JPH04208526A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェーハ、プリント配線基板等におけ
る電極や配線などを形成するための銅含有アルミニウム
合金層を含む金属膜をエツチングするドライエツチング
方法および装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、半導体ウェーハ、プリント配線基板等における電
極や配線などを形成するための金属膜として良く知られ
ているものに、アルミニウム合金膜がある。

アルミニウム合金からなる金属膜から電極や配線を形成
するための代表的なドライエツチング方法は、三塩化ホ
ウ素ガス（Ｂ（１，）、塩素ガス（Ｃｆｔ）或いはこれ
らのガスに窒素ガス（ＮＺ）等を混合したガスのプラズ
マに該金属膜を曝す方法である。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、アルミニウム合金は、一般に、シリコン
（Ｓｉ）や１（Ｃｕ）が添加されていることが多く、特
に銅については、エツチングされに＜＜、残渣として残
ることが多い。

例えば半導体ウェーハを例にとると、第３図に示すよう
に、ドライエツチング後、半導体基板１０１上等に銅が
塩化銅の如き状態で残差ａとして残る。なお、第３図に
おいて、１０２はアルミニウム合金、１０３はその上の
マスク材、１０４はアルミニウム合金と基板との間の下
地金属層である。

この残渣を除去するには、プラズマのパワーを上げたり
、エツチング温度を上げたり、エツチング時間を長くし
たりする必要があるが、そうすると、例えば第４図に示
すように、アルミニウム合金部分の下部や下地金属層が
必要以上にエツチングされ、配線や電極形状が悪化する
という問題がある。

そこで本発明は、ドライエツチング後に残されるアルミ
ニウム合金やその下の下地金属層の形状を悪化させるこ
となく、アルミニウム合金に含まれる銅の残渣を除去す
ることができる銅含有アルミニウム合金を含む金属膜の
ドライエツチング方法および装置を提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は前記目的に従い、ハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスと、中性配位子となる物質のガス
とを真空容器に導入し、これら混合ガスを所定真空状態
下で電圧印加のもとにプラズマ化し、該プラズマで銅含
有アルミニウム合金層を含む金属膜をエツチングするド
ライエツチング方法を提供する。

また、本発明は前記目的に従い、 ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガスと、
ハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを真空容器に導入
し、これら混合ガスを所定真空状態下で電圧印加のもと
にプラズマ化し、該プラズマで銅含有アルミニウム合金
層を含む金属膜をエンチングするドライエツチング方法
を提供する。

これら両方法において、前記ハロゲンガスとしては、塩
素（Ｃｆ２）、臭素（Ｂｒｚ）、ヨウ素（Ｉ２）等のガ
スを挙げることができる。

また、前記ハロゲン化物のガスは、塩化水素（ＨＣｌ、
）　、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水素（ＨＩ）等のハ
ロゲン化水素、四塩化炭素（ＣＣｌ２）等のハロゲン化
炭素などのハロゲン元素を含む物質のガスである。

前者方法における中性配位子となる′＃Ｊ譬には、アン
モニア（ＮＨ３）、水（Ｈ２Ｏ）　、カルボニル（ＣＯ
）、ニトロシル（Ｎｏ）　、メチルアミン（Ｎ　Ｈｔ（
ＣＨｓ　））の如き第１級アミン、ジメチルアミン（Ｎ
Ｈｚ　　（ＣＨ３）２　）の如き第２級アミン、トリメ
チルアミン（Ｎ　Ｈ２（ＣＨｆｆ）、）の如き第３級ア
ミン、エチレンジアミン（Ｎ　８２（Ｃ８２）２　Ｎ　
Ｈ２）等の単座または多座配位子を有する物質を例示で
きる。

後者方法にけるハロゲン化アルミニウムとしては、塩化
アルミニウム（Ａ／２（１，）、臭化アルミニウム（Ａ
ｊ２Ｂｒ３）、ヨウ化アルミニウム（ＡｆｆｉＬ）等で
、蒸発すると、二量体分子の、または単量体分子と二量
体分子とが共存する蒸気ガスとなるものなどが考えられ
る。

また、前記両方法において、前述のガスに加え、エンチ
ング促進ガス等の他のガスを加えてもよい。

前記両方法において前記金属膜は、銅含有アルミニウム
合金層、銅含有アルミニウム合金層と下地金属層の積層
等から形成されている場合が考えられる。

該下地金属層は、金属膜の付着強化を目的とするものや
、拡散防止を目的とするもの、オーミックコンタクトを
とる目的のものなどであり、アルルミニウム合金層の下
に積層され、アルミ斗ウム合金層と同しパターンでエツ
チングされるものである。

この下地金属層としては、チタン（Ｔ　ｉ　）　、チタ
ンナイトライド（ＴｉＮ）、タングステンシリサイド（
ＷＳｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、モリブデン
シリサイド（ＭｏＳｉ）等を例示することかできる。

前記アルミニウム合金としては、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｊ
２−３ｉ−Ｃｕ合金等を例示できる。

また、本発明は、前記後者方法を実施するための装置、
すなわち、真空吸引手段にて所定の真空状態を得ること
ができる真空容器と、前記真空容器にハロゲンガスまた
は（および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、ハ
ロゲン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成する恒温
槽を有し、該１気ガスを前記真空容器に導入する手段と
、前記真空容器内に設けた銅含有アルミニウム合金層を
含む金属膜を有するエツチング対象物の支持ホルダと、
前記真空容器内に導入されるガスをプラズマ化するため
の電源とを備えたことを特徴とするドライエツチング装
置を提供する。

〔作　用］ ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガスと中
性配位子となる物質のガスを用いる本発明方法によると
、真空容器内に導入されるハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスと中性配位子となる物質のガスと
からなる混合ガスが電圧印加のもとにプラズマ化され、
このプラズマがアルミニウム合金と反応してハロゲン化
アルミニウムが生成され、これは気相中へ脱離する。

また、アルミニウム合金に含まれている銅はプラズマと
反応してハロゲン化銅となり、このハロゲン化銅が前記
生成されたハロゲン化アルミニウムと反応して銅・アル
ミニウムハロゲン化合物が生成され、また、該ハロゲン
化銅が導入した中性配位子とも反応して金属錯体が生成
される。

この化合物および錯体はともに蒸気圧が高く、容易に気
相中に離脱し、かくしてアルミニウム合金層がエツチン
グされるるとともに、銅の残渣もも蒸発する。

下地金属層があるときには、アルミニウム合金層がエツ
チングされたあと、引き続き該下地金属層がプラズマに
よりエツチングされる。

ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガスとハ
ロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを用いる本発明方法
によると、真空容器内に導入されるハロゲンガスまたは
（および）ハロゲン化物のガスとハロゲン化アルミニウ
ムの蒸気ガスとからなる混合ガスが電圧印加のもとにプ
ラズマ化され、このプラズマがアルミニウム合金と反応
してハロゲン化アルミニウムが生成され、これは気相中
に脱離する。

また、アルミニウム合金に含まれる銅はプラズマト反応
シてハロゲン化銅となり、このハロケン化銅が前記生成
されたハロゲン化アルミニウムおよび導入したハロゲン
化アルミニウムと反応して銅・アルミニウムハロゲン化
合物が生成さ耗る。

また、アルミニウムが無くなり、ハロゲン化アルミニウ
ムを生成しなくなっても、ハロゲン化銅と導入されたハ
ロゲン化アルミニウムの反応は続く。

この銅・アルミニウムハロゲン化合物は蒸気圧が高く、
容易に気相中に脱離し、かくしてアルミニウム合金がエ
ンチングされるとともに銅の残差も蒸発する。

本発明装置によると、前記ハロゲン化アルミニウムの蒸
気ガスは、恒温槽において生成され、真空容器に導入さ
れる。

下地金属層があるときは、アルミニウム合金層がエツチ
ングされたあと、引き続き該下地金属層がプラズマによ
りエツチングされる。

〔実　施　例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

先ず、第１図に装置例として示す反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）装置と、これによりハロゲンガスまたは（
および）ハロゲン化物のガスと中性配位子となる物質の
ガスを用いて実施する本発明方法例を説明する。

第１図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンへ
２、容器１に開閉弁３ａ、３ｂおよび流量制御部３Ｃを
介して配管接続された中性配位子となる物質のガスボン
へ３、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制御部５Ｃを
介して配管接続された三塩化ホウ素ガス（ＢＣｆｆｉ、
）等のエツチング促進ガスのボンへ５、容器１に開閉弁
６１を介して接続され、該容器内を所定真空状態にする
真空ポンプ６、該容器内に電気絶縁性シール材７１を介
して設置され、エツチング対象物を支持するホルダ７、
該ホルダに接続された高周波電圧を印加する高周波ｔ′
ａ８を備えている。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための銅を含むアルミニウム合金Ａｆ！−
Ｃｕ　（４％）からなる厚さ６０００人の薄膜とその下
のウェハ基板との間に介在するチタン（Ｔｉ）からなる
厚さ２０００人の下地金属層とを含む金属１腋を表面に
有し、該金属薄膜上にマスク材にて所定パターンを形成
したシリコン半導体ウェーハ９を準備し、酸ウェーハを
前記ホルダ７上に載置した。

また、ボンベ２を塩素ガス（Ｃ１２）ボンベとし、エツ
チング促進ガスのボンベ５を三塩化ホウ素ガス（Ｂ（１
：ｌ）ボンベとした。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
容器１内をｌＸｌ０−”（Ｔｏｒｒ）以下の真空状態と
した後、真空容器ｌ内を圧力４００（ｍＴｏｒｒ）に維
持しつつボンベ２から塩素ガスを流量４０Ｃｓｃｃｍ）
で真空容器１内に導入し、電源８にて１３．５６　（Ｍ
Ｈｚ）、５００［Ｗ）の高周波電圧を１５秒印加し、塩
素ガスのプラズマを発生させ、このプラズマで露出して
いるアルミニウム合金薄膜表面の不純物等を除去した。

次に、中性配位子となる物質のガスのボンへ３としてア
ンモニアガス（ＮＨｆｆ）ボンベを採用しておき、第２
ステツプとして２、真空容器１内を圧力４００（ｍＴｏ
ｒｒ）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流量２５（
ｓｃｃｍ）で三塩化ホウ素ガス（ＢＣ／！ｆｆ）を、ボ
ンベ２から流量２０〔ｓｃｃｍ〕で塩素ガス（Ｃｉ！、
、　）を、ボンへ３から流量２０　［ｓｃｃｍ）でアン
モニアガス〔ＮＨ３］を導入し、電源８にて１３．５６
　（ＭＨｚ）、２５０　（Ｗ〕の高周波電圧を１５０秒
印加し、これら混合ガスをプラズマ化したところ、前記
ウェーハのアルミニウム合金薄膜の６００ＯＡの異方性
エンチングおよび下地金属層の２０００人の異方性エン
チングが精度良（実現した。しかも、アルミニウム合金
に含有されていた銅の残渣も発生しなかった。

このエツチングにおいては、露出したアルミニウム合金
薄膜部分においてハロゲン化アルミニウムを生成する反
応 Ａｆ＋３／２・ＣＰ、２→ＡＩ！、Ｃｆ３　　と、アル
ミニウム合金中の銅につきハロゲン化銅を生成する反応 Ｃｕ　十ｘ　／　２　・Ｃｊ２２−　Ｃｕ　Ｃｌ−ｘ　
　　と、ハロゲン化銅である塩化銅と前記生成されたハ
ロゲン化アルミニウムが銅・アルミニウムハロゲン化合
物を生成する反応 Ｃｕ　Ｃ１ｘ　　”　ｙ　Ａ　（２Ｃ１３−＋　［Ａ　
１．ｙＣｕ　ＣＱＸ＋３．　］　と、前記ハロゲン化銅
である塩化銅とアンモニアガスの中性配位子とが反応し
て銅の金属錯体が生成される反応 ＣｕＣｆｆＸ＋ｙＮＨ３→（ＣｕＣｆｆｉＸ　　（ＮＨ
：ｌ）ｙ　）とが起こる。

ハロゲン化アルミニウムは容易に気相中へ脱離し、かく
してエツチングが行われ、また、化合物（ＡｆｆｉｙＣ
ｕＣ１ｘ＋ｓｙ　］および金属錯体ＣＣｕＣ１ｘ　　（
ＮＨｉ）ｙ　’Ｊも蒸気圧が高く、これも容易に気相中
へ脱離し、かくして問題となる銅の残渣は発生しない。

下地金属層は、アルミニウム合金がエツチングされたあ
と引き続き、前記プラズマによりエツチングされた。

塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、アンモニアガスに代えて他
の中性配位子となる物質のガスを採用した場合でも、他
の条件はそのまま、または必要に応して調整、変更等す
ることにより同様に銅含有アルミニウム合金および下地
金属層の工。

チングを銅の残渣が残らない状態で行える。

他のガス組み合わせ例と、その場合の化学反応例を次に
列挙する。

■　塩素ガス（ＣＩＺ）と水（Ｈｌ　Ｏ）を使用する場
合。

Ａ／２＝３／２・Ｃ１２→ＡｆｆＣｆ３Ｃｕ−ｉ−ｘ／
２　・Ｃ１２→ＣｕＣｆＸＣｕ　Ｃ１２＊　＋　ｙ　Ａ
　Ｉ　Ｃ＋２　：１−＋　（，６，ｌ　、　Ｃｕ　Ｃ＋
２　ｘ＋：＋ｙ　ＥＣｕ　Ｃｌ　ｘ　士ｙ　Ｈｚ　Ｏ →（ＣｕＣＩＺ、ｘ　　（Ｈｚ○）ｙ〕■　塩素ガス（
（１２）とカルボニル（Ｃｏ）である−酸化炭素ガスを
使用する場合。

Ａｆ−ｉ−３／２・Ｃ！２→ＡｌＣｌ３Ｃｕ＋ｘ／２　
・Ｃ１，＋ＣｕＣｆｆ１゜Ｃｕ　Ｃｌ　ｘ　＋　ｙ　Ａ
　ＩＸ、Ｃ＋２３→ＣＡｌｙ　　Ｃｕ　Ｃ（２ｘ　＋Ｉ
！　　）ＣｕＣ＋２ｘ！ｙｃ。

→〔ＣｕＣＩＸ　（ＣＯ）ｙ　〕 ■　塩素ガス（Ｃｆｚ）とニトロシル（Ｎｏ）である−
酸化炭素ガスを使用する場合。

Ａｆ＋３／２・Ｃｔ２２→ＡｆｆｉＣｊ２ｆｆＣｕ　十
ｘ　／　２　・Ｃｆ！　ｔ　→Ｃｕ　Ｃ１２ｘＣｕ　Ｃ
ｌ　ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｆ　ｓ−＋　（Ａ　ｌｙ　
　Ｃｕ　ＣＡｘ士ｉｙ　）Ｃｕ　Ｃｌ　ｘ　十ｙ　Ｎ　
Ｏ −＊　ＣＣｕＣ４ｘ　　（Ｎｏ）ｙ　Ｅ■　塩素ガス（
Ｃｆｆｚ　）とメチルアミン（ＮＨ２（ＣＨ３））ガス
を使用する場合。

Ａｆｆ十３／２・Ｃ１，ｚ→Ａｎ　Ｃｆｆ。

Ｃｕｔｘ／２−　Ｃ（２ｚ　→Ｃｕ（、ＬＩＣｕ　Ｃｌ
　ｘ　＋ｙ　Ａ　１．　Ｃｌ　３→（Ａ　＋２　ｙ　Ｃ
ｕ　Ｃｌ　ｘ　−？　３　ｙ　］Ｃｕ　Ｃｌｘ　＋　ｙ
　ＮＨ２（ＣＨ３）→〔ｃｕｃＩ！、ｘ　　（ＮＨ２（
ＣＨ３）ｌ　ｙ　Ｅ■　塩素ガス（Ｃ＋２．）とエチレ
ンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ，）２ＮＨ２）ガスを使用す
る場合。

Ａｆ＋３／２・ＣＺ、→ＡｆＣｊ２゜ Ｃｕ　”　ｘ　／　２　　・ＣＥ　２　　→Ｃｕ　Ｃ１
ｘＣｕ　Ｃｅ　ｘ　　＝　ｙ　Ａ　ｅ　Ｃ＋２３→（Ａ
　ｌｙ　　Ｃｕ　Ｃｅｘ＋３ｙ　）ＣｕＣ１ｘ　　ｔｙ
ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　　ＮＨｚ＝　ｕ’ｃｕｃＩ２ｘ　
　（ＮＨＫ（ＣＨ２）２　　ＮＨｚ　　）ｙ　　）■　
ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とアンモニアガス（ＮＨｊ　）
を使用する場合。

Ａ！〒３ＨＩ→Ａｉ　１．（＋３８） Ｃｕ−＋−ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ｌｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　
ＩＸ　＋ｙＡＩ　Ｉｓ ＝　ＣＡｌ２ｙ　　Ｃｕ　Ｉｘヤｉｙ　ＪＣｕ　Ｉｘ十
ｙＮＨ。

→（Ｃｕ　ｌｘ　　（ＮＨｄｙ”Ｊ ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と水（Ｈｌ　０）を使用す
る場合。

Ａｌ±３ＨＩ−＋Ａ１１３　（十３Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＩ−
＋Ｃｕ　ＩＸ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ　＋　ｙ　Ａｌ
ｌ　ｌｘ ＝　ＣＡｌｙ　　Ｃｕ　Ｉｘ士ｘｙ　）ＣＬＩ　ＩＸ　
−ｒ−ｙＨｔ　Ｏ →（ＣＬＩ　Ｉ　Ｘ　　（Ｈｌ　　０）ｙ　〕■　ヨウ
化水素ガス（Ｈｌ）とカルボニル（Ｃｏ）である−酸化
炭素ガスを使用する場合。

Ａ　ｆｆ　　＋３　　ＨＩ　　→Ａｆｌｉ　　　（−＝
３Ｈ）ＣｕＴｘＨＩ−＋Ｃｕ　１．（＝、ｘＨ）Ｃｕｌ
ｙ＋ｙＡｆ１３ −＋　〔Ａｌｙ　Ｃｕ　ＩＸ＋３Ｖ　〕Ｃｕ　Ｉ　Ｘ　
＋　ｙ　ＣＯ →〔ＣｕＩＸ　（ＣＯ）ｙ］ ■　ヨウ化水素ガス（ＨＩ）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ａｆｆｉ−、−３ＨＩ→Ａｆ１．（＋３８）Ｃｕ＋ｘＨ
Ｉ−＋Ｃｕ１Ｘ　（＋ｘＨ）ＣｕｌＫ＋ｙＡＩＬ →（Ａ　４２　ｙ　Ｃｕ　Ｉ　Ｘ＋　３ｙ’ｊＣｕｌＸ
〒ｙＮ○ →ｉ：ｃｕｌや　（ＮＯ）ｙ） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とメチルアミン（ＮＨ，（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

／ｌ＋３ＨＩ→Ａｆ　＋３　　（＋３Ｈ）Ｃｕ十ｘＨ１
−”Ｃｕ　ＩＭ　　（−１−ＸＨ）Ｃｕ　１．＋ｙＡｆ
　Ｉ。

→（Ａｆｙ　　Ｃｕ　Ｉｘ−ｒ：＋ｙ　ｊＣｕ　ｔＸ　
＋ｙＮＨｚ（ＣＨｉ） →〔ｃｕ　Ｉｘ　　ｆＮＨｚ（ＣＨｔ））ｙ　）■　ヨ
ウ化水素ガス（Ｈｌ）とエチレンジアミン（Ｎ　Ｈ２（
ＣＨ２）２　Ｎ　Ｈ２）ガスを使用する場合。

Ａｆｆｉ＋３ＨＩ−ＡｌＩ３　（＋３Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＩ
→Ｃｕ　Ｉｌｌ　　（±ｘＨ）Ｃｕ　１１Ｂ　＋　ｙ　
ＡＩ！、Ｉ３ →（Ａ　ｌｙ　Ｃｕ　Ｉｘ＋３ｙ　〕 Ｃｕ　Ｉ　ｘ　＋　ｙＮ　Ｈｚ（ＣＨｚ）ｚ　Ｎ　Ｈｚ
→ｊｃｕ　ｌｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）
ｙ　）＠　ヨウ素ガス（Ｉ２）とアンモニアガス（ＮＨ
，）を使用する場合。

ＡＩ！、＋３／２・Ｉ２→Ａｆ　ｌ３ Ｃｕ＋ｘ／２　　Ｉ２−＊Ｃｕ　ｌＸ Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＡｊ２１３ →（Ａ　ｆｌ　ｙ　Ｃｕ　Ｉ　ｘヤｓｙ　ＥＣｕｌｘ＋
ｙＮＨ３ →（Ｃｕ　ｔｌＢ　　（ＮＨ：＋）ｙ　　Ｊ■　ヨウ素
ガス（Ｉ２）と水（８２０）を使用する場合。

Ａｆｆｉ＋３／２・Ｉ２→、１１！　１３Ｃｕ十ｘ／２
−１．−＋Ｃｕ　Ｉ。

Ｃｕ　Ｉｘ　＋　ｙＡｆｆ　Ｉｚ −＋　［Ａｆｆｉｙ　Ｃｕ　Ｉｘ＋ｓｙ　ＥＣｕＩ）（
＋ｙＨｚＯ →〔ＣｕＩＸ　（Ｈ２Ｃ）ｙ］ ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ　ｇ）とカルボニル（ＣＯ）で
ある−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ａｆ＋３／２・■２→ＡＪ２Ｉ３ Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｉｚ　→Ｃｕ　Ｉｘ Ｃｕ　Ｉｘ　＋ｙＡＩ　Ｉｓ ＝　（Ａｊ２ｙ　　Ｃｕ　Ｉｘ中ｚｙ　　ＪＣｕｌえす
ｙｃ○ →（Ｃｕ　ＩＸ　（Ｃｏ）　ｙＥ ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

ＡＩ！、＋３／２・■２→Ａ　１２１　’５Ｃｕ−ｒｘ
／２　　・　Ｉ２−Ｃｕ　ｌＸＣｕ　　ＩＸ　ｔｙＡｆ
ｆ　　［。

→（Ａｌ、Ｃｕ　ｌｘ十＋ｙ　） Ｃｕ　ＩＸ　士ｙＮＯ →ＣＣｕ　Ｉｘ　　（Ｎｏ）ｙ　　３ ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）とメチルアミン（Ｎ　Ｈｚ
　（ＣＨ３））ガスを使用する場合。

ＡＩ！、＋３／２・Ｉ２→Ａｆｆｉ　Ｉ。

Ｃｕ十ｘ／２　ＨＩ２−＋Ｃｕ　ＩＸ ＣＬＪ　ＩＸ　＋ｙＡＩ　Ｉｓ →（Ａ　ｉ　ｙｃ　ｕ　Ｘｘ　＋ｉｙ］Ｃｕ　Ｉ　ｘ　
＋　ｙ　Ｎ　Ｈｚ（ＣＨ：＋）＝　（Ｃｕ　ｌｘ　　（
ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｌ　ｙＥＯヨウ素ガス（Ｉ２）とエチ
レンジアミン（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ）ガスを使
用する場合。

Ａｊ２＋３／２・Ｌ−ＡｆｆｉＩ。

Ｃｕ＋ｘ／２　・１．−＋Ｃｕ　ＩＫ Ｃｕ　Ｉｘ　＋ｙＡＩ　Ｉ３ →（Ａｊ２．Ｃｕｒ　　　ｙ） ×士３ Ｃｕ　Ｉ　Ｘ　十ｙＮ　Ｈ２（ＣＨ２＞２　Ｎ　Ｈ２→
（Ｃｕ　ｌｘ　　１ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　　ＮＨｚ　　
ｌ　ｙ　）■　臭化水素ガス（ｔ（Ｂｒ）とアンモニア
ガス（ＮＨｉ）を使用する場合。

Ａｌ千３　ＨＢ　ｒ−＋ＡｆｆＢ　Ｉ３　（＋３　Ｈ）
Ｃｕ−＋−ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ
Ｂｒ、＋ｙＡ／！Ｂｒ３ →（Ａｊ２ｙ　ＣｕＢ　ｒｘ　　ｚｙ　）Ｃｕ　Ｂ　ｒ
　ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈ：１−（Ｃｕ　Ｂ　ｒ　ｘ　　（
Ｎ　Ｈ３）Ｖ　）［相］　臭化水素ガス（ＨＢｒ）と水
（Ｈ２０）を使用する場合。

Ａｌ＋３ＨＢｒ−Ａｆ、Ｂｒｔ　　（＋３Ｈ）Ｃｕ＋ｘ
ＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒｘ　＋ｙ
ＡｆｆｉＢｒ＝ −＋　［Ａ／！、ＣｕＢ　ｒｘ＋：＋ｙ　）ＣｕＢｒｘ
−ｒｙＨ２０ −＋（ＣｕＢｒ、（Ｈ，○）ｙ） ＠　　臭化水！ガス（ＨＢｒ−）とカルボニル（ＣＯ）
である−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ａｆｆｉ＋３ＨＢｒ−ＡｆＢｒ、（＋３Ｈ）Ｃｕ十ｘＨ
Ｂｒ＋ｃｕＢｒ、（＋ｘＨ）ＣｕＢ　ｒ、　十ｙ−Ａｆ
！Ｂ　Ｉ３ −＋　（Ａｌ、ＣｕＢ　ｒｘ＋１　〕 ＣｕＢｒ、　＋ｙＣＯ →（ＣｕＢ　ｒｘ　　（ＣＯ）ｙ　） ■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とニトロシル（Ｎｏ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ａｌ　＋　３　ＨＢ　ｒ−＋Ａ１．　Ｂ　ｒｙ　　（＋
　３　Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ
）ＣｕＢ　ｒｘ　＋ｙＡＩＢ　ｒｓ →（Ａｊｌ！ｙ　　Ｃｕ　Ｂ　ｒｘ士ｓｙ　　〕ＣｕＢ
ｒｘ＋ｙＮＯ →〔ＣｕＢｒ、ｌ　（ＮＯ）ｙ］ ■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とメチルアミン（ＮＨ２（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

ＡＲ＋３　ＨＢ　ｒ−＋ＡＩ　Ｂ　ｒｌ　　（＋　３　
Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ
Ｂｒｘ　＋ｙＡｆｆｉＢｒ。

→〔ＡｌｙＣｕＢｒＸヤ、Ｊｙ〕 Ｃｕ　Ｂ　ｒＸ　＋　ｙ　ＮＨｚ（ＣＩ３）−＋　〔ｃ
ｕＢ　ｒ、（ＮＨｚ（ＣＨ＊）ｌ　ｙ　５＠　臭化水素
ガス（ＨＢｒ）とエチレンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ２）
２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。

Ａ　Ｉ２　＋　３　ＨＢ　ｒ　−＋Ａ　Ｉ２　Ｂ　ｒ　
＊　　（＋　３　Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　
　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒｘ　＋ｙＡ／２Ｂｒ３ →（ＡｆｙＣｕＢｒイ十３ｙ　Ｊ ＣｕＢ　ｒＸ　＋ｙＮＨ２（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→〔Ｃ
ｕ　Ｂ　ｒｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨ２）ｚ　Ｎ　Ｉ２　）
　ｙ　〕（以下、この頁余白） 次に、第２図に本発明に係る装置例として示す反応性イ
オンエツチング（ＲｒＥ）装置と、これによりハロゲン
ガスまたは（および）ハロゲン化物のガスとハロゲン化
アルミニウムの蒸気ガスを用いて実施する本発明方法例
を説明する。

第２図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２Ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制御部５ｃを介
して配管接続された三塩化ホウ素ガス（Ｂ（４３）等の
エツチング促進ガスのボンベ５、容器ｌに開閉弁１０ａ
、１０ｂおよび流量制御部１０ｃを介して配管接続され
たハロゲン化アルミニウムの蒸気ガス生成用恒温槽１０
、容器１に開閉弁６１を介して接続され、該容器内を所
定真空状態にする真空ポンプ６、該容器内に電気絶縁性
シール材７１を介して設置され、エツチング対象物を支
持するホルダ７、該ホルダに接続された高周波電圧を印
加する高周波電源８を備えている。

なお、恒温槽１０は加熱温度を調節してハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガス発生量を調節できるものである。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための銅を含むアルミニウム合金Ａ／！−
Ｃｕ　（４％）からなる厚さ６０００人の薄膜とその下
のウェハ基板との間に介在するチタン（Ｔｉ）からなる
厚さ２０００人の下地金属層とを含む金属薄膜を表面に
有し、該金属薄膜上にマスク材にて所定パターンを形成
したシリコン半導体ウェーハ９０を準備し、該ウェーハ
を前記ホルダ７上に載置した。

また、ボンベ２を塩素ガスボンへとし、エツチング促進
ガスのボンへ５を三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ２）ボンへ
とした。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
、容器１内をｌＸｌ０−’［Ｔｏｒｒ）以下の真空状態
とした後、真空容器１内を圧力４００［ｍ、Ｔｏｒｒ）
に維持しつつボンベ２がう塩１ｇガスを流量４０（ｓｃ
ｃｍ）で真空容器１内に導入し、電＃８にてｌ　３．　
５６　［ＭＨｚ　〕、５００（ｗ３の高周波電圧を１５
秒印加し、塩素ガスのプラズマを発生させ、このプラズ
マで露出しているアルミニウム合金Ｆｉｉ膜表面の不純
物等を除去した。

次に第２ステツプとして、恒温槽ＩＯにはハロゲン化ア
ルミニウムとして固体塩化アルミニウム（Ａ／２（１，
）を入れ、１６０°Ｃで加熱してその蒸気ガスを生成で
きるようにしておき、真空容器１内を圧力４００　Ｃｍ
Ｔｏ　ｒ　ｒ）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流
量２５（ｓｃｃｍ）で三塩化ホウ素ガス（ＢＣ／２．Ｊ
）を、ボンベ２から流量２０　［ｓｃｃｍ）で塩素ガス
（Ｃｆ２）を、恒温槽１０から流量１０［ｓｃｃｍ）で
塩化アルミニウム（Ａｆ（１，）の蒸気ガスをを導入し
、電源８にて１３．５６　ＣＭＨ２Ｅ、２５０　（Ｗ）
の高周波電圧を１５０秒印加し、これら混合ガスをプラ
ズマ化したところ、前記ウェーハのアルミニウム合金薄
膜の６０００人の異方性エツチングおよび下地金属層の
２０００人の異方性エンチングが精度良（実現した。

このエツチングにおいては、露出したアルミニウム薄膜
部分においてハロゲン化アルミニウムを生成する反応 Ａｌ＋３／２・Ｃ１２→ＡｆＣＥ３　　　と、アルミニ
ウム合金中の銅につきハロゲン化銅を生成する反応 Ｃｕ＋ｘ／２−　Ｃｆｆ１ｚ　→ＣｕＣｊ２Ｘ　　と、
ハロゲン化銅である塩化銅と前記生成された塩化アルミ
ニウム（ＡｆｆｉＣｆ、）および導入した塩化アルミニ
ウム（ＡｆｆｉＣｆｆｉ３）の蒸気ガスとが反応して銅
・アルミニウムハロゲン化合物を生成する反応 Ｃｕ（ｌＫ＋ｙＡｆ２Ｃ１ｓ −ｂ　ＣＡ　ｆｆ１ｙ　Ｃｕ　Ｃｆｆｘ＋３ｙ３　とが
起こる。

ハロゲン化アルミニウムは容易に気相中へ脱離し、かく
してエツチングが行われ、また、銅・アルミニウムハロ
ゲン化合物（Ａ　ｌｙ　Ｃｕ　Ｃｆｆｘ−Ｈア〕も蒸気
圧が高く、これも容易に気相中へ脱離し、かくして問題
となる銅の残渣は発生しない。

下地金属層は、アルミニウム合金がエツチングされたあ
と引き続き、前記プラズマによりエンチングされた。

塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、塩化アルミニウム（ＡｆＣ
ｆ、）に代えて他のハロゲン化アルミニウムを採用した
場合でも、他の条件はそのまま、または必要に応して調
整、変更等することにより、同様に銅含有アルミニウム
合金層および下地金属層のエツチングを行える。

他のガスの組み合わせ例とその場合の化学反応例を次に
列挙する。

■　塩素ガス（Ｃｊ２□）と臭化アルミニウム（Ａｊ２
Ｂｒ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｌ＋３／２・Ｃρ２→Ａ　Ｉ！、Ｃｅ　ｆｆＣｕ＋ｘ
／２−　Ｃ１ｚ　−”ＣｕＣＩＸＣｕ　ＣＩ　Ｘ　＋ｙ
　Ａ　４２　Ｃ１３→〔Ａｌ、ＣｕＣ１吋３ｙ） ＣｕＣｆｆｉ、　＋ｙＡｉ！、Ｂｒ。

→〔Ａｎｙ　ＣｕＣｌＸＢｒ５ｙ） ■　塩素ガス（Ｃｆｆｉｚ）とヨウ化アルミニウム（Ａ
ｆｆｉ＋３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｌ＋３／２・Ｃ１２→ＡｆｆＣＬ Ｃｕ　＋　ｘ　／　２　・Ｃｌ　ｚ　→Ｃｕ　ＣＩ２　
ｘＣｕ　ＣＩ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　ｅ　Ｃｌ　ｓ−（Ａ　
　Ｉ２．　　Ｃｕ　　Ｃｆｘ＋３ｙ）ＣｕＣｆｘ　＋ｙ
ＡＩ　Ｉ３ →ＣＡ　Ｉ！、ｙ　Ｃｕ　ＣｅＸＩ　ｔｙ］■　塩化水
素ガス（ＨＣｆｆ）　と塩化アルミニウム（Ａ１Ｃ１，
）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａ　ｌ　＋３　ＨＣＩ２−　Ａ　Ｉ　Ｃｉ　＋＋　　（
＋　３　Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＣ１−＋ＣｕＣ１ｘ　　（十ｘ
Ｈ）Ｃｕ　ＣＩ　Ｘ　＋　Ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｌ　ｙ→（Ａ
ｆｆｉ、　Ｃｕ　Ｃｆｆｘヤｉｙ　）■　塩化水素ガス
（ＭＣＩ）と臭化アルミニウム（ＡＩ！Ｂｒ５）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ａ／２＋３ＨＣｆｆｉ→ＡｆＣｆ！、（＋３Ｈ）Ｃｕ＋
ｘＨＣＥ−＋ＣｕＣ１ｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｃｌ　ｗ
　＋　ｙ　Ａ　Ｉ２　Ｃｌ　ｙ→（Ａｆ、　Ｃｕ　Ｃｌ
ｘ＋ｙｙ　） ＣｕＣ１，ｘ　　＋ｙＡＥＢｒｚ ４　［Ａｌ、　　Ｃｕ　Ｃｌｘ　　Ｂ　ｒｉｙ］■　塩
化水素ガス（ＨＣＩ）とヨウ化アルミニウム（ＡＩ！Ｉ
ｓ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａ１士３　ＨＣｉ　−＋Ａ　Ｉ　ＣＩ２　ｓ　　（十３
　Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＣ１−＊ＣｕＣ１ｘ　　にｘＨ）Ｃｕ
　ＣＥ　ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ２　Ｃｌ　ｓ＝　（Ａ　ｘ
ｙＣｕ　Ｃｆｘ＋ｉｙ　　）ＣｕＣＡ＊　＋ｙＡ１．Ｉ
ｓ ＝　ＣＡ　ｌ、　Ｃｕ　Ｃ１ｘ　　Ｉ　３ｙ）■　臭素
ガス（Ｂｒ２）と塩化アルミニウム（ＡｆＣｌ、）の蒸
気ガスを使用する場合。

、ｌｅ十３／２−Ｂｘ−＋Ａｌ１Ｂｒ５Ｃｕ＋ｘ／２−
Ｂｘ−＋ＣｕＢｒ。

ＣｕＢｒｘ　＋ｙＡｊ２Ｂｘ →〔Ａｎｙ　　ＣｕＢ　ｒＸ＋３ｙ　］ＣｕＢｒｘ　−
１−ｙＡｊＩＣｊ２゜ ＝　（ＡＩ！、ｙＣｕＢ　ｒｘ　Ｃ１□ｙ）■　臭素ガ
ス（Ｂｒｚ）と臭化アルミニウム（ＡｆＢｒ、）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ａ　Ｉ２−Ｉ３　／　２　　・Ｂ　ｒ　ｔ　　−Ａ　Ｉ
２　Ｂ　ｒ　３Ｃｕ＋ｘ／２　　・　Ｂｒｚ−＋ＣｕＢ
ｒｘＣｕ　Ｂ　ｒ　Ｘ　Ｉｙ　Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　ｚ＝　
（Ａ／２．　　Ｃｕ　Ｂ　ｒＸＩ３．　）■　臭素ガス
（Ｂｒｚ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｆ３）の蒸気ガ
スを使用する場合。

Ａ／！＋３／２　・Ｂ　ｒ２→ＡｆｆｉＢ　ｒ＝Ｃｕ＋
ｘ／２−　Ｂ　ｒｚ　−＋ＣｕＢ　ｒｘＣｕＢｒｘ　＋
ｙＡｆ！Ｂｒ。

→［Ａ　ｅｙＣｕ　Ｂ　ｒ　Ｘ−１−ｆｆＶ　）Ｃｕ　
Ｂ　ｒＸ　＋　ｙＡｉ　Ｉｓ −＋　（Ａ／２．ＣｕＢｒＸ　Ｌｙ）。

■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）と塩化アルミニウム（ＡＩ
Ｃ（１，）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｆ＋３ＨＢｒ−Ａｊ２Ｂｒ、（＋３８）Ｃｕ十ｘＨＢ
ｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒｘ　＋ｙＡ／
！Ｂｒ５ ＝　（Ａｆｙ　ＣｕＢ　ｒｘｌ−３ｙ　）Ｃｕ　Ｂ　ｒ
　ｘ　十ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃ１ｓ→（Ａ　Ｉ２　ｙ　Ｃｕ　
Ｂ　ｒ　Ｘ　Ｃｌ　３　ｙ　〕［相］　臭化水素ガス（
ＨＢｒ）と臭化アルミニウム（ＡｆｆＢｒ：＋）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ａ　Ｉ２　＋　３　ＨＢ　ｒ　→Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　３　
　（”　３　Ｈ）Ｃｕ−ｒｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　
（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ、に＋ｙＡＡＢｒｚ →〔ＡＮ、　　Ｃｕ　Ｂ　ｒｘ−ｉｚｙ　　〕■　臭化
水素ガス（ＨＢｒ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｆ［：
＋）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａ　１　＋　３　ＨＢ　ｒ　−Ａ　Ｉ２　Ｂ　ｒ　３　
　（＋３８　）Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（−
ｘＨ）ＣｕＢｒ、＋ｙＡＩＢｒｙ −＄　（Ａ　ｌｙＣｕ　Ｂ　ｒ　ｘｆ：Ｉｙ　　）Ｃｕ
Ｂ　ｒＸ　±ｙＡＩ　Ｉ：１ →ＣＡ　ｊ２ｙ　Ｃｕ　Ｂ　ｒＸＩ　３ｙ７＠　ヨウ素
ガス（Ｉ２）と塩化アルミニウム（Ａｐｃｐ３）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ａ！〒３／２・Ｉ２→／Ｍ！　Ｉ。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｉｚ→Ｃｕ１ｘ Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＡ（ｌ　Ｉ３ ＝　（Ａｊ２ｙＣｕ　Ｔｘ　−１−３ｙ）Ｃｕ　　ｌ　
ｘ　　Ｔｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｅ　３→（Ａ　Ｉ２　ｙ　Ｃｕ
　Ｉ　Ｘ　士ｉｙ）■　ヨウ素ガス（Ｉ２）と臭化アル
ミニウム（ＡｆｆＢｒ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｆ＝３／２・Ｉ２→ＡｆｆＩ３ Ｃｕ＝ｘ／２　・Ｉｚ　→Ｃｕ　１ｘ Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＡｆｆ　Ｉ：１ →（ＡらＣｕ（ｘｆｚｙ） Ｃｕ　Ｉ　Ｘ＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　：１→〔Ａｌｙ
ＣｕＩＫＢｒ３ｙ〕 ■　ヨウ素ガス（Ｉ２）とヨウ化アルミニウム（ＡＩ２
Ｉ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｊ２±３／２・Ｉ２→Ａ／２　＋３ Ｃｕ＋ｘ／２　ＨＩｚ　→Ｃｕ　Ｌ Ｃｕ　ＩＸ　＋　ｙＡＮ　１３ ＋　ＣＡ　ｌｙ　Ｃｕ　Ｉ　Ｘ　−？　３ｙｌ■　ヨウ
化水素ガス（Ｈｌ）と塩化アルミニウム（Ａ１ＣＰ３）
の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｌ中３ＨＩ−Ａｆｆ、（士３Ｈ） Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ　
　＋　ｙＡｊ２　　Ｉｓ −＋　（Ａｊ２ｙ　　Ｃｕ　Ｉｌｌ　−４−：＋ｙ）Ｃ
ｕ　１．＋ｙＡＩＣＩ！ｚ →ＣＡｌｖ　　Ｃｕ　ｌｘ　　Ｃ１ｘｙ〕［相］　ヨウ
化水素ガス（ＨＩ）と臭化アルミニウム（Ａｊ！Ｂｒ、
）の蒸気ガスを使用する場合。

Ａｆ＋３８Ｉ→ＡｌＩ３　　（＋３Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＴ−
＋Ｃｕ１Ｘ’　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ｌｘ　＋ｙＡＩ　Ｉ
ｓ →〔Ａｎｙ　Ｃｕ　Ｉｇ　２１ｙ） Ｃｕ　１．＋ｙＡｆＢ　ｒｌ ＝　（Ａ７！ｙ　Ｃｕ　ＩＸ　Ｂ　ｒ３ｙｌＯヨウ化水
素ガス（Ｈｒ）とヨウ化アルミニウム（Ａ１１ｉの蒸気
ガスを使用する場合。

Ａ／！＋３ＨＩ→Ａ／２Ｉ３　（＋３Ｈ）Ｃｕ＋ｘＨＩ
−＋ＣｕＩＸ　（士ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＡｌ　１３ →（Ａ　１　ｙ　Ｃｕ　ｒ　Ｘ　＋　ｉｙ）なお、以上
説明した実施例では反応性イオンエツチング法（ＲＩＥ
）を採用したが、本発明は、この方法に限らず、その他
の各種ドライエツチング法、例えば、電子サイクロトロ
ン共鳴エツチング（ＥＣＲ）、マグネトロンエツチング
、プラズマエツチング等にも適用可能である。

また、前記実施例では、エツチング対象物としてシリコ
ン半導体ウェーハを例示したが、本発明は、シリコン半
導体、化合物半導体等の各種半導体基板、プリント基板
等に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によると、ドライエツチング
後に残されるアルミニウム合金やその下の下地金属層の
形状を悪化させることなく、アルミニウム合金に含まれ
る銅の残渣を除去することができる銅含有アルミニウム
合金を含む金属膜のドライエツチング方法および装置を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施に使用する装置の一例の概略
構成図、第２図は本発明に係る装置例の概略構成図であ
る。第３図および第４図は従来例の説明図である。 ｌ・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンへ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンへ５・・・エ
ツチング促進ガスボンへ ６・・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・・高周波電源 ９．９０・・・半導体ウェーハ １０・・・恒温槽 出願人　日新ハイテ７り株式会社 第２図 １・・・真空容器 ２−ハロゲノカスまたは（ゎよひ）ハロゲン化物カスの
士、ノヘ ５−工７す／り側進カスポ／へ ６　真空ボ、フ ７　ホルタ ８　高周波電源 ９０　　半導体ウェーハ １０　恒温亭雲 第３図 第４図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
   スと、中性配位子となる物質のガスとを真空容器に導入
   し、これら混合ガスを所定真空状態下で電圧印加のもと
   にプラズマ化し、該プラズマで銅含有アルミニウム合金
   層を含む金属膜をエッチングするドライエッチング方法
   。
2. （２）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
   スと、ハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを真空容器
   に導入し、これら混合ガスを所定真空状態下で電圧印加
   のもとにプラズマ化し、該プラズマで銅含有アルミニウ
   ム合金層を含む金属膜をエッチングするドライエッチン
   グ方法。
3. （３）前記金属膜がアルミニウム合金層とこれに積層さ
   れた下地金属層を含んでいる請求項１または２に記載の
   ドライエッチング方法。
4. （４）真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることがで
   きる真空容器と、前記真空容器にハロゲンガスまたは（
   および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、ハロゲ
   ン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成する恒温槽を
   有し、該蒸気ガスを前記真空容器に導入する手段と、前
   記真空容器内に設けた銅含有アルミニウム合金層を含む
   金属膜を有するエッチング対象物の支持ホルダと、前記
   真空容器内に導入されるガスをプラズマ化するための電
   源とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。