JPH0419808A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製作法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録を行なう磁気ヘッドの製作法に関し、
特にアジマス角を持つ複数の薄膜磁気ヘッドを同時に製
作する方法に関するものである。 ［従来の技術］ 従来の複合薄膜磁気ヘッド製作法は、特開昭６３−２５
９８１８に開示されているように、基板の磁気ヘッド形
成面上に磁性膜、絶縁膜、及び導体層を薄膜により積層
し、薄膜磁気ヘッドを多数形成した後、磁気ヘッド素子
を１つまたは２つ有する２つの磁気ヘッドブロックに分
離し、この１つの磁気ヘッドブロック端面にヘッドギャ
ップ面に対しある角度をなす切斬面を形成し、このブロ
ックを他方の磁気ヘッドブロックに接合し、２つのブロ
ックの磁気ヘッドがアジマス角をなすように一体化して
いた。 τ発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、２つの薄膜磁気ヘッド素子ブロックを
別々に製作し、さらに片方の磁気ヘッド素子ブロックに
ある角度からなる切断面を設けた後、２つの磁気ヘッド
ブロック素子を接合していたため、生産性が低かった。

【課題を解決するための手段】

上記課題を解決するため、あらかじめ基板に方位依存性
エツチングを用いてアジマス角に相当するＶ溝を形成し
、さらにこのＶ溝内に磁性膜、絶縁膜の薄膜よりなる２
つの磁気ヘッドを同時に形成するようにした。 １作用】 本発明によれば、２つのヘッドにアジマス角を設定する
工程として、方位依存性エツチングを用いるため、アジ
マス角を形成するために磁気ヘッド素子ブロックを切断
、接合する工程を省略することができる。また、方位依
存性エツチングによって得られる■溝は基板の結晶に依
存するため、極めて再現性に優れている。 ［実施例］ 以下、図を用いて本発明を説明する。 第１図は本発明を用いて製作された複合薄膜磁気ヘッド
である。方位依存性エツチングを用いて成形された■溝
２内に磁性膜、絶縁膜よりなる磁気ヘッドのギャップ１
０ａ、１０ｂを形成しである。 磁気記録再生を行なうコイルｌｌａ、ｌｌｂは■溝２外
部の平坦部に形成しである。コイルは■溝２内にかかる
ように形成してもかまわない。記録媒体ハキャップｌｏ
ａ、１０ｂに接するように位置し、ヘッドに対し上下方
向へ相対移動することになる。 第２図、第３図を用いて上記実施例の磁気ヘッドの製造
方法を説明する。 第２図は方位依存性エツチングを用いて■溝２を形成す
る過程をウェハ断面で説明する図である。 ウェハ面が（１，０，０）面となるウェハ１を用意する
（第２図（ａ））。このウェハに熱酸化法を用いて酸化
膜を形成し、さらにホトリソグラフィを用い酸化膜に矩
形間ロバターン３を形成する（第２図（ｂ））。この酸
化膜をマスクとしてＫＯＨ等を用いウェハ１を方位依存
性エツチングする。 エツチングによって現われる（１，１．１）面のエツチ
ング速度に対し、（１，０，０）面のエツチング速度は
速いため、酸化膜間ロバターンを底辺とする台形にエツ
チングが進行し、■溝２両側の（１，１，１）面が一致
したところでエツチングが停止する（第２図（Ｃ））。 さらに残りの酸化膜を一度除去した後、酸化膜を形成す
る（第２図（ｄ））。エツチングにより酸化膜の矩形パ
ターンを底面とする角錐型の凹部がウェハ１上に形成さ
れ、この角錐の２面を■溝２として用いる。 次に第３図を用いて■溝２上に薄膜磁気ヘッドを形成す
る過程を説明する。第３図はウェハの断面構造がわかる
ように角錐凹部を斜視図で示す。 また、磁気ヘッドも、図を見易くするため片側のみ図示
している。方位依存性エツチングを用いて形成した■溝
２上にギャップとなる磁性膜５ａ、絶縁膜６、磁性膜５
ｂをスパッタリング法、あるいは電着法等を用いて積層
する（第３図（ｂ））。 さらにマスキングパターンの形成とドライエツチング等
を行ないＶ溝両側の磁気ヘッドの分離、不要部分の磁性
膜、絶ａ膜の除去を行なう（第３図（Ｃ））。 次に基板１の平坦な部分にコイル１１を形成する（第３
図（ｄ））。コイル１１上に絶縁膜、磁性膜をさらに積
層し、磁気回路を形成する。ギャップ部分はホトレジス
トを利用した局部めっき法、リフトオフ法等によって形
成することも可能である。 １つの■溝上に形成される２つの磁気ヘッドのなす角度
はエツチングによって決定される。本実施例で示すヘッ
ドは第２図（ｃ）にθで示す角度が約５４．７°である
。本発明によればアジマス角を設定するために２つの磁
気ヘッドを接合するという工程を省略することができる
ため、第４図に示すように１枚の基板上に同時に多数形
成することができる。 第５図は任意のアジマス角を持つ磁気ヘッドの断面図で
ある。磁気ヘッドのギャップ部を１０ｃ、１０ｃｌに示
す。薄膜磁気ｌ＼フット形成する基板１の面方位をあら
かじめ（１，０，０）面から傾けてエツチングを行なう
と、偏りを持った角錐凹部か形成される。この角錐面と
平坦部にヘッドを形成する。 シリコンの結晶方位による方位依存性エツチング速度は
明らかになっているため、求めるアジマス角が得られる
ように基板の面方位を決定すればよい。 ［発明の効果］ アジマス角に相当する２つのヘッドの傾きをシリコン単
結晶の面方位と方位依存性エツチング特性によってあら
かじめ設定することが可能である。 このため、アジマス角を設定するために複数のヘッドを
接合する工程製省略することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によって製作された磁気薄膜ヘッドの構
造を示す外観図、第２図はアジマス角を与えるＶ溝の形
成を説明する断面図、第３図はＶ溝上に磁気ヘッドを形
成する手順を説明する斜視図、第４図は本発明によって
一括して多数の薄膜磁気ヘッドが形成されることを示す
斜視図、第５図は任意のアジマス角を持つ磁気ヘッドの
製作を行なうための方位依存性エツチングを説明する説
明図である。 符号の説明 ２・・・・・・・・・・・・方位依存性エツチングによ
るＶ溝１０・・・・・・・・・・・薄膜ヘッドの磁極代
理人　弁理士　小川　勝勇（− 第 因 磁気へ−ｙｉｊ／ｌｑ’−ッγ コイＩし 第　２　図 （α） （ＬＤ、Ｏ） （し） （１゜ （ｄ） （レン

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、方位依存性エッチングを用いて単結晶の結晶面に形
   成されたＶ型状溝の両側に、磁性膜と絶縁膜とを積層し
   た構造を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、アジマス角を持つ薄膜磁気ヘッドの製作法において
   、半導体基板の磁気ヘッド形成面に方位依存性エッチン
   グを用いＶ溝を形成し、このＶ溝内両側に磁性膜、絶縁
   膜の薄膜を積層し、これらの膜を磁気回路を形成するよ
   うにエッチングし、さらにコイルを形成し、２つの磁気
   ヘッドを同時に積層する薄膜磁気ヘッド製作法。 ３、基板の磁気ヘッド形成面上に方位依存性エッチング
   を行ないＶ溝を形成し、このＶ溝片面と磁気ヘッド形成
   面上とに磁性膜、絶縁膜の薄膜を形成し、これらの膜を
   磁気回路を形成するようにエッチングし、さらにコイル
   を形成し、２つの磁気ヘッドを同時に積層する薄膜磁気
   ヘッド製作法。