルムであることを特徴と
    する特許請求の範囲第２１項記載の薄膜多層配線材料。
24. ２４．絶縁性薄葉材料が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは芳香族ジアミン残基を示す。〕で表される
    繰返し構造を含むポリイミドフイルムであることを特徴
    とする特許請求の範囲第２１項記載の薄膜多層配線材料
    。
25. ２５．絶縁性薄葉材料が、膜厚１〜１００μｍのポリマ
    フイルムであることを特徴とする特許請求の範囲第２１
    項記載の薄膜多層配線材料。
26. ２６．接着層が、重合反応性を有する官能基を持つシリ
    コーン樹脂、付加反応型イミド系化合物、エポキシ系化
    合物の中の少なくとも１種類を含むことを特徴とする特
    許請求の範囲第２１項記載の薄膜多層配線材料。
27. ２７．接着層が、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１はＨ，低級アルキル、低級フルオロアル
    キル、Ｒ＿２はＨ，低級アルキル、低級フルオロアルキ
    ルであり、ｍは１〜４である。また、Ｒ＿３，Ｒ＿４は
    ＣＨ＿３，ＣＦ＿３のいずれかであり、お互いに同じで
    あっても異なっていてもよい。〕で表わされるエーテル
    ビスマレイミド系化合物を含むことを特徴とする特許請
    求の範囲第２１項記載の薄膜多層配線材料。
28. ２８．絶縁性薄葉材料の片面に形成される配線パターン
    のライン厚さ、ライン幅とも１０〜４０μｍであること
    を特徴とする特許請求の範囲第２１項記載の薄膜多層配
    線材料。
29. ２９．片面に配線パターンを有する絶縁性薄葉材料の他
    の主面に接着層を形成する工程（Ｉ）、前記絶縁性薄葉
    材料（第１層）の接着層を介して別の前記絶縁性薄葉材
    料（第２層）の配線パターン層と接着する工程（Ｋ）、
    前記２つの配線パターン層が貫通するように位置合わせ
    を行い、表面に配線層を有する絶縁性薄葉材料及び接着
    層に貫通孔を形成する工程（Ｌ）、前記貫通孔をめっき
    により導電化する工程（Ｃ）、前記工程（Ｃ）で得られ
    た表面層と前記絶縁性薄葉材料（第３層）の接着層とを
    接着する工程（Ｄ）、工程（Ｄ）で使用した絶縁性薄葉
    材料の配線パターンと工程（Ｃ）で得られた表面の回路
    層とが貫通するように位置合わせを行ない絶縁性薄葉材
    料と接着層に貫通孔を形成する工程（Ｅ）、更に工程（
    Ｃ），（Ｄ）及び（Ｅ）を１回以上行い多層の配線パタ
    ーン層を有し、かつ片面に配線パターンを他の主面に接
    着層を有する薄膜多層配線材料の製造方法。
30. ３０．絶縁性薄葉材料及び接着層に貫通孔を形成する手
    段として、レーザ光を用いることを特徴とする特許請求
    の範囲第２９項記載の薄膜多層配線材料の製造方法。
31. ３１．絶縁性薄葉材料が、ポリイミドフイルムであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第２９項記載の薄膜多層
    配線材料の製造方法。