JPH04186884A - 半導体式加速度検出装置の製造方法 - Google Patents
半導体式加速度検出装置の製造方法Info
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- JPH04186884A JPH04186884A JP31426090A JP31426090A JPH04186884A JP H04186884 A JPH04186884 A JP H04186884A JP 31426090 A JP31426090 A JP 31426090A JP 31426090 A JP31426090 A JP 31426090A JP H04186884 A JPH04186884 A JP H04186884A
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 235000009419 Fagopyrum esculentum Nutrition 0.000 description 1
- 240000008620 Fagopyrum esculentum Species 0.000 description 1
- 206010053206 Fracture displacement Diseases 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体式加速度検出装置の製造方法に関し、
特に、半導体加速度検出素子を衝撃から保護するオーバ
レンジストッパを備えた半導体式加速度検出装置の製造
方法に関するものである。
特に、半導体加速度検出素子を衝撃から保護するオーバ
レンジストッパを備えた半導体式加速度検出装置の製造
方法に関するものである。
[従来の技術]
第3図は従来の半導体式加速度検出装置の構造を示し、
加速度を検出する加速度検出素子(1)の裏面側には、
エツチングで薄肉化したダイヤフラム(2)が形成され
、このダイヤフラム(2)の表面に加速度感知素子であ
る複数のゲージ抵抗(3)が形成されている。加速度検
出素子(])の自由端には感知向上用の重り(4)が結
合されており、加速度検出素子(1)の基端部は台座(
5)に支持されている。また、重り〈4)を囲んで、加
速度検出素子を衝撃から保護するオーバレンジストッパ
(以下単にストッパという)(6)が配設されている。
加速度を検出する加速度検出素子(1)の裏面側には、
エツチングで薄肉化したダイヤフラム(2)が形成され
、このダイヤフラム(2)の表面に加速度感知素子であ
る複数のゲージ抵抗(3)が形成されている。加速度検
出素子(])の自由端には感知向上用の重り(4)が結
合されており、加速度検出素子(1)の基端部は台座(
5)に支持されている。また、重り〈4)を囲んで、加
速度検出素子を衝撃から保護するオーバレンジストッパ
(以下単にストッパという)(6)が配設されている。
台座(5)およびストッパ(6)はベース(7)に固定
されている。
されている。
以上の構成により、加速度に応じて重り(4)が変位し
、加速度検出素子(1〉のダイヤフラム(2)に歪みを
与え、ゲージ抵抗(3)の変化を取出して加速度を検出
する。そうして、衝撃が加わった際、加速度検出素子(
1)の変位量をストッパ(6)で制限し、加速度検出素
子(1)の破壊を防止する。
、加速度検出素子(1〉のダイヤフラム(2)に歪みを
与え、ゲージ抵抗(3)の変化を取出して加速度を検出
する。そうして、衝撃が加わった際、加速度検出素子(
1)の変位量をストッパ(6)で制限し、加速度検出素
子(1)の破壊を防止する。
[発明が解決しようとする課題]
従来の半導体式加速度検出装置は以上のように構成され
ているので、ベースと台座の接合、加速度検出素子と台
座の接合、ベースとストッパの接合、重りと加速度検出
素子の接合等の接合寸法ばらつきが生じるため、ストッ
パと重りの寸法を規定の寸法公差に収めるのが困難であ
るという問題点があった。
ているので、ベースと台座の接合、加速度検出素子と台
座の接合、ベースとストッパの接合、重りと加速度検出
素子の接合等の接合寸法ばらつきが生じるため、ストッ
パと重りの寸法を規定の寸法公差に収めるのが困難であ
るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ストッパと重りの距離を精度よく、かつ、容
易に調整することができる半導体式加速度検出装置の製
造方法を得ることを目的とする。
たもので、ストッパと重りの距離を精度よく、かつ、容
易に調整することができる半導体式加速度検出装置の製
造方法を得ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る半導体式加速度検出装置の製造ト
方法は、ストッパ巻重りの間に変位調整部材を挿1人し
、組み立てた後に変位調整部材の厚さを化学処理あるい
は熱処理により変化させ、スト・ソバと重りの間を所定
の寸法に調整する。
、組み立てた後に変位調整部材の厚さを化学処理あるい
は熱処理により変化させ、スト・ソバと重りの間を所定
の寸法に調整する。
[作 用]
この発明においては、変化調整部材として、例えばシリ
コンラバーを用い、組立後にシリコンゾールの液中に浸
してシリコンラバーの一部を溶かして、シリコンラバー
の厚さを調整する。
コンラバーを用い、組立後にシリコンゾールの液中に浸
してシリコンラバーの一部を溶かして、シリコンラバー
の厚さを調整する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を第1図、第2図について説
明する。なお、図中、第3図と同一符号は同一あるいは
相当部分であり説明は省略する。
明する。なお、図中、第3図と同一符号は同一あるいは
相当部分であり説明は省略する。
図において、ストッパ(6)と重り(4〉の間に、両者
間の寸法を調整するシリコンラバー(8)を介在させる
。ストッパ(6)は中空の角筒形をしており、内面にシ
リコンラバー<8)を取り付けている。
間の寸法を調整するシリコンラバー(8)を介在させる
。ストッパ(6)は中空の角筒形をしており、内面にシ
リコンラバー<8)を取り付けている。
シリコンラバー(8)は、あらかじめ加速度検出素子(
1)の破壊変位以下の寸法に設計されており、ストッパ
(6)の図中寸法をb、重り寸法をaとすると、厚さが
(b −a > 、/ 2となるように設計されている
。
1)の破壊変位以下の寸法に設計されており、ストッパ
(6)の図中寸法をb、重り寸法をaとすると、厚さが
(b −a > 、/ 2となるように設計されている
。
次に、製造手順について説明する。加速度検出素子(1
)に台座(5)および重り(4)を接合する。
)に台座(5)および重り(4)を接合する。
ストツバ(6)の内壁にはシリコンラバー(8)が取付
けられており、そこに台座(5)と重り(4)が接合さ
れた加速度検出素子(1)の重りり4)の部分を挿入す
る。
けられており、そこに台座(5)と重り(4)が接合さ
れた加速度検出素子(1)の重りり4)の部分を挿入す
る。
次に、ベース(7)に台座(5)とストッパ(6)を同
時に接合する。最後に、例えばシリコンゾールの液中に
浸し、シリコンラバー(8)を適量溶かすことで、スト
ッパ(6)と重り(4)の距離を調整する。
時に接合する。最後に、例えばシリコンゾールの液中に
浸し、シリコンラバー(8)を適量溶かすことで、スト
ッパ(6)と重り(4)の距離を調整する。
なお、変位調整部材としては、シリコンラバーに限らず
、適当な材料を用いることが考えられ、調整方法として
は、化学処理以外に熱処理が考えられる。
、適当な材料を用いることが考えられ、調整方法として
は、化学処理以外に熱処理が考えられる。
また、重りとストッパ間の寸法調整に限らず、加速度検
出素子とストッパ間の寸法調整であっても同様である。
出素子とストッパ間の寸法調整であっても同様である。
[発明の効果]
以上のように、この発明は、オーバレンジストッパと半
導体加速度検出素子、またはその一端に接合された重り
の間に変位調整部材を挿入、処理して変位量を調整する
ことにより、半導体加速度検出素子の最大変位量を精度
よく、かつ、容易に設定することができる効果がある。
導体加速度検出素子、またはその一端に接合された重り
の間に変位調整部材を挿入、処理して変位量を調整する
ことにより、半導体加速度検出素子の最大変位量を精度
よく、かつ、容易に設定することができる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例の要部縦断面図、第2図は
第1図のものの一部横断面図、第3図は従来の半導体式
加速度検出装置の縦断面図である。 (1)・・加速度検出素子、(2)・ ダイヤフラム、
(3)・・ゲージ抵抗(加速度感知素子)、(4)
重り、(5)・・台座、(6)・・オーバしンジスト
ッパ、(7)・・ベース、(8)・ シリコンラバー(
変位調整部材)。 なお、各図中、同一符号は同一もしくは相啓部分を示す
。 代 理 人 曾 我 道 照、!¥
)1図 ]1)0速度猜出泰+ 4 tり 昂2図
第1図のものの一部横断面図、第3図は従来の半導体式
加速度検出装置の縦断面図である。 (1)・・加速度検出素子、(2)・ ダイヤフラム、
(3)・・ゲージ抵抗(加速度感知素子)、(4)
重り、(5)・・台座、(6)・・オーバしンジスト
ッパ、(7)・・ベース、(8)・ シリコンラバー(
変位調整部材)。 なお、各図中、同一符号は同一もしくは相啓部分を示す
。 代 理 人 曾 我 道 照、!¥
)1図 ]1)0速度猜出泰+ 4 tり 昂2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基端部が台座に固定され中間部に形成されたダイヤフラ
ムに加速度感知素子が設けられている半導体加速度検出
素子と、この加速度検出素子の自由端部に設けられた重
りと、この重りおよび前記半導体加速度検出素子のいず
れかを囲んで設けられた筒状のオーバレンジストッパと
を備えた半導体加速度検出装置の製造方法において、 内壁に変位調整部材を取付けた前記オーバレンジストッ
パを前記半導体加速度検出素子および重りとともに組立
てたのち、化学処理および熱処理のいずれかにより前記
変位調整部材の厚さを調整することを特徴とする半導体
式加速度検出装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31426090A JPH04186884A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体式加速度検出装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31426090A JPH04186884A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体式加速度検出装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04186884A true JPH04186884A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18051211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31426090A Pending JPH04186884A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体式加速度検出装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04186884A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6448624B1 (en) * | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
US9033481B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid droplet ejection head, image forming apparatus, and manufacturing method of liquid droplet ejection head |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31426090A patent/JPH04186884A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6448624B1 (en) * | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
US9033481B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid droplet ejection head, image forming apparatus, and manufacturing method of liquid droplet ejection head |
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