JPH04192518A - 半導体装置の熱処理装置 - Google Patents
半導体装置の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH04192518A JPH04192518A JP32481790A JP32481790A JPH04192518A JP H04192518 A JPH04192518 A JP H04192518A JP 32481790 A JP32481790 A JP 32481790A JP 32481790 A JP32481790 A JP 32481790A JP H04192518 A JPH04192518 A JP H04192518A
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- Japan
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- boat
- heat treatment
- furnace
- core tube
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- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の熱処理装置に関し、特に管ｒｐ
Ｊをを鉛直方向に、開口部か下側になるように配置した
炉心管を有する半導体装置の熱処理装置（以下、縦型拡
散炉という）に関する。
Ｊをを鉛直方向に、開口部か下側になるように配置した
炉心管を有する半導体装置の熱処理装置（以下、縦型拡
散炉という）に関する。
従来の縦型拡散炉は第４図に示すように、半導体ウェハ
ース６をボート５へ積載し、さらにボート５を保温筒７
及びキャップ８上へ載せ、ボートローダ９により炉心管
１内△、人・かする。
ース６をボート５へ積載し、さらにボート５を保温筒７
及びキャップ８上へ載せ、ボートローダ９により炉心管
１内△、人・かする。
炉心管１はヒータ１０により所望のｔ品度となるように
制御され、カス導入管３よりカス導入口２ｔ！−通して
カスが供給される。炉心管１内でボート５は下部を保温
筒７によって支えられており、上部は全く支持されてい
ない。また、４は排気管である。
制御され、カス導入管３よりカス導入口２ｔ！−通して
カスが供給される。炉心管１内でボート５は下部を保温
筒７によって支えられており、上部は全く支持されてい
ない。また、４は排気管である。
二の従来の縦型拡散炉では、ボート５は保温筒７に載っ
ているたけで、上部を固定されていない。
ているたけで、上部を固定されていない。
従って、ボートの製造時のカタや保温筒との接触部での
カタ及び高温の熱処理によるボートの変形等により、ボ
ート上部に傾きを生ずることかある。
カタ及び高温の熱処理によるボートの変形等により、ボ
ート上部に傾きを生ずることかある。
上述したようなボートの傾きは、炉心管内のウェハース
６の周囲でのカスの流れ及び炉心管からの輻射熱の不均
一の原因となる。カスの流れの不均一は、ウェハースの
温度の不均一等、処理に関する条件の不均一を生じ、そ
の結果、酸化膜厚や拡散層深さ等のウェハース面内のば
らつきを生ず本発明の目的は、ボート上部の傾きを防止
した半導体装置の熱処理装置を提供することにある。
６の周囲でのカスの流れ及び炉心管からの輻射熱の不均
一の原因となる。カスの流れの不均一は、ウェハースの
温度の不均一等、処理に関する条件の不均一を生じ、そ
の結果、酸化膜厚や拡散層深さ等のウェハース面内のば
らつきを生ず本発明の目的は、ボート上部の傾きを防止
した半導体装置の熱処理装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の熱
処理装置は、管側壁を鉛直方向に配置し、開口部が下側
にある炉心管内に炉心管下部より支え治具上に配置した
半導体ウェハーを入炉し熱処理を行う装置において、炉
心管内壁り部と半導体支え治具上部とを固定するＩＩ横
を有するものである。
処理装置は、管側壁を鉛直方向に配置し、開口部が下側
にある炉心管内に炉心管下部より支え治具上に配置した
半導体ウェハーを入炉し熱処理を行う装置において、炉
心管内壁り部と半導体支え治具上部とを固定するＩＩ横
を有するものである。
炉心管内面の上部とボートの上部にボート上部を固定１
−、ボートの傾きを防止する。
−、ボートの傾きを防止する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例１に係る縦型拡散炉を示す断
面図である。
面図である。
図において、ボート５の上部には凹型のボート支え受け
１２、炉心管ｌの内面上部には凸型力士部ボー１〜支え
１１かそれぞれ取り叶けられている、その他の炉心管１
、カス導入口２、カス導入管３゜排気管４、保温筒７、
キヤ・ツブ８、ボートローダ９、ヒータ１０については
従来と同じである。
１２、炉心管ｌの内面上部には凸型力士部ボー１〜支え
１１かそれぞれ取り叶けられている、その他の炉心管１
、カス導入口２、カス導入管３゜排気管４、保温筒７、
キヤ・ツブ８、ボートローダ９、ヒータ１０については
従来と同じである。
実施ｍ１において、入炉の際２ボート５を槓ａしたロー
タ９が上昇し、炉心管１の内面上部に取付けられた上部
ポート支え１１と接触する直前て゛停止する。ボート支
え受け１２は、すりばち状の形状となっており、上部ポ
ート支え１１は五角錐の上部を切り取った形状であるた
め、もしボート上部に傾きか生じている場合は、上部ポ
ート支え１１と、ボート支え受け１２とが接触し、傾き
を補正する二とができる。
タ９が上昇し、炉心管１の内面上部に取付けられた上部
ポート支え１１と接触する直前て゛停止する。ボート支
え受け１２は、すりばち状の形状となっており、上部ポ
ート支え１１は五角錐の上部を切り取った形状であるた
め、もしボート上部に傾きか生じている場合は、上部ポ
ート支え１１と、ボート支え受け１２とが接触し、傾き
を補正する二とができる。
本発明の縦型拡散炉の効果を示すデータが第３図のグラ
フである。従来の装置に比べ、ボート上部を保持した場
合の方か、膜厚の面内ばらつきを低減できた。
フである。従来の装置に比べ、ボート上部を保持した場
合の方か、膜厚の面内ばらつきを低減できた。
（実施例２）
第２図は、本発明の実施例２に係る縦型拡散炉を示す断
面図て′ある。
面図て′ある。
実施ｐＨでは、ボート上部が単一の゛炉心管と接してい
るなめにボートを炉心管内部で回転させることはできな
いか、炉心管内部でボートを回転させることにより、酸
化膜厚や拡散層深さ等のウェハー面内均一性を更に向り
させることができる。
るなめにボートを炉心管内部で回転させることはできな
いか、炉心管内部でボートを回転させることにより、酸
化膜厚や拡散層深さ等のウェハー面内均一性を更に向り
させることができる。
そこで、実施例２では、炉心管を外部炉心管１３と内部
炉心管１４との二重にすることにより、炉心管内でのボ
ートの回転を可能にしている。
炉心管１４との二重にすることにより、炉心管内でのボ
ートの回転を可能にしている。
ボート５は内部炉心管１４に内部炉心管内面上部の上部
ポート支え１１とボート上部のボート支え受け１２とに
より固定されている。また内部炉心管１４及びボート５
は同一のキャップ８上に載っているため、キャップ８を
モータ１５によつボートロータ９に対してベアリング１
６で駆動回転させることにより、ホード５を内部炉心管
１４と共に回転させることが可能である。これによって
実施例１で得られた以上の膜厚及び拡散層深さの均一性
を得ることができるという利点を有する。
ポート支え１１とボート上部のボート支え受け１２とに
より固定されている。また内部炉心管１４及びボート５
は同一のキャップ８上に載っているため、キャップ８を
モータ１５によつボートロータ９に対してベアリング１
６で駆動回転させることにより、ホード５を内部炉心管
１４と共に回転させることが可能である。これによって
実施例１で得られた以上の膜厚及び拡散層深さの均一性
を得ることができるという利点を有する。
第３図は本発明の縦型拡散炉による、膜厚のウェハー面
内均一性の改鉾例であるか、実施例１のポー１〜上部保
持のみ行った場合上りら、実施例２のボートを回転させ
ると、膜厚め面内均−性は更に改善することかできた。
内均一性の改鉾例であるか、実施例１のポー１〜上部保
持のみ行った場合上りら、実施例２のボートを回転させ
ると、膜厚め面内均−性は更に改善することかできた。
（発明の効果コ
以上説明したように本発明は、ボート上部にボート支え
受けを、炉心管内面上部に上部ポート支えを取り付ける
ことにより、熱処理中のボート上部の傾きを防止するこ
とができる。
受けを、炉心管内面上部に上部ポート支えを取り付ける
ことにより、熱処理中のボート上部の傾きを防止するこ
とができる。
これによって、ボートの傾きに起因するガスの流れ及び
炉心管からの輻射熱の不均一による膜厚。
炉心管からの輻射熱の不均一による膜厚。
拡散層深さ等のウェハー面内のばらつきを抑制できる効
果かある。
果かある。
第１図は、本発明の実施例１を示す断面図、第２図は、
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は、本発明の実
施例１．２の縦型拡散炉を用いて半導体ウェハースの酸
化処理を行った時の酸化膜厚のばらつきを従来例の縦型
拡散炉と比較した図、第５４図は、従来の縦型炉を示す
断面図である。 】・・・炉心管 ２・・・ガス導入口３９、
・カス導入管 ４・・・排気管５・・・ボート
ｂ・・・ウェハース７・・・保温間
８・・・キヤ・・１７９・・・ボートローダ
１０・・・ヒータ１１、・・上部ボート支え １２・
・・ボート支え受け１３・・・外部炉心管 １４
・・・内部炉心管１５・・・モータ 特許出即入 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中部１図 ｕｌｌ二部ポートＩえ 第２図
本発明の実施例２を示す断面図、第３図は、本発明の実
施例１．２の縦型拡散炉を用いて半導体ウェハースの酸
化処理を行った時の酸化膜厚のばらつきを従来例の縦型
拡散炉と比較した図、第５４図は、従来の縦型炉を示す
断面図である。 】・・・炉心管 ２・・・ガス導入口３９、
・カス導入管 ４・・・排気管５・・・ボート
ｂ・・・ウェハース７・・・保温間
８・・・キヤ・・１７９・・・ボートローダ
１０・・・ヒータ１１、・・上部ボート支え １２・
・・ボート支え受け１３・・・外部炉心管 １４
・・・内部炉心管１５・・・モータ 特許出即入 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中部１図 ｕｌｌ二部ポートＩえ 第２図
Claims (1)
- （１）管側壁を鉛直方向に配置し、開口部か下側にある
炉心管内に炉心管下部より支え治具上に配置した半導体
ウェハーを入炉し熱処理を行う装置において、炉心管内
壁上部と半導体支え治具上部とを固定する機構を有する
ことを特徴とする半導体装置の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32481790A JPH04192518A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体装置の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32481790A JPH04192518A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体装置の熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192518A true JPH04192518A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18170005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32481790A Pending JPH04192518A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体装置の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192518A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104975350A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-14 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP32481790A patent/JPH04192518A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104975350A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-14 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
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