JPH04206537A - 線幅の測定方法 - Google Patents
線幅の測定方法Info
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- JPH04206537A JPH04206537A JP32939590A JP32939590A JPH04206537A JP H04206537 A JPH04206537 A JP H04206537A JP 32939590 A JP32939590 A JP 32939590A JP 32939590 A JP32939590 A JP 32939590A JP H04206537 A JPH04206537 A JP H04206537A
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- YUBJPYNSGLJZPQ-UHFFFAOYSA-N Dithiopyr Chemical compound CSC(=O)C1=C(C(F)F)N=C(C(F)(F)F)C(C(=O)SC)=C1CC(C)C YUBJPYNSGLJZPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Landscapes
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、線幅の測定方法、特に、ホトリソグラフィー
処理において、転写パターンの線幅の寸法を測定する技
術に関し、例えば、半導体製造工程において、半導体ウ
ェハに転写されたパターンの線幅を測定するのに利用し
て有効な技術に関する。
処理において、転写パターンの線幅の寸法を測定する技
術に関し、例えば、半導体製造工程において、半導体ウ
ェハに転写されたパターンの線幅を測定するのに利用し
て有効な技術に関する。
従来、半導体ウェハに転写されたパターンの線幅を測定
する方法として、特公昭５６−４６２５９号公報に記載
されている線幅のモニタ方法、がある。すなわち、この
線幅のモニタ方法は、半導体ウェハのモニタペレットの
位置に対応する写真蝕刻用のマスクに線幅を段階的に異
ならせ、かつ、その増減方法を逆方向にした複数本のポ
ジパターンとネガパターンを並設し、前記マスクを用い
て写真蝕刻をした後、前記半導体ウェハのモニタペレッ
ト上に形成された前記ポジパターンおよびネガパターン
の露光パターンの線幅を互いに比較することにより、線
幅の等しい前記ポジパターンおよびネガパターンを見出
して設計幅とのばらつきを検知することを特徴とする。
する方法として、特公昭５６−４６２５９号公報に記載
されている線幅のモニタ方法、がある。すなわち、この
線幅のモニタ方法は、半導体ウェハのモニタペレットの
位置に対応する写真蝕刻用のマスクに線幅を段階的に異
ならせ、かつ、その増減方法を逆方向にした複数本のポ
ジパターンとネガパターンを並設し、前記マスクを用い
て写真蝕刻をした後、前記半導体ウェハのモニタペレッ
ト上に形成された前記ポジパターンおよびネガパターン
の露光パターンの線幅を互いに比較することにより、線
幅の等しい前記ポジパターンおよびネガパターンを見出
して設計幅とのばらつきを検知することを特徴とする。
さらに、前記ポジパターンおよびネガパターンの中心に
設計幅を配置し、かつ、一定の間隔で増減させることを
特徴とする。
設計幅を配置し、かつ、一定の間隔で増減させることを
特徴とする。
そして、このマスクを用いてホトレジスト工程を行うと
、半導体ウェハのモニタペレット部分にポジパターンお
よびネガパターンに対応する露光パターンが形成される
。この場合、ホトレジストとしてポジ型のものが用いら
れると、露光時間が適正であるときは、設計線幅のポジ
パターンと、ネガパターンによる露光パターンの線幅が
等しくなる。しかし、露光時間が長くなると、光量が増
−加するので、ボンパターンの露光パターンの線幅は細
くなり、ネガパターンの露光パターンの線幅は太くなる
０例えば、２．１μのポジパターンと、１．９μのネガ
パターンのそれぞれの露光パターンの線幅が等しくなり
、ただちに、線幅に＋０゜１μの変動があったことが分
かる。逆に、露光時間が短くなると、光量が減少するの
で、ポジパターンの露光パターンの線幅は太くなり、ネ
ガパターンの露光パターンの線幅は細くなる。例えば。
、半導体ウェハのモニタペレット部分にポジパターンお
よびネガパターンに対応する露光パターンが形成される
。この場合、ホトレジストとしてポジ型のものが用いら
れると、露光時間が適正であるときは、設計線幅のポジ
パターンと、ネガパターンによる露光パターンの線幅が
等しくなる。しかし、露光時間が長くなると、光量が増
−加するので、ボンパターンの露光パターンの線幅は細
くなり、ネガパターンの露光パターンの線幅は太くなる
０例えば、２．１μのポジパターンと、１．９μのネガ
パターンのそれぞれの露光パターンの線幅が等しくなり
、ただちに、線幅に＋０゜１μの変動があったことが分
かる。逆に、露光時間が短くなると、光量が減少するの
で、ポジパターンの露光パターンの線幅は太くなり、ネ
ガパターンの露光パターンの線幅は細くなる。例えば。
１．８μのポジパターンと２．２μのネガパターンのそ
れぞれの露光パターンの線幅が等しくなり、ただちに線
幅に−０，２μの変動があったことが分かる。
れぞれの露光パターンの線幅が等しくなり、ただちに線
幅に−０，２μの変動があったことが分かる。
すなわち、この線幅のモニタ方法によれば、モニタペレ
ットのポジパターンおよびネガパターンのそれぞれの露
光パターンの線幅を比較し、線幅の等しい露光パターン
を見出すだけで、設計値との比較および設計幅からの変
動が数値的に検出することができるので、ホトレジスト
工程の制御が極めて制度良く行なえる。
ットのポジパターンおよびネガパターンのそれぞれの露
光パターンの線幅を比較し、線幅の等しい露光パターン
を見出すだけで、設計値との比較および設計幅からの変
動が数値的に検出することができるので、ホトレジスト
工程の制御が極めて制度良く行なえる。
しかしながら、前記線幅のモニタ方法においては、線幅
の等しい露光パターンを見出す作業が困難であり、また
、寸法測定精度は増減の割合（例えば、０．１μｍ）が
限界であるという問題点がある。
の等しい露光パターンを見出す作業が困難であり、また
、寸法測定精度は増減の割合（例えば、０．１μｍ）が
限界であるという問題点がある。
本発明の目的は、寸法測定精度および測定作業性を高め
ることができる線幅の測定方法を提供することにある。
ることができる線幅の測定方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、ホトマスクにバーニアパターンを作成してお
き、このホトマスクを用いてリソグラフィー処理を施し
た後、露光されたバーニアパターンにより実際の線幅を
測定するようにした線幅の測定方法において、 前記バーニアパターンは定寸パターン部と、この定寸パ
ターン部に隣接されている変寸パターン部とを備えてお
り、 前記定寸パターン部は互いに等しい線幅の複数本の定寸
ポジパターンと、互いに、かつ、前記定寸ポジパターン
とも等しい線幅の複数本の定寸ネガパターンとが、横一
列で、かつ、各定寸ポジパターンと各定寸ネガパターン
とが交互に配列されており、 前記変寸パターン部は各線幅が前記定寸ネガパターンの
線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加および減少され
ている複数本の変寸ポジパターンと、各線幅が前記変寸
ポジパターンの線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加
および減少されている複数本の変寸ネガパターンとを備
えており、変寸ポジパターン群および変寸ネガパターン
群のそれぞれは、その線幅の増減方向が互いに正逆方向
になるように横一列になるようにそれぞれ並べられてい
るとともに、各変寸ポジパターンと各ネガパターンとが
交互に配列されていることを特徴とする。
き、このホトマスクを用いてリソグラフィー処理を施し
た後、露光されたバーニアパターンにより実際の線幅を
測定するようにした線幅の測定方法において、 前記バーニアパターンは定寸パターン部と、この定寸パ
ターン部に隣接されている変寸パターン部とを備えてお
り、 前記定寸パターン部は互いに等しい線幅の複数本の定寸
ポジパターンと、互いに、かつ、前記定寸ポジパターン
とも等しい線幅の複数本の定寸ネガパターンとが、横一
列で、かつ、各定寸ポジパターンと各定寸ネガパターン
とが交互に配列されており、 前記変寸パターン部は各線幅が前記定寸ネガパターンの
線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加および減少され
ている複数本の変寸ポジパターンと、各線幅が前記変寸
ポジパターンの線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加
および減少されている複数本の変寸ネガパターンとを備
えており、変寸ポジパターン群および変寸ネガパターン
群のそれぞれは、その線幅の増減方向が互いに正逆方向
になるように横一列になるようにそれぞれ並べられてい
るとともに、各変寸ポジパターンと各ネガパターンとが
交互に配列されていることを特徴とする。
前記した手段によれば、リソグラフィー処理後の露光パ
ターンにおいて、例えば、定寸ポジパターンと変寸ネガ
パターンとの線幅が一致した箇所を見出すと、その一致
した箇所の基準位置に対する順番において当該パターン
線幅の寸法は次式（１）により求められる。
ターンにおいて、例えば、定寸ポジパターンと変寸ネガ
パターンとの線幅が一致した箇所を見出すと、その一致
した箇所の基準位置に対する順番において当該パターン
線幅の寸法は次式（１）により求められる。
Ｌ−（１−ｍ／２ｎ）Ｘａ −−・（１）ここ
で、Ｌは一致した箇所の線幅寸法（測定すべき寸法）、
ｍは基準位置からの順番、ｎは分解度、ａは定寸パター
ンの寸法である。
で、Ｌは一致した箇所の線幅寸法（測定すべき寸法）、
ｍは基準位置からの順番、ｎは分解度、ａは定寸パター
ンの寸法である。
（実施例〕
第１図は本発明の一実施例である線幅の測定方法に使用
されるバーニアパターンを示す模式図、第２図はそのバ
ーニアパターンから得られた露光パターンを示す模式図
、第３図は本発明を適用した半導体ウェハを示す模式図
、である。
されるバーニアパターンを示す模式図、第２図はそのバ
ーニアパターンから得られた露光パターンを示す模式図
、第３図は本発明を適用した半導体ウェハを示す模式図
、である。
本実施例において、本発明に係る線幅の測定方法は、半
導体製造工程において、ホトマスクが用”いられて半導
体ウェハ（以下、ウェハという。）に回路パターンが転
写される際に、露光されたパターンの実際の寸法を直接
的に測定する方法として使用されている。
導体製造工程において、ホトマスクが用”いられて半導
体ウェハ（以下、ウェハという。）に回路パターンが転
写される際に、露光されたパターンの実際の寸法を直接
的に測定する方法として使用されている。
本実施例において、ホトマスク（一部のみが図示されて
いる。）１にはバーニアパターン２がウェハのモニタベ
レント部の位置に対応するように配されて予め作成され
ている。このバーニアパターン２は定寸パターン部３と
、この定寸パターン部３に隣接されている変寸パターン
部４とを備えている。この定寸パターン部３は互いに等
しい線幅の複数本の定寸ポジパターン１０，１１ １２
．１３、 工 ４、１０’ 、 Ｉ Ｉ’ 、
１２’ 、 １３’ と、互いに、かつ、前記定寸
ポジパターンとも等しい線幅の複数本の定寸ネガパター
ン２０．２１．２２．２３．２４．２１’、２２′、２
３°、２４′とが、横一列で、かつ、各定寸ポジパター
ンと各定寸ネガパターンとが交互に配列されており、そ
の線幅ａは設計線幅の寸法、例えば、１．００８ｍに設
定されている。
いる。）１にはバーニアパターン２がウェハのモニタベ
レント部の位置に対応するように配されて予め作成され
ている。このバーニアパターン２は定寸パターン部３と
、この定寸パターン部３に隣接されている変寸パターン
部４とを備えている。この定寸パターン部３は互いに等
しい線幅の複数本の定寸ポジパターン１０，１１ １２
．１３、 工 ４、１０’ 、 Ｉ Ｉ’ 、
１２’ 、 １３’ と、互いに、かつ、前記定寸
ポジパターンとも等しい線幅の複数本の定寸ネガパター
ン２０．２１．２２．２３．２４．２１’、２２′、２
３°、２４′とが、横一列で、かつ、各定寸ポジパター
ンと各定寸ネガパターンとが交互に配列されており、そ
の線幅ａは設計線幅の寸法、例えば、１．００８ｍに設
定されている。
前記変寸パターン部３は各線幅が前記定寸ネガパターン
２０．２１・・・２４′の線幅に対して一定の割合でそ
れぞれ増加および減少されている複数本の変寸ポジパタ
ーン３０．３１．３２．３３．３４．３１’ 、３２’
、３３’ 、３４’ と、各線幅が前記変寸ポジパ
ターン１０．１１・・・１４″の線幅に対して一定の割
合でそれぞれ増加および減少されている複数本の変寸ネ
ガパターン４０．４ｉ４２．４３．４１’、４２°、４
３゛とを備えている。変寸ポジパターン３０〜３４゛群
および変寸ネガパターン４０〜４３′群のそれぞれは、
その線幅の増減方向が互いに正逆方向になるように横一
列になるようにそれぞれ並べられているとともに、各変
寸ポジパターン３ｏ、３Ｉ・・・３Ｉ“、３４“と各ネ
ガパターン４０．４１・・・４２“、４３°とが交互に
配列されている。すなわち、各変寸ポジパターン３ｏ、
３Ｉ・・・３３’、３４”は各定寸ネガパターン２ｏ、
２１・・・２３’ ２４’にそれぞれ対応するように配
置されており、各変寸ネガパターン４ｏ、４工・・・４
２’、４３’ は各定寸ポジパターン１０．１１・・・
１２“、１３“にそれぞれ対応するように配置されてい
る。また、変寸ポジパターンおよび変寸ネガパターンに
おける線幅の増減割合は、（ｎ−１）／ｎＸａ、（ｎ
−２） ／ ｎ ｘ ａ・・・ （ｎ＋１）／ｎｘａ、
（ｎ−２）／ｎｘａ、の式を満足するように設定され、
例えば、０．０１８ｍ刻みになるように設定されている
。ここで、ａは定寸ポジパターンおよび定寸ネガパター
ンの設定線幅であり、ここでは、１．０μｍ、である。
２０．２１・・・２４′の線幅に対して一定の割合でそ
れぞれ増加および減少されている複数本の変寸ポジパタ
ーン３０．３１．３２．３３．３４．３１’ 、３２’
、３３’ 、３４’ と、各線幅が前記変寸ポジパ
ターン１０．１１・・・１４″の線幅に対して一定の割
合でそれぞれ増加および減少されている複数本の変寸ネ
ガパターン４０．４ｉ４２．４３．４１’、４２°、４
３゛とを備えている。変寸ポジパターン３０〜３４゛群
および変寸ネガパターン４０〜４３′群のそれぞれは、
その線幅の増減方向が互いに正逆方向になるように横一
列になるようにそれぞれ並べられているとともに、各変
寸ポジパターン３ｏ、３Ｉ・・・３Ｉ“、３４“と各ネ
ガパターン４０．４１・・・４２“、４３°とが交互に
配列されている。すなわち、各変寸ポジパターン３ｏ、
３Ｉ・・・３３’、３４”は各定寸ネガパターン２ｏ、
２１・・・２３’ ２４’にそれぞれ対応するように配
置されており、各変寸ネガパターン４ｏ、４工・・・４
２’、４３’ は各定寸ポジパターン１０．１１・・・
１２“、１３“にそれぞれ対応するように配置されてい
る。また、変寸ポジパターンおよび変寸ネガパターンに
おける線幅の増減割合は、（ｎ−１）／ｎＸａ、（ｎ
−２） ／ ｎ ｘ ａ・・・ （ｎ＋１）／ｎｘａ、
（ｎ−２）／ｎｘａ、の式を満足するように設定され、
例えば、０．０１８ｍ刻みになるように設定されている
。ここで、ａは定寸ポジパターンおよび定寸ネガパター
ンの設定線幅であり、ここでは、１．０μｍ、である。
ｎは線幅の測長に使用される測長器の分解能であり、こ
こでは、１ ／ ｎが、０．０２μｍである。
こでは、１ ／ ｎが、０．０２μｍである。
このホトマスク１が用いられてウェハ５にリソグラフィ
ー処理が施されると、第３図に示されているように、ウ
ェハ５のモニタペレット部６に露光バーニアパターン２
Ａが形成される。この露光バーニアパターン２人は第２
図に示されているように、形成されることになる。
ー処理が施されると、第３図に示されているように、ウ
ェハ５のモニタペレット部６に露光バーニアパターン２
Ａが形成される。この露光バーニアパターン２人は第２
図に示されているように、形成されることになる。
ところで、ホトレジストとしてポジ型のものが用いられ
た場合、露光時間が適正であるときは、設計線幅のポジ
パターンと、ネガパターンによる露光パターンの線幅が
等しくなる。しかし、露光時間が長くな石と、光量が増
加するので、ポジパターンの露光パターンの線幅は細く
なり、ネガパターンの露光パターンの線幅は太くなる。
た場合、露光時間が適正であるときは、設計線幅のポジ
パターンと、ネガパターンによる露光パターンの線幅が
等しくなる。しかし、露光時間が長くな石と、光量が増
加するので、ポジパターンの露光パターンの線幅は細く
なり、ネガパターンの露光パターンの線幅は太くなる。
逆に、露光時間が短くなると、光量が減少するので、ポ
ジパターンの露光パターンの線幅は太くなり、名ガパタ
ーンの露光パターンの線幅は細くなる。
ジパターンの露光パターンの線幅は太くなり、名ガパタ
ーンの露光パターンの線幅は細くなる。
そして、前記構成に係るバーニアパターン２についてリ
ソグラフィー処理後の露光パターン２Ａにおいて、露光
定寸ポジパターン１０Ａ、１１Ａ・・・１２’Ａ、Ｉ３
°Ａと、露光変寸ネガパターン４０Ａ、４１Ａ・・・４
２’Ａ、４３°Ａとの線幅が一致した箇所を見出すと、
その一致した箇所の基準位置に対する順番ｍにおいて当
該パターン線幅の実際の寸法は次式（１）により求めら
れる。
ソグラフィー処理後の露光パターン２Ａにおいて、露光
定寸ポジパターン１０Ａ、１１Ａ・・・１２’Ａ、Ｉ３
°Ａと、露光変寸ネガパターン４０Ａ、４１Ａ・・・４
２’Ａ、４３°Ａとの線幅が一致した箇所を見出すと、
その一致した箇所の基準位置に対する順番ｍにおいて当
該パターン線幅の実際の寸法は次式（１）により求めら
れる。
Ｌ＝ （１−ｍ／２ｎ）Ｘａ ・・・（１）ここ
で、Ｌは一致した箇所の実際の線幅寸法（ｆｉ定すべき
寸法）、ｍは基準位置からの順番、ｎは分解度、ａは定
寸パターンの寸法である。
で、Ｌは一致した箇所の実際の線幅寸法（ｆｉ定すべき
寸法）、ｍは基準位置からの順番、ｎは分解度、ａは定
寸パターンの寸法である。
−例えば、第２図に破線Ｂ、Ｃで示されているように、
順位番号ｍが「３」の箇所にて、露光定寸ネガパターン
２３Ａと、露光変寸ポジパターン３３Ａとの縦線が一直
線になっている場合における測定すべき寸法りを前式（
１）にて具体的に求めると、次の通りである。設計寸法
ａ＝１．００μｍ、分解度ｎ−５０、ｍ＝３、であるか
ら、測定すべき寸法Ｌ−０，９７μｉｎ、になる、同様
に、ｍ＝４で一直線になった場合は、０．９６μｍ、で
ある。
順位番号ｍが「３」の箇所にて、露光定寸ネガパターン
２３Ａと、露光変寸ポジパターン３３Ａとの縦線が一直
線になっている場合における測定すべき寸法りを前式（
１）にて具体的に求めると、次の通りである。設計寸法
ａ＝１．００μｍ、分解度ｎ−５０、ｍ＝３、であるか
ら、測定すべき寸法Ｌ−０，９７μｉｎ、になる、同様
に、ｍ＝４で一直線になった場合は、０．９６μｍ、で
ある。
このとき、最小分解能は、１／ｎであるから、０゜０２
μｍ、になる、しかし、寸法精度は０．０１ａｍであり
、分解能の２倍の高精廣になる。
μｍ、になる、しかし、寸法精度は０．０１ａｍであり
、分解能の２倍の高精廣になる。
この場合、−直線になったものの判定は目視にて可能で
あるが、写真撮影等を使用すればより一層確かに判定す
ることができる。
あるが、写真撮影等を使用すればより一層確かに判定す
ることができる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１）露光パターンにおいて、−直線になった箇所を見
出すことにより、リソグラフィー処理後の実際の線幅寸
法を直接的に測定することができるため、目視でも簡単
かつ正確に露光パターン線幅の実寸を測定することがで
きる。
出すことにより、リソグラフィー処理後の実際の線幅寸
法を直接的に測定することができるため、目視でも簡単
かつ正確に露光パターン線幅の実寸を測定することがで
きる。
（２）最小分解能の２倍の寸法精度をもって、露光パタ
ーン線幅の実寸を直接的に測定することができる工込、
測定精度を高めることができる。
ーン線幅の実寸を直接的に測定することができる工込、
測定精度を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、定寸ポジパターンおよび定寸ネガパターンの線
幅は、設計線幅に設定するに限らず、その他の基準線幅
に設定してもよい。
幅は、設計線幅に設定するに限らず、その他の基準線幅
に設定してもよい。
変寸ポジパターンおよび変寸ネガパターンにおける増減
の割合は、０，０１μｍ刻みに設定するに限らず、ａ／
ｎ、に設定することができる。
の割合は、０，０１μｍ刻みに設定するに限らず、ａ／
ｎ、に設定することができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその前景となった利用分野であるウェハのリソグラフ
ィー処理に使用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、ホトマスクの製造工程等に適用
することができる。
をその前景となった利用分野であるウェハのリソグラフ
ィー処理に使用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、ホトマスクの製造工程等に適用
することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
ホトマスクに定寸パターン部と変寸パターン部とを備え
ているバーニアパターンを予め作成しておくことにより
、当該バーニアパターンについての露光パターンにおい
て、−直線になった箇所を見出すことにより、リソグラ
フィー処理後の実際の線幅寸法を直接的に測定すること
ができるため、目視でも簡単かつ正確に露光パターン線
幅の実寸を測定することができる。最小分解能の２倍の
寸法精度をもって、露光パターン線幅の実寸を直接的に
測定することができるため、測定精度を高めることがで
きる。
ているバーニアパターンを予め作成しておくことにより
、当該バーニアパターンについての露光パターンにおい
て、−直線になった箇所を見出すことにより、リソグラ
フィー処理後の実際の線幅寸法を直接的に測定すること
ができるため、目視でも簡単かつ正確に露光パターン線
幅の実寸を測定することができる。最小分解能の２倍の
寸法精度をもって、露光パターン線幅の実寸を直接的に
測定することができるため、測定精度を高めることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例である線幅の測定方法に使用
されるバーニアパターンを示す模式図、第２図はそのバ
ーニアパターンから得られた露光パターンを示す模式図
、 第３図は本発明を適用した半導体ウェハを示す模式図、
である。 ■・・・ホトマスク、２・・・バーニアパターン、３・
・・定寸パターン部、４・・・変寸パターン部、１０〜
１３′・・・定寸ポジパターン、２０〜２４゛・・・定
寸ネガパターン、３０〜３４′・・・変寸ポジパターン
、４０〜４３“・・・変寸７ガパターン、２Ａ・・・露
光バーニアパターン、２０Ａ〜２４゛Ａ・・・露光定寸
ネカハターン、３０Ａ〜３４゛Ａ・・・露光変寸ポジパ
ターン。
されるバーニアパターンを示す模式図、第２図はそのバ
ーニアパターンから得られた露光パターンを示す模式図
、 第３図は本発明を適用した半導体ウェハを示す模式図、
である。 ■・・・ホトマスク、２・・・バーニアパターン、３・
・・定寸パターン部、４・・・変寸パターン部、１０〜
１３′・・・定寸ポジパターン、２０〜２４゛・・・定
寸ネガパターン、３０〜３４′・・・変寸ポジパターン
、４０〜４３“・・・変寸７ガパターン、２Ａ・・・露
光バーニアパターン、２０Ａ〜２４゛Ａ・・・露光定寸
ネカハターン、３０Ａ〜３４゛Ａ・・・露光変寸ポジパ
ターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトマスクにバーニアパターンを作成しておき、こ
のホトマスクを用いてリソグラフィー処理を施した後、
露光されたバーニアパターンにより実際の線幅を測定す
るようにした線幅の測定方法において、 前記バーニアパターンは定寸パターン部と、この定寸パ
ターン部に隣接されている変寸パターン部とを備えてお
り、 前記定寸パターン部は互いに等しい線幅の複数本の定寸
ポジパターンと、互いに、かつ、前記定寸ポジパターン
とも等しい線幅の複数本の定寸ネガパターンとが、横一
列で、かつ、各定寸ポジパターンと各定寸ネガパターン
とが交互に配列されており、 前記変寸パターン部は各線幅が前記定寸ネガパターンの
線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加および減少され
ている複数本の変寸ポジパターンと、各線幅が前記変寸
ポジパターンの線幅に対して一定の割合でそれぞれ増加
および減少されている複数本の変寸ネガパターンとを備
えており、 変寸ポジパターン群および変寸ネガパターン群のそれぞ
れは、その線幅の増減方向が互いに正逆方向になるよう
に横一列になるようにそれぞれ並べられているとともに
、各変寸ポジパターンと各ネガパターンとが交互に配列
されていることを特徴とする線幅の測定方法。 ２、定寸ポジパターンおよび定寸ネガパターンの線幅が
、設計線幅に設定されていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の線幅の測定方法。 ３、変寸ポジパターンおよび変寸ネガパターンにおける
増減の割合が、設計線幅がａ、測長器の分角度がｎであ
ると、ａ／ｎ、に設定されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の線幅の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32939590A JPH04206537A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 線幅の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32939590A JPH04206537A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 線幅の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206537A true JPH04206537A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18220957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32939590A Pending JPH04206537A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 線幅の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206537A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980701994A (ko) * | 1995-02-06 | 1998-06-25 | 제프리 엠. 쥬드 | 서브 미크론 치수 표준의 제조 및 이용 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP32939590A patent/JPH04206537A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980701994A (ko) * | 1995-02-06 | 1998-06-25 | 제프리 엠. 쥬드 | 서브 미크론 치수 표준의 제조 및 이용 |
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