JPH04199825A - ドライエッチング後防食処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体ウェハ、プリント配線基板等に
おける電極や配線を形成するためのアルミニウム層また
は（および）アルミニウム合金層をドライエツチングし
た後に残るアルミニウムまたは（および）アルミニウム
合金に残留するハロゲン化合物を除去してドライエツチ
ング後のアルミニウム等の腐食を防止するための防食処
理方法に関する。

〔従来の技術］ 従来、例えば半導体ウェハ、プリント配線基板等におけ
る電極や配線などを形成するための金属膜として良く知
られているものに、アルミニウム膜やアルミニウム合金
膜がある。

このようなアルミニウムやアルミニウム合金から電極や
配線などを形成するためのエツチング方法の代表例は、
塩素ガスによるドライエツチングである。

この塩素ガスによるドライエツチングでは、エツチング
後、形成された配線等に塩素が残留し、その状態のまま
大気に曝すと該塩素が大気中の水分と反応して該配線等
を腐食する。従って、通常次のような防食処理がなされ
る。

■　ドライエツチング後、ＣＦ、のプラズマ処理を行い
、配線等に残留した塩素を該プラズマから放出されるフ
ッ素との置換反応で除去する。

■　ドライエツチング後、ＣＨＦ３のプラズマで配線等
に薄いポリマー膜を形成し、配線等が大気に曝されたと
きの残留塩素と大気中水分との反応を防止する。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記ＣＦ、のプラズマ処理を行うときは
、半導体ウェハのようにアルミニウム層やアルミニウム
合金層の下にバリアメタル層の如き下地金属層があると
き、該下地金属層が該プラズマから放出されるフッ素に
よりアンダーカットされ、また、半導体ウェハに下地シ
リコン酸化膜等があるときはそれもエツチングされてし
まうという問題がある。

また、前記ＣＨＦ、プラズマ処理を行うときは、前記形
成されたポリマー膜を後で除去しなければならないこと
が多く、それだけ工程数が増すという問題がある。

そこで本発明は、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲ
ン化物のガスのプラズマでドライエツチングされたアル
ミニウムまたは（および）アルミニウム合金に残留する
ハロゲン化合物を、下地金属層や下地シリコン酸化膜等
があるときでも、それら下地層をアンダーカットしたり
不必要にエツチングしたりすることなく除去して防食で
き、ポリマー膜等の防食膜の形成も不要であるドライエ
ツチング後防食処理方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明は前記目的に従い、ハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスのプラズマでドライエツチングさ
れたアルミニウムまたは（および）アルミニウム合金を
中性配位子となる物質のガスまたは該ガスを含有するガ
スのプラズマに曝して前記ドライエツチング後に残った
アルミニウムまたは（および）アルミニウム合金に残留
するハロゲン化合物を除去することを特徴とするドライ
エツチング後防食処理方法を提供する。

前記アルミニウム合金には、ＡＩ！、−３ｉ合金、Ａｌ
５ｉ−Ｃｕ合金等を例示できる。

前記ハロゲンガスとしては、フッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃ
Ｌ）、臭素（Ｂｒｚ）、ヨウ素（Ｉ２）等のガスを挙げ
ることができる。

また、前記ハロゲン化物のガスは、フン化水素（ＨＦ）
、塩化水素（ＨＣｆｆｉ）　、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨ
ウ化水素（Ｈｌ）等のハロゲン化水素、フッ化炭素（Ｃ
Ｆ、）等のハロゲン化炭素などのハロゲン元素を含む物
質のガスである。

前記中性配位子となる物質には、アンモニア（ＮＨ３）
、水（Ｈ，Ｏ）　、カルボニル（ＣＯ）、ニトロシル（
Ｎｏ）、メチルアミン（ＮＨ２（ＣＨｌ））の如き第１
級アミン、ジメチルアミン（Ｎｌ（、（ＣＨ，）２）の
如き第２級アミン、トリメチルアミン（ＮＨ！（ＣＨ，
）りの如き第３級アミン、エチレンジアミン（ＮＨ２（
ＣＨ２）２ＮＨ，）等の単座または多座配位子を有する
物質を例示できる。

〔作　用］ 本発明方法によると、ハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスのプラズマでドライエツチングされた
アルミニウムまたは（および）アルミニウム合金は、中
性配位子となる物質のガスまたは該ガスを含有するガス
のプラズマに曝され、かくして前記ドライエツチング後
に残ったアルミニウムまたは（および）アルミニウム合
金に残留するハロゲン化合物が中性配位子となる物質と
結合し、アルミニウムまたは（および）アルミニウム合
金から離脱する。

〔実　施　例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図に装置例として示す反応性イオンエ・７チング（
ＲＩＥ）装置と、これによりハロゲンガスまたは（およ
び）ハロゲン化物のガスを用いて行うドライエツチング
例と、該ドライエツチング後、中性配位子となる物質の
ガスまたは該物質を含むガスを用いて行う防食処理例に
つき説明する。

第１図に示す装置は、真空容器工、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁３ａ、３ｂおよび流量制御部３ｃを
介して配管接続された中性配位子となる物質のガスまた
は該物質を含むガスのボンベ３、容器１に開閉弁５ａ、
５ｂ及び流量制御部５ｃを介して配管接続された三塩化
ホウ素ガスＣＢＣＩ３）等のエツチング促進ガスのボン
ベ５、容器１に開閉弁６１を介して接続され、該容器内
を所定真空状態にする真空ポンプ６、該容器内に電気絶
縁性シール材７１を介して設置され、エツチング対象物
を支持するホルダ７、該ホルダに接続された高周波電圧
を印加する高周波電源８を備えている。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための厚さ６０００人のアルミニウムー銅
（４％）合金からなる金属薄膜を表面に有し、該金属薄
膜上にマスク材にて所定パターンを形成し、該金属薄膜
と基板上のシリコン酸化膜との間にチタン（Ｔ　ｉ　）
からなる厚さ２０００人の下地金属層を有するシリコン
半導体ウェハ９を準備し、該ウェハを前記ホルダ７上に
載置した。

なお、アルミニウム合金はストレスマイグレーションや
エレクトロマイグレーションヲ抑制する作用がある。

また、下地金属層は、半導体ウェハでは、配線や電極を
形成するための金属層の下に積層され、該下地金属層と
同じパターンでエツチングされるもので、通常、金属膜
の付着強化や、拡散防止、オーミックコンタクトをとる
等の目的で設けられる。該下地金属層としては前記例の
他、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングステ
ン（ＴｉＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モ
リブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等を例示することがで
きる。

前記ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガス
のボンベ２を塩素ガスボンベとし、エツチング促進ガス
のボンベ５は三塩化ホウ素ガス（ＢＣ／２．）ボンベと
した。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
容器１内をｌＸｌ０弓（Ｔｏｒｒ〕以下の真空状態とし
た後、真空容器ｌ内を圧力４００（ｍＴｏｒｒ３に維持
しつつボンベ２から塩素ガスを流量２０（ｓｃｃｍ）で
真空容器１内に導入し、電源８にて１３．　５６　［Ｍ
Ｈｚ　）　、５００ＣＷ）の高周波電圧を１５秒印加し
、塩素ガスのプラズマを発生させ、このプラズマで露出
しているアルミニウム合金薄膜表面の不純物等を除去し
た。

次に第２ステツプとしで、真空容器１内を圧力４００　
（ｍＴｏｒｒ）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流
量２５（ｓｃｃｍ）で三塩化ホウ素ガフ１．　（ＢＣｌ
２．　）を、ボンベ２がら流量２０　（ｓｃｃｍ）で塩
素ガス（（１！２　）を導入し、電源８にて１３．５６
　ＣＭＨｚ）、２５０　〔Ｗ）の高周波電圧を１５０秒
印加し、これら混合ガスをプラズマ化したところ、前記
ウェハのアルミニウム合金薄膜の６０００人のエツチン
グが実現した。

下地金属層も引き続き塩素ガスのプラズマによりエツチ
ングされた。

このドライエツチングにおいては、露出したアルミニウ
ム合金薄膜部分においてハロゲン化アルミニウムを生成
する反応 Ａ／！＋３／２・Ｃ！２→ＡβＣ１３およびが生しる。

次に、予め前記中性配位子となる物質のガスまたは該物
質を含むガスのボンへ３としてアンモニアガス（ＮＨ３
）ボンベを採用しておき、第３ステツプ（防食処理）と
して、真空容器１内を圧力４ＱＯ（ｍＴｏｒｒ）に維持
しつつ容器１内にボンベ３カラ流！２０　［Ｓ　ＣＣｍ
）でアンモニアガス（ＮＨ，）を導入し、電源８にて１
３．５６（ＭＨｚ）、３００　（Ｗｌの高周波電圧を１
０秒印加し、このガスをプラズマ化したところ、前記ウ
ェハに残ったアルミニウム合金薄膜に残留する塩化アル
ミニウムおよび塩化銅が該アルミニウム合金薄膜から脱
離した。

しかし、下地金属層の実用上問題となるアンダーカット
は発生せず、また、下地シリコン酸化膜との選択比も高
かった。

この処理では、ハロゲン化アルミニウムである塩化アル
ミニウムとアンモニアガスの中性配位子とが反応してア
ルミニウムの金属錯体が生成される反応 Ａ　Ｉ　Ｃｌ　３＋　ｙ　Ｎ　Ｈｓ→（Ａ　１２　Ｃｌ
　：ｌ　　（Ｎ　Ｈ：＋）ｙ　）およびハロゲン化銅で
ある塩化銅とアンモニアガスとが反応して銅の金属錯体
が生成される反応ＣｕＣ１ｘ　＋ｙＮＨ３＝　（ＣｕＣ
ｆ！ｘ　　（ＮＨ３）Ｙ　〕が起こる。

金属錯体ＣＡｌＣ１，３（ＮＨ３）ｙ　）および（Ｃｕ
　ＣＩ　Ｘ　　（Ｎ　Ｈ３Ｌ　）は、アルミニウム、銅
のハロゲン化合物に比べ蒸気圧が高く、容易に蒸発し、
かくしてドライエツチング後に残ったアルミニウム合金
に付着していた塩素が該アルミニウム合金から脱離し、
以後はこの半導体ウェハを大気にさらしても塩素と大気
中の水分の反応による該アルミニウム合金部分の腐食は
生しない。

前記第１、第２および第３ステツプはアルミニウムにつ
いても同様に実施できる。

なお、前記第１、第２ステツプ実施は、既述のとおり反
応性イオンエツチング法によっているが、この他、マグ
ネトロンエツチング、電子サイクロトロン共鳴エツチン
グ（ＥＣＲ）等の各種ドライエツチング方法を利用でき
、前記第３ステツプ（防食処理）実施についても既述の
反応性イオンエツチング法の他、プラズマエツチング（
ＰＥ）マグネトロンエツチング、電子サイクロトロン共
鳴エツチング（ＥＣＲ）等、各種のドライエツチング方
法を利用できる。

また、前記防食処理は、既述のように、ドライエツチン
グを行った真空容器で行う他、該真空容器に真空の通路
や部屋で接続された別の反応室等で行ってもよい。

なお、ドライエツチングにおいては、塩素ガスに代えて
他のハロゲンガス等を採用し、防食処理おいても、アン
モニアに代えて他の中性配位子となる物質のガス等を採
用した場合でも、他の条件はそのまま、または必要に応
じて調整、変更等することにより同様にアルミニウムま
たは（および）アルミニウム合金のドライエツチングを
行い、その後の防食処理を行える。

他のガス組み合わせ例と、その場合の化学反応例を次に
列挙する。

■　第２ステツプに塩素ガス（Ｃ１２）を第３ステツプ
に水（Ｈｚ　Ｏ）を使用する場合。

Ａ　ｌ　＋　ｘ　／　２・Ｃ１２→ＡｆＣｆ。

ＡｌＣ１ｘ　＋ｙＨ２０ →ＣＡｌｃｔｚｘ　　（Ｈ２ｏ）　ｙ）ＣｕＣ１ｘ＋ｙ
Ｈｚ　Ｏ →ＣＣｕＣ１ｘ　　（Ｈｚ　Ｏ）　ｙ）■　第２ステツ
プに塩素ガス（ＣＺ２）を第３ステツプにカルボニル（
Ｃｏ）である−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ａｆ＋χ／２・Ｃ７！２→、６／２（ｌえＡ　Ｉ　Ｃ，
１ｘ　十ｙ　ＣＯ →（Ａｌ２　Ｃｆ２ｘ　　（Ｃｏ）　ｙ　〕ＣｕＣ１＊
＋ｙＣＯ →〔ＣｕＣＩＸ　（ＣＯ）ｙ］ ■　第２ステツプに塩素ガス（ＣＺ２．）を第３ステツ
プにニトロシル（ＮＯ）である−酸化窒素ガスを使用す
る場合。

Ａ　ｌ　＋ｘ　／　２・Ｃｆ、→ＡｆＣｆＸＡ　ｆ　Ｃ
ｌｘ　　＋　ｙ　Ｎ。

→〔ＡｌＣ１，ｘ　　（ＮＯ）ｙ　） Ｃｕ　Ｃｌｘ　　＋　ｙ　Ｎ。

→［ＣｕＣ１！、Ｘ　（ＮＯ）ｙ］ ■　第２ステツプに塩素ガス（ＣＬ　）を第３ステツプ
にメチルアミン（ＮＨ２（ＣＨｉ　））ガスを使用する
場合。

Ａ　ｌ　＋　ｘ　／　２・Ｃ１，→Ａ／２Ｃｊ２゜Ａ　
Ｉ　Ｃｌｘ　＋　）’　Ｎ　Ｈ２（ＣＨ３）→（／１ｃ
ｊ２ｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ３月、〕ＣｕＣ１ｘ　＋ｙＮ
Ｈｚ（ＣＨ：＋） −ＣＣｕ　Ｃ１２ｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　−）■
　第２ステツプに塩素ガス（Ｃ１２）を第３ステツプに
エチレンジアミン（ＮＨＫ（ＣＨ２）Ｚ　ＮＨ２）ガス
を使用する場合。

Ａ　ｌ　＋ｘ　／　２・ＣＺ、→Ａｌｃｌ。

Ａｊ２Ｃ／！Ｘ士ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ａ
ｆＣｊ２ｘ　　（ＮＨＫ（ＣＨ２）２　ＮＨｚ　）　、
）Ｃｕ　Ｃｆ２ｘ　＋　ｙ　ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ
２→〔Ｃｕ　Ｃ１ｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　　ＮＨ
２）　ｙ　）■　第２ステツプにヨウ化水素ガス（Ｈｌ
）を第３ステツプにアンモニアガス（ＮＨ：ｌ）を使用
する場合。

Ａｌ＋ｘＨＩ−＋ＡＩ　ＩＸ’　（＋ＸＨ）ＡＩ　ＩＸ
　＋　ｙＮＨ：１ →ＣＡＲＩＸ　　（ＮＨ３）ｙ’Ｊ Ｃｕ　Ｌｘ　＋ｙＮＨ：＋ →ＣＣｕ　ＩＸ　　（ＮＨ３）？　） ■　第２ステツプにヨウ化水素ガス（Ｈｌ）を第３ステ
ツプに水（Ｈｌ　Ｏ）を使用する場合。

Ａｎ！＋ｘＨＩ−Ａｌ１　Ｉｘ　　（＋ｘＨ）ＡＩＩｘ
＋ｙＨ２０ →〔Ａｐ　ｒＸ　　（Ｈｌ　Ｏ）　ｙ）Ｃｕ１ｘ＋ｙＣ
Ｏ −＋〔ＣｕｒＸ　（Ｈ２０Ｌ） ■　第２ステツプにヨウ化水素ガス（ＨＩ）を第３ステ
ツプにカルボニル（ＣＯ）である−酸化炭素ガスを使用
する場合。

ＡＥ　＋　ｘ　ＨＩ−＋ＡＩ　ＩＸ　　（＋　ｘ　Ｈ）
ＡｆｌＸ＋ｙＣＯ →（Ａｆｌ、　　（Ｃｏ）ア　〕 Ｃｕ１ｘ＋ｙＣＯ −（Ｃｕ　ＩＸ　　（Ｃｏ）　ｙ　　］■　第２ステツ
プにヨウ化水素ガス（Ｈｌ）を第３ステツプにニトロシ
ル（Ｎｏ）である−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ａｆ＋ｘＨＩ−＋ＡＩ　Ｉｘ　　（＋ｘＨ）Ａ　Ｉ　Ｉ
　Ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｏ →（ＡＩ　ＩＸ　　（Ｎｏ）Ｖ　） Ｃｕ１ｘ＋ｙＣＯ →〔ＣｕＩＸ　（ＮＯ）ｙ〕 ［相］　第２ステツプにヨウ化水素ガス（Ｈｌ）を第３
ステツプにメチルアミン（Ｎ　ＨＫ（ＣＨ３））ガスを
使用する場合。

Ａｌ＋ｘＨＩ→Ａ　１１　ｘ　　（＋　ｘ　Ｈ）Ａ　Ｉ
　Ｉ　Ｘ　十ｙ　Ｎ　Ｈｌ（ＣＨ３）→（Ａｆ　ＩＸ　
　（ＮＨ２（ＣＨｆｆ））　、　）Ｃｕ　Ｉｘ　＋ｙＮ
Ｈｚ（ＣＨ３） →［Ｃｕ　ＩＸ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　、ＥＣ第２
ステツプにヨウ化水素ガス（Ｈｌ）を第３ステツプにエ
チレンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨＫ）ガスを使
用する場合。

Ａ　Ｅ　＋　ｘ　ＨＩ　−Ａ　４２１　Ｘ　　（十ｘ　
Ｈ）Ａ　４２１　Ｘ＋　ｙ　Ｎ　Ｈｌ（ＣＨｌ）２　Ｎ
　Ｈ２→ＣＡＲＩＸ　　（ＮＨ２（ＣＨ２）２　ＮＨ２
）　ｙ）Ｃｕ　Ｉ　Ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈｌ（ＣＨｌ）２
　Ｎ　Ｈ２→（Ｃｕ　Ｉｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　
ＮＨｚ　）　ｙ　）■　第２ステツプに臭化水素ガス（
ＨＢｒ）を第３ステツプにアンモニアガス（ＮＨ３）を
使用する場合。

Ａｉｌ！＋ｘＨＢｒ−＋ＡｆｆｉＢｒｘ　　（＋ｘＨ）
ＡＩ！、Ｂ　ｒｘ　＋　ｙ　ＮＨｓ →（ＡＩ！、Ｂ　ｒｘ　　（ＮＨ３）、　）Ｃｕ　Ｂ　
ｒ　ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈｘ −’）　ＥＣＬＩ　Ｂ　ｒｘ　　（ＮＨ３）Ｙ　）■　
第２ステツプに臭化水素ガス（ＨＢｒ）を第３ステツプ
に水（Ｈ２Ｏ）を使用する場合。

Ａｊ２＋ｘＨＢｒ−＋ＡｆｆｉＢｒｘ　　（＋ｘＨ）、
１ｅＢｒ、＋ｙＨｚ　０ →ｔＡｉ　Ｂｒｘ　　（Ｈｌ　　０）ｙ　　）ＣｕＢｒ
ｘ　　＋ｙＨ２０ −”　（ＣｕＢ　ｒＸ　　（Ｈｌ　　０）　ｙ　）［相
］　第２ステツプに臭化水素ガス（ＨＢｒ）を第３　・
ステップにカルボニル（ＣＯ）である−酸化炭素ガスを
使用する場合。

Ａ／！＋ｘＨＢｒ−＋ＡｆｆＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＡＩ
Ｂｒｘ＋ｙＣＯ −（Ａｆ　Ｂ　ｒ　ｘ　’（Ｃｏ）　ｙ　）ＣｕＢｒ、
＋ｙＣＯ →（ＣｕＢｒ、（Ｃｏ）ｙ） ■　第２ステツプに臭化水素ガス（ＨＢｒ）を第３ステ
ツプにニトロシル（ＮＯ）である−酸化窒素ガスを使用
する場合。

Ａｊ２＋ｘＨＢｒ−＋Ａｊ２ＢｒＸ　（±ｘＨ）ＡＩ　
Ｂ　ｒｘ　＋　ｙ　Ｎ。

→（ＡｆｆｉＢｒＸ　　（Ｎｏ）ｙ〕 ＣｕＢｒＸ＋ｙＮＯ →〔ＣｕＢｒＸ　（ＮＯ）ｙ〕 ［相］　第２ステツプに臭化水素ガス（ＨＢｒ）を第３
ステツプにメチルアミン（ＮＨ，（Ｃ，Ｈい）ガスを使
用する場合。

Ａｊ２＋ｘＨＢｒ−＋Ａｆ！Ｂｒｘ　　（−１−ｘＨ）
ＡｆＢｒｘ　＋ｙＮＨ１！（ＣＨい −ＣＡＮＢ　ｒＸ　　（ＮＨｚ（ＣＨ：１））−”ＪＣ
ｕ　Ｂ　ｒ　Ｘ　＋　ｙ　ＮＨｚ（ＣＨｙ）→（ＣｕＢ
　ｒｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　ｙ　）■　第２ステ
ツプに臭化水素ガス（ＨＢｒ）を第３ステツプにエチレ
ンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ，）ガスを使用す
る場合。

Ａｆ！＋ｘＨＢｒ−＋ＡｆｆｉＢｒＸ　（十ｘＨ）Ａ　
Ｉ　Ｂ　ｒｘ　＋　３’　ＮＨ２（ＣＨ２）２　ＮＨｚ
→（Ａｆ！　Ｂ　ｒＸ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ
２）　Ｙ　）ＣｕＢｒｙ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　Ｎ
Ｈ４Ｉ（ＣｕＢ　ｒ　Ｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ２）２　Ｎ
Ｈｚ　）　ｙ　）なお、前記実施例では、エツチング対
象物としてシリコン半導体ウェハを例示したが、本発明
は、シリコン半導体、化合物半導体等の各種半導体基板
、プリント基板等に適用できる。

〔発明の効果〕 以上説明したように本発明方法によると、ハロゲンガス
または（および）ハロゲン化物のガスのプラズマでドラ
イエツチングされたアルミニウムまたは（および）アル
ミニウム合金に残留するハロゲン化合物を、下地金属層
や下地シリコン酸化膜等があるときでも、それら下地層
をアンダーカットしたり不必要にエツチングしたりする
ことなく除去して防食でき、ポリマー膜等の防食膜の形
成も不要である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施に使用する装置の一例の概略
構成図である。 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスのボンベ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンベ５・・・エ
ツチング促進ガスボンへ ６・・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・・高周波電源 ９・・・半導体ウエハ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
   スのプラズマでドライエッチングされたアルミニウムま
   たは（および）アルミニウム合金を中性配位子となる物
   質のガスまたは該ガスを含有するガスのプラズマに曝し
   て前記ドライエッチング後に残ったアルミニウムまたは
   （および）アルミニウム合金に残留するハロゲン化合物
   を除去することを特徴とするドライエッチング後防食処
   理方法。