JPH04192371A - 太陽電池素子 - Google Patents
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- JPH04192371A JPH04192371A JP2317813A JP31781390A JPH04192371A JP H04192371 A JPH04192371 A JP H04192371A JP 2317813 A JP2317813 A JP 2317813A JP 31781390 A JP31781390 A JP 31781390A JP H04192371 A JPH04192371 A JP H04192371A
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Classifications
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光とは反対側の面に一対の主電極を持つシリ
コン太陽電池素子に関する。
コン太陽電池素子に関する。
太陽電池を用いる太陽光発電は電卓の電源や電力配線系
統網のない灯台の電源や山間僻地の通信設備の電源とし
て普及しているが、既存の電力源の水力、火力、原子力
発電と比較して発電原価が高いため、一般電源として普
及するに至っていない。この問題解決には太陽電池の光
電変換効率の向上とその製造原価の低減が重要である。
統網のない灯台の電源や山間僻地の通信設備の電源とし
て普及しているが、既存の電力源の水力、火力、原子力
発電と比較して発電原価が高いため、一般電源として普
及するに至っていない。この問題解決には太陽電池の光
電変換効率の向上とその製造原価の低減が重要である。
最近、太陽電池の変換効率の向上に関して、原理的に変
換効率の向上が期待できる注目すべき、裏面接触シリコ
ン太陽電池素子（Ｂａｃｋｓｉｄｅ −Ｃｏｎｔａｃｔ
Ｓｉｌｉｃｏｎ ５ｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ）が発表され
た。この太陽電池素子については、ソーラ セルズ、
１ ’７ （１９８’６年）第８５頁から第１１８頁に
、この素子の動作理論とこの素子の実験結果が述べられ
ている。また、アイ・イー・イー、第１９回太陽電池専
門家会議（１９８７年）、会議録、第１２０１頁から第
１２０８頁に、この素子のさらに発展させた動作理論が
論ぜられている。現在ではこの素子の製造原価低減の努
力が進められており、第４回国際太陽電池科学技術会議
（１９８９年）、プロシーディング第１４３頁から第１
４９頁に、この素子の安価な製造方法が論ぜられるよう
になってきている。
換効率の向上が期待できる注目すべき、裏面接触シリコ
ン太陽電池素子（Ｂａｃｋｓｉｄｅ −Ｃｏｎｔａｃｔ
Ｓｉｌｉｃｏｎ ５ｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ）が発表され
た。この太陽電池素子については、ソーラ セルズ、
１ ’７ （１９８’６年）第８５頁から第１１８頁に
、この素子の動作理論とこの素子の実験結果が述べられ
ている。また、アイ・イー・イー、第１９回太陽電池専
門家会議（１９８７年）、会議録、第１２０１頁から第
１２０８頁に、この素子のさらに発展させた動作理論が
論ぜられている。現在ではこの素子の製造原価低減の努
力が進められており、第４回国際太陽電池科学技術会議
（１９８９年）、プロシーディング第１４３頁から第１
４９頁に、この素子の安価な製造方法が論ぜられるよう
になってきている。
上記従来技術における太陽電池素子は、その動作原理か
ら理解されるように、その製作には微細加工の可能なフ
ォトリングラフィ技術や真空蒸着技術を適用することが
必要となり、製造原価が高くなるという問題があった。
ら理解されるように、その製作には微細加工の可能なフ
ォトリングラフィ技術や真空蒸着技術を適用することが
必要となり、製造原価が高くなるという問題があった。
、本発明の目的は上記の問題を解消した太陽電池素子を
提供することにある。具体的にはスクリーン印刷技術を
用いる製法に適した太陽電池素子を提供することにある
。
提供することにある。具体的にはスクリーン印刷技術を
用いる製法に適した太陽電池素子を提供することにある
。
一般にスクリーン印刷技術はフォトリソグラフィー技術
と比較して、最小線幅が大きく、位置合わせ精度（アラ
イメント度）が低い。現在改良が相当進められているが
、そのスクリーン印刷技術を用いても、最小線幅は１０
０μｍ程度で、位置合わせ精度は１０ｃａＸ１０ａｎ角
の面積に対して。
と比較して、最小線幅が大きく、位置合わせ精度（アラ
イメント度）が低い。現在改良が相当進められているが
、そのスクリーン印刷技術を用いても、最小線幅は１０
０μｍ程度で、位置合わせ精度は１０ｃａＸ１０ａｎ角
の面積に対して。
最大位置づれが１５０μｍ程度生じている。このような
最小線幅と位置合わせ精度のスクリーン印刷技術で、高
い光電変換効率の裏面接触シリコン太陽電池素子を製作
することが可能がどうかを計算検討した。このため公知
の裏面接触シリコン太陽電池素子（ソーラ セルズ、１
７（１９８６年）第８７頁第１図に記載の裏面ポイント
接触シリコン太陽電池素子及びアイ・イー・イー、第１
９回太陽電池専門家会議（１９８７年）、会議録、第１
２０７頁第１２図ならびに第４回国際太陽電池科学技術
会議（１９８９年）、プロシーディング、第１４４頁第
１図に記載の裏面ベースライン接触シリコン太陽電池素
子）の計算機特性シミュレーションプログラムを作成し
て、最小線幅、位置合わせ精度に関連する素子パラメー
タを変えて、これらと素子特性との関係を検討した。
最小線幅と位置合わせ精度のスクリーン印刷技術で、高
い光電変換効率の裏面接触シリコン太陽電池素子を製作
することが可能がどうかを計算検討した。このため公知
の裏面接触シリコン太陽電池素子（ソーラ セルズ、１
７（１９８６年）第８７頁第１図に記載の裏面ポイント
接触シリコン太陽電池素子及びアイ・イー・イー、第１
９回太陽電池専門家会議（１９８７年）、会議録、第１
２０７頁第１２図ならびに第４回国際太陽電池科学技術
会議（１９８９年）、プロシーディング、第１４４頁第
１図に記載の裏面ベースライン接触シリコン太陽電池素
子）の計算機特性シミュレーションプログラムを作成し
て、最小線幅、位置合わせ精度に関連する素子パラメー
タを変えて、これらと素子特性との関係を検討した。
この計算検討の結果から、自己位置合わせ（セルフ ア
ライメント）構造を裏面接触シリコン太陽電池素子に持
たせることができれば、スクリーン印刷技術を用いて十
分高い光電変換効率の素子が製造できることが分った。
ライメント）構造を裏面接触シリコン太陽電池素子に持
たせることができれば、スクリーン印刷技術を用いて十
分高い光電変換効率の素子が製造できることが分った。
本発明では自己位置合わせを実現するため、ｎ＋−ｐ−
ｐ十三層構造においてはｎ中層を島状に凸形にして、か
つ不純物ドーピング濃度をｐ中層のそれより高くした構
造を採用した。すなわち、ｐ型シリコン基板の裏面全面
にｎ中層を高濃度不純物拡散（例えぼりん拡散）で形成
した後、この層を選択エツチングにより島状の凸形を有
するｎ中層を形成し、しかる後、全面にｐ中型の低濃度
不純物拡散（例えばボロン拡散）をすれば、ｎ中層の不
純物ドー ピング濃度が高いため、ｎ中層に反転される
ことなく、ｎ中層とＰ中層とを何らかの位置合わせの処
理を実施することなく分離できる自己位置合わせ（セル
フアライメント）構造を実現できる。
ｐ十三層構造においてはｎ中層を島状に凸形にして、か
つ不純物ドーピング濃度をｐ中層のそれより高くした構
造を採用した。すなわち、ｐ型シリコン基板の裏面全面
にｎ中層を高濃度不純物拡散（例えぼりん拡散）で形成
した後、この層を選択エツチングにより島状の凸形を有
するｎ中層を形成し、しかる後、全面にｐ中型の低濃度
不純物拡散（例えばボロン拡散）をすれば、ｎ中層の不
純物ドー ピング濃度が高いため、ｎ中層に反転される
ことなく、ｎ中層とＰ中層とを何らかの位置合わせの処
理を実施することなく分離できる自己位置合わせ（セル
フアライメント）構造を実現できる。
本発明太陽電池素子は、裏面における一対の主電極をコ
ンタクト接触する個所が自己整合によって形成し得る構
造となっているため、一対の主電極をスクリーン印刷技
術によって形成することが可能となる。このため、高変
換効率を有する太陽電池素子を容易に製造することが可
能となる。
ンタクト接触する個所が自己整合によって形成し得る構
造となっているため、一対の主電極をスクリーン印刷技
術によって形成することが可能となる。このため、高変
換効率を有する太陽電池素子を容易に製造することが可
能となる。
第１図及び第２図は本発明太陽電池素子の実施例を示す
概略断面図及び拡大図である。
概略断面図及び拡大図である。
図において、１は受光面となる一方の主表面１１及び一
方の主表面１１と反対側に位置し頂部１２１と谷部１２
２とからなる他方の主表面１２の間に、一方の主表面１
１に隣接するｐ型導電性の第１の層１３、第１の層１３
に隣接する第１の層１３より低不純物濃度のｐ型温電性
の第２の層１４、第２の層１４及び他方の主表面１２の
頂部１２１に隣接する第２の層１４より高不純物濃度の
ｎ型導電性の第３の層１５、第２の層１４及び他方の主
表面上２の谷部１２２に隣接する第３の層１５と第２の
層１４との間の不純物濃度を有するｐ型温電性の第４の
層１６を有する半導体基体である。他方の主表面１２の
頂部１２１及び谷部１２２はそれぞれくし形を有し、そ
のくし歯を咬合わせた形状となっている。一方の主表面
１１及び他方の主表面１２の谷部１２２は微少凹凸の存
在するテクスチュア面となっており、その上に酸化膜２
，３が形成されている。４は酸化膜２上に形成したＴ
ｉ Ｏ２膜、５は他方の主表面１２の頂部１２１のくし
形の背部上にあって第３の層１５にオーミック接触する
第１の主電極、６は他方の主表面１２の谷部１２２のく
し形の背部上にあって第４の層１６にオーミック接触す
る第２の主電極である。
方の主表面１１と反対側に位置し頂部１２１と谷部１２
２とからなる他方の主表面１２の間に、一方の主表面１
１に隣接するｐ型導電性の第１の層１３、第１の層１３
に隣接する第１の層１３より低不純物濃度のｐ型温電性
の第２の層１４、第２の層１４及び他方の主表面１２の
頂部１２１に隣接する第２の層１４より高不純物濃度の
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表面上２の谷部１２２に隣接する第３の層１５と第２の
層１４との間の不純物濃度を有するｐ型温電性の第４の
層１６を有する半導体基体である。他方の主表面１２の
頂部１２１及び谷部１２２はそれぞれくし形を有し、そ
のくし歯を咬合わせた形状となっている。一方の主表面
１１及び他方の主表面１２の谷部１２２は微少凹凸の存
在するテクスチュア面となっており、その上に酸化膜２
，３が形成されている。４は酸化膜２上に形成したＴ
ｉ Ｏ２膜、５は他方の主表面１２の頂部１２１のくし
形の背部上にあって第３の層１５にオーミック接触する
第１の主電極、６は他方の主表面１２の谷部１２２のく
し形の背部上にあって第４の層１６にオーミック接触す
る第２の主電極である。
次に、かかる構成の太陽電池素子の製法を説明する。
まず、ｐ型で比抵抗１Ω・１、厚さ２００μｍのシリコ
ン基板にオキシ塩化りん、（ｐｏｃＱ３．）拡散を１２
００℃で所定の間行い、シリコン１基板の両面に表面濃
度約５ Ｘ １０”／ａｎ３． 準、さ、約１０μｍの
ｎ中層を形成する。次に、この基板の他方の面にスクリ
ーン印刷により、耐酸性マスク材をくし形の歯に相当す
る部分幅が約１３０μｍ、歯の長さを約２２００μｍ、
隣りの歯とのピッチが約２５０μｍ、くし形の背部とな
る広い部分の幅が約４５０μｍとなるように印刷する。
ン基板にオキシ塩化りん、（ｐｏｃＱ３．）拡散を１２
００℃で所定の間行い、シリコン１基板の両面に表面濃
度約５ Ｘ １０”／ａｎ３． 準、さ、約１０μｍの
ｎ中層を形成する。次に、この基板の他方の面にスクリ
ーン印刷により、耐酸性マスク材をくし形の歯に相当す
る部分幅が約１３０μｍ、歯の長さを約２２００μｍ、
隣りの歯とのピッチが約２５０μｍ、くし形の背部とな
る広い部分の幅が約４５０μｍとなるように印刷する。
次に、弗酸で、レジストのない部分の燐ガラス（燐拡散
時に形成）を除去し、更に溶剤でレジストを除去する。
時に形成）を除去し、更に溶剤でレジストを除去する。
次に、パターンが転写された燐ガラスをマスク材にして
、ＫＯＨを数％含むアルカリエツチング液で、約２０μ
ｍエツチング除去して、他方の主表面の底部になる個所
及び一方の主表面をテクスチュア面にする。この結果、
素子の光電変換効率を向上させる上で好しい歯の幅が、
サイドエツチングされる効果のため、初期の約１３０μ
ｍから８０μｍに狭くなる。また、ｎ中層が高濃度の厚
いりん拡散であるため、強い重金属ゲッターリング効果
が働き、りん拡散後のシリコンＰ基板（バルク）の少数
キャリア寿命の低下が見られなかった。次に弗酸で、残
ったりんガラスを全て除去して、臭化ボロン（ＢＢｒａ
）拡散を１０００℃、所定時間行い、表面濃度約Ｉ Ｘ
１０” １ ／ａｎ３ 、深さ約１μｍのｐ中層１５
を形成した。次に、弗酸でボロンガラスを除去し後、ボ
ロン・シリサイド・スキンを除去し後、ボロン・シリサ
イド・スキンを除去するため１０００℃、３０分、酸素
ガス雰囲気中で酸化し、しかる後、弗酸処理を行う。
、ＫＯＨを数％含むアルカリエツチング液で、約２０μ
ｍエツチング除去して、他方の主表面の底部になる個所
及び一方の主表面をテクスチュア面にする。この結果、
素子の光電変換効率を向上させる上で好しい歯の幅が、
サイドエツチングされる効果のため、初期の約１３０μ
ｍから８０μｍに狭くなる。また、ｎ中層が高濃度の厚
いりん拡散であるため、強い重金属ゲッターリング効果
が働き、りん拡散後のシリコンＰ基板（バルク）の少数
キャリア寿命の低下が見られなかった。次に弗酸で、残
ったりんガラスを全て除去して、臭化ボロン（ＢＢｒａ
）拡散を１０００℃、所定時間行い、表面濃度約Ｉ Ｘ
１０” １ ／ａｎ３ 、深さ約１μｍのｐ中層１５
を形成した。次に、弗酸でボロンガラスを除去し後、ボ
ロン・シリサイド・スキンを除去し後、ボロン・シリサ
イド・スキンを除去するため１０００℃、３０分、酸素
ガス雰囲気中で酸化し、しかる後、弗酸処理を行う。
次に表面をシリコン酸化膜で不動態化（パッシベーショ
ン）するため、再び１０００℃、３０分。
ン）するため、再び１０００℃、３０分。
酸素ガス雰囲気中で酸化して約２００人の酸化膜２．３
を形成した。次に、電極をスクリーン印刷で形成するた
め、ＡＱを数％含むＡｇペーストを印返して、７００℃
、１分２合成空気雰囲気中で焼成し、酸化膜３を貫通さ
せ、ｎ中層１６と接触する電極５およびｐ中層１５と接
触した６を形成した。この結果、電極５，６はどの部分
もスクリーンの位置合わせ精度±１５０Ａｔｍの範囲内
に入っていることを確認した。次に、Ｔｉ○２反射防止
膜４を２の表面に常圧ＣＶＤ法で５５０人形成する。こ
のようにして製造した裏面接触シリコン太陽電池素子を
裏面からレーザダイオード・マイクロ波法でシリコンＰ
基板（バルク）の少数キャリア寿命を測定した所、その
低下は見られなかった。このバルクの少数キャリア寿命
の測定値を用いて、前述の計算機特性シミュレーション
による計算特性結果と裏作した素子の特性は、はぼ一致
して、期待した高い光電変換効率を示した。以上述べた
製造条件は一実施例であり、本発明を制限するものでは
ない。
を形成した。次に、電極をスクリーン印刷で形成するた
め、ＡＱを数％含むＡｇペーストを印返して、７００℃
、１分２合成空気雰囲気中で焼成し、酸化膜３を貫通さ
せ、ｎ中層１６と接触する電極５およびｐ中層１５と接
触した６を形成した。この結果、電極５，６はどの部分
もスクリーンの位置合わせ精度±１５０Ａｔｍの範囲内
に入っていることを確認した。次に、Ｔｉ○２反射防止
膜４を２の表面に常圧ＣＶＤ法で５５０人形成する。こ
のようにして製造した裏面接触シリコン太陽電池素子を
裏面からレーザダイオード・マイクロ波法でシリコンＰ
基板（バルク）の少数キャリア寿命を測定した所、その
低下は見られなかった。このバルクの少数キャリア寿命
の測定値を用いて、前述の計算機特性シミュレーション
による計算特性結果と裏作した素子の特性は、はぼ一致
して、期待した高い光電変換効率を示した。以上述べた
製造条件は一実施例であり、本発明を制限するものでは
ない。
本発明の裏面接触シリコン太陽電池素子について、計算
機特性シミュレーションプログラムを作成して、素子特
性を確認した。この素子のパラメータは、実施例で後述
する値を用いた。計算結果の一例を第３図に示す。第３
図はｎ中層の表面濃度の素子特性に対する効果の計算結
果である。実線は素子の大きさが３３Ｘ３３ｍ”でｐ型
シリコン基板の比抵抗が１Ω・ｌ、点線は、それぞれ、
１０１００Ｘ１００．１Ω・口、−点鎖線はツレぞれ１
１００Ｘ１００．１０Ｑ・ｃｎ（７）素子を示す。
機特性シミュレーションプログラムを作成して、素子特
性を確認した。この素子のパラメータは、実施例で後述
する値を用いた。計算結果の一例を第３図に示す。第３
図はｎ中層の表面濃度の素子特性に対する効果の計算結
果である。実線は素子の大きさが３３Ｘ３３ｍ”でｐ型
シリコン基板の比抵抗が１Ω・ｌ、点線は、それぞれ、
１０１００Ｘ１００．１Ω・口、−点鎖線はツレぞれ１
１００Ｘ１００．１０Ｑ・ｃｎ（７）素子を示す。
この結果から、スクリーン技術でも本発明によれば、高
い光電変換効率が得られることが期待される。
い光電変換効率が得られることが期待される。
本発明によれば、スクリーン印刷技術で■高い光電変換
効率の太陽電池素子ができること、■電極を１回で形成
できること、■裏面接触シリコン太陽電池は、裏面にｐ
ｎ接合を形成するため、接合を形成するための不純物ド
ーピング層を高濃度で深くしても、光電変換効率の低下
が少ない特長があり、この特長を生ぜることができるこ
と、■高濃度不純物ドーピング層を集電電極の一部とし
て利用できること、■同時に両生面をテクスチュア面に
することができることなど多くの性能向上。
効率の太陽電池素子ができること、■電極を１回で形成
できること、■裏面接触シリコン太陽電池は、裏面にｐ
ｎ接合を形成するため、接合を形成するための不純物ド
ーピング層を高濃度で深くしても、光電変換効率の低下
が少ない特長があり、この特長を生ぜることができるこ
と、■高濃度不純物ドーピング層を集電電極の一部とし
て利用できること、■同時に両生面をテクスチュア面に
することができることなど多くの性能向上。
経済性向上が可能であり、これらの効果は極めて高い。
第１図は、本発明の一実施倒を示す概略断面図、第２図
は第１図の一部拡大図、第３図は本発明の実施例の特性
計算の結果を示す特性図である。 １・・・半導体基体、５・・・一方の主電極、６・他方
の主電極、１１・・・一方の主表面、１２・・他方の主
表夢Ｚ５ｊＪ 第３ 因 表面′Ｉ！に、膚（’Ａ筑Ｖ
は第１図の一部拡大図、第３図は本発明の実施例の特性
計算の結果を示す特性図である。 １・・・半導体基体、５・・・一方の主電極、６・他方
の主電極、１１・・・一方の主表面、１２・・他方の主
表夢Ｚ５ｊＪ 第３ 因 表面′Ｉ！に、膚（’Ａ筑Ｖ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光面となる一方の主表面、一方の主表面とは反対
側に位置し頂部と谷部とからなる他方の主表面、一方の
主表面に隣接する一方導電型の第１の層、第１の層に隣
接する第１の層より低不純物濃度を有する一方導電型の
第２の層、第２の層及他方の主表面の頂部に隣接する第
２の層より高不純物濃度を有する他方導電型の第３の層
、及び第２の層、第３の層及び他方の主表面の谷部に隣
接する第２の層より高く第３の層より低い不純物濃度を
有する一方導電型の第４の層からなる半導体基体と、 半導体基体の他方の主表面の頂部において第３の層にオ
ーミック接触する第１の主電極と、半導体基体の他方の
主表面の谷部において第４の層にオーミック接触する第
２の主電極とを具備することを特徴とする太陽電池素子
。 ２、特許請求の範囲第１項において、他方の主表面の頂
部及び谷部はそれぞれくし歯状を有していることを特徴
とする太陽電池素子。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項において、一方の
主表面及び他方の主表面の谷部がテクスチュア面である
ことを特徴とする太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317813A JP2875382B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2317813A JP2875382B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192371A true JPH04192371A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2875382B2 JP2875382B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=18092332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2317813A Expired - Lifetime JP2875382B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875382B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003152207A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Toyota Motor Corp | 光電変換素子及びその製造方法 |
| WO2011093361A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| DE102011088899A1 (de) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. | Rückkontakt-Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Rückkontakt-Solarzelle |
| DE102013108422A1 (de) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Universität Konstanz | Verfahren zum Erzeugen dotierter oder metallisierter Bereiche in einem Solarzellensubstrat sowie entsprechende Solarzelle |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2317813A patent/JP2875382B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003152207A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Toyota Motor Corp | 光電変換素子及びその製造方法 |
| US7368797B2 (en) | 2001-11-13 | 2008-05-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and method of manufacturing the same |
| WO2011093361A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| DE102011088899A1 (de) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. | Rückkontakt-Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Rückkontakt-Solarzelle |
| EP2791976A1 (de) * | 2011-12-16 | 2014-10-22 | International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. | Rückkontakt-solarzelle und verfahren zur herstellung einer rückkontakt-solarzelle |
| DE102013108422A1 (de) * | 2013-08-05 | 2015-02-05 | Universität Konstanz | Verfahren zum Erzeugen dotierter oder metallisierter Bereiche in einem Solarzellensubstrat sowie entsprechende Solarzelle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2875382B2 (ja) | 1999-03-31 |
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