JPH04183880A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents

ドライエッチング方法および装置

Info

Publication number
JPH04183880A
JPH04183880A JP31095090A JP31095090A JPH04183880A JP H04183880 A JPH04183880 A JP H04183880A JP 31095090 A JP31095090 A JP 31095090A JP 31095090 A JP31095090 A JP 31095090A JP H04183880 A JPH04183880 A JP H04183880A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
silver
plasma
metal film
halide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31095090A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Urano
浦野　新一
Naoto Okazaki
尚登 岡崎
Seiichi Ogino
荻野　誠一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NISSHIN HIGHTECH KK
Original Assignee
NISSHIN HIGHTECH KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NISSHIN HIGHTECH KK filed Critical NISSHIN HIGHTECH KK
Priority to JP31095090A priority Critical patent/JPH04183880A/ja
Publication of JPH04183880A publication Critical patent/JPH04183880A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハ、プリント配線基板等におけ
る電極や配線を形成するための銀層または（および）銀
合金層を含む金属膜をエツチングするドライエツチング
方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体ウェーハ、プリント配線基板等における電
極や配線を形成するための金属膜として良く知られてい
るものに、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜がある
が、このほか、銀や銀合金も考えられる。
銀や銀合金からなる金属膜から電極や配線を形成するた
めのエツチング方法としては、金や金合金のエツチング
法として知られているイオンミリング法が考えられ、こ
れは、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスをイオン源
にてイオン化し、このイオンビームで金属膜を物理的に
エツチングするものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、イオンミリング法はエツチング速度が極
めて遅く、−船釣には５００人／ｍｉｎ程度であり、生
産性が悪い。その上、マスク材や下地に対する選択性乃
至選択比が悪く、微細パターンを精度良く形成する上で
難点となっている。
そこで本発明は、従来エツチング法に比べると、早く、
精度良くエツチングでき、工業的に有利な銀層または（
および）銀合金層を含む金属膜のドライエツチング方法
および装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段） 本発明は前記目的に従い、ハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスと、中性配位子となる物質のガス
とを真空容器に導入し、これら混合ガスを所定真空状態
下で高周波電圧印加のもとにプラズマ化し、該プラズマ
で銀層または（および）銀合金層を含む金属膜をエツチ
ングするドライエツチング方法を提供する。
また、本発明は前記目的に従い、ハロゲンガスまたは（
および）ハロゲン化物のガスと、ハロゲン化アルミニウ
ムの蒸気ガスとを真空容器に導入し、これら混合ガスを
所定真空状態下で高周波電圧印加のもとにプラズマ化し
、該プラズマで銀層または（および）銀合金層を含む金
属膜をエツチングするドライエツチング方法を提供する
。
これら両方法において、前記ハロゲンガスとしては、フ
ッ素（Ｆｚ）、塩素（ＣＩ！、２）、臭素（Ｂｒｚ）、
ヨウ素（■２）等のガスを挙げることができる。
また、前記ハロゲン化物のガスは、フッ化水素（ＨＦ）
、塩化水素（Ｈ（１）、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水
素（ＨＩ）等のハロゲン化水素、フッ化炭素（ＣＦ、）
等のハロゲン化炭素などのハロゲン元素を含む物質のガ
スである。
前者方法における中性配位子となる物質には、アンモニ
ア（ＮＨ３）、水（ＨｚＯ）、カルボニル（ＣＯ）、ニ
トロシル（ＮＯ）　、メチルアミン（Ｎ　Ｈ２（ＣＨｓ
　））の如き第１級アミン、ジメチルアミン（ＮＨ２（
ＣＨ３）２　）の如き第２級アミン、トリメチルアミン
（Ｎ　ＨＫ（ＣＨ３）３）の如き第３級アミン、エチレ
ンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ２）２　ＮＨ２）等の単座ま
たは多座配位子を有する物質を例示できる。
後者方法にけるハロゲン化アルミニウムとしては、塩化
アルミニウム（ＡｚｃＬ）、臭化アルミニウム（ＡｆＢ
ｒ３）、ヨウ化アルミニウム（ＡＥ■３）等で、蒸発す
ると、二量体分子の、または単量体分子と二量体分子と
が共存する蒸気ガスとなるものなどが考えられる。
また、前記両方法において、前述のガスに加え、エツチ
ングに支障のない範囲で、エツチング促進ガス等の他の
ガスを加えてもよい。
前記両方法において、前記金属膜は、銀層、銀合金層、
これらの組み合わせ、銀層と下地金属層の積層、銀合金
層と下地金属層の積層等から形成されている場合が考え
られる。
該下地金属層は、金属膜の付着強化を目的とすされ、銀
層や銀合金層と同じパターンでエツチングされるもので
ある。この下地金属層としては、チタン（Ｔ　ｉ　）　
、白金（Ｐｔ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタ
ンタングステン（ＴｉＷ）、タングステンシリサイド（
ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等を例示
することができる。
前記銀合金としては、銀と銅の合金等が考えられる。
前記金属膜エツチングに先立って前記真空容器にアルゴ
ン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）等の希ガスを含むガス
を導入し、該ガスを所定真空状態下で高周波電圧印加の
もとにプラズマ化し、該プラズマで前記金属膜を表面清
掃処理してもよい。
この場合、希ガスを含むガスは、希ガスのみからなる場
合のほか、希ガスと表面処理に適当な、または支障のな
い他のガスからなるものでもよい。
また、本発明は、前記後者方法を実施するための装置、
すなわち、真空吸引手段にて所定の真空状態を得ること
ができる真空容器と、前記真空容器にハロゲンガスまた
は（および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、ハ
ロゲン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成する恒温
層を有し、該蒸気ガスを前記真空容器に導入する手段と
、前記真空容器内に設けた銀層または（および）銀合金
層を含む金属膜を有するエツチング対象物の支持ホルダ
と、前記真空容器内に導入されるガスをプラズマ化する
ための高周波電源とを備えたことを特徴とするドライエ
ツチング装置を提供する。
〔作　用〕
ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガスと中
性配位子となる物質のガスを用いる本発明方法によると
、真空容器内に導入されるハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスと中性配位子となる物質のガスと
からなる混合ガスが高周波電圧印加のもとにプラズマ化
され、このプラズマが銀または（および）銀合金と反応
してハロゲン化銀が生成され、このハロゲン化銀と中性
配位子とが反応して金属錯体が生成される。この錯体は
蒸気圧が高く、容易に気相中に離脱し、かくして銀層ま
たは（および）銀合金層がエツチングされる。
下地金属層があるときには、銀層または（および）銀合
金層がエツチングされたあと、引き続き該下地金属層が
プラズマによりエツチングされる。
ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガスとハ
ロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを用いる本発明方法
によると、真空容器内に導入されるハロゲンガスまたは
（および）ハロゲン化物のガスとハロゲン化アルミニウ
ムの蒸気ガスとからなる混合ガスが高周波電圧印加のも
とにプラズマ化され、このプラズマが銀または（および
）銀合金と反応してハロゲン化銀が生成され、このハロ
ゲン化銀とハロゲン化アルミニウムとが反応して銀・ア
ルミニウムハロゲン化合物が生成される。
この銀・アルミニウムハロゲン化合物は蒸気圧が高く、
容易に気相中に離脱し、かくして銀層または（および）
銀合金層がエツチングされる。
本発明装置によると、前記ハロゲン化アルミニウムの蒸
気ガスは恒温層において生成され、真空容器に導入され
る。
下地金属層があるときには、銀層または（おより び）銀合金層がエツチングされたあと、引き続き該下地
金属層もプラズマによりエツチングされる。
いずれの方法を採用する場合でも、エツチングに先立っ
てエツチングすべき金属膜表面を希ガスを含むガスのプ
ラズマで清掃処理すれば、該膜上の各種不純物等が除去
される。
〔実　施　例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
先ず、第１図に装置例として示す反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）装置と、これによりハロゲンガスまたは（
および）ハロケン化物のガスと中性配位子となる物質の
ガスを用いて実施する本発明方法例を説明する。
第１図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁３ａ、３ｂおよび流量制御部３ｃを
介して配管接続された中性配位子となる物質のガスボン
へ３、容器１に開閉弁４ａ、４ｂ及び流量制御部４ｃを
介して配管接続されたクリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（
Ａｒ）等の希ガスのボンベ４、容器１に開閉弁５ａ、５
ｂ及び流量制御部５ｃを介して配管接続された三塩化ホ
ウ素ガス（ＢＣｊ２ｉ等のエツチング促進ガスのボンベ
５、容器１に開閉弁６１を介して接続され、該容器内を
所定真空状態にする真空ポンプ６、該容器内に電気絶縁
性シール材７１を介して設置され、エツチング対象物を
支持するホルダ７、該ホルダに接続され、該ホルダに支
持されるエツチング対象物に高周波電圧を印加する高周
波電源８を備えている。
以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための銀（Ａｇ）からなる厚さ３０００人
の金属薄膜を表面に有し、該金属薄膜上にマスク材にて
所定パターンを形成したシリコン半導体ウェーハ９を準
備し、該ウェーハを前記ホルダ７上に載置した。
また、希ガスボンベ４をクリプトン（Ｋｒ）ガスボンベ
、エツチング促進ガスのボンベ５を三塩化ホウ素ガス（
Ｂ（１３）ボンベとした。
そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
容器ｌ内をｌＸｌ０−３（Ｔｏｒｒ）以下の真空状態と
した後、真空容器１内を圧力４゜（ｍＴｏｒｒ）維持し
つつボンベ４からクリプトンガスを流量９０（ｓｃｃｍ
）で真空容器ｌ内に導入し、電源８にて１３．５６　（
ＭＨｚ）、５００〔Ｗ〕の高周波電圧を６０秒印加し、
クリプトンガスのプラズマを発生させ、このプラズマで
露出しているｖＡ薄膜表面の不純物等を除去した。
予め前記ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンベ１として塩素ガス（Ｃｆｆｉｚ）ボンベを、
中性配位子となる物質ガスのボンベ２としてアンモニア
ガス（ＮＨ，）ボンベを採用しておき、第２ステツプと
して１、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒｒ）に維持
しつつ容器１内にボンベ５から流量２５（ｓｃｃｍ）で
三塩化ホウ素ガス（ＢＣｊ！３）を、ボンベ１から流量
２０〔ｓｃｃｍ）で塩素ガス（Ｃ４！ｚ）を、ボンベ３
がら流量２０（ｓｃｃｍ）でアンモニアガス（ＮＨ。
〕を導入し、電源８にて１３．５６　（ＭＨｚ）、３０
０（Ｗ）の高周波電圧を１５０秒印加し、これら混合ガ
スをプラズマ化したところ、前記ウェーへの銀薄膜の３
０００人の異方性エツチングが精度良く実現した。
このエツチングにおいては、露出した銀薄膜部分におい
てハロゲン化銀を生成する反応Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２
・Ｃｌ２→Ａ　ｇ　ＣＩ　Ｘ　　　と、ハロゲン化銀で
ある塩化銀とアンモニアガスの中性配位子とが反応して
銀の金属錯体が生成される反応 ＡｇＣ！！、Ｘ−＋−）ｌＮＨ３→（ＡｇＣＩ！、Ｘ　
（ＮＨ３）ｙ）とが起こる。
ハロゲン化銀は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この金
属錯体（ＡｇＣｌｘ　　（’ＮＨ３）　ｙ）は蒸気圧が
高く、容易に蒸発し、かくしてエツチングが行われる。
塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、アンモニアに代えて他の中
性配位子となる物質のガスを採用した場合でも、他の条
件はそのまま、または必要に応じて調整、変更等するこ
とにより同様に銀層または（および）銀合金層のエツチ
ングを行える。
他のガス組み合わせ例と、その場合の化学反応例を次に
列挙する。
■　塩素ガス（ＣＩ！ｚ　）と水（Ｈ２０）を使用する
場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・ＣＩ！、２→ＡｇＣβヶＡｇ
Ｃ／２Ｘ　＋ｙＨｚ　Ｏ →（Ａ　ｇ　ｃ　ｐｘ　　（ＯＨ２＞　ｙ　）■　塩素
ガス（Ｃｊ２ｚ　）とカルボニル（ＣＯ）である−酸化
炭素ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　２・ＣＩ！、２→ＡｇＣｌ！、ＸＡ
ｇＣＩＸ十ｙＣＯ →（ＡｇＣｆｆｉｘ　　（Ｃｏ）　ｙ）■　塩素ガス（
Ｃ１ｚ　）とニトロシル（ＮＯ）である−酸化窒素ガス
を使用する場合。
Ａｇ十ｘ／２−　ＣＩ！、ｚ　−＋ＡｇＣＡｘＡｇＣＩ
２ｘ＋ｙＮＯ →〔ＡｇＣｌ！、Ｘ　（ＮＯ）ｙ〕 ■　塩素ガス（Ｃ４！ｚ）とメチルアミン（ＮＨ２（Ｃ
Ｈ３））ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・Ｃｌ　ｔ→Ａ　ｇ　Ｃｊ！　
ＸＡｇＣｊ！ｘ　＋ｙＮＦ（ｚ（ＣＨｉ）→（ＡｇＣｊ
！ｘ　　（ＮＨ２（ＣＨｆｆ））ッ〕■　塩素ガス（Ｃ
Ｉ！、２　＞とエチレンジアミン（ＮＨｚ（ＣＨｇ）ｚ
　ＮＨｔ　）ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・Ｃ１，ｚ→Ａ　ｇ　ＣＱ　＊
ＡｇＣｊ！ｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｉ→（Ａ
ｇ　Ｃｆｆ１ｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）
　ｙ　：１■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とアンモニアガ
ス（ＮＨ３）を使用する場合。
Ａｇ十ｘＨＩ−＋Ａｇ　ｌｘ　　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　Ｉ
　Ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈｓ →（Ａｇ　ＩＸ　　（ＮＨ３）ｙ） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と水（Ｈｚ　Ｏ）を使用す
る場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋ＡｇＩｘ　　（＋ｘＨ）Ａｇ　ＩＸ　
＋ｙＨｚ　Ｏ →（Ａｇ　ｌｘ　　（ＯＨｚ　）ｙ　）■　ヨウ化水素
ガス（Ｈｌ）とカルボニル（ＣＯ）である−酸化炭素ガ
スを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ　ＩＫ　　（＋ＸＨ）Ａｇｌｘ＋
ｙＣＯ →［ＡｇＩＸ　（ＣＯ）ｙ］ ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ１．（＋ｘＨ） Ａｇ　ｌｘ　＋ｙＮＯ →（Ａｇ　ｌｘ　　（Ｎｏ）ｙ　） ［相］　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とメチルアミン（ＮＨ
ｚ（ＣＨｓ））ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ１Ｘ　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　Ｉ　Ｘ
　＋　Ｙ　Ｎ　Ｈｚ（ＣＨ３）→（Ａｇ　ＩＸ　　（Ｎ
Ｈ２（ＣＨ３））　ｙ　）■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）
とエチレンジアミン（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）
ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ１ｘ　　（＋ｘＨ）Ａｇ　ＩＸ　
＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ａ　ｇ　Ｉ　ｘ　
　（ＮＨｚ（ＣＨｚ＞ｔ　Ｎ　Ｈ２）　−）■　ヨウ素
ガス（１□）とアンモニアガス（ＮＨ３）を使用する場
合。
Ａｇ十ｘ／２　・Ｉｔ　→Ａｇ　ＩＫ Ａ　ｇ　Ｉ　Ｘ　＋　）’　Ｎ　Ｈ３ →（Ａｇ　ＩＸ　　（ＮＨ：ｌ）、） ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）と水ＣＨｚ　Ｏ）を使用す
る場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　２　・Ｉ　ｔ→Ａ　ｇ　Ｉ　ＫＡｇ
　ＩＸ　＋ｙＨｚ　Ｏ →（Ａｇ　ＩＸ　　（ＯＨｚ、）　ｙ）［相］　ヨウ素
ガス（Ｉ２）とカルボニル（ＣＯ）である−酸化炭素ガ
スを使用する場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　２・Ｉ２→ＡｇｌｘＡｇ　Ｉ、＋ｙ
ｃ。
→（Ａｇ　ＩＸ　　（Ｃｏ）ｙ　） ■　ヨウ素ガス（Ｉ２）とニトロシル（ＮＯ）である−
酸化窒素ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・Ｉ２→ＡｇＩ）（Ａｇ　ＩＫ
＋ｙＮ。
→〔ＡｇＩ、Ｉ　（ＮＯ）ｙ〕 ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）とメチルアミン（ＮＨ２Ｃ
ＣＨ３））ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・Ｉｔ→ＡｇＩｘＡ　ｇ　Ｉ　
Ｘ　＋　Ｙ　Ｎ　Ｈｚ（ＣＨ３）→（Ａｇ　ＩＸ　　（
ＮＨ２（ＣＨ：ｌ））　、　）■　ヨウ素ガス（Ｉ２）
とエチレンジアミン（ＮＨｚ（ＣＨｔ）ｚ　ＮＨｚ）ガ
スを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・■、→Ａ　ｇ　Ｉ　ＸＡｇ　
Ｉｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ａｇ　ＩＸ
　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ２１ｙ）［相］　臭化
水素ガス（ＨＢｒ）とアンモニアガス（ＮＨ３）を使用
する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−＞ＡｇＢｒｘ　　（十ｘＨ）ＡｇＢｒ
ｘ　＋ｙＮＨ３ →（Ａ　ｇ　Ｂ　ｒｘ　　（ＮＨｓ）ｙ　）［相］　臭
化水素ガス（ＨＢｒ）と水（Ｈ２ｏ）を使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ→ＡｇＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＡｇＢｒ、
ｌ＋ｙＨ２０ −＋（ＡｇＢｒｘ　　（ＯＨ２）ｙ：］［相］　臭化水
素ガス（ＨＢｒ）とカルボニル（Ｃｏ）である−酸化炭
素ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−ｓＡｇＢｒｘ　　（十ｘＨ）ＡｇＢｒ
ｘ　＋ｙＣＯ →（Ａｇ　Ｂ　ｒｘ　　（Ｃｏ）　ｙ　）■　臭化水素
ガス（ＨＢｒ）とニトロシル（ＮＯ）である−酸化窒素
ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−ｓＡｇＢｒｘ　　（十ｘＨ）ＡｇＢｒ
ｘ＋）’Ｎ。
→〔ＡｇＢｒＸ　（ＮＯ）ｙ〕 ＠　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とメチルアミン（ＮＨ２（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−ｓＡｇＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　
Ｂ　ｒ　ｘ　＋　）’　Ｎ　Ｈ２（ＣＨ３）→（ＡｇＢ
　ｒｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨ３））　ｙ　）０　臭化水素
ガス（ＨＢｒ）とエチレンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ２）
２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−ｓＡｇＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＡｇＢｒ
ｘ　＋ｙＮＨ２（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ａｇ　Ｂ　ｒ
ｗ　　（ＮＨＫ（ＣＨ２）２　ＮＨ２）　ｙ　）［相］
　四フッ化炭素（ＣＦ４）とアンモニアガス（ＮＨ３）
を使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　４・ＣＦ４→ＡｇＦｘ（十ｘ／４
・Ｃ）ＡｇＦｘ　＋　ｙＮＨ３ →（ＡｇＦｘ　　（ＮＨ３）Ｙ　） ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ４）と水（Ｈ２０）を使用
する場合。
Ａｇ＋ｘ／４　ＨＣＦ４→ＡｇＦＸ　　（＋Ｘ／４−　
Ｃ）Ａ　ｇ　Ｆｘ　＋　ｙ　Ｈ２０ →（ＡｇＦＸ　　（ＯＨ２）ｙ） ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ４）とカルボニル（ＣＯ）
である−酸化炭素ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘ／４　・ＣＦ４　→ＡｇＦＫ　　（＋ｘ／４　
・Ｃ）ＡｇＦｘ＋ｙＣＯ →［ＡｇＦｉｌ　　（Ｃｏ）　ｙ） 〇　四フッ化炭素（ＣＦ４）とニトロシル（Ｎｏ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　４・ＣＦ４→Ａ　ｇ　Ｆ　Ｘ　　（
＋　ｘ　／　４・Ｃ）ＡｇＦｘ＋ｙＮＯ →（ＡｇＦＸ　　（ＮＯ）　ｙ） ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ４）とメチルアミン（ＮＨ
２（ＣＨ３））ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　４・ＣＦ、→ＡｇＦや　（＋χ／４
・Ｃ）ＡｇＦｘ　＋ｙＮＨ２（ＣＨ３） →（ＡｇＦｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ：＋））　、）［相］
　四フッ化炭素（ＣＦ４）とエチレンジアミン（ＮＨ２
（ＣＨ２）２ＮＨ２）ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　十ｘ　／　４・ＣＦ４→ＡｇＦＸ（十ｘ／４・
Ｃ）Ａ　ｇ　Ｆ　ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈｚ（ＣＨｚ）ｇ　
Ｎ　Ｈ２→（Ａ　ｇ　Ｆ　ｘ　　（Ｎ　Ｈｚ　（ＣＨｚ
　）　ｚ　Ｎ　Ｈｚ　ｌア〕なお、金属薄膜が銀合金か
らなる場合でも同様にエツチングを行える。
また、銀薄膜や銀合金の薄膜が下地金属層を介して形成
されている場合、該銀薄膜部分や銀合金の薄膜部分がエ
ツチングされたのち、該下地金属層も引き続きハロゲン
ガスまたは（および）ノ＼ロゲン化物ガスのプラズマに
より従来同様にエツチングできる。
次に、第２図に装置例として示す反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）装置と、これによりハロゲンガスまたは（
および）ハロゲン化物のガスとハロゲン化アルミニウム
の蒸気ガスを用いて実施する本発明方法例を説明する。
第２図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁４ａ。
４ｂ及び流量制御部４ｃを介して配管接続されたクリプ
トン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａ　ｒ　）等の希ガスのボン
ベ４、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制御部５ｃを
介して配管接続された三塩化ホウ素ガス（ＢＣＥ３）等
のエツチング促進ガスのボンベ５、容器１に開閉弁１０
ａ、１０ｂおよび流量制御部１０ｃを介して配管接続さ
れたハロゲン化アルミニウムの蒸気ガス住成用恒温槽１
０、容器１に開閉弁６１を介して接続され、該容器内を
所定真空状態にする真空ポンプ６、該容器内に電気絶縁
性シール材７１を介して設置され、エツチング対象物を
支持するホルダ７、該ホルダに接続され、該ホルダに支
持されるエツチング対象物に高周波電圧を印加する高周
波電源８を備えている。
なお、恒温槽１０は加熱温度を調節してハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガス発生量を調節できるものである。
以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するだめの銀（Ａｇ）からなる厚さ３０００人
の金属薄膜を表面に有し、該金属薄膜上にマスク材にて
所定パターンを形成したシリコン半導体ウェーハ９を準
備し、該ウェーハを前記ホルダ７上に載置した。
また、希ガスボンへ４をクリプトン（Ｋｒ）ガスボンベ
、エツチング促進ガスのボンベ５を三塩化ホウ素ガス（
ＢＣ／！３）ボンベとした。
そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
、容器１内をｌＸｌ０−３（Ｔｏｒｒ）以下の真空状態
とした後、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒｒ）に維
持しつつボンベ４からクリプトンガスを流量９０（ｓｃ
ｃｍ）で真空容器１内に導入し、電源８にて１３．５６
　（ＭＨｚ）、５００（Ｗ）の高周波電圧を６０秒印加
し、クリプトンガスのプラズマを発生させ、このプラズ
マで露出している銀薄膜表面の不純物等を除去した。
予め前記ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンベ１として塩素ガス（ＣＩ！、ｚ）ボンベを採
用しておくとともに、恒温槽ｌＯにはハロゲン化アルミ
ニウムとして固体塩化アルミニウム（ＡＡＣｊ２．）を
入れ、１６０°Ｃで加熱してその蒸気ガスを生成できる
ようにしておき、真空容器１内を圧力４０　（ｍＴｏ　
ｒ　ｒ）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流量２５
　（ｓｃｃｍ）で三塩化ホウ素ガス（Ｂ、Ｃｊ！、）を
、ボンへ１から流量２０（ｓｃｃｍ）で塩素ガス（ＣＩ
！、２）を、恒温層１０から流量１００１００（ｓｃで
塩化アルミニウム（Ａｊ２Ｃｊ！＋）の蒸気ガスをを導
入し、電源８にて１３．５６　（ＭＨｚ）、２７５　［
Ｗ）の高周波電圧を１５０秒印加し、これら混合ガスを
プラズマ化したところ、前記ウェーハの銀薄膜の３００
０人の異方性エツチングが精度良く実現した。
このエツチングにおいては、露出した銀薄膜部分におい
てハロゲン化銀を生成する反応Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２
・Ｃ２□→Ａ　ｇ　ＣＱ　Ｘ　　　と、ハロゲン化銀で
ある塩化銀と塩化アルミニウム（Ａｊ２Ｃｆｆｉ３）の
蒸気ガスとが反応して銀・アルミニウムハロゲン化合物
を生成する反応ＡｇＣｌ！、つ＋ｙＡｌＣ乏３ →（Ａ　ｌ−ｙ　Ａ　ｇ　Ｃ４２Ｘ　３ｙ］　とが起こ
る。
ハロゲン化銀は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この銀
・アルミニウムハロゲン化合物は容易に気相中に蒸発し
、かくしてエツチングが行われる。
塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、塩化アルミニウム（Ａ／２
Ｃｆｆｉ３）に代えて他のハロゲン化アルミニウムを採
用した場合でも、他の条件はそのまま、または必要に応
じて調整、変更等することにより、同様に銀層または（
および）銀合金層のエツチングを行える。
他のガスの組み合わせ例とその場合の化学反応例を次に
列挙する。
■　塩素ガス（Ｃｊ２ｚ）と臭化アルミニウム（Ａ９　
ら ｊ２Ｂｒ：＋）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・ｃｇｚ→ＡｇＣｊ２ＸＡｇＣ
ｊ２ｘ　＋ｙＡｊ２Ｂｒ３ −　（Ａ　ｌｙＡ　ｇ　Ｃｌｘ　Ｂ　ｒ　３１１）■　
塩素ガス（ｃｐｚ）とヨウ化アルミニウム（Ａｊ！Ｉ３
）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・ＣＩ！、２→Ａ　、ｇ　ＣＩ
！、　ＸＡｇＣ１ｘ　＋ｙＡＩ　Ｌ →（Ａ　Ｅｙ　Ａ　ｇ　Ｃ１−ｘ　　Ｉ　３Ｙ）■　フ
ッ化水素ガス（ＨＦ）と塩化アルミニウム（ＡｎＣＩ！
、、）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＦ→ＡｇＦｘ　　（十ｘＨ）ＡｇＦｘ　＋ｙ
Ａ！！、Ｃｊ２３ →〔ＡｌｙＡ　ｇ　ＦＸ　Ｃｐ３ｙ） ■　フン化水素ガス（ＨＦ）と臭化アルミニウム（Ａｊ
２Ｂｒ：＋）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＦ−＋ＡｇＦｘ　　（＋ｘＨ）ＡｇＦｘ　＋
ｙＡ／２Ｂｒ３ →〔Ａｎｙ　Ａｇ　Ｆｘ　Ｂ　ｒ３ｙ）■　フッ化水素
ガス（ＨＦ）とヨウ化アルミニウム（ＡｆＩ３）の蒸気
ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＦ−＋ＡｇＦｘ　　（＋ｘＨ）ＡｇＦ、＋ｙ
ＡＩ！、Ｉ。
→（Ａ、ｅ、ＡｇＦｘ　　ｌ３ｙ） ■　フッ素ガス（Ｆ２）と塩化アルミニウム（ＡＩＣＺ
、）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＦ−＞ＡｇＦｘ　　（＋ｘＨ）　　　　′Ａ
　ｇ　Ｆ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｌ−３→〔ＡＩ！、
ｙＡｇＦつＣｆ５ｙ） ■　フッ素ガス（Ｆ２）と臭化アルミニウム（Ａ２Ｂｒ
ｉ）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘ／２　・Ｆ、−＋ＡｇＦ。
Ａ　ｇ　Ｆ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　＊→（ＡＩ
２ｙ　Ａｇ　Ｆｘ　Ｂ　ｒｚｙ）■　フッ素ガス（Ｆ、
）とヨウ化アルミニウム（Ａｘｒ、）の蒸気ガスを使用
する場合。
Ａｇ＋ｘ／２・Ｆｔ−＋ＡｇＦＸ ＡｇＦＸ　＋ｙＡＩ！、１３ →（Ａ　１−　ｙ　Ａ　ｇ　Ｆ　ＸＩ　３３’　）■　
塩化水素ガス（ＨＣＩ！、）と塩化アルミニウム（Ａｆ
（ｌｉの蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＣ１−＋ＡｇＣｆｘ　　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　
Ｃｌ　ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｉ！　！→ＣＡＩ２ｙＡ
ｇＣ１ｘヤ３ｙ　） ［相］　塩化水素ガス（ＨＣＩ！、）と臭化アルミニウ
ム（ＡｌＢｒ３）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＣｊ２−＋Ａｇ（、ｅＸ　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ
　ＣＩ　Ｘ　十ｙ　Ａ　ｆ　Ｂ　ｒ　ｘ＝　〔Ａｎｙ　
Ａｇ　Ｃ１！ｘ　Ｂ　ｒ：＋ｙ）■　塩化水素ガス（Ｈ
Ｃｆ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｆｉｌ、）の蒸気ガ
スを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＣｊ２−＋ＡｇＣ４２ｘ　　（＋ｘＨ）Ａｇ
Ｃ１ｘ　＋ｙＡｌ　１３ →（Ａ　ｌｖ　Ａ　ｇ　Ｃｌｘ　　Ｉ　、ｙ）＠　臭素
ガス（Ｂｒｚ）と塩化アルミニウム（ＡｆＣ２３）の蒸
気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　−＋ＡｇＢ　ｒ。
ＡｇＢｒｘ　＋ｙＡ−ｊＩＣｊ！ｓ ＝　（Ａｊ２ｙ　Ａｇ　Ｂ　ｒＸＣｌｚｙ）■　臭素ガ
ス（Ｂｒｚ）と臭化アルミニウム（Ａ１Ｂｒ：＋）の蒸
気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘ／２・Ｂｒｚ−＋ＡｇＢｒ。
ＡｇＢｒｘ　＋ｙＡＩ！、Ｂｒｓ →（ＡＩ！、、ＡｇＢｒ叶ｉｙ） ［相］　臭素ガス（Ｂｒｚ）とヨウ化アルミニウム（Ａ
ｆｆｉｌ、）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　→ＡｇＢ　ｒＸＡｇＢｒｘ
　＋ｙＡｌ　ｒ＋ →（Ａ１．ｙ　Ａｇ　Ｂ　ｒＸ　　Ｉ　３／）■　臭化
水素ガス（ＨＢｒ）と塩化アルミニウム（／１／２（Ｉ
ｆｆ）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−＋ＡｇＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＡｇＢ　
ｒｘ　＋ｙＡＩＣ１，３ →（Ａｆｆｙ　Ａｇ　Ｂ　ｒｘ　Ｃ１＊ｙ）［相］　臭
化水素ガス（ＨＢｒ）と臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３
）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−＋ＡｇＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　
Ｂ　ｒ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ！、　Ｂ　ｒ　３→　（Ａ
　ｌ　ｙ　　Ａ　ｇ　Ｂ　　ｒ　ｘ士ｉｙ）■　臭化水
素ガス（ＨＢｒ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆ１３）の
蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＢｒ−＋ＡｇＢｒ、（＋ｘＨ）Ａ　ｇ　Ｂ　
ｒ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　ｌ　ｒ　３→〔Ａｎｙ　Ａ　ｇ　
Ｂ　ｒ　Ｘ　　Ｉ　３Ｖ）［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）
と塩化アルミニウム（ＡＩＣ！、）の蒸気ガスを使用す
る場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・■２→ＡｇＴｘＡ　ｇ　Ｉ　
Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｌ　３→（Ａｊ２．　Ａｇ　Ｉ
Ｘ　ｃｐｉｙ〕［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）と臭化アル
ミニウム（Ａｊ２Ｂｒ＋）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・■２→Ａ　ｇ　Ｉ　ＸＡ　ｇ
　Ｉ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　：１−’＞　（Ａ
ｌ、　Ａｇ　［Ｘ　Ｂ　ｌ３ｙ）［相］　ヨウ素ガス（
Ｉ２）とヨウ化アルミニウム（Ａｆ！ｒ３）の蒸気ガス
を使用する場合。
Ａ　ｇ　＋　ｘ　／　２・Ｉ２→Ａ　ｇ　Ｉ　ＭＡｇ　
ｒｘ　＋ｙＡＩ　Ｉ３ →　（Ａ　Ｒ、Ａ　ｇ　　Ｉ　ｘ−Ｈｙ）■　ヨウ化水
素ガス（ＨＩ）と塩化アルミニウムＣＡｌＣ１ｚ＞の蒸
気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ　ＩＸ　　（＋χＨ）Ａｇ　ＩＸ
　＋ｙＡｌｃｌｓ →（ＡｚｙＡｇ　ＩＸ　（１３ｙ） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と臭化アルミニウム（Ａｊ
２Ｂｒ、）の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ→Ａｇ１ｘ（＋χＨ） Ａｇ　ＩＸ＋ｙＡｊ！Ｂ　ｒ３ →（Ａｎ！ｙ　Ａｇ　ＩＸ　Ｂ　ｒ、１ｙ）０　ヨウ化
水素ガス（Ｈｌ）とヨウ化アルミニウム（ＡＩｌＩ３）
の蒸気ガスを使用する場合。
Ａｇ＋ｘＨＩ−＋Ａｇ　ＴＸ　　（＋ＸＨ）Ａｇ　ＩＸ
　＋ｙＡｆ　１３ →（Ａ　１　ｙ　Ａ　ｇ　Ｉ　ｘ＋３ｙ）なお、金属薄
膜が銀合金からなる場合でも同様にエツチングを行える
。
また、銀薄膜や銀合金の薄膜が下地金属層を介して形成
されている場合、該銀薄膜部分や銀合金の薄膜部分がエ
ツチングされたのち、該下地金属層も引き続き従来同様
にエツチングできる。
なお、以上説明した実施例では反応性イオンエツチング
法（ＲＩＢ）を採用したが、本発明は、この方法に限ら
ず、その他の各種ドライエツチング法、例えば、電子サ
イクロトロン共鳴エツチング（ＥＣＲ）　、マグネトロ
ンエツチング、プラズマエツチング等にも適用可能であ
る。
また、前記実施例では、エツチング対象物としてシリコ
ン半導体ウェーハを例示したが、本発明は、シリコン半
導体、化合物半導体等の各種半導体基板、プリント基板
等に適用できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によると、従来エツチング方
法に比べ、早（、精度良くエツチングでき、工業的に有
利な銀層または（および）銀合金層を含む金属膜のドラ
イエツチング方法および該方法を実施する装置を提供で
きる。
エツチングに先立ってエツチングすべき金属膜表面を希
ガスを含むガスのプラズマで清掃処理するときは、該膜
上の各種不純物等が除去され、その後の工・ンチング処
理がそれだけ円滑に行われる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の実施に使用する装置の一例の概略
構成図、第２図は本発明方法の実施に使用する装置の他
の例の概略構成図である。 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンベ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンベ４・・・希
ガスボンベ ５・・・エツチング促進ガスボンベ ６・・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・・高周波電源 ９・・・半導体ウェーハ １０・・・恒温槽 出願人　日新ハイチック株式会社 壇　　　　　′（ 口　　　　　　八 〆　　　　　　要 セ　　　　　　Ｋ −（へ）　！■■ｔ＋−ω■−

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
    スと、中性配位子となる物質のガスとを真空容器に導入
    し、これら混合ガスを所定真空状態下で高周波電圧印加
    のもとにプラズマ化し、該プラズマで銀層または（およ
    び）銀合金層を含む金属膜をエッチングするドライエッ
    チング方法。
  2. （２）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
    スと、ハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを真空容器
    に導入し、これら混合ガスを所定真空状態下で高周波電
    圧印加のもとにプラズマ化し、該プラズマで銀層または
    （および）銀合金層を含む金属膜をエッチングするドラ
    イエッチング方法。
  3. （３）前記金属膜エッチングに先立って前記真空容器に
    希ガスを含むガスを導入し、該ガスを、所定真空状態下
    で高周波電圧印加のもとにプラズマ化し、該プラズマで
    前記金属膜を表面清掃処理する請求項１又は２記載のド
    ライエッチング方法。
  4. （４）前記金属膜が銀層または（および）銀合金層とこ
    れに積層された下地金属層を含んでいる請求項１、２ま
    たは３記載のドライエッチング方法。
  5. （５）真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることがで
    きる真空容器と、前記真空容器にハロゲンガスまたは（
    および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、ハロゲ
    ン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成する恒温層を
    有し、該蒸気ガスを前記真空容器に導入する手段と、前
    記真空容器内に設けた銀層または（および）銀合金層を
    含む金属膜を有するエッチング対象物の支持ホルダと、
    前記真空容器内に導入されるガスをプラズマ化するため
    の高周波電源とを備えたことを特徴とするドライエッチ
    ング装置。
JP31095090A 1990-11-16 1990-11-16 ドライエッチング方法および装置 Pending JPH04183880A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31095090A JPH04183880A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ドライエッチング方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31095090A JPH04183880A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ドライエッチング方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04183880A true JPH04183880A (ja) 1992-06-30

Family

ID=18011349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31095090A Pending JPH04183880A (ja) 1990-11-16 1990-11-16 ドライエッチング方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04183880A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060172A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp 金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法
CN106770157A (zh) * 2016-11-23 2017-05-31 国家纳米科学中心 一种表面增强拉曼基底及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060172A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp 金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法
JP4534664B2 (ja) * 2004-08-24 2010-09-01 ソニー株式会社 磁気記憶装置の製造方法
CN106770157A (zh) * 2016-11-23 2017-05-31 国家纳米科学中心 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN106770157B (zh) * 2016-11-23 2020-09-29 国家纳米科学中心 一种表面增强拉曼基底及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5306666A (en) Process for forming a thin metal film by chemical vapor deposition
US20190013211A1 (en) Tantalum-containing material removal
US4511429A (en) Process for dry etching of aluminum and its alloy
JPH04199824A (ja) ドライエッチング方法
JPH04183880A (ja) ドライエッチング方法および装置
JPH04173988A (ja) ドライエッチング方法
US6498109B2 (en) System and method for plasma etching
JPS61224313A (ja) 気相薄膜成長方法
JP2697602B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04183879A (ja) ドライエッチング方法および装置
JPH04199821A (ja) ドライエッチング装置
JPH04199827A (ja) ドライエッチング方法
JPH04187787A (ja) ドライエッチング方法
JPH07161687A (ja) ドライエッチング方法及び装置
CN107768244A (zh) 非晶质硅膜的形成方法
JP2003086568A (ja) エッチング方法
JP3256707B2 (ja) 銅薄膜のドライエッチング方法
JPH04208526A (ja) ドライエッチング方法および装置
JPH04199826A (ja) ドライエッチング後防食処理方法
JPH04199820A (ja) ドライエッチング装置
JPH04180580A (ja) ドライエッチング方法およびその装置
JP3522738B2 (ja) 化学気相成長による金属薄膜形成方法
JPH0323633A (ja) ドライエッチング方法
JP2001102345A (ja) 表面処理方法および装置
JPH04199819A (ja) ドライエッチング方法および装置