JPH04199819A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体ウェハ、プリント配線基板等に
おける電極や配線などを形成するための〔従来の技術］ 従来、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡＳ）半
導体等の各種基板やプリント配線基板等における電極や
配線などを形成するための金属膜として良く知られてい
るものに、アルミニウム膜、アルミニウム合金膜、銅膜
、銅合金膜がある。

これら金属膜から電極や配線等を形成するためのエツチ
ング方法としては、反応性イオンエツチング装置による
ドライエツチングや各種酸性水溶液等からなる反応性水
溶液によるウェットエツチングが知られている。

但し、銅またはその合金については、ドライ条件（気相
）でエツチングされ難く、特に塩素ガス（Ｃｆｆｉｚ）
等の反応性ガスを用いる反応性イオンエツチング装置に
よるエツチング方法では、反応性ガスと銅が化学変化し
て銅またはこれを含有する金属薄膜の表面に蒸気圧の低
い塩化銅（ＣｕＣｐｘ）等の銅化合物（ＣｕＸ）が住成
し、金属薄膜がほとんどエツチングされない。従って銅
またはこれを含有する金属薄膜の所定部分をエツチング
除去し、電極や配線などを形成するためには、各種酸性
水溶液等からなる反応性水溶液によるウェットエツチン
グ方法が採用されている。

このウェットエツチング方法は、表面に銅またはこれを
含有する金属薄膜と所定マスクパターン薄膜とを種層形
成した基板を、容器の中に入れた反応性水溶液に浸漬す
ることにより、表面に露出した銅またはこれを含有する
金属薄膜を化学反応で反応性水溶液に溶解させ、所定部
分の金属薄膜のみを基板の表面に残し、電極または配線
などを形成するものである。

一方、金、金合金、銀、銀合金のエツチング方法として
は、イオンミリング法を利用することが考えられ。

この方法は、アルゴン（Ａ　ｒ　）のような不活性ガス
をイオン源にてイオン化し、このイオンビームで金属膜
を物理的にエツチングするものである。

〔発明が解決しようとする課Ｂ］ しかしながら、銅についてのウェットエツチング方法は
、基板の浸漬時間による反応性水溶液の組成や反応性水
溶液の液温管理の制御性が悪く、エツチング量の均一性
に欠け、集積度の高いＩＣ等の量産に適さない。

また、反応性水溶液ではエツチングが等方的に行われる
ため、銅または銅を含有する金属薄膜の横方向のエツチ
ング（アンダーカット）が避けられない。

また、前記イオンミリング法によるエツチングはエツチ
ング速度が極めて遅（、生産性が悪い。

その上、マスク材や下地に対する選択性乃至選択比が悪
く、微細パターンを精度−良く形成することは困難であ
る。　　　−− １そこで本発明は、銅１、銅合金、金、金合金、銀、銀
合金等の金属膜を早く、精度良くエツチングでき、併せ
て、該エツチング処理において該金属膜のエツチング終
了を容易に判断できるドライエツチング方法および装置
を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明は前記目的に従い、ハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスと、中性配位子となる物質のガス
またはハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとを真空容器
へ導入し、これら混合ガスを所定真空状態下で電圧印加
のもとにプラズマ化し、該プラズマ発光のうち予め定め
た波長光の強度を検出しつつ該プラズマで銅、銅合金、
金、金合金、銀および銀合金の少な（とも一種からなる
金属膜をドライエツチングし、該エツチング処理は前記
波長光強度が予め定めた強度以上である間行うことを特
徴とするドライエツチング方法を提供する。　　　　　
、　　　　・ また、本発明は前記目的に従い、 真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることができる真
空容器と夷前記真空容器にハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、前記真空容器
に中性配位子となる物質のガスを導入する手段と、前記
真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀および銀
合金の少なくとも一種からなる金属膜を有するエツチン
グ対象物の支持ホルダと、前記真空容器に導入されるガ
スをプラズマ化するための電源と、前記真空容器内のプ
ラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度を検出する手
段とを備えたことを特徴とするドライエツチング装置、
および 真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることができる真
空容器と、前記真空容器へハロゲンガスまたは（および
）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、前記真空容器
へハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスを導入する手段と
、前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀お
よび銀合金の少なくとも一種からなる金属膜を有するエ
ツチング対象物の支持ホルダと、前記真空容器に導入さ
れるガスをプラズマ化するための電源と、前記真空容器
内のプラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度を検出
する手段とを備えたことを特徴とするドライエツチング
装置を捉供する。

前記ハロゲンガスとしては、フッ素（Ｆｚ）、塩素ｃｃ
ｉ、＞、臭素（Ｂｒｚ）、ヨウ素（Ｉ　ｔ）等のガスを
挙げることができる。

また、前記ハロゲン化物のガスは、フッ化水素（ＨＦ）
、塩化水素（ＨＣｆｆｉ）　、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨ
ウ化水素（ＨＩ）等のハロゲン化水素、フン化炭素（Ｃ
Ｆ４）等のハロゲン化炭素などのハロゲン元素を含む物
質のガスである。

前記中性配位子となる物質には、アンモニア（ＮＨ３）
、水（Ｈ２ｏ）　、カルボニル（ＣＯ）、ニトロシル（
Ｎｏ）　、メチルアミン（ＮＨ２（ＣＨｌ））の如き第
１級アミン、ジメチルアミン（ＮＨｚ　　（ｃＨｓ）ｚ
　）の如き第２級アミン、トリメチルアミン（ＮＨ＊（
ＣＨ３）３）の如き第３級アミン、エチレンジアミン（
Ｎ　ＨｚＣＣＨｚ）ｚ　Ｎ　Ｈｚ　）等の単座または多
座配位子を有する物質を例示できる。

また、ハロゲン化アルミニウムとしては、塩化アルミニ
ウム（Ａｆ　Ｃｉｚ　）　２、臭化アルミニウム（Ａｌ
Ｂｒ３）、ヨウ化アルミニウム（ＡｆｉＩ３）等で、蒸
発すると、二量体分子の、または単量体分子と二量体分
子とが共存する蒸気ガスとなるものなどが考えられる。

検出すべきプラズマ発光の波長光およびその強度はエツ
チングしようとする金属膜、使用するガスの種類に応じ
て定めればよい。また、検出すべき波長光は一定のもで
も、或いは予め定めた範囲の波長に属するものでもよい
。

プラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度を検出する
手段としては、モノクロメータ、フォトダイオードアレ
イ、一定の波長光を通過させるフィルタと光センサの組
み合わせを例示できる。

本発明において、真空容器内のプラズマ発光のうち予め
定めた波長光の強度を検出し、ドライエツチング装置に
その強度検出のための手段を設けるのは、ドライエツチ
ングにおいてエツチングすべき銅等の金属膜が未だ残っ
ている間は、使用ガスおよび一エツチング金属膜に応じ
て、プラズマ発光のうちのある波長光につき発光強度が
大であり、該波長光が予め定めた強度で出ている間は未
だエツチングすべき金属膜が残っており、毎の強度が前
記予め定めた大きさよりも低下すると、該金属膜のエツ
チングが終了したと判断できることに基づいている。

〔作　用〕　　　　− 本発明によると、′　ハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスと中性配位子となる物質のガスを用い
るときには、例えばｆｌｌｌ！のエツチングを例にとる
と、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガス
のプラズマが銅と反応してハロゲン化銅が生成され、こ
の六ロゲン化銅と中性配位子となる物質のガスのプラズ
マとが反応して銅の金属錯体が生成される。この諸株は
蒸気圧が高く、容易に気相中に脱離し、かくして網膜が
ドライエツチングされる。

また、中性配位子となる物質のガスに代えて、ハロゲン
化アルミニウムの蒸気ガスを用いるときには、ハロゲン
ガスまたは（および）ハロゲン化物のガスのプラズマが
銅と反応してハロゲン化銅が生成され、このハロゲン化
銅とハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスのプラズマとが
反応して銅・アルミニウムハロゲン化合物が生成され、
これが容易に気相中へ脱離し、かくして銅膜がエツチン
グされる。

金、銀等についても同様にドライエツチングされる。

また、かかるエツチング処理においては、プラズマ発光
のうち、予め定めた波長光の強度が検出され、該強度が
予め定めた大きさの間はエツチング処理を続けるが、そ
の大きさよりも低下すると、所定金属膜のエツチングが
終了したと判断してエツチング処理を終了する。

〔実　施　例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図に本発明装置例として示す反応性イオンエツチン
グ（ＲＩＥ）装置と、これによりハロゲンガスまたは（
および）ハロゲン化物のガスと中性配位子となる物質の
ガスを用いて行うドライエツチング例につき説明する。

第１図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２Ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁３ａ、３ｂおよび流量制御部３Ｃを
介して配管接続された中性配位子となる物質のガスのボ
ンベ３、容器１に開閉弁４ａ、４ｂ及び流量制御部４Ｃ
を介して配管接続された前処理用のクリプトン（Ｋｒ）
、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスまたは該希ガスを含むガ
スのボンベ４、容器ｌに開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制御
部５Ｃを介して配管接続された三塩化ホウ素ガス（Ｂ’
Ｃｆ：＋）等のエツチング促進ガスのボンベ５、容器１
に開閉弁６１を介して接続され、該容器内を所定真空状
態にする真空ポンプ６、該容器内に電気絶縁性シール材
７１を介して設置され、エツチング対象物を支持するホ
ルダ７、該ホルダに接続された高周波電圧を印加する高
周波電源８、真空容器内のプラズマ発光のうち予め定め
た波長光のみを通過させるフィルタＦおよび該フィルタ
を通過した光の強度を検出する光センサＬを備えている
。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための厚さ５０００人の銅（Ｃｕ）からな
る金属薄膜を表面に有し、該金属薄膜上にマスク材にて
所定パターンを形成し、該金属薄膜と基板上のシリコン
酸化膜との間にチタン（Ｔｉ）からなる厚さ２０００人
の下地金属層を有する直径５インチのシリコン半導体ウ
ェハ９を準備し、該ウェハを前記ホルダ７上に載置した
。

なお、下地金属層は、半導体ウェハ等では、配線や電極
を形成するための金属層の下に積層され、本来の金属膜
と同じパターンでエツチングされるもので、通常、金属
膜の付着強化や、拡散防止、オーミックコンタクトをと
る等の目的で設けられる。該下地金属層としては前記例
の他、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングス
テン（ＴｉＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、
モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等を例示することが
できる。

また、ボンベ４はクリプトン（Ｋｒ）ガスボンへ、エツ
チング促進ガスのボンへ５は三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ
２）ボンベとした。

さらに、前記フィルタＦとして、波長が約４００ｎｍ〜
７５０　ｎｍの範囲のプラズマ発光を通過させるフィル
タを採用した。

なお、フィルタをこのように選択した理由は、実験によ
ると、銅をエツチングしているときは、第３図に示すエ
ツチングすべき銅が未だあるときの発光強度を示すライ
ン■から分かるように、波長４１０ｎｍ〜４５５　ｎｍ
付近に大きな発光がみられ（ピーク：約４３０ｎｍ、４
３８．ｎｍ）、また、４６０　ｎｍ〜５４０　ｎｍにも
ピークがみられ（ピーク：約４８２ｎｍ、４９３ｎｍ、
５０２ｎｍ、５２０ｎｍ）、この発光は、銅および下地
金属層がエツチングされ、下地のシリコン酸化膜が表面
にでてくると見えなくなるからである。２５０ｎｍ〜７
５０　ｎｍまでの発光強度は全体として銅をエツチング
中のときの方が高く、これは、銅が遷移金属であり、そ
の錯体や化合物の可視、近紫外での発光スペクトルはシ
リコン酸化膜やシリコンの発光スペクトルやその化合物
の発光スペクトルに比べて多くもつことによると考えら
れる。

なお、第３図においてライン■はエツチングすべき銅が
無くなった状態を示している。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、先ず
容器１内をｌＸｌ０−３（Ｔｏｒｒ）以下の真空状態と
した後、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒｒ）に維持
しつつボンベ４がらクリプトンガスを流量９０（ｓｃｃ
ｍ〕で真空容器１内に導入し、電源８にて１３．５６　
（ＭＨｚ）、５００（Ｗ）の高周波電圧を６０秒印加し
、クリプトンガスのプラズマを発生させ、このプラズマ
で露出している銅薄膜表面の不純物等を除去した。

予めハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスの
ボンベ２として塩素ガス（ＣＬ　）ボンベを採用してお
くとともに中性配位子となる物質のガスボンベ３として
アンモニアガス（ＮＨ３）ボンへを採用しておき、第２
ステツプとして、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒｒ
）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流量２５（ｓｃ
ｃｍ）で三塩化ホウ素ガス（ＢＣｊ２３＞を、ボンベ２
から流量２０（ｓｃｃｍ）で塩素ガス（Ｃ４！ｚ　）を
、ボンベ３から流量２０（ｓｃｃｍ）でアンモニアガス
（ＮＨｓ）を導入し、電源８にて１３．５６（ＭＨｚ）
、３００　（Ｗｌの高周波電圧を印加し、これら混合ガ
スをプラズマ化した。

このプラズマ発光強度を前記フィルタＦを介して光セン
サしで検出し、該強度がエツチング開始後１５秒のとき
の強度の９０％になってからさらに１００秒間エツチン
グ処理を続けたのち、該処理を終了した。エツチング開
始から終了までの時間は約２２０秒であった。このエツ
チング処理により前記ウェハの銅薄膜の５０００人の異
方性エツチングが精度良く実現した。

なお、下地金属層もこの時間中に銅膜のエツチング後引
き続きプラズマによりエツチングされた。

このドライエツチングにおいては、露出した銅薄膜部分
においてハロゲン化銅を生成する反応Ｃｕ＋ｘ／２　・
Ｃ１ｚ　→ＣｕＣＩＸと、ハロゲン化銅である塩化銅と
アンモニアガスの中性配位子とが反応して銅の金属錯体
が生成される反応 Ｃｕ　Ｃｆ！　Ｘ　＋　ｙ　Ｎ　Ｈ３ ＝　（Ｃｕ　Ｃｌｘ　　（ＮＨ：ｌ　）　ｙ：１が生し
ている。

ハロゲン化銅は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この金
属錯体（ＣｕＣｆｘ　　（ＮＨ３）　ｙ〕は蒸気圧が高
く、容易に蒸発し、かくしてエツチングが行われる。

なお、前記第１および第２ステツプは銅合金についても
同様に実施できる。

ドライエツチングにおいて、塩素ガスに代えて他のハロ
ゲンガス等を採用し、アンモニアガスに代えて他の中性
配位子となるガスを使用した場合でも、他の条件はその
まま、または必要に応じて調整、変更等することにより
同様に前処理と、銅または（および）銅合金層および下
地金属層のドライエツチングを行うことができる。

銅または銅合金のドライエツチング工程における他のガ
スの組み合わせ例と、その場合の化学反応例を次に列挙
する。

■　塩素ガス（Ｃｆｚ　）と水（Ｈ２０）を使用する場
合。

Ｃｕ　＋　ｘ　／　２　・Ｃ１２→Ｃｕ　ＣＩ　ＸＣｕ
Ｃｊ２ｘ　＋ｙ）１２０ →（ＣｕＣｆｘ　　（Ｈｚ　Ｏ）ｙ　）■　塩素ガス（
ＣＩ２ｚ）とカルボニル（Ｃｏ）である−酸化炭素ガス
を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｃ１２−＋ＣｕＣｊ！。

ＣｕＣｆ、、＋ｙＣ，０ →（Ｃｕ　Ｃ１２＊　　（’ＣＯ）　ｙ　）■　塩素ガ
ス（Ｃｆ２）とニトロシル（Ｎｏ）である−酸化窒素ガ
スを使用する場合。

Ｃｕ十ｘ／２　・Ｃ１ｚ　→ＣｕＣｊ！。

ＣｕＣ１ｘ　＋ｙＮＯ −（ＣｕＣｆｘ　　（Ｎｏ）、） ■　塩素ガス（Ｃｆｚ）とメチルアミン（ＮＨ。

（ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ　＋　ｘ　／　２　・Ｃｌ　２　→Ｃｕ　Ｃｉ　Ｘ
Ｃｕ　Ｃｊ！ｘ　＋　ｙＮ　Ｈｚ（ＣＨ：ｌ）＝　（Ｃ
ｕ　Ｃｉ！、ｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　−）■　塩
素ガス（Ｃｆ２）とエチレンジアミン（ＮＨ２（ＣＨｌ
）２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ　＋　ｘ　／　２　・Ｃｌ　ｚ　−Ｃｕ　ＣＩ　Ｋ
ＣｕＣ４ｘ　十ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ＝　（Ｃ
ｕＣｆ）（（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）ｙ　）■
　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とアンモニアガス（ＮＨ３）
を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（十ｘＨ）ＣｕＩＸ＋ｙ
ＮＨｓ →（Ｃｕ　Ｉｘ　　（ＮＨｓ）ｙ　） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と水（Ｈｌ　ｏ）を使用す
る場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＞Ｃｕ１．（＋ｘＨ） Ｃｕ　１．　十ｙＨ，０ −（Ｃｕ　Ｉｌｌ　　（Ｈｌ　０）　ｙ　）■　ヨウ化
水素ガス（Ｈｌ）とカルボニルＣＣ０）である−酸化炭
素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）ＣｕＩｘ＋ｙ
ＣＯ →〔ＣｕＩＸ　（ＣＯ）ｙ〕 ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ｌｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＩヶ＋
ｙＮ。

→（Ｃｕ　ｌｘ　　（Ｎｏ）　ｙ） ［相］　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とメチルアミン（ＮＨ
２＜ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｉｌｌ
　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｓ） ＝　ＣＣｕ　ｌｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨａ））　ア〕　　
　■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とエチレンジアミン（Ｎ
Ｈｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｉ　Ｘ
　＋　Ｙ　Ｎ　Ｈｚ（ＣＨｚ）ｚ　Ｎ　Ｈｚ→（Ｃｕ　
ｌｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）　−〕＠　
ヨウ素ガス（Ｉ２）とアンモニアガス（ＮＨ：ｌ）を使
用する場合。

Ｃｕｔｘ／２　ＨＩｚ　−Ｃｕ　１ｘ ＣｕｌＸ＋ｙＮＨｓ −＋　（Ｃｕ　ＩＸ　　（ＮＨ３）Ｖ　）［相］　ヨウ
素ガス（Ｉ２）と水（ＨｚＯ）を使用する場合。

Ｃｕｔｘ／２　・Ｉｚ　→Ｃｕ　Ｉｘ Ｃｕ　ｌｘ　＋　’／Ｈｚ　Ｏ →（ｃ　ｕ　ＩＸ　　（Ｈｚ　Ｏ）　ｙ　）■　ヨウ素
ガス（Ｉ２）とカルボニル（ＣＯ）である−酸化炭素ガ
スを使用する場合。

Ｃｕｔｘ／２・Ｉｔ−＋ＣｕｌＸ Ｃｕ　Ｉ、＋ｙＣＯ →〔ＣｕＩＸ　（ＣＯ）ｙ］ ■　ヨウ素ガス（Ｉ２）とニトロシル（ＮＯ）である−
酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕｔｘ／２−１．−＋Ｃｕ　Ｉ＊ Ｃｕ１ｘ＋ｙＮ○ →〔ＣｕＩＸ　（Ｎｏ）ｙ〕 ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ　ｔ）とメチルアミン（ＮＨ２
（ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕｔｘ／２・Ｉ２→ＣｕｌＸ Ｃｕ　Ｉｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨ３） →（Ｃｕ　ＩＸ　　（ＮＨ２（ＣＨ：ｌ）ｌ　ｙ）■　
ヨウ素ガス（Ｉ２）とエチレンジアミン（ＮＨ２（ＣＨ
２）　２　Ｎ　Ｈｚ）ガスを使用する場合。

ＣｕｔＸ／２・Ｉ２→ＣｕＩＸ Ｃｕｔ　ＩＸ＋ｙＮＨ２（ＣＨ２）２　ＮＨ４Ｉ（Ｃｕ
　Ｉｘ　　（ＮＨＫ（ＣＨ２）２　ＮＨｚ　）ｙ　）■
　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とアンモニアガス（ＮＨ３）
を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｂ
　ｒｘ　＋　ｙ　ＮＨｓ →（ＣｕＢ　ｒＸ　　（ＮＨ３）！　）■　臭化水素ガ
ス（ＨＢｒ）と水（Ｈ２ｏ）を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
ｘ　＋ｙＨｚ　Ｏ →（ＣｕＢ　ｒＸ　　（）ｌｚ　ｏ）　ｙ　）［相］　
臭化水素ガス（ＨＢｒ）とカルボニル（ＣＯ）である−
酸化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
ｘ＋）’Ｃ０ →（ＣｕＢ　ｒＸ　　（Ｃｏ）ｙ　） ■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒＸ　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒｘ
　＋ｙＮＯ →（ＣｕＢｒＸ　　（Ｎｏ）ｙ　） ０　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とメチルアミン（ＮＨ，（
ＣＨｚ））ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＢ　ｒ−＋ＣｕＢ　ｒｘ　　（十ｘＨ）Ｃｕ
Ｂ　ｒｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ） −’ｐ　（ＣｕＢ　ｒＸ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　ｙ
　）■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とエチレンジアミン（
ＮＨ，（ＣＨ２）２ＮＨりガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（十ｘＨ）ＣｕＢｒ
Ｘ＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ｃｕ　Ｂ　ｒＸ
　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）　−〕［相］　
四フッ化炭素（ＣＦ４）とアンモニアガス（ＮＨ３）を
使用する場合。

Ｃｕ−＋−ｘ／４−　ＣＦａ　→ＣｕＦｘ　　（＋ｘ／
４　・Ｃ）Ｃｕ　Ｆｘ　＋　’ｊ　ＮＨ３ →（ＣｕＦ）＋　　（ＮＨ３）　　ｙ　］Ｃ四ツ・７化
炭素（ＣＦ４）と水（Ｈ２Ｃ）を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・ＣＦ４−＋ＣｕＦｘ　　（十ｘ／４　
・Ｃ）ＣｕＦＸ＋ｙＨ２０ −＋　（Ｃｕ　ＦＸ　　（Ｈ２Ｏ）　ｙ　］［相］　四
フッ化炭素（ＣＦ、）とカルボニル（ＣＯ）である−酸
化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・ＣＦ４　→ＣｕＦｘ　　（＋ｘ／４４
　Ｃ）Ｃｕ　ＦＸ　十ｙ　Ｃ０ →（Ｃｕ　Ｆ　ｘ　　（ＣＯ）　ｙ　）〇　四フッ化炭
素（ＣＦ４）とニトロシル（ＮＯ）である−酸化窒素ガ
スを使用する場合。

Ｃｕ＋Ｘ／４・ＣＦ４→ＣｕＦＸ　（＋Ｘ／４・Ｃ）Ｃ
ｕＦｘ＋ｙＮＯ →［ＣｕＦｘ　　（ＮＯ）ｙ］ ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ、）　とメチルアミン（Ｎ
Ｈ２（ＣＨ：Ｉ））ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘ／４　ＨＣＦ４−＋ＣｕＦＸ　　（＋Ｘ／４−
　Ｃ）ＣｕＦ）（＋ｙＮＨｚ（ＣＨ：＋） →（ＣｕＦｘ　　（ＮＨ２（ＣＨ３）ｌ　−）［相］　
四フッ化炭素（ＣＦ４）とエチレンジアミン（Ｎ　Ｈ２
（ＣＨ２）Ｚ　Ｎ　Ｈ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・ＣＦ４　→ＣｕＦｘ　　（＋ｘ／４　
ＨＣ）ＣｕＦｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（
ＣｕＦｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）ｙ　〕
以上説明した方法は、金、金合金、銀、銀合金等にも同
様に適用できる。

また、ドライエツチングにおける前述した化学反応は、
金や銀に関しても同様であり、前述の式においてＣｕを
Ａｕ、Ａｇに替えたものとなる。

（以下、この頁余白） 次に、第２図に本発明装置例として示す反応性イオンエ
ツチング（ＲＩ　Ｅ）装置と、これによりハロゲンガス
または（および）ハロゲン化物のガスとハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガスを用いて実施するドライエツチング
例につき説明する。

第２図に示す装置は、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ
、２ｂおよび流量制御部２ｃを介して配管接続されたハ
ロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ
２、容器１に開閉弁４ａ、４ｂ及び流量制御部４Ｃを介
して配管接続されたクリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａ
ｒ）等の希ガスのボンへ４、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ
及び流量制御部５Ｃを介して配管接続された三塩化ホウ
素ガス（ＢＣｆ３）等のエツチング促進ガスのボンベ５
、容器１に開閉弁１０ａ、１０ｂおよび流量制御部１０
ｃを介して配管接続されたハロゲン化アルミニウムの蒸
気ガス生成用恒温槽１０、容器１に開閉弁６１を介して
接続され、該容器内を所定真空状態にする真空ポンプ６
、該容器内に電気絶縁性シール材７１を介して設置され
、エッチング対象物を支持するホルダ７、該ホルダに接
続された高周波電圧を印加する高周波電源８、第１図に
示す装置におけると同様のフィルタＦおよび光センサＬ
を備えている。

なお、恒温槽１０は加熱温度を調節してハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガス発生量を調節できるものである。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、前記同様
のシリコン半導体ウェハ９０（銅膜厚は５０００人）を
準備し、該ウェハを前記ホルダ７上に載置した。

また、ボンベ４をクリプトン（Ｋｒ）ガスボンベ、エツ
チング促進ガスのボンベ５を三塩化ホウ素ガス（ＢＣＩ
！、３）ボンへとした。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプ（前処理）と
して、先ず、容器１内をｌＸｌ０−”ｌ：Ｔｏｒｒ）以
下の真空状態とした後、真空容器１内を圧力４０　［ｍ
Ｔｏ　ｒ　ｒ］に維持しつつボンベ４からクリプトンガ
スを流量９０（ｓｃｃｍ）で真空容器１内に導入し、電
源８にて１３．５６［ＭＨ２］、５００　［Ｗ）の高周
波電圧を６０秒印加し、クリプトンガスのプラズマを発
注させ、このプラズマで露出している銀薄膜表面の不純
物等を除去した。

予め前記ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンへ１として塩素ガス（Ｃ，ｆ、）ボンへを採用
しておくとともに、恒温槽１０にはハロゲン化アルミニ
ウムとして固体塩化アルミニウム（ＡｆＣｆｆｉ３）を
入れ、１６０°Ｃで加熱してその蒸気ガスを生成できる
ようにしておき、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒｒ
ｌに維持しつつ容器１内にボンへ５から流量２５（ＳＣ
Ｃｍ〕で三塩化ホウ素ガス（ＢＣＩ２３）を、ボンベ１
から流量２０（ｓｃｃ＋ｎ）で塩素ガス（ｃｐｚ）を、
恒温層１０から流量１００１００（ｓｃで塩化アルミニ
ウム（ＡβＣＡ、）の蒸気ガスをを導入し、電源８にて
１３，５６　（ＭＨｚ）、２７５　（Ｗ）の高周波電圧
を印加し、これら混合ガスをプラズマ化した。

このプラズマからの発光強度をフィルタＦを介して光セ
ンサＬにて検出し、該強度がエッチング開始後１５秒経
過時の強度の９０％になってからさらに１００秒間エツ
チングを続けたのち、エツチング処理を終了したところ
、前記ウェハの８ＴＲ膜の異方性エツチングが精度良く
実現した。

下地金属層もこの処理でエツチングされた。

このエツチングにおいては、露出した銅薄膜部分におい
てハロゲン化銅を生成する反応Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｃ１ｚ
　−ＣｕＣ１，と、ハロゲン化銅である塩化銅と塩化ア
ルミニウム（、ＩＭ！’Ｃｆ３）の蒸気ガスとが反応し
て銅・アルミニウムハロゲン化合物を生成する反応Ｃｕ
　Ｃｆ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｌ　３→（Ａ　ｉ！、
　ｙ　Ｃｕ　Ｃｌ　）ｌｊ’ｌｙ）とが起こる。

ハロゲン化銅は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この銅
・アルミニウムハロゲン化合物は容易に気相中に蒸発し
、かくしてエツチングが行われる。

前記第１および第２ステツプは銅合金についても同様に
実施できる。

塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、塩化アルミニウム（Ａ４２
Ｃ１３）に代えて他のハロゲン化アルミニウムを採用し
た場合でも、他の条件はそのまま、または必要に応して
調整、変更等することにより、同様に銅層または（およ
び）銅合金層のエツチングを行える。

銅または銅合金のドライエツチングにおける他のガスの
組み合わせ例とその場合の化学反応例を次に列挙する。

■　塩素ガス（ｃ／２２　）と臭化アルミニウム（Ａｆ
Ｂｒ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２・Ｃ１２→ＣｕＣｌ！、ＸＣｕＣ１ｘ　＋
ＹＡＩＢ　ｒ：＋ −（ＡｌｙＣｕＣＩ！、ＸＢｒ５ｙ） ■　塩素ガス（Ｃ１ｚ　）とヨウ化アルミニウム（Ａｌ
Ｉ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｃ１，−＋ＣｕＣｊ２゜ＣｕＣｆｘ　
＋ｙＡｆ！　Ｉ３ −＋　（Ａｆ、Ｃｕ（、ｅＸ　１．、）■　フッ化水素
ガス（ＨＦ）と塩化アルミニウム（ＡｆＣｆ、）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＋ＣｕＦＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｆ　ｘ　
＋　ｙ　Ａ　４２　Ｃｌ　３→（Ａ　ｆｙ　Ｃｕ　Ｆ　
ｘ　Ｃｆｌｙ）■　フッ化水素ガス（ＨＦ）と臭化アル
ミニウム（ＡＩ！、Ｂｒ５）の蒸気ガスを使用する場合
。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＋ＣｕＦ）＋　　（＋ｘＨ）ＣｕＦＸ＋
ｙＡｊ２Ｂｒｚ →（Ａｆｙ　ＣｕＦ、Ｂ　ｒｓｙ〕 ■　フッ化水素ガス（ＨＦ）とヨウ化アルミニウム（Ａ
Ｉ！、Ｉｓ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＊ＣｕＦＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｆ　ｘ　
＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｉ　３→（Ａｆｙ　ＣｕＦｘ　　Ｉ＊
ｙｌ ■　フッ素ガス（Ｆ２）と塩化アルミニウム（Ａｊ２Ｃ
２３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＦ→ＣｕＦＸ　（＋ｘＨ） Ｃｕ　Ｆ　ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　ＣＥ　３→（ＡｆｙＣ
ｕ　Ｆｘ　Ｃｊ２ｘｙ） ■　フッ素ガス（Ｆ２）と臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ
３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２・Ｆｚ→ＣｕＦ。

Ｃｕ　Ｆ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　４２　Ｂ　ｒ　ｚ→（ＡＩ
！、ｙＣｕ　ＦＸＢ　ｒ３ｙ３■　フッ素ガス（Ｆ２）
とヨウ化アルミニウム（Ａ２１３）の蒸気ガスを使用す
る場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　ＨＦ２　→ＣｕＦＸ ＣｕＦｘ　＋ｙＡ１１：１ →（Ａ　ｌｙ　Ｃｕ　Ｆ　ｘ　　Ｉ　ｘｙ）■　塩化水
素ガス（ＨＣｆｆｉ）と塩化アルミニウム（Ａ、ＩＣｌ
３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣ１−＋ＣｕＣ１ｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｃ
ｌ　ｘ　＋ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｉ　３→ＣＡｊ２．ＣｕＣｆ
吋３ｙ　） ［相］　塩化水素ガス（Ｈ（１）と臭化アルミニウム（
Ａｊ２Ｂｒ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣ１，−＋ＣｕＣＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｃ
Ｉ２Ｘ　＋　ｙ　Ａ　ｆ！　Ｂ　ｒ　ｓ→（Ａｊ２ｙ　
ＣＬＩ　ＣｆＸＢ　ｒ　ｘｙ〕■　塩化水素ガス（ＨＣ
ｆ）とヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）の蒸気ガスを使
用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣ１，−＋ＣｕＣ１ｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　
Ｃ１２ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｉ　ｓ−＋　（Ａ　ｌｙ　
Ｃｕ　ＣＥｘ　　Ｉ　３ＹＪ＠　臭素ガス（Ｂｒｚ）と
塩化アルミニウム（ＡｆＣｆ３）の蒸気ガスを使用する
場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｂｒ、−＋ＣｕＢｒｘＣｕ　Ｂ　ｒ　
ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　ＣＥ　３→（Ａｎｙ　ＣｕＢ　ｒ
、Ｃ１ｙｙ〕 ■　臭素ガス（Ｂｒｚ）と臭化アルミニウム（Ａ２Ｂｒ
３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　−＋ＣｕＢ　ｒｙＣｕＢｒ
ｘ　＋ｙＡ／！Ｂｒ：＋ →　（Ａｆ！、　　Ｃｕ　　Ｂ　　ｒｘ＋：＋ｙ）［相
］　臭素ガス（Ｂｒｚ）とヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ
３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　−＋ＣｕＢ　ｒｘＣｕＢｒ
、＋ｙＡｆ　１３ ＝　（Ａｊ！ｙ　Ｃｕ　Ｂ　ｒｘ　　Ｉ　ｙｙ）［相］
　臭化水素ガス（ＨＢｒ）と塩化アルミニウム（ＡｆＣ
ｊ２ｆｆ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘ、Ｈ）ＣｕＢ
　ｒｘ　＋ｙＡ１ｃ１．ｘ −＋　（’Ａｆｆｉ、ＣｕＢ　ｒｘ　Ｃｆ３ｙ）［相］
　臭化水素ガス（ＨＢｒ）と臭化アルミニウム（ＡｆＢ
ｒ、）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＢｒ＝ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒＸ
＋ｙＡ／！Ｂｒ３ →（Ａ　ｌｌ　、　Ｃｕ　Ｂ　ｒ　ｘ＋ｓｙＪ■　臭化
水素ガス（ＨＢｒ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｆｉｌ
ｆｆ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
Ｘ＋ｙＡｊ２１３ →（Ａｆｙ　ＣｕＢ　ｒＸ　　ｌ１ｙ）［相］　ヨウ素
ガス（Ｉ２）と塩化アルミニウム（Ａｆｃｆ、）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・１．−＋Ｃｕ　Ｉ。

Ｃｕ　ｒ　Ｘ　十ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃ１２ｚ→（Ａｆｙ　Ｃ
ｕ　ＩＸ　Ｃ１５ｙ’Ｊ■　ヨウ素ガス（Ｉ２）と臭化
アルミニウム（Ａｊ２Ｂｒ３）の蒸気ガスを使用する場
合。

Ｃｕ＋Ｘ／２・Ｉ２→ＣｕｌＸ Ｃｕ　ＩＸ＋ｙＡｆＢ　ｒ３ −）（Ａ／！ｙＣｕ　ＩＸＢ　ｒ３ｙ）Φ　ヨウ素ガス
（Ｉ２）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｔ、）の蒸気ガス
を使用する場合。

Ｃｕ十Ｘ／２・Ｉ２→ＣｕｌＸ Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＡｆ　Ｉ：１ →　〔Ａ　ｌ　ｙ　Ｃｕ　　Ｉ　　ｘ士：＋ｙ）■　ヨ
ウ化水素ガス（Ｈｌ）と塩化アルミニウム（，６／２Ｃ
／２３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ１Ｘ　（十ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ　＋
ｙＡｊＩＣ１３ ＝　（Ａｆｆ、　Ｃｕ　Ｉｘ　Ｃｆ３ｙ〕■　ヨウ化水
素ガス（Ｈｌ）と臭化アルミニウム（ＡｆｆＢｒ３）の
蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ１ｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＩＸ＋ｙ
ＡｌＢｒ３ −＋　［Ａ、ｊ！、　Ｃｕ　ＩＸＢ　ｒ、ｙ：１＠　ヨ
ウ化水素ガス（ＨＩ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｆ３
）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　１．（＋ｘＨ）ＣｕＩＸ　＋ｙ
ＡＩ　Ｉｓ →（Ａ　ｌ　ｙ　Ｃｕ　Ｉ　ｘ＋ｉｙ）以上説明した方
法は金、金合金、銀、銀合金等についても同様に適用で
きる。

また、ドライエツチングにおける前述の化学反応は、金
や銀に関しても同様であり、前述の式においてＣｕをＡ
ｕ、Ａｇに替えたものとなる。

なお、以上説明した各実施例では反応性イオンエツチン
グ法（ＲＩＥ）を採用したが、本発明は、この方法に限
らず、その他の各種ドライエツチング法、例えば、電子
サイクロトロン共鳴エツチング（ＥＣＲ）、マグネトロ
ンエツチング、プラズマエツチング等の各種ドライエツ
チングにも適用可能である。

また、前記各実施例では、エツチング対象物としてシリ
コン半導体ウェハを例示したが、本発明は、シリコン半
導体、化合物半導体等の各種半導体基板、プリント基板
等に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明方法および装置によると、銅
、銅合金、金、金合金、銀および銀合金の少なくとも一
種からなる金属膜をドライエツチングでき、しかも、該
エツチング処理において該金属膜のエツチング終了を容
易に判断して正確なエツチングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るドライエツチング装置の１例の概
略構成図、第２図は本発明に係るドライエツチング装置
の他の例の概略構成図である。第３図はプラズマ発光強
度観測例を示すグラフである。 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンベ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンベ４・・・希
ガスボンベ ５・・・エツチング促進ガスボンベ ６・・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・・高周波電源 ９．９０・・・半導体ウェハ １０・・・恒温槽 Ｆ・・・フィルタ Ｌ・・・光センサ 出願人　日新ハイチック株式会社 第１図 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたはハロゲン化物のガスのボン
ベ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンへ４・・・希
ガスボンベ ５・・・エッチツク促進ガスボンへ ６・・・真空ポンプ ７・・ホルダ　　　　　　　　　Ｆ　フィルタ８・・・
高周波１ｉ　　　　　　　　Ｌ・光センサ９・・半導体
ウェー・入 第２図 １・・・真空容器 ２−ハロゲンカスまたは（および）ハロゲン化物カスの
ボンへ ４　・希カスボッへ ５・エッチ／り促進力スボ／へ ６・真空ポンプ ７　・ホルダ　　　　　　　　　　Ｆ・フィルタ８・・
高周波電源　　　　　　　　Ｌ　光＋！７す９０・半導
体ウェーハ １０・恒温措

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
   スと、中性配位子となる物質のガスまたはハロゲン化ア
   ルミニウムの蒸気ガスとを真空容器へ導入し、これら混
   合ガスを所定真空状態下で電圧印加のもとにプラズマ化
   し、該プラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度を検
   出しつつ該プラズマで銅、銅合金、金、金合金、銀およ
   び銀合金の少なくとも一種からなる金属膜をドライエッ
   チングし、該エッチング処理は前記波長光強度が予め定
   めた強度以上である間行うことを特徴とするドライエッ
   チング方法。
2. （２）真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることがで
   きる真空容器と、前記真空容器にハロゲンガスまたは（
   および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、前記真
   空容器に中性配位子となる物質のガスを導入する手段と
   、前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀お
   よび銀合金の少なくとも一種からなる金属膜を有するエ
   ッチング対象物の支持ホルダと、前記真空容器に導入さ
   れるガスをプラズマ化するための電源と、前記真空容器
   内のプラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度を検出
   する手段とを備えたことを特徴とするドライエッチング
   装置。
3. （３）真空吸引手段にて所定の真空状態を得ることがで
   きる真空容器と、前記真空容器へハロゲンガスまたは（
   および）ハロゲン化物のガスを導入する手段と、前記真
   空容器へハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスを導入する
   手段と、前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金
   、銀および銀合金の少なくとも一種からなる金属膜を有
   するエッチング対象物の支持ホルダと、前記真空容器に
   導入されるガスをプラズマ化するための電源と、前記真
   空容器内のプラズマ発光のうち予め定めた波長光の強度
   を検出する手段とを備えたことを特徴とするドライエッ
   チング装置。