JPH04199821A - ドライエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野） 本発明は、例えば半導体ウェハ、プリント配線基板等に
おける電極や配線などを形成するための銅、銅合金、金
、金合金、銀および銀合金等の金属膜のドライエツチン
グ装置に関する。

〔従来の技術〕 従来、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡＳ）半
導体等の各種基板やプリント配線基板等における電極や
配線などを形成するための金属膜として良く知られてい
るものに、アルミニウム膜、アルミニウム合金膜、銅膜
、銅合金膜がある。

これら金属膜から電極や配線等を形成するためのエツチ
ング方法としては、反応性イオンエツチング装置による
ドライエツチングや各種酸性水溶液等からなる反応性水
溶液によるウェットエツチングが知られている。

但し、銅またはその合金については、ドライ条件（気相
）でエツチングされ難く、特に塩素ガス（Ｃｆ□）等の
反応性ガスを用いる反応性イオンエンチング装置による
エツチング方法では、反応性ガスと銅が化学変化して銅
またはこれを含有する金属薄膜の表面に蒸気圧の低い塩
化銅（ＣｕＣｊ２Ｘ）等の銅化合物（ＣｕＸ）が生成し
、金属薄膜がほとんどエツチングされない。従って銅ま
たはこれを含有する金属薄膜の所定部分をエツチング除
去し、電極や配線などを形成するためには、各種酸性水
溶液等からなる反応性水溶液によるウェットエツチング
方法が採用されている。

このウェットエツチング方法は、表面に銅またはこれを
含有する金属薄膜と所定マスクパターン薄膜とを積層形
成した基板を、容器の中に入れた反応性水溶液に浸漬す
ることにより、表面に露出した銅またはこれを含有する
金属薄膜を化学反応で反応性水溶液に溶解させ、所定部
分の金属薄膜のみを基板の表面に残し、電極または配線
などを形成するものである。

一方、金、金合金、銀、銀合金のエツチング方法として
は、イオンミリング法を利用することが考えられ。

この方法は、アルゴン（Ａ　ｒ　）のような不活性ガス
をイオン源にてイオン化し、このイオンビームで金属膜
を物理的にエツチングするものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、ウェットエツチング方法は、基板の浸漬時間に
よる反応性水溶液の組成や反応性水溶液の液温管理の制
御性が悪（、エツチング量の均一性に欠け、集積度の高
いＩＣ等の量産に適さない。

また、反応性水溶液ではエツチングが等方的に行われる
ため、銅または銅を含有する金−薄膜の横方向のエツチ
ング（アンダーカット）が避けられない。

また、イオンミリング法によるエツチングはエツチング
速度が極めて遅く、生産性が悪い。その上、マスク材や
下地に対する選択性乃至選択比が悪く、微細パターンを
精度良く形成することは困難である。

そこで本発明者の研究によると、銅、銅合金、金、金合
金、銀、銀合金等の金属膜を早く、精度良くエツチング
できるドライエツチング方法として、ハロゲンガスまた
は（および）ハロゲン化物のガスと、中性配位子となる
物質のガスまたはハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスを
真空容器に導入し、これら混合ガスを所定真空状態下で
電圧印加のもとにプラズマ化し、該プラズマで前記金属
膜をエツチングするドライエツチング方法が考えられる
。

この方法によると、イ＼ロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスと、中性配位子となる物質のガスまた
はハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスとの両者混合ガス
のプラズマで前記金属膜が比較的早く、比較的精度良く
ドライエツチングされる。

すなわち、例えば銅膜を例にとると、中性配位子を用い
るときは、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物
のガスのプラズマが銅と反応してハロゲン化銅が生成さ
れ、このハロゲン化銅と中性配位子となる物質のガスプ
ラズマとが反応して銅の金属錯体が生成される。この錯
体は蒸気圧が高く、容易に気相中に脱離し、かくして銅
膜がドライエツチングされる。

また、ハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスを用いるとき
には、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガ
スのプラズマが銅と反応してハロゲン化銅が生成され、
このハロゲン化銅とハロゲン化アルミニウムの蒸気ガス
プラズマとが反応して銅・アルミニウムハロゲン化合物
が生成され、これが容易に気相中へ脱離し、かくして銅
膜がエツチングされる。

金、銀等についても同様にドライエツチングされる。

しかしながら、このエツチングによると、さらに次の問
題がある。

すなわち、ドライエツチングにより生成される前記錯体
や銅・アルミニウム六ロゲン化合物等が該ドライエツチ
ングを実施するための真空容器内壁に付着凝縮し、堆積
するので、その堆積物を取り除くために真空容器等を頻
繁に清掃しなければならず、この清掃を怠ると、ドライ
エツチングを円滑に精度良〈実施できなくなる。

そこで本発明は、銅、銅合金、金、金合金、銀、銀合金
等の金属膜をドライエツチングすることができ、しかも
、該エツチングにより生成される物質（錯体、銅・アル
ミニウムハロゲン化合物等）の装置への付着堆積を抑制
して円滑にエツチングを行うことができるとともに該物
質の除去清掃作業回数を少なく済ませることができるド
ライエツチング装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は前記目的に従い、 真空吸引手段によって所定の真空状態を得ることができ
る真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン
化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、中性配位
子となる物質のガスを前記真空容器へ導入する手段と、
前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀およ
び銀合金の少なくとも一種からなるエツチング対象金属
膜を有する物品の支持ホルダと、前記真空容器内へ導入
されるガスをプラズマ化するための電源を備え、さらに
、前記真空容器を加熱する手段および前記真空吸引手段
と前記真空容器との間に接続された凝縮手段の少なくと
も一方を備えたことを特徴とするドライエツチング装置
を提供する。

また、本発明は前記目的に従い、 真空吸引手段によって所定の真空状態を得ることができ
る真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン
化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、ハロゲン
化アルミニウムからその蒸気ガスを生成し、該蒸気ガス
を前記真空容器内へ導入する手段と、前記真空容器に設
けた銅、銅合金、金、金合金、銀および銀合金の少なく
とも一種からなるエツチング対象金属膜を有する物品の
支持ホルダと、前記真空容器内へ導入されるガスをプラ
ズマ化するための電源を備え、さらに、前記真空容器を
加熱する手段および前記真空吸引手段と前記真空容器と
の間に接続された凝縮手段のすくなくとも一方を備えた
ことを特徴とするドライエツチング装置を提供する。

前記ハロゲンガスとしては、フッ素（Ｆ２）、塩素（Ｃ
ｆ、）、臭素（Ｂｒ２）、ヨウ素（Ｉ２）等のガスを挙
げることができる。

また、前記ハロゲン化物のガスは、フン化水素（ＨＦ）
、塩化水素（ＨＣＩ　、臭化水素（ＨＢｒ）、ヨウ化水
素（ＨＩ）等のハロゲン化水素、フッ化炭素（ＣＦ４）
等のハロゲン化炭素などのハロゲン元素を含む物質のガ
スである。

前記中性配位子となる物質には、アンモニア（ＮＨｉ、
水（Ｈ２ｏ）　、カルボニル（ＣＯ）、ニトロシル（Ｎ
ｏ）、メチルアミン（ＮＨ２（ＣＨ３））の如き第１級
アミン、ジメチルアミン（ＮＨ２（ＣＨ３）２　）の如
き第２級アミン、トリメチルアミン（Ｎ　Ｈｚ　（ＣＨ
ｉ）　３）の如き第３級アミン、エチレンジアミン（Ｎ
Ｈｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）等の単座または多座配位
子を有する物質を例示できる。

また、ハロゲン化アルミニウムとしては、塩化アルミニ
ウム（ＡｆＣ！！、３）、臭化アルミニウム（Ａｊ！Ｂ
ｒ５）、ヨウ化アルミニウム（Ａｆ！＊）等で、蒸発す
ると、二量体分子の、または単量体分子と二量体分子と
が共存する蒸気ガスとなるものなどが考えられる。

前記真空容器を加熱する手段としては、該真空容器外面
に設けられるヒータ、真空容器内に設けられるヒータ、
真空容器壁内に設けられるヒータ等が考えられ、該ヒー
タには、電気ヒータ、赤外線ヒータ、温水等の熱媒を通
すタイプのヒータ等の各種ヒータを利用できる。

また、前記凝縮手段としては、冷却水を通すパイプを備
えたもの、木取外の冷媒を通すパイプを備えたもの等を
例示できる。この凝縮手段は、容易に脱着でき、清掃で
きるように設けておくと便利である。

〔作　用］ 中性配位子となる物質のガスを供給する手段を有する本
発明装置によると、所定の真空状態下で真空容器内へハ
ロゲンガスまたは（および）ノ＼ロゲン化物のガスがそ
の導入手段から導入されるとともに中性配位子となる物
質のガスがその導入手段から導入され、真空容器内にお
けるこれら混合ガスに電圧が印加され、該ガスがプラズ
マ化される。

一方、真空容器を加熱する加熱手段が備わっているとき
には、該加熱手段により真空容器内が加熱される。

また、凝縮手段が備わっているときには、該手段が運転
される。

かくして該金属膜は前記プラズマによりドライエツチン
グされ、該エツチングにより生成されて真空容器内壁等
に付着堆積しようとする錯体等は、該容器が加熱手段に
より加熱されていると、その熱で容器内部への付着、堆
積が抑制され、また、凝縮手段が設けられていると、該
凝縮手段に付着凝縮して除去されることにより容器内部
への付着、堆積が抑制される。

ハロゲン化アルミニウムの蒸気ガスを供給する手段を有
する本発明装置によると、所定の真空状態下で真空容器
内へハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物のガス
がその導入手段から導入されるとともにハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガスがその導入手段から導入され、真空
容器内におけるこれら混合ガスに電圧が印加され、該ガ
スがプラズマ化される。

一方、真空容器を加熱する加熱手段が備わっているとき
には、該加熱手段により真空容器内が加熱される。

また、凝縮手段が備わっているときには、該手段が運転
される。

かくして該金属膜は前記プラズマによりドライエツチン
グされ、該エツチングにより生成されて真空容器内壁等
に付着堆積しようとする銅・アルミニウムハロゲン化合
物等は、該容器が加熱手段により加熱されていると、そ
の熱で容器内部への付着、堆積が抑制され、また、凝縮
手段が設けられていると、該凝縮手段に付着凝縮して除
去されることにより容器内部への付着、堆積が抑制され
る。

前記凝縮手段に付着した物質は、該凝縮手段を清掃する
ことにより除去できる。

〔実　施　例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

まず、第１図に示す本発明の１実施例装置と該装置によ
るドライエツチング例につき説明する。

第１図に示す装置は反応性イオンエツチング装ｆ（ＲＩ
Ｅ）で、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ、２ｂおよび
流量制御部２Ｃを介して配管接続されたハロゲンガスま
たは（および）ハロゲン化物ガスのボンベ２、容器１に
開閉弁３ａ、３ｂおよび流量制御部３ｃを介して配管接
続された中性配位子となる物質のガスのボンへ３、容器
１に開閉弁４ａ、４ｂ及び流量制御部４ｃを介して配管
接続された前処理用のクリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（
Ａｒ）等の希ガスまたは該希ガスを含むガスのボンベ４
、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制御部５ｃを介し
て配管接続された三塩化ホウ素ガス（ＢＣＩ！、ｓ）等
のエツチング促進ガスのボンへ５、容器１に開閉弁６１
を介して接続され、該容器内を所定真空状態にする真空
ポンプ６、該容器内に電気絶縁性シール材７１を介して
設置され、エツチング対象物を支持するホルダ７、該ホ
ルダに接続された高周波電圧を印加する高周波電源８を
備えている。

さらに、この装置は、ホルダ７上のエツチング対象金属
膜をドライエツチングが円滑に行われるように加熱する
ヒータＨ、ドライエツチングにより生成される錯体等の
真空容器内部への付着、堆積を抑制するるための真空容
器壁に設けられたヒータｈ、および同じく錯体等の真空
容器内部への付着、堆積を抑制するるための真空ポンプ
１１と真空容器１の間に接続された凝縮器Ｃを備えてい
る。

該凝縮器Ｃは冷却水を通すパイプを備えたもので、装置
に脱着可能に構成されている。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、電極や配
線を形成するための厚さ５０００人の銅（Ｃｕ）からな
る金属薄膜を裏面に有し、該金属薄膜上にマスク材にて
所定パターンを形成し、該金属薄膜と基板上のシリコン
酸化膜との間にチタン（Ｔｉ）からなる厚さ２０００人
の下地金属層を有する直径５インチのシリコン半導体ウ
ェハ９を準備し、該ウェハを前記ホルダ７上に載置した
。

なお、下地金属層は、半導体ウェハ等では、配線や電極
を形成するだめの金属層の下に積層され、本来の金属膜
と同じパターンでエツチングされるもので、通常、金属
膜の付着強化や、拡散防止、オーミックコンタクトをと
る等の目的で設けられる。該下地金属層としては前記例
の他、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングス
テン（ＴｉＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、
モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）等を例示することが
できる。

また、ボンベ４はクリプトン（Ｋｒ）ガスボンへ、エツ
チング促進ガスのボンベ５は三塩化ホウ素ガス（ＢＣ１
！、、）ボンへとした。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、ヒー
タＨおよびヒータｈをオンしてエツチング対象金属膜を
約１００°Ｃに向は加熱し、容器１内部を約８０°Ｃに
向は加熱するとともに、先ず容器１内をｌＸｌ０−”（
Ｔｏｒｒ）以下の真空状態とした後、真空容器１内を圧
力４０（ｍＴｏｒｒ］に維持しつつボンベ４からクリプ
トンガスを流量９０　〔ｓｃｃｍ）で真空容器１内に導
入し、電源８にて１３．５６　（ＭＨｚ）、５００　（
Ｗ）の高周波電圧を１５秒印加し、クリプトンガスのプ
ラズマを発生させ、このプラズマで露出している銅薄膜
表面の不純物等を除去した。

予めハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガスの
ボンベ２として塩素ガス（Ｃ／！２　）ボンへを採用し
ておくとともに中性配位子となる物質のガスボンへ３と
してアンモニアガス（ＮＨ３）ボンベを採用しておき、
第２ステツプとして、前記ヒータＨ，ｈはそのままオン
しておくとともに、真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏｒ
ｒ）に維持しツツ容器１内にボンベ５から流量２５　（
ｓｃｃｍ〕で三塩化ホウ素ガス（ＢＣｌ、、）を、ボン
ベ２から流量２０Ｃｓｃｃｍ）で塩素ガス（Ｃ２０）を
、ボンベ３から流量２０（ｓｃｃｍ）でアンモニアガス
（ＮＨ：ｌ）を導入し、電源８にて１３．５６　（ＭＨ
ｚ）、３００　（Ｗ）の高周波電圧を１５０秒印加し、
これら混合ガスをプラズマ化したところ、前記ウェハの
銅薄膜の５０００人の異方性エツチングが精度良く実現
した。

下地金属層も引き続きプラズマによりエツチングされた
。

このドライエツチングにおいては、露出した銅薄膜部分
においてハロゲン化銅を生成する反応Ｃｕ＋ｘ／２−　
ＣＥｚ　−＋ＣｕＣＩＸと、ハロゲン化銅である塩化銅
とアンモニアガスの中性配位子とが反応して銅の金属錯
体が生成される反応 ＣｕＣ１ｘ　十ＹＮＨ３ −＋　（ｃ　ｕ　ｃ　ｆＸ、　（ＮＨ３）　ｙ　）が生
じている。

この反応はウェハの金属膜がヒータＨにより加熱されて
いるので円滑に進行する。

ハロゲン化銅は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この金
属錯体（ＣｕＣｊ２ｘ　　（ＮＨｓ　）ｙ　〕は蒸気圧
が高く、容易に蒸発し、か（してエツチングが行われる
。

ドライエツチングにより生成されて真空容器内部付着堆
積しようとする錯体等は、該容器がヒータｈにより加熱
されているので、その熱で容器内部への付着、堆積が抑
制され、また、凝縮器Ｃが設けられているので、該凝縮
器に付着凝縮して除去されることにより容器内部への付
着、堆積が抑制される。従って、それだけ真空容器１等
の清掃回数を少なく済ませることができる。

凝縮器Ｃに付着物が多くなると、これを装置から外して
清掃し、再び装置に装着しておけばよい。

なお、前記第１および第２ステツプは銅合金についても
同様に実施できる。

ドライエツチングにおいて、塩素ガスに代えて他のハロ
ゲンガス等を採用し、アンモニアガスに代えて他の中性
配位子となるガスを使用した場合でも、他の条件はその
まま、または必要に応じて調整、変更等することにより
同様に銅または（および）銅合金層および下地金属層の
ドライエツチングを行うことができる。

銅または銅合金のドライエツチング工程における他のガ
スの組み合わせ例と、その場合の化学反応例を次に列挙
する。

■　塩素ガス（Ｃ１ｚ）と水（Ｈ２Ｏ）を使用する場合
。

Ｃｕ＋ｘ／２　・ＣＩ！ｚ　＝ＣｕＣ１゜ＣｕＣｌｌｘ
　＋）ｌＨ２０ →〔Ｃｕ　Ｃｌｘ　　（Ｈｚ○）ｙ〕 ■　塩素ガス（Ｃｆｆｉ□）とカルボニル（ＣＯ）であ
る−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　　・（、ｉ！、ｚ−＋ＣｕＣ１！ｘＣｕ
Ｃｊ２ｘ　　＋ｙＣＯ →〔ＣｕＣｆＸ　（ＣＯ）ｙ　〕 ■　塩素ガス（Ｃｆｆｉｚ）とニトロシル（ＮＯ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘ／２　・Ｃ１，−＞ＣｕＣｌ！、。

ＣｕＣｌ！、ｘ　＋ｙＮＯ −（ＣｕＣ１ｘ　　（Ｎｏ）　ｙ） ■　塩素ガス（Ｃｊ２ｚ）とメチルアミン（Ｎ　Ｈｚ（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｃ１２→ＣｕＣｊ２ｘＣｕＣｆｘ　＋
ｙＮＨｚ（ＣＨ３） →（Ｃｕ　Ｃｊ２ｘ　　（Ｎ　Ｈｚ（ＣＨ：ｌ））　ｙ
　）■　塩素ガス（Ｃｊ２ｚ）とエチレンジアミン（Ｎ
Ｈ２（ＣＨ２）２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘ／２−　Ｃ１ｚ　−＋ＣｕＣ１ｘＣｕＣｆｘ　
＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ２→（Ｃｕ　ＣＩＸ（Ｎ
Ｈ２（ＣＨ２）Ｚ　ＮＨ２１ｙ　）■　ヨウ化水素ガス
（Ｈｌ）とアンモニアガス（ＮＨ３）を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　　Ｉ　
ｙ、　　＋　ｙ　Ｎ　Ｈ：１→（Ｃｕ　ｌｘ　　（ＮＨ
３）ｙ） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と水（Ｈ２Ｏ）を使用する
場合。

Ｃｕ十ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕｌｘ＋）
’ＨｚＯ →〔ＣｕＩＸ　（Ｈ２Ｏ）ｙ］ ■　ヨウ化水素ガス（ＨＩ）とカルボニル（Ｃｏ）であ
る−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＩ−＋Ｃｕ　Ｉｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ
　＋ｙＣＯ →（Ｃｕ　ｌｘ　　（Ｃｏ）　ｙ） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とニトロシル（Ｎｏ）であ
る−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ＋
ｙＮＯ →〔ＣｕＩＸ　（ＮＯ）ｙ］ ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とメチルアミン（ＮＨ２（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　Ｉｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｉ　
Ｘ　　＋　ｙ　Ｎ　Ｈ２（ＣＨ３）＝　［Ｃｕ　Ｉｘ　
　（ＮＨ２（ＣＨ３））　ｙ　　］■　ヨウ化水素ガス
（Ｈｌ）とエチレンジアミン（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　Ｎ
Ｈ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＩ−＋Ｃｕ　Ｉｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　ＩＸ
　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ２→（Ｃｕ　Ｉｘ　　
（ＮＨ２（ＣＨ２）Ｚ　ＮＨｚ　）　ｙ　）＠　ヨウ素
ガス（Ｉ２）とアンモニアガス（ＮＨ３）を使用する場
合。

Ｃｕ＋ｘ／２−　Ｉｔ　−＋Ｃｕ　ＩＸＣｕＩｘ＋ｙＮ
Ｈ３ →（Ｃｕ　ＩＸ　（ＮＨ−）ｙ） ■　ヨウ素ガス（１２）と水（Ｈ２０）を使用する場合
。

Ｃｕ＋ｘ／２　ＨＩｚ　→Ｃｕ　１ｘ ＣｕＴｘ＋ｙＨｚＯ →〔ＣｕＩＸ　（Ｎ２０）ｙ〕 ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）とカルボニル（Ｃｏ）であ
る−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　　・　Ｉｚ　→Ｃｕ　ｌＸＣｕ　　ＩＸ
　　＋ｙ　Ｃ０ →（Ｃｕｌや　（Ｃｏ）　ｙ　） ■　ヨウ素ガス（Ｉ２）とニトロシル（Ｎｏ）である−
酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｉｚ　→Ｃｕ　Ｉ。

Ｃｕ　ＩＸ　＋ｙＮＯ →〔ＣｕＩＸ　（Ｎｏ）ｙ〕 ［相］　ヨウ素ガス（Ｉ２）とメチルアミン（ＮＨ，（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ十Ｘ／２・Ｉ２→ＣｕｌＸ Ｃｕ　ｒｘ　＋ｙＮＨ２（ＣＨ３） →（Ｃｕ　Ｉ　Ｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ））　ｙ　〕■
　ヨウ素ガス（Ｉ２）とエチレンジアミン（ＮＨ２（Ｃ
Ｈ２）２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋Ｘ／２・■２→ＣｕｌＸ Ｃｕ　Ｉｘ　＋ｙＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ→（Ｃｕ
　ｌｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨ２）　ｙ　）■
　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とアンモニアガス（ＮＨｚ）
を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
Ｘ十ｙＮＨ３ →［ＣｕＢｒｘ　　（ＮＨＩ）？　　］■　臭化水素ガ
ス（ＨＢｒ）と水（Ｈ２０）を使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
Ｘ＋ｙＨ２０ →（Ｃｕ　Ｂ　ｒ　ｘ　　（Ｈｚ　Ｏ）　ｙ　）＠　臭
化水素ガス（ＨＢｒ）とカルボニル（ＣＯ）である−酸
化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒ、（＋ｘＨ）ＣｕＢｒｘ　
＋ｙＣＯ ”（ＣｕＢ　ｒ、（Ｃｏ）　ｙ） ■　臭化水素ガス（）（Ｂｒ）とニトロシル（Ｎｏ）で
ある−酸化窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
ｘ　＋ｙＮＯ →〔ＣｕＢｒＸ　（ＮＯ）ｙ〕 ■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）とメチルアミン（ＮＨ２（
ＣＨ３））ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＊ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
ｘ　　＋ｙＮＨ２（ＣＨ３） →（ＣｕＢ　ｒｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｓ））ｙ　）０　
臭化水素ガス（ＨＢｒ）とエチレンジアミン（ＮＨ２（
ＣＨ２）２　ＮＨ２）ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒ
ｘ　＋ＶＮＨｚ（ＣＨｚ）ｔ　ＮＨｚ→（ＣｕＢｒｘ　
　（ＮＨｚ（ＣＨｚｈ　ＮＨｚ　）　ｙ　）［相］　四
フッ化炭素（ＣＦ、）とアンモニアガス（Ｎ８３）を使
用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　ＨＣＦ、４−ＣＩＪＦＸ　　（十ｘ／４
　・Ｃ）ＣｕＦｘ＋ｙＮ’Ｈ３ →［ＣｕＦｘ　　（ＮＨ３）ｙ　） ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ、）と水（Ｈ２ｏ）を使用
する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・ＣＦ４−＋ＣｕＦＸ　　（十Ｘ／４−
　Ｃ）ＣｕＦｘ　＋ｙＨｚ　Ｏ −（ＣｕＦＸ　　（Ｈ２０）　ｙ） ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ、）とカルボニル（ｃｏ）
である−酸化炭素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　　・ＣＦ４　　→ＣｕＦｘ　　（＋ｘ／
４　　・Ｃ）ＣｕＦ、＋）ｒＣ○ →（Ｃｕ　Ｆｉｌ　　（Ｃｏ）　　ｙ　〕［相］　四フ
ッ化炭素（ＣＦ、）とニトロシル（ＮＯ）である−酸化
窒素ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・’ＣＦａ　−ＣｕＦｘ　　（＋ｘ／４
−　Ｃ）ＣｕＦＸ＋ｙＮＯ →〔ＣｕＦＸ　（ＮＯ）ｙ〕 ［相］　四フッ化炭素（ＣＦ４）とメチルアミン（Ｎ　
Ｈ，（ＣＨｊ））ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　・ＣＦ４−＋ＣｕＦＸ　　（＋Ｘ／４　
・Ｃ）Ｃ１１ＦＸ＋ｙＮＨｚ（ＣＨ：＋） →（Ｃｕ　ＦＸ　　（ＮＨ２（ＣＨ３））　ア）＠　四
フッ化炭素（ＣＦ４）　とエチレンジアミン（ＮＨｚ（
ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　’）ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／４　ＨＣＦ４　→ＣｕＦｘ　　（十ｘ／４　
・Ｃ）ＣｕＦｘ　＋）’ＮＨｚＣＣＨｚ）ｚ　ＮＨ２→
（ＣｕＦｘ　　（ＮＨｚ（ＣＨｚ）ｚ　ＮＨｚ　）ｙ　
］以以上間した実施例装置は、金、金合金、銀、銀合金
等にも同様に適用できる。

また、ドライエツチングにおける前述した化学反応は、
金や銀に関しても同様であり、前述の式においてＣｕを
Ａｕ、Ａｇに替えたものとなる。

（以下、この頁余白） 次に、第２図に示す本発明の実施例装置と該装置による
ドライエツチング例につき説明する。

第２図に示す装置は反応性イオンエツチング装置であり
、真空容器１、該容器に開閉弁２ａ、２ｂおよび流量制
御部２Ｃを介して配管接続されたハロゲンガスまたは（
および）ハロゲン化物ガスのボンベ２、容器１に開閉弁
４ａ、４ｂ及び流量制御部４ｃを介して配管接続された
クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａ　ｒ　）等の不活性
ガスのボンベ４、容器１に開閉弁５ａ、５ｂ及び流量制
御部５ｃを介して配管接続された三塩化ホウ素ガス（Ｂ
（４３）等のエツチング促進ガスのボンへ５、容器１に
開閉弁１０ａ、１０ｂおよび流量制御部１０ｃを介して
配管接続されたハロゲン化アルミニウムの蒸気ガス生成
用恒温槽１０、容器１に開閉弁６１を介して接続され、
該容器内を所定真空状態にする真空ポンプ６、該容器内
に電気絶縁性シール材７１を介して設置され、エツチン
グ対象物を支持するホルダ７、該ホルダに接続された高
周波電圧を印加する高周波電源８を備えている。

さらに、この装置は、ホルダ７上のエツチング対象金属
膜をドライエツチングが円滑に行われるように加熱する
ヒータＨ、ドライエツチングにより生成される銅・アル
ミニウムハロゲン化合物等の真空容器内部への付着、堆
積を抑制するるための真空容器壁に設けられたヒータｈ
、および同しく銅・アルミニウムハロゲン化合物等の真
空容器内部への付着、堆積を抑制するるための真空ポン
プ６と真空容器１０間に接続された凝縮器Ｃを備えてい
る。

該凝縮器Ｃは冷却水を通すパイプを備えたもので、装置
に脱着可能に構成されている。

なお、恒温槽１０は加熱温度を調節してハロゲン化アル
ミニウムの蒸気ガス発生量を調節できるものである。

以上の装置を用い、エツチング対象物として、前記同様
のシリコン半導体ウェハ９０（銅膜厚は５０００人）を
準備し、該ウェハを前記ホルダ７上に載置した。

また、ボンへ４をクリプトン（Ｋｒ）ガスボンヘ、エツ
チング促進ガスのボンへ５を三塩化ホウ素ガス（ＢＣＩ
）ボンベとした。

そして、エツチングに先立つ第１ステツプとして、ヒー
タＨおよびヒータｈをオンしてエツチング対象金属膜を
約１００°Ｃに向は加熱し、容器１内部を約８０°Ｃに
向は加熱するとともに、容器１内をｌＸｌ０−”（Ｔｏ
ｒｒ）以下の真空状態とした後、真空容器１内を圧力４
０（ｍＴｏｒｒｌに維持しつつボンへ４からクリプトン
ガスを流量９０（ｓｃｃｍ）で真空容器１内に導入し、
電源８にて１３．５６　（ＭＨｚ）、５００　（Ｗ）の
高周波電圧を６０秒印加し、クリプトンガスのプラズマ
を発生させ、このプラズマで露出している銀薄膜表面の
不純物等を除去した。

次に、予め前記ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン
化物ガスのボンベ２として塩素ガス（Ｃ１２）ボンベを
採用しておくとともに、恒温槽１０にはハロゲン化アル
ミニウムとして固体塩化アルミニウム（ＡｆＣｆｆｆ）
を入れ、１６０°Ｃで加熱してその蒸気ガスを生成でき
るようにしておき、第２ステツプとして、前記ヒータＨ
，ｈはオンとしたまま真空容器１内を圧力４０（ｍＴｏ
ｒｒ）に維持しつつ容器１内にボンベ５から流量２５（
ｓｃｃｍ）で三塩化ホウ素ガス（ＢＣＩ３）を、ボンベ
１から流量２０［ｓｃｃｍ）で塩素ガス（ＣＩ！、ｚ　
）を、恒温層１０から流量１００　（ｓｃｃｍ）で塩化
アルミニウム（Ａｆ＋、！！、３）の蒸気ガスをを導入
し、電源８にて１３．５６　（ＭＨ２）、２７５（”＃
）の高周波電圧を３００秒印加し、これら混合ガスをプ
ラズマ化したところ、前記ウェハの銅薄膜の異方性エツ
チングが精度良（実現した。

下地金属層も引き続きプラズマによりエツチングされた
。

このエツチングにおいては、露出した銅薄膜部分におい
てハロゲン化銅を生成する反応Ｃｕ十Ｘ／２・Ｃβ２→
ＣｕＣＩＸ　　と、ハロゲン化銅である塩化銅と塩化ア
ルミニウム（ＡｆＣｊ２：＋）の蒸気ガスとが反応して
銅・アルミニウムハロゲン化合物を生成する反応Ｃｕ　
ＣＩ　Ｘ　十ｙ　Ａ　１２　Ｃ１ｙ−（Ａ　ｌ、　Ｃｕ
　Ｃ、ｉ２ｘ十３ｙ〕　とが起こる。

この反応は、ウェハの金属膜がヒータＨにより加熱され
ているので、円滑に進行する。

ハロゲン化銅は蒸気圧が低く、蒸発しにくいが、この銅
・アルミニウムハロゲン化合物は容易に気相中に蒸発し
、かくしてエツチングが行われる。

ドライエツチングにより生成されて真空容器内部付着堆
積しようとする銅・アルミニウムハロゲン化合物等は、
該容器がヒータｈにより加熱されているので、その熱で
容器内部への付着、堆積が抑制され、また、凝縮器Ｃが
設けられているので、該凝縮器に付着凝縮して除去され
ることにより容器内部への付着、堆積が抑制される。従
って、それだけ真空容器１等の清掃回数を少なく済ませ
ることができる。

凝縮器Ｃに付着物が多くなると、これを装置から外して
清掃し、再び装置に装着しておけばよい。

なお、前記第１および第２ステツプは銅合金についても
同様に実施できる。

塩素ガスに代えて他のハロゲンガスまたは（および）ハ
ロゲン化物のガスを採用し、塩化アルミニウム（，６／
ＩＣｊ２３）に代えて他のハロゲン化アルミニウムを採
用した場合でも、他の条件はそのまま、または必要に応
じて調整、変更等することにより、同様に銅層または（
および）銅合金層のエツチングを行える。

銅または銅合金のドライエツチングにおける他のガスの
組み合わせ例とその場合の化学反応例を次に列挙する。

■　塩素ガス（Ｃｆｚ　）と臭化アルミニウム（ＡＩＢ
ｒｓ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２−　Ｃ１，−ＣｕＣＬ＋ ＣｕＣ１ｗ　＋ｙＡＡＢｒ＝ →（Ａ　ｌｙ　Ｃｕ　Ｃ１ｘ　Ｂ　ｒ　ｚｙ）■　塩素
ガス（Ｃ４□）とヨウ化アルミニウム（Ａｌｌ、）の蒸
気ガスを使用する場合。

Ｃｕ　＋　ｘ　／　２　・Ｃｌ　ｔ　→Ｃｕ　Ｃｌ　ｘ
ＣｕＣｊ２ｘ　＋ＹＡ−Ｉ　Ｉｓ →（Ａｊ２ｙ　Ｃｕ　Ｃｌｘ　　Ｉ　ｓｙ）■　フッ化
水素ガス（ＨＦ）と塩化アルミニウム（ＡＩＩＣＥ３　
）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＋ＣｕＦｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｆ　Ｘ
　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃｆ　：１→〔ＡｌｙＣｕＦＸＣ１
３ｙ〕 ■　フッ化水素ガス（ＨＦ）と臭化アルミニウム（Ａｆ
Ｂｒ：＋）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＋ＣｕＦｘ　　（＋ｘＨ）ＣｕＦＸ＋ｙ
Ａｊ２Ｂｒ：＋ →（Ａｆｙ　Ｃｕ　ＦＸ　Ｂ　ｒｉｙ）■　フッ化水素
・ガス（ＨＦ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｌ：＋）の
蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＦ−＋ＣｕＦ、＜　　（＋ｘＨ）ＣｕＦｘ　
＋ｙＡＩ　Ｉ：＋ →（Ａ　Ｅ、　Ｃｕ　Ｆｘ　　Ｉ　３ｙ］■　フッ素ガ
ス（Ｆ２）と塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ２）の蒸気ガ
スを使用する場合。

Ｃｕ　＋　ｘ　Ｈ、Ｆ　−＋　Ｃｕ　Ｆ　Ｘ（＋　ｘ　
Ｈ）Ｃｕ　Ｆ　Ｘ　＋　ｙ　Ａ　１２　Ｃｌ　３”””
　（Ａ　ｌ　ｙＣｕ　Ｆ　Ｘ　Ｃｉ！、３　ｙ　）■　
フッ素ガス（Ｆ２）と臭化アルミニウム（ＡｆＢｒ３）
の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋Ｘ／２・Ｆ２→ＣｕＦＸ ＣｕＦＸ＋ｙＡ／２Ｂｒ３ ＝　（Ａｆｙ　ＣｕＦＸＢｒｚｙＪ ■　フッ素ガス（Ｆ２）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｌ
３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｆ２→ＣｕＦｘ ＣｕＦｘ　＋ｙＡＩ　Ｉｚ →（ＡｆｙＣｕＦｘ　　１３ｙ） ■　塩化水素ガス（ＨＣｎ）と塩化アルミニウム（Ａ／
２Ｃ／！３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣｆ−＋ＣｕＣｊ２ｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　
Ｃ４２Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｃ１，３→［Ａｌ、ＣｕＣ
ｆつ士ｉｙ　　） ［相］　塩化水素ガス（ＨＣＩ）と臭化アルミニウム（
Ａｌ’Ｂｒ＝）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣ１−＋ＣｕＣ１ｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｃ
１２Ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｂ　ｒ　３→’（Ａ　！！、
ｙ　Ｃｕ　ＣＩ２　ｘ　Ｂ　ｒ　３ｙ　）■　塩化水素
ガス（ＨＣｎ２）とヨウ化アルミニウム（Ａｆｌ：＋）
の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＣｆ−＋ＣｕＣｎｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｃ
Ｉ！、　ｘ　＋　ｙ　Ａ　Ｉ　Ｉ　３→［ＡｌｙＣｕＣ
！Ｘ　Ｉ３ｙ］ ■　臭素ガス（Ｂｒｚ）と塩化アルミニウム（Ａｆｆｉ
Ｃ！３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　−＋ＣｕＢ　ｒＸＣｕＢｒ
ｘ　＋ｙＡＩＣ１ｓ →ＣＡ　ｆ’ｙ　Ｃｕ　Ｂ　ｒ　Ｘ　Ｃｆ　３ｙ〕■　
臭素ガス（Ｂｒｚ）と臭化アルミニウム（ＡｉＢｒ、）
の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｂ　Ｆ２−＋ＣｕＢ　ｒＸＣｕＢｒｘ
　＋ｙＡｆＢｒ、。

→（Ａ　Ｉ！　ｙ　Ｃｕ　Ｂ　ｒ　ｘ−）−：ｌｙ）［
相］　臭素ガス（Ｂｒｚ）とヨウ化アルミニウム（Ａｆ
ｌｌ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋；ｘ／２　・Ｂ　ｒｚ　−＋ＣｕＢ　ｒｘＣｕＢ
　ｒＸ＋ｙＡｆ　１３ →〔Ａｌｙ　ＣｕＢ　ｒｘ　　Ｉｚｙ）■　臭化水素ガ
ス（ＨＢｒ）と塩化アルミニウム（ＡＮ２（、ｅ３）の
蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒｘ　　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｂ
　ｒＸ　＋　ｙ　ＡＮ　Ｃ’ｌｙ−＋〔ＡｆｙＣｕＢ　
ｒＸ　Ｃ１−ｒｙ］■　臭化水素ガス（ＨＢｒ）と臭化
アルミニウム（Ａｊ２Ｂｒ、＋）の蒸気ガスを使用する
場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋ＣｕＢｒＸ　（＋ｘＨ）ＣｕＢｒＸ
＋ｙＡｊ２Ｂｒ３ →（Ａ　Ｅ’、　Ｃｕ　Ｂ　ｒ　ｘ＋：＋ｙｌ■　臭化
水素ガス（ＨＢｒ）とヨウ化アルミニウム（Ａ／２１３
）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＢｒ−＋Ｃ’ｕＢｒ、（＋ｘＨ）ＣｕＢ　ｒ
ｘ　十ｙＡｆ！　Ｉ３ ・　　　　　　→〔Ａｌ１ｙＣｕＢｒＸ　Ｉ３ｙ〕■　
ヨウ素ガス（Ｉ２）と塩化アルミニウム（Ａｚｃ１３）
の蒸気ガスを使用する場合。、　−Ｃｕ＋ｘ／　２・Ｉ
２−４Ｃ’ｕＩｘ　　”　　　”Ｃｕ　Ｉ　ｘ　＋　ｙ
Ａ　Ｉ　Ｃ，ｌ’　３→〔Ａ　Ｉ２１　ｃ、　ｕ　Ｉ　
ｒ　Ｃｊ２’：ｌｙ）［株］　ヨウ素ガス（Ｉ２）と臭
化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）の蒸気ガスを使用する場
合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・Ｉｚ　−＋Ｃｕ　１ｘＣｕＩＸ＋ｙＡ
ＩＢｒ３ →〔Ａｎｙ　Ｃｕ　ＩＸ　Ｂｒ５ｙ：］［相］　ヨウ素
ガス（Ｉ２）とヨウ化アルミニウム（Ａ１１３）の蒸気
ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘ／２　・１．−＋Ｃｕ　Ｉ。

Ｃｕ　ＩＸ＋ｙＡｌ　１３ →（Ａｆ、Ｃｕ　１吋３ｙ’） ■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）と塩化アルミニウム（Ａ４
２Ｃｊ２ｓ）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ十ｘＨＩ−＋Ｃｕ　ＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃｕ　Ｉ　ｘ
　＋　ｙ　Ａ　ｆ！　ＣＩ！、：１→〔ＡＩ！、ｙＣｕ
ＩＸＣρ３ｙ〕 ＠　ヨウ化水素ガス（ＨＩ）と臭化アルミニウム（Ａｆ
Ｂｒ：＋）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋ＣｕＩＸ　（＋ｘＨ）Ｃ１１１Ｘ　十
ｙＡ　１２　Ｂ　ｒ　：＋→（Ａｆｆｉｙ　Ｃｕ　ＩＸ
　Ｂ　ｒｘｙ’３■　ヨウ化水素ガス（Ｈｌ）とヨウ化
アルミニウム（ＡｌＩ３）の蒸気ガスを使用する場合。

Ｃｕ＋ｘＨＩ−＋Ｃｕ　１．（’−，ｘＨ）Ｃｕ　ｌｘ
　＋ｙＡｆｆｉ　Ｉ：Ｊ →［Ａ　ｌ　ｙ　Ｃｕ　Ｉ　Ｘ＋３Ｆ〕以上説明した実
施例装置は金、金合金、銀、銀合金等にも同様に通用で
きる。

また、ドライエツチングにおける前述の化学反応は、金
や銀に関しても同様であり、前述の式においてＣｕをＡ
ｕ、Ａｇに替えたものとなる。

また、前記各実施例では、エツチング対象物としてシリ
コン半導体ウェハを例示したが、本発明は、シリコン半
導体、化合物半導体等の各種半導体基板、プリント基板
等に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明装置によると、銅、銅合金
、金、金合金、銀、銀合金等の金属膜をドライエツチン
グすることができ、しかも、該エツチングにより生成さ
れる物質（錯体、銅・アルミニウムハロゲン化合物等）
の装置への付着堆積を抑制して円滑にエツチングを行う
ことができるとともに該物質の除去清掃回数を少なく済
ませることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例の概略構成図、第２図は本発
明の他の実施例の概略構成図である。 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたは（および）ハロゲン化物ガ
スのボンベ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンベ４・・・不
活性ガスボンベ ５・・・エツチング促進ガスボンへ ６・・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・・高周波電源 ９．９０・・・半導体ウェハ １０・・・恒温槽 Ｈ・・・ヒータ ｈ・・・ヒータ Ｃ・・・凝縮器 第１図 １・・・真空容器 ２・・・ハロゲンガスまたはハロゲン化物のガスのボン
へ ３・・・中性配位子となる物質のガスボンベ４　希ガス
ボンベ ５・・工、チング促進ガスボンベ ６・・真空ポンプ ７・・・ホルダ ８・・高周波電源 ９・・半導体ウェーハ ｌイ、ｈ　ヒータ Ｃ・・凝縮器

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空吸引手段によって所定の真空状態を得ること
   ができる真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハ
   ロゲン化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、中
   性配位子となる物質のガスを前記真空容器へ導入する手
   段と、前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、
   銀および銀合金の少なくとも一種からなるエッチング対
   象金属膜を有する物品の支持ホルダと、前記真空容器内
   へ導入されるガスをプラズマ化するための電源と、前記
   真空容器を加熱する手段を備えたことを特徴とするドラ
   イエッチング装置。
2. （２）真空吸引手段によって所定の真空状態を得ること
   ができる真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハ
   ロゲン化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、中
   性配位子となる物質のガスを前記真空容器へ導入する手
   段と、前記真空容器に設けた銅、銅合金、金、金合金、
   銀および銀合金の少なくとも一種からなるエッチング対
   象金属膜を有する物品の支持ホルダと、前記真空容器内
   へ導入されるガスをプラズマ化するための電源と、前記
   真空吸引手段と前記真空容器との間に接続された凝縮手
   段を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
3. （３）真空吸引手段によって所定の真空状態を得ること
   ができる真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハ
   ロゲン化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、ハ
   ロゲン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成し、該蒸
   気ガスを前記真空容器内へ導入する手段と、前記真空容
   器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀および銀合金の
   少なくとも一種からなるエッチング対象金属膜を有する
   物品の支持ホルダと、前記真空容器内へ導入されるガス
   をプラズマ化するための電源と、前記真空容器を加熱す
   る手段を備えたことを特徴とするドライエッチング装置
   。
4. （４）真空吸引手段によって所定の真空状態を得ること
   ができる真空容器と、ハロゲンガスまたは（および）ハ
   ロゲン化物のガスを前記真空容器へ導入する手段と、ハ
   ロゲン化アルミニウムからその蒸気ガスを生成し、該蒸
   気ガスを前記真空容器内へ導入する手段と、前記真空容
   器に設けた銅、銅合金、金、金合金、銀および銀合金の
   少なくとも一種からなるエッチング対象金属膜を有する
   物品の支持ホルダと、前記真空容器内へ導入されるガス
   をプラズマ化するための電源と、前記真空吸引手段と前
   記真空容器との間に接続された凝縮手段を備えたことを
   特徴とするドライエッチング装置。