JPH04199735A

JPH04199735A - Ｉｃカード

Info

Publication number: JPH04199735A
Application number: JP2332647A
Authority: JP
Inventors: Yoshitomi Toba; 鳥羽　喜富; Tsuneo Endo; 恒雄遠藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-11-29
Filing date: 1990-11-29
Publication date: 1992-07-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、シンボルマーク等のマーク表示技術に関し、
特にＩＣ（集積回路）などの半導体素子を組み込んでな
るＩＣカードやメモリーカード等における品名、シンボ
ルマーク、図柄等の表示形成に適用して有効な技術に関
する。

〔従来の技術〕

ＩＣカードは各種情報の記憶読み出し用のカードとして
広く使用され始めている。

ＩＣカードについては、たとえば、日経マグロウヒル社
発行「日経マイクロデバイスＪ　１９８８年３月号、昭
和６３年３月１日発行、Ｐ５６〜Ｐ６２に記載さている
。ＩＣカードの構造の一つとして、ＬＳＩ（大規模集積
回路）等のＩＣチップをモジュール基材と呼称される配
線基板に組み込の、かつトランスファモールドによって
前記ＩＣチップ等をモールドしたＩＣカード・モジュー
ルをカード基材に組の込んだ構造が知られている。

前記ＩＣカード・モジュール（以下、単にモジュールと
も称する。）は、モジュール基板と呼称されるガラス・
エポキシ樹脂基板からなる配線基板」二にＣＯＢ　（Ｃ
ｈｉｐ　　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）でｒｃチップを実装し、
電極と配線層間をワイヤで接続した後、ＩＣチップ等を
トランスファモールド法によって封止することによって
製造されている。前記モジュールのモールド部が形成さ
れない面ば、複数のコンタクト電極（接触電極端子）が
設けられている。

前記カード基材は塩化ビニル樹脂板で形成され、厚（強
度部材となるセンター・コアと、このセンター・コアの
表裏面を被うオーバーシートとからなっている。

また、電子技術１９８６年８月号、Ｐ７６およびＰ７７
には、ｒｓｏ（国際標準化機関）規格におけるカード寸
法やＩＣ端子（接触電極端子）の最小面積および配列寸
法等について記載されている。

また、ＩＣカー１′には、工業調査会発行「電子材料」
Ｉ９８．５年９月号、昭和５７年３月】日発行、Ｐ３１
〜Ｐ３５に記載されているように、端子構造の違いによ
ってコンタクト方式とカードエツジ方式とがあることが
記載されている。

また、実開昭５８−１．５５０５８号公報には、メモリ
カードについて記載されている。この公報に記載された
メモリカードは、識別記号が外部端子と兼用となってい
る。

〔発明が解決しようとする課題］ＩＣカード等における文字、記号５図柄等の表示（マー
ク）は、−ＣのＩＣカードの表裏面の空き領域に印刷等
によって設けられている。また、前記文献に示すように
メモリカードの例では、コンタクト端子の配列パターン
によってシンボルマークを表示している。

一３＝一般にコンタクト方式のＩＣカードにあっては、ＩＣカ
ードの表面に露出するコンタクト端子（接触電極端子）
群は、表面にメッキが施されている。

ＩＣカードはその全体の表面が樹脂製であることから、
メッキが施された接触電極端子は、見栄えが良く人の目
に留まり易い。特にＩＳＯ準拠のＩＣカードの場合は、
接触電極端子が金メッキとなっているため人目を引き易
い。

ところで、１３０規格に準拠していない前記のようなメ
モリカードの場合は、接触電極端子の配列パターンは自
由に選択できるため、表示するマークのパターンに合う
ように接触電極端子を配列できる。しかし、ＩＳＯ規格
に準拠するＩＣカードの場合は、前記文献に示すように
カード寸法を始めとして、各接触電極端子の配列および
位置ならびにサイズが決められているため、この規格を
満足する範囲内で電気的接続性を損なわないような考慮
をした表示パターン形状にする必要があった。このため
、表示パターンは表記したいマークそのものの形になら
ず、デイフォメーションされた形とならざるを得ない場
合が多く、複雑なパターンの表示はでき難い。また、Ｉ
ＳＯ準拠のＩＣカードの場合には、電気的接続やノイズ
防止のために設けられたグランド配線のために、表記し
たいパターン形状（マーク）の他に余分なパターンも形
成しなければならない。この結果、マークが前記余分な
パターンの中に隠れてしまい、マークの判読が難しくな
るということもあった。

本発明の目的は、接触電極端子群領域に識別性が高いマ
ークを配したＩＣカードを提供することにある。

本発明の他の目的は、一定の配列規格関係にある接触電
極端子群領域に識別性が高いマークを配したＩＣカード
を提供することにある。

本発明の他の目的は、所望パターンのマークを接触電極
端子群領域に形成する技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付同面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

本発明のＩＣカードは、接触電極端子が一定の配列規格
関係にある１３０準拠のカードとなっているとともに、
前記接触電極端子の一部のメッキ表面の光の反射率を他
の部分と異なるように形成することによってマークが形
成されている。このマークは単一の接触電極端子内に設
けられたりあるいは複数の接触電極端子間に亘って設け
られている。

このマークは以下の方法で形成される。

１、接触電極端子を形成するための下地電極端子群上に
表記したいパターンを形成したマスクを重ね、サンドブ
ラストまたは化学的エツチングによりマークとなる下地
電極端子の所望領域を部分的に粗面化する。つぎに、前
記マスクを取り去った後、前記下地電極端子群全体をメ
ッキする。これにより、表面にメッキ膜を有する接触電
極端子群が形成される。メッキ膜表面は、前記粗面上で
は光沢のない梨地面となり、粗面化されない面上では光
沢面となって光沢面または梨地面によるマークが形成さ
れる。

２、下地電極端子上に全面光沢メッキを施した後、表記
したいパターン通りにホトレジスト膜を設けてマスクを
形成する。その後無光沢メッキ処理を行って露出する下
地電極端子面に無光沢メッキ膜を形成し、ついでホトレ
ジスト膜を除去することにより、光沢面によるマークを
形成する。

３、前記光沢メッキおよび無光沢メッキの代わりに、色
調の異なる材質のメッキ、たとえば金メッキおよびニッ
ケルメッキを行い、色調の違いによってマークを形成す
る。

本発明の他の構成としては、一定の配列規格関係にある
接触電極端子群を有するＩＣカードにおいて、所定の接
触電極端子の組み合わせ配列によって所望のパターンを
有するマークを形成する。

このマーク形成にあっては、前記所定の接触電極端子と
他の接触電極端子はあらかじめ相互に異な＝７− る配線系に接続しておき、その後、光沢メッキ槽および
無光沢メッキ槽を順次用いて選択的に光沢メッキおよび
無光沢メッキを行う。この選択メッキの際、前記相互に
異なる配線系を選択使用して選択的な光沢メッキおよび
無光沢メッキを行う。

これにより、光沢面または無光沢面の配列によってパタ
ーン化されたマークが形成される。なお、他の発明構成
としては、前記光沢メッキおよび無光沢メッキに代えて
、色調の異なるメッキ膜を前記相互に異なる配線系の選
択によって形成することによって、色調の異なる面によ
るマークの形成が可能となる。

〔作用〕

上記した手段によれば、本発明の■Ｓｏ準拠のＩＣカー
ドは、接触電極端子群内にマークが形成されているが、
このマークは前記接触電極端子のメッキ表面の光の反射
率の違いによって形成されている。したがって、マーク
の識別性が（判読性）が高くなる。また、接触電極端子
のパターンに係わらない所望領域の光沢化および無光沢
化による構造では、複雑なパターンを有するマークの形
成も可能となる。

また、一定の配列規格関係にある接触電極端子の内の一
部の所定の接触電極端子を他の接触電極端子に比較して
表面の反射率や色調を変えるＩＣカード構成においても
、マーク部分の光の反射率や色調の違いによって判別性
が高くなるため、マークの識別性が高くなる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例によるＩＣカードのモジュー
ルを示す平面図、第２図は同じ＜ＩＣカードの概要を示
す正面図、第３図は同じくＩＣカードの要部を示す断面
図、第４図はＩＳＯ規格における接触電極端子の機能を
明示した平面図、第５図はＩＳＯ規格における接触電極
端子の位置関係を示す平面図、第６図は本発明の一実施
例によるＩＣカード製造に使用するテープの裏面を示す
平面図、第７図は同しく接触電極端子の下地電極端子が
形成されたテープの平面図、第８図は同しくメッキ用配
線等が形成されたテープの底面図、第９図は同じくテー
プの断面図、第１０図は同しく表面にマスクが形成され
たテープの平面図、第１１図は同じくメッキ膜が形成さ
れたテープの断面図、第１２図は同じくマークが形成さ
れたテープの平面図である。

この実施例のＩＣカード１は、第２図に示されるように
、左端寄り中段部分にモジュール（ＩＣカード・モジュ
ール）２を配した薄いカート構造となっている。また、
前記モジュール２はその表面に複数の平板状の接触電極
端子３を有している。

これら接触電極端子３は一定の配列規格関係にあり、Ｉ
ＳＯ規格を満足している。すなわち、ＩＳＯ規格によれ
ば、ＩＣカード１は外形寸法および厚さが規定されてい
るとともに、前記接触電極端子３の機能内容および位置
ならびに各接触電極端子３の最小面積がそれぞれ規定さ
れている。すなわち、ＩＳＯ準拠の場合は、ＩＣカード
１の外形寸法は長辺が８５．４７〜８５．７２　ｍｍ、
短辺が５３．９２〜５４．０３　ｍｍとなり、厚さは０
．７６±０．０８ｍｍとなっている。また、前記接触電
極端子３の配列数。

配列位置、最小面積は、第５図に示されるようになって
いる。接触電極端子３は、Ｃ１〜Ｃａで示ずように左か
ら右に２列、上から下に４段となっている。そして、４
段目の接触電極端子３の外縁（下縁）とＩＣカード】の
上縁との長さはａ　（２８゜５５ｍｍ）となり、２列４
段目の接触電極端子３の外縁（右縁）とＩｃカード１の
左端縁との長さはｂ　（１９，８７ｍｍ）　、前記接触
電極端子３の縦寸法はｃ　（１，７ｍｍ）　、接触電極
端子３の横寸法ばｄ　（２ｍｍ）　、接触電極端子３の
列方向に沿う接触電極端子３相互の間隔はｅ　（０，８
ｍｍ）　、接触電極端子３の段方向に沿う接触電極端子
３相互の間隔はｆ　（５，６ｍｍ）と規定されている。

この実施例のＩＣカード１の場合も、ＩｓＯ準拠準拠前
記規格を満足する接触電極端子群を有している。すなわ
ち、接触電極端子３は、ＩＳＯに準拠する位置にありか
つこの場合の最小寸法を満足するより広い面積となって
いる。この実施例のＩＣカード１におけるモジュール２
の接触電極端子バクーンは、第１図および第４図に示さ
れるようになっている。ここで、接触電極端子Ｃ１〜Ｃ
８の機能について説明する。Ｃ０端子は回路電圧（Ｖｃ
ｃ）　、Ｃｚ端子はりセント信号（Ｒ３Ｔ）、Ｃ１端子
はクロック端子（ＣＬＫ）　、Ｃ４端子は将来のための
予備（ＲＦＵ）、Ｃｓ端子はゼロ電圧（ＧＮＤ）　、Ｃ
，端子はプログラム供給電圧（ＶＰＰ）　、Ｃ？端子は
データ入出力（Ｉｌｏ）、Ｃ８端子は将来のための予備
（ＲＦＵ）である。

このような接触電極端子３において、Ｃ５なるＧＮＤ端
子は、２列の接触電極端子３間に延在して、シールド効
果を高め、ノイズ発生を抑止する構造となっている。し
たがって、このＧＮＤ端子は幅が広くかつ縦方向に向か
って長く延在することになる。

一方、これが本発明の特徴の一つであるが、本発明のＩ
Ｃカード１にあっては、面積が広い前記ＧＮＤ端子の表
面にマーク５が設けられている。

このマーク５は、一実施例としてＩＣなる縦書きのマー
クとなっている。このマーク部分は、以後で詳述するが
、マーク表面の光の反射率が周囲の部分よりも低くなっ
ていて、周囲との識別が容易となっている。すなわち、
マーク５の表面は乱反射面（梨地面）となり、他の表面
は光の反射率の高い金属光沢面となっている。この例で
は、前記マーク５は単一の接触電極端子３、すなわち、
ＧＮＤ端子領域に部分的に設けられているが、隣接する
幾つかの接触電極端子３に亘るように設けてもよいこと
は勿論である。

ここで、前記モジュール２について説明する。

モジュール２は、第３図に示されるように、薄い板状の
カード基材６の一面に設けた窪み７に、半導体デバイス
からなるモジュール２を埋め込んだ構造となっていると
ともに、このモジュール２は、ＴＡＢ　（Ｔａｐｅ　Ａ
ｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｃｌｉｎｇ）構造となってい
る。すなわち、樹脂製のテープ９０表面には、前記接触
電極端子３にそれぞれ対応する下地電極端子１０が設け
られているとともに、裏面には配線層１１が設けられて
いる。前記下地電極端子１０上には接触電極端子３が設
けられている。また、前記下地電極端子１０および配線
層１１は、前記テープ９を貫通するスルーホール１２に
設けられた導電体１３を介して電気的に接続されている
。一方、前記テープ９の裏面中央部分には窪み１４が形
成されているとともに、この窪み領域にはＩＣチップ１
５が固定されている。そして、このＩＣチップ１５の図
示しない電極と、前記配線層１１とは導電性のワイヤ１
６で電気的に接続されている。さらに、前記テープ９の
裏面中央部分は絶縁性の樹脂１７によって封止されてい
る。したがって、前記絶縁性ＩＣチップ１５．ワイヤ１
６．配線層１１の一部等は前記樹脂１７によって被われ
ることになる。

つぎに、前記モジュール２の製造方法、特にマークの形
成方法について説明する。

モジュール２の製造においては、第６図に示されるよう
なテープ９が用意される。このチー１９は、従来確立さ
れたＴＡ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎ
ｄｉｎｇ）技術用のテープであって、樹脂性のテープの
表裏面に薄い銅箔を張り付けた構造となっている。この
テープ９の両側には図示はしないが、スプロケットホー
ルが一定間隔に設けられ、テープ９の搬送や位置決めに
利用される。第６図において、二点鎖線で示される枠部
分がモジュール２が形成される領域であり、このモジュ
ール形成領域２０は、テープ９の長手方向に沿って一定
間隔に配列される。

このようなテープ９において、最初にテープ９を貫通す
るスルーホール１２が形成される。また、これと前後し
て、テープ９の裏面には矩形の窪み１４が形成される。

この窪み１４には、後にＩＣチップ１５が固定される。

つぎに、前記スルーホール１２内にメッキを行い、テー
プ９の表裏面の銅箔を電気的に接続する（第９図参照）
。

つぎに、前記テープ９の表裏面の銅箔は、常用のエツチ
ング技術によってパターニングされる。

テープ９の表面は、第７図に示されるように、ＩＳＯ準
拠の接触電極端子群の下地電極端子１０が設けられる。

この下地電極端子１０のパターンは、第１図のようなパ
ターンに形成される。また、テープ９の裏面のパターン
は、第８図に示されるように、配線層１１が設けられる
とともに、メッキ用配線層２１が設けられる。メッキ用
配線層２１は、前記テープ９の両側に沿って延在する主
線２２と、この主線２２から延在して各配線層１１間を
接続する支線２３とからなっている。また、前記配線層
１１の内端は前記窪み１４の周囲に延在し、ワイヤ接続
用のワイヤポンディングパッド２４を形成している。こ
のワイヤポンディングパッド２４には、後工程でＩＣチ
ップ１５の電極に一端が固定されたワイヤの他端が接続
される。前記下地電極端子１０と配線層１１とは、第９
図に示されるように、導電体１３によって電気的に接続
される。

つぎに、前記テープ９の表面は、第１０図に示されるよ
うに、マスク２５が重ねられる。このマスク２５は、表
記したいパターンが開口され、同図で示されるようにＩ
Ｃなる文字部分が開口部２６となっている。このマスク
２５はホトレジスト膜のように、直接テープ９の表面に
貼り付けられるようなマスりでもよい。

つぎに、サンドブラストにより前記開口部２６に露出す
る下地電極端子１００表面を粗面（梨地面）化する。そ
の後、前記マスク２５を取り外し、通常の電解メッキに
よってＩＳＯ規格に適合するように金メッキ膜２７を下
地電極端子１０全面に形成する。

この結果、第１２図に示されるように接触電極端子３　
（Ｃ，ＮＤ端子領域）にはマーク５が形成される。

このマーク部分は、第１１図に示されるように、前記下
地電極端子１０の粗面２８に対応する金メッキ膜２７の
表面が粗面２９となることにより、あるいは前記金メッ
キ膜２７の表面全体が平滑となって金属光沢を発するよ
うになっても、下地電極端子１０の一部の表面が粗面２
８となることにより、浮き出た識別性の高いマーク５と
なる。

その後、このテープ９には、従来確立されたＴＡＢ技術
によってモジュール２が組み立てられる。

すなわち、第８図の二点鎖線で示すように、テープ９の
裏面の窪み１４底には、ＩＣチップ１５が固定されると
ともに、このＩＣチップ１５の図示しない電極と配線層
１１のワイヤボンディングバノド２４とは、導電性のワ
イヤ１Ｇで接続される。その後、樹脂】７による封正に
よって前記ＩＣチップ１５．ワイーｒ１６．配線層１１
の一部は被われる。さらに、前記モジュール部分は、第
１２図の二点鎖線で示される部分に沿って切断が行われ
、第１図に示されるような、モジュール２が製造される
。

このような実施例による本発明によれば、っぎのような
効果が得られる。

（１）本発明のＩｃカードは、接触電極端子群領域にマ
ークが設けられているが、このマークを形作る表示した
いパターンは、下地電極端子を粗面化することによって
形成されているため、下地電極端子を被う金メッキ膜の
光沢は、粗面化しない領域に対応する金メ・ンキ膜の光
沢に比較して光沢が少なく、そのために表示したいパタ
ーンがはっきりと浮き出て来て判読がし易くなるという
効果が得られる。

（２）本発明のＩＣカードは、接触電極端子群に設ける
マークは、マスクパターンによって自由に選択できるこ
とから、複雑なパターンの形成も容易となる七いう効果
が得られる。

（３）本発明のＩＣカードは、接触電極端子群に設ける
マークは、マスクパターンによって自由に選択できるこ
とから、単一の接触電極端子領域内に形成する以外に隣
接する複数の接触電極端子に亘って形成できるという効
果が得られる。

（４）上記（３）により、本発明のＩｃカードは、小さ
なマークから大きなマークまで自由に選択できるという
効果が得られる。

（５）上記（２）〜（４）により、本発明によれば、接
触電極端子群に設けるマークの設計余裕度が高くなると
いう効果が得られる。

（６）上記（１）〜（５）により、本発明によれば、識
別性が高くかつ所望のパターンのマークを有するＩＣカ
ードを安定して提供できるという相乗効果が得られる。

（７）本発明によれば、接触電極端子が一定の配列規格
関係にあるＩｓＯ準拠のＩＣカードであっても、識別性
が高くかつ複雑な表示パターンを有するマークを提供で
きるという相乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記実施例に
おいては、電解メッキを行ったが、無電解メンキでもよ
い。この場合、テープ９の裏面にメッキ用配線層を設け
る必要はなくなる。また、下地電極端子面の粗面化は、
サンドブラスト法に代えてエツチングによってもよい。

また、前記実施例では、下地電極端子面の一部の粗面化
の後にメッキ膜を形成したが、最初ｔこメッキ膜（金メ
ッキ膜）を形成した後マスキングを行い、その後に表記
したい領域の粗面化を行うようにしても前記実施例同様
な効果が得られる。

第１３図は本発明の他の実施例によるモジュール２の゛
１月角図である。この例では、Ｉ　Ｓ　Ｏｒ４ｉ；拠の
接触電極端子群において、所定の接触電極端子を選ｉｆ
＜使用することによってマーク５を形成したちの＝２０
− である。すなわち、選択した所定の接触電極端子はその
全面が粗面化による無光沢面化あるいは金属光沢面化さ
れる。したがって、この例では、マスクパターンは自由
ではなく、接触電極端子の組み合わせ配列によってのみ
得られるため、複雑なパターンはでき難い。しかし、マ
ーク部分と非マーク部分の表面の光の反射率の違いによ
って、マークの識別性は高い。

つぎに、具体例について説明する。この例では、２つの
接触電極端子３、ずなわち、Ｃ５およびＣ６の接触電極
端子３が梨地面化され、第１３図に示されるように、丁
字形のマーク５が形成される。

このモジュール２の製造においては、第１４図に示すよ
うに、テープ９の裏面におけるメッキ用配線層２１ば、
ハツチングで示すマーク用メッキ用配線３５と、周囲用
メ・ンキ用配線３Ｇとの２系統に分けられる。そして、
この例では、接触電極端子３の下地電極端子１０を形成
した後、光沢用メッキと無光沢用メッキの２回に亘るメ
ンキ処理が行われる。

たとえば、前記テープ９は無光沢メッキ槽に入れられた
後、マーク用メッキ用配線３５に電圧が印加されて、こ
のマーク用メッキ用配線３５に電気的に繋がるＣ１およ
びＣ５の下地電極端子１０の表面に無光沢メッキ膜が形
成される。ついで、前記テープ９は光沢メッキ槽に入れ
られた後、周囲用メッキ用配線層３６に電圧が印加され
て、この周囲用メッキ用配線３６に電気的に繋がるＣｇ
　、Ｃ，ｌ、Ｃ４、Ｃｂ　、Ｃ７、Ｃ，の下地電極端子
１０の表面に光沢メッキ膜（ＩＳＯ規格では金メッキ膜
）が形成される。これにより、第１５図に示されるよう
に、無光沢面による識別性の高いマーク５が形成される
ことになる。このようなモジュール部分は、前記実施例
同様に組み立てられ、最終的にはＩＣカード１に組み込
まれる。なお、光沢化または無光沢化は硬質金メッキに
よる光沢化、軟質金メッキによる無光沢化も可能である
。

また、前記無光沢メッキおよび光沢メッキに代えて、色
調の違いによるメッキ膜を分けて使用することによって
鮮明なマークを得ることができる。

たとえば、ニッケルメッキと金メッキでは色調が異なる
ことから、前記マーク用メッキ用配線３５および周囲用
メッキ用配線層３６を適宜使用して、浮き上がって見え
る識別性の高いマークを形成する。

さらに、本発明においては、メッキ膜の多層化による光
沢化、無光沢化も可能である。たとえば、第１６図はメ
ッキ膜を多層化した例である。すなわち、Ｃ１と０５の
接触電極端子３の下地電極端子１０の表面に無光沢ニッ
ケルメッキ膜４０を形成し、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４８Ｃ６，
Ｃ７，Ｃ８の下地電極端子１０上に光沢ニッケルメッキ
膜４１を設け、その後前記両者のメッキ膜４０．４１上
に硬質金メッキ膜４２を形成した例である。この例では
、接触電極端子３の表面は硬質金メッキ膜４２で形成さ
れていることから、識別性の高いマークが得られるばか
りでなく、耐磨耗性も高くなるという効果も得られる。

以上のように、本発明においては、無電解メッキ、単一
メッキ用配線系あるいは複数メッキ用配線系による電解
メッキにより、さらにはメッキ浴（メッキ材質）の選択
によって識別性の高いマーりの形成が達成できる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＩＳＯ準拠のＩＣカ
ードのマーク形成技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではない。

本発明は少な（ともマーク表示技術には適用できる。

〔発明の効果〕本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明のＩＳＯ準拠のＩＣカードは、表示したい部分（
マーク）のメッキ光沢の度合いが他の部分と異なるため
、マーク（パターン形状）が判読し易い。また、マスク
を使用してマーク部分あるいはマークから外れる部分を
粗面化することによってマークを形成する方法によれば
、複雑なパターン形状のマークも得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるＩＣカードのモジュー
ルを示す平面図、第２図は同しくＩＣカードの概要を示す正面図、第３図
は同しくＩＣカードの要部を示す断面図、第４図はＩＳ
Ｏ規格における接触電極端子の機能を明示した平面図、第５図は１３０規格における接触電極端子の位置関係を
示す平面図、第６図は本発明の一実施例によるＩＣカード製造に使用
するテープの裏面を示す平面図、第７図は同しく接触電
極端子の下地電極端子が形成されたテープの平面図、第８図は同じくメッキ用配線等が形成されたテープの底
面図、第９図は同じくテープの断面図、第１０図は同じく表面にマスクが形成されたテープの平
面図、第１１図は同じくメッキ膜が形成されたテープの断面図
、第１２図は同しくマークが形成されたテープの平面図、第１３図は本発明の他の実施例によるモジュールの平面
図、第１４図は同じくモジュール形成用のテープの底面図、第１５図は同じくマークが形成されたテープの平面図、第］６図は本発明の他の実施例によるモジュールの一部
を示す斜視図である。１・・・ＩＣカード、２・・・モジュール、３・・・接
触電極端子、５・・・マーク、６・・・カード基材、７
・・・窪み、９・・・テープ、１０・・・下地電極端子
、１１・・・配線層、１２・・・スルーホール、１３・
・・導電体、１４・・・窪み、１５・・・ＩＣチップ、
１Ｇ・・・ワイヤ、１７・・・樹脂、２０・・・モジュ
ール形成領域、２１・・・メッキ用配線層、２２・・・
主線、２３・・・支線、２４・・・ワイヤポンディング
パッド、２５・・・マスク、２６・・・開口部、２７・
・・金メッキ膜、２８・・・粗面、２９・・・粗面、３
５・・・マーク用メッギ用配線、３６・・・周囲用メッ
キ用配線、４０・・・無光沢ニッケルメッキ膜、４１・
・・光沢ニンケルメッキ膜、４２・・・硬質金メッキ膜
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Claims

【特許請求の範囲】

１．接触電極端子群を有するＩＣカードであって、前記接触電極端子群領域内にマークが表示されたことを
特徴とするＩＣカード。
２．前記接触電極端子群は一定の配列規格関係にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＩＣカード
。
３．前記接触電極端子群において単一の接触電極端子内
にまたは複数の接触電極端子に跨がってマークが表示さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ＩＣカード。
４．前記接触電極端子群において一部の接触電極端子の
組み合わせ配列によってマークが形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＩＣカード。
５．前記接触電極端子はメッキ膜で被われているととも
に、前記マークはマーク以外の表面部分の反射率と異な
る反射率を有するメッキ膜で被われていることを特徴と
する特許請求の範囲第３項または第４項記載のＩＣカー
ド。
６．前記メッキ膜は少なくとも一部が多層となるととも
に露出する面は金メッキ膜で形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第５項記載のＩＣカード。