JPH04186623A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH04186623A JPH04186623A JP31247790A JP31247790A JPH04186623A JP H04186623 A JPH04186623 A JP H04186623A JP 31247790 A JP31247790 A JP 31247790A JP 31247790 A JP31247790 A JP 31247790A JP H04186623 A JPH04186623 A JP H04186623A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、処理装置に関し、特に複数の処理部ユニット
を備える処理装置に関する。
を備える処理装置に関する。
(従来の技術)
複数の処理部ユニットにて被処理体を処理するための処
理装置として、例えば、半導体ウェハ製造装置における
洗浄装置がある。
理装置として、例えば、半導体ウェハ製造装置における
洗浄装置がある。
この半導体ウェハ製造装置における洗浄装置は、半導体
ウェハに対し例えばアンモニア処理、水洗処理、フッ酸
処理等を施すようにしている。
ウェハに対し例えばアンモニア処理、水洗処理、フッ酸
処理等を施すようにしている。
そのため、従来の洗浄装置は、アンモニア処理槽、水洗
処理槽、フッ酸処理槽等の複数の処理槽ユニットを配列
し、被処理体である半導体ウェハを上記処理槽ユニット
内の各洗浄処理槽にて洗浄処理するようにしていた。
処理槽、フッ酸処理槽等の複数の処理槽ユニットを配列
し、被処理体である半導体ウェハを上記処理槽ユニット
内の各洗浄処理槽にて洗浄処理するようにしていた。
この場合、各洗浄処理槽ユニットは、各洗浄処理槽の周
囲を包み込むケースに半導体ウェハ搬入出用の開口部を
設け、この開口部より半導体ウェハを搬入比するように
していた。
囲を包み込むケースに半導体ウェハ搬入出用の開口部を
設け、この開口部より半導体ウェハを搬入比するように
していた。
(発明が解決しようとする課題)
上記従来の処理装置としての洗浄装置にあっては、各処
理槽ユニットに形成した半導体ウェハ搬入出用の開口部
が外部と連通する状態となっているため、各処理槽ユニ
ットの雰囲気が外部に漏れることとなり、各処理槽ユニ
ット内における処理ガスの漏出による無駄があることは
勿論のこと、漏出したガスがその処理槽ユニットの周辺
機器に悪影響を与えたり、あるいは他の処理槽ユニット
内の雰囲気に影響を与えたりするという問題があった。
理槽ユニットに形成した半導体ウェハ搬入出用の開口部
が外部と連通する状態となっているため、各処理槽ユニ
ットの雰囲気が外部に漏れることとなり、各処理槽ユニ
ット内における処理ガスの漏出による無駄があることは
勿論のこと、漏出したガスがその処理槽ユニットの周辺
機器に悪影響を与えたり、あるいは他の処理槽ユニット
内の雰囲気に影響を与えたりするという問題があった。
特に、アンモニアガス等の腐蝕性ガスが外部に漏出する
と、その処理槽ユニットの周辺機器、例えば半導体ウェ
ハの搬送機構等を腐食させる原因となるという問題があ
った。
と、その処理槽ユニットの周辺機器、例えば半導体ウェ
ハの搬送機構等を腐食させる原因となるという問題があ
った。
そこで本発明は、各処理部ユニット間の雰囲気を確実に
遮断し、各処理部ユニットの雰囲気が外部に漏出してそ
の周辺機器や他の処理部ユニットの雰囲気に影響を与え
ることのない処理装置を提供することを、その解決課題
としている。
遮断し、各処理部ユニットの雰囲気が外部に漏出してそ
の周辺機器や他の処理部ユニットの雰囲気に影響を与え
ることのない処理装置を提供することを、その解決課題
としている。
[発、明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記課題を解決するためになしたもので、そ
の解決手段として請求項1に記載の処理装置は、被処理
体を処理する複数の処理部を備える処理装置において、 各処理部間にエアーを吹き付けてエアーカーテンを形成
したことを特徴とする。
の解決手段として請求項1に記載の処理装置は、被処理
体を処理する複数の処理部を備える処理装置において、 各処理部間にエアーを吹き付けてエアーカーテンを形成
したことを特徴とする。
また、請求項2に記載の処理装置は、請求項]に記載の
処理装置において、エアカーテン形成用のエアー吹出部
およびエアー吸込部を設けるとともに、前記エアー吹出
部からのエアー吹出し量に対し、エアー吸込部からのエ
アーの吸込み量を1.5〜4倍に設定した構成としてい
る。
処理装置において、エアカーテン形成用のエアー吹出部
およびエアー吸込部を設けるとともに、前記エアー吹出
部からのエアー吹出し量に対し、エアー吸込部からのエ
アーの吸込み量を1.5〜4倍に設定した構成としてい
る。
(作用)
上記構成の本発明の処理装置は、各処理部間にエアーカ
ーテンを形成することて、メカニカルなシャッタでは不
十分であった処理部間の気体的な絶縁を、エアーカーテ
ンにて実現することができ、従って各処理部内の雰囲気
が外部に漏れるのを確実に防止して、その処理部の周辺
機器への悪影響や他の処理部への影響を確実に防止する
ことが可能となる。このエアーカーテンをメカニカルな
シャッターと組み合わせて用いることもてきる。
ーテンを形成することて、メカニカルなシャッタでは不
十分であった処理部間の気体的な絶縁を、エアーカーテ
ンにて実現することができ、従って各処理部内の雰囲気
が外部に漏れるのを確実に防止して、その処理部の周辺
機器への悪影響や他の処理部への影響を確実に防止する
ことが可能となる。このエアーカーテンをメカニカルな
シャッターと組み合わせて用いることもてきる。
また、請求項2に記載の処理装置では、エアカータン形
成用のエアー吹出部およびエアー吸込部を設け、上記エ
アー吹出部のエアー吹田し量に対し、エアー吸込み量を
1.5〜4倍に設定することにより、エアーカーテンの
状態を良好に設定でき、従ってエアーカーテンが吹出し
途中で必要以上に膨らんで処理部内の雰囲気がエアーと
共に外部に漏出するのを防止することが可能となってい
る。
成用のエアー吹出部およびエアー吸込部を設け、上記エ
アー吹出部のエアー吹田し量に対し、エアー吸込み量を
1.5〜4倍に設定することにより、エアーカーテンの
状態を良好に設定でき、従ってエアーカーテンが吹出し
途中で必要以上に膨らんで処理部内の雰囲気がエアーと
共に外部に漏出するのを防止することが可能となってい
る。
(実施例)
以下、本発明の処理装置を半導体ウェハ製造装置におけ
る洗浄装置に適用した実施例について、図面を参照して
説明する。
る洗浄装置に適用した実施例について、図面を参照して
説明する。
第1図に示すように、本実施例の半導体ウェハの洗浄装
置は、3つの洗浄処理ユニット10.12.14を組合
せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット10
にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14
にはアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理
ユニット10.12間及び洗浄処理ユニット12.14
間に、3ユニツトのいずれかに含まれて処理槽ユニット
の一部を構成する水中ローダ2oが配設されている。
置は、3つの洗浄処理ユニット10.12.14を組合
せて構成されている。また、搬入側の処理ユニット10
にはローダ16が接続され、搬出側の処理ユニット14
にはアンローダ18が接続されており、さらに洗浄処理
ユニット10.12間及び洗浄処理ユニット12.14
間に、3ユニツトのいずれかに含まれて処理槽ユニット
の一部を構成する水中ローダ2oが配設されている。
搬入側の洗浄処理ユニット10は、中心位置に半導体ウ
ェハ22搬送用の回転搬送アーム24を配設すると共に
、その周囲でローダ16のII面及び回転搬送アーム2
4の左隣に各々2つの処理槽ユニットである洗浄処理槽
ユニット26.28を配設するようにしている。本実施
例においては、洗浄処理槽ユニット26はアンモニア処
理を行なう薬品処理槽ユニットとして用いられ、洗浄処
理槽ユニット28は水洗処理を行なうクイック・ダンプ
−リンス(QDR)処理槽ユニットとして用いられてい
る。
ェハ22搬送用の回転搬送アーム24を配設すると共に
、その周囲でローダ16のII面及び回転搬送アーム2
4の左隣に各々2つの処理槽ユニットである洗浄処理槽
ユニット26.28を配設するようにしている。本実施
例においては、洗浄処理槽ユニット26はアンモニア処
理を行なう薬品処理槽ユニットとして用いられ、洗浄処
理槽ユニット28は水洗処理を行なうクイック・ダンプ
−リンス(QDR)処理槽ユニットとして用いられてい
る。
中央の洗浄処理ユニット12は、中心位置に配設した回
転搬送アーム24の周囲で左右画側に水中ローダ20を
位置させ、その間の前後位置に各々2つの処理槽ユニッ
トである洗浄処理槽ユニット30,32を配設するよう
にしている。本実施例では、洗浄処理槽ユニット3oは
フッ酸処理を行なう薬品処理槽ユニットとして用いられ
、洗浄処理槽ユニット32は水洗オーバーフロー処理槽
ユニットとして用いられている。
転搬送アーム24の周囲で左右画側に水中ローダ20を
位置させ、その間の前後位置に各々2つの処理槽ユニッ
トである洗浄処理槽ユニット30,32を配設するよう
にしている。本実施例では、洗浄処理槽ユニット3oは
フッ酸処理を行なう薬品処理槽ユニットとして用いられ
、洗浄処理槽ユニット32は水洗オーバーフロー処理槽
ユニットとして用いられている。
搬出側の洗浄処理ユニット14は、中心位置に配設した
回転搬送アーム24の周囲て、アンローダ18の正面側
に処理槽ユニットである洗浄処理槽ユニット34を配設
すると共に、回転搬送アーム24の右隣に処理槽ユニッ
トである乾燥処理槽ユニット36を配設するようにして
いる。本実施例では、洗浄処理槽ユニット34は水洗フ
ァイナルリンス槽ユニットとして用いられている。
回転搬送アーム24の周囲て、アンローダ18の正面側
に処理槽ユニットである洗浄処理槽ユニット34を配設
すると共に、回転搬送アーム24の右隣に処理槽ユニッ
トである乾燥処理槽ユニット36を配設するようにして
いる。本実施例では、洗浄処理槽ユニット34は水洗フ
ァイナルリンス槽ユニットとして用いられている。
また、上記各洗浄処理槽ユニット26.28.30.3
2.34及び水中ローダ20並びに乾燥処理槽ユニット
36は、第6図及び第10図に示すように、それぞれ半
導体ウェハ22を洗浄又は乾燥するための処理槽66と
、半導体ウェハ22搬入出用の開口部38を有し上記処
理槽66の周囲を包み込むケース40とを備えている。
2.34及び水中ローダ20並びに乾燥処理槽ユニット
36は、第6図及び第10図に示すように、それぞれ半
導体ウェハ22を洗浄又は乾燥するための処理槽66と
、半導体ウェハ22搬入出用の開口部38を有し上記処
理槽66の周囲を包み込むケース40とを備えている。
そして、上記開口部38に、シリンダー42にて上下動
し上記開口部38を開閉するシャッター44を配設する
ようにしている。具体的には、開口部38の両側に断面
コ字状のガイド部材68を配設し、このガイド部材68
にシャッター44の両側部を挿入ガイドさせると共に、
シャッター44の下辺に第10図に示す如く2本のシリ
ンダー70を接続してシャッター44を上下動させ、上
限位置でシャッター44が上記開口部38を閉塞し得る
ようになっている。第11図に示すように、ガイド部材
68の奥行りと幅Wとの関係は、DEWを1=1〜1:
2.5程度に設定するのが好ましい。
し上記開口部38を開閉するシャッター44を配設する
ようにしている。具体的には、開口部38の両側に断面
コ字状のガイド部材68を配設し、このガイド部材68
にシャッター44の両側部を挿入ガイドさせると共に、
シャッター44の下辺に第10図に示す如く2本のシリ
ンダー70を接続してシャッター44を上下動させ、上
限位置でシャッター44が上記開口部38を閉塞し得る
ようになっている。第11図に示すように、ガイド部材
68の奥行りと幅Wとの関係は、DEWを1=1〜1:
2.5程度に設定するのが好ましい。
また、ケース40内の開口部38上方にエアー吹出部4
6を設け、上記シャッター44とエアー吹出部46から
吹き出されるエアーカーテンにてケース40内と外部と
の雰°囲気を遮断するようにしている。このエアー吹出
部46は、第12図及び第13図に示すように上記開口
部38の幅方向全域に渡る長さに設定してあり、エアー
吹出部46内には幅方向に連続する大きめの第1の気室
72と、その下側に設けた幅方向に連続する小さめの2
つの第2の気室74と、さらにこの第2の気室74の下
側に設けた幅方向に連続する2筋の吹出しロアロとを備
え、第1の気室72と第2の気室74とを多数の小孔7
8にて連通させ、また第2の気室74と吹出しロアロと
をスリット80にて連通させるようにしている。そして
、第12図に示すエアー供給パイプ82より送られたエ
アーを第1の気室72に導入して充満させ、次いで小孔
78より第13図に示す第2の気室74に導入して充満
させ、さらにスリット80より吹出しロアロに導いてそ
こより開口部38に向けて吹出すようにすることで、開
口部38の幅方向において均一なエアーの吹出しをなし
得るようにしている。なお、上記エアー吹出部46から
のエアーの吹出し量は301〜400 l/win、程
度で、流速は50cIT1〜31/sec程度である。
6を設け、上記シャッター44とエアー吹出部46から
吹き出されるエアーカーテンにてケース40内と外部と
の雰°囲気を遮断するようにしている。このエアー吹出
部46は、第12図及び第13図に示すように上記開口
部38の幅方向全域に渡る長さに設定してあり、エアー
吹出部46内には幅方向に連続する大きめの第1の気室
72と、その下側に設けた幅方向に連続する小さめの2
つの第2の気室74と、さらにこの第2の気室74の下
側に設けた幅方向に連続する2筋の吹出しロアロとを備
え、第1の気室72と第2の気室74とを多数の小孔7
8にて連通させ、また第2の気室74と吹出しロアロと
をスリット80にて連通させるようにしている。そして
、第12図に示すエアー供給パイプ82より送られたエ
アーを第1の気室72に導入して充満させ、次いで小孔
78より第13図に示す第2の気室74に導入して充満
させ、さらにスリット80より吹出しロアロに導いてそ
こより開口部38に向けて吹出すようにすることで、開
口部38の幅方向において均一なエアーの吹出しをなし
得るようにしている。なお、上記エアー吹出部46から
のエアーの吹出し量は301〜400 l/win、程
度で、流速は50cIT1〜31/sec程度である。
さらに、ケース40の下部にエアー吸込部84を設け、
このエアー吸込部84にて上記エアー吹出部46から吹
出されたエアーを吸込むようにしている。この場合、エ
アー吹出部46からのエアーの吹、出し量に対し、エア
ー吸込部84によるエアーの吸込み量を1.5〜4倍に
設定することで、シミュレーションの結果、エアーカー
テンが吹出し途中で必要以上に膨らんで処理槽ユニット
内の雰囲気かエアーと共に外部に漏出するのを防止でき
ることが確認できた。なお、このエアーの吸込み量はエ
アー吹出し量の2倍が最適の状態となることが実験上判
明した。また、本実施例では、各洗浄処理槽ユニット2
6.28.30.32.34及び水中ローダ20並びに
乾燥処理槽ユニット36内の雰囲気を大気圧よりも若干
低くなるように設定し、ケース40内の雰囲気が外部に
漏れないように調節している。
このエアー吸込部84にて上記エアー吹出部46から吹
出されたエアーを吸込むようにしている。この場合、エ
アー吹出部46からのエアーの吹、出し量に対し、エア
ー吸込部84によるエアーの吸込み量を1.5〜4倍に
設定することで、シミュレーションの結果、エアーカー
テンが吹出し途中で必要以上に膨らんで処理槽ユニット
内の雰囲気かエアーと共に外部に漏出するのを防止でき
ることが確認できた。なお、このエアーの吸込み量はエ
アー吹出し量の2倍が最適の状態となることが実験上判
明した。また、本実施例では、各洗浄処理槽ユニット2
6.28.30.32.34及び水中ローダ20並びに
乾燥処理槽ユニット36内の雰囲気を大気圧よりも若干
低くなるように設定し、ケース40内の雰囲気が外部に
漏れないように調節している。
ローダ16は、第2図に示すように2・つのキャリア4
8上に載置された各々25枚ずつの半導体ウェハ2,2
を、第3図に示すようにしてオリフラ合せ機構49にて
半導体ウェハ22のオリエンテーションフラットの位置
合せを行なった後、第4図に示すように2つのキャリア
48上の半導体ウェハ22を突き上げ棒51にて上方に
突き上げ、この突き上げ棒51を互に寄せ合った状態に
し、この状態で上記搬入側の回転搬送アーム24にて5
0枚の半導体ウェハ22のみをすくい上げるようにして
いる。なお、アンローダ18では、上記ローダ16と同
様の機構となっており、上記ローダ16と道順の処理か
なされるようになっている。
8上に載置された各々25枚ずつの半導体ウェハ2,2
を、第3図に示すようにしてオリフラ合せ機構49にて
半導体ウェハ22のオリエンテーションフラットの位置
合せを行なった後、第4図に示すように2つのキャリア
48上の半導体ウェハ22を突き上げ棒51にて上方に
突き上げ、この突き上げ棒51を互に寄せ合った状態に
し、この状態で上記搬入側の回転搬送アーム24にて5
0枚の半導体ウェハ22のみをすくい上げるようにして
いる。なお、アンローダ18では、上記ローダ16と同
様の機構となっており、上記ローダ16と道順の処理か
なされるようになっている。
回転搬送アーム24は、第5図に示すように水平回転可
能、かつ伸縮可能な多関節のアーム本体50の先端に、
半導体ウェハ22載置用のウェハフォーク52を有し、
このウェハフォーク52上にキャリア48なしで、50
枚の半導体ウェハ22のみを載置し、ローダ16、洗浄
処理槽ユニット26.28.30.32.34、水中ロ
ーダ20、乾燥処理槽ユニット36及びアンローダ18
間で半導体ウェハ22を受渡しするようになっている。
能、かつ伸縮可能な多関節のアーム本体50の先端に、
半導体ウェハ22載置用のウェハフォーク52を有し、
このウェハフォーク52上にキャリア48なしで、50
枚の半導体ウェハ22のみを載置し、ローダ16、洗浄
処理槽ユニット26.28.30.32.34、水中ロ
ーダ20、乾燥処理槽ユニット36及びアンローダ18
間で半導体ウェハ22を受渡しするようになっている。
なお、各洗浄処理槽ユニット26.28.30.32.
34及び水中ローダ20並びに乾燥処理槽ユニット36
には、第7図に示すように、それぞれ半導体ウェハ22
を受は取って処理槽66内の洗浄処理液に接触させる専
用のボート56を備えている。前記ウェハフォーク52
.ボート56は、第8図、第9図に示すようにウエノ\
22を支持する溝を有した支持棒54.58を有し、こ
の支持棒54.58は上下方向の移動の際に干渉しない
位置に設けられている。
34及び水中ローダ20並びに乾燥処理槽ユニット36
には、第7図に示すように、それぞれ半導体ウェハ22
を受は取って処理槽66内の洗浄処理液に接触させる専
用のボート56を備えている。前記ウェハフォーク52
.ボート56は、第8図、第9図に示すようにウエノ\
22を支持する溝を有した支持棒54.58を有し、こ
の支持棒54.58は上下方向の移動の際に干渉しない
位置に設けられている。
次に、本実施例の作用を説明する。
まず、ローダ16に25枚ずつ半導体ウエノ\22が載
置されたキャリア48が2つ搬送されてくると、オリフ
ラ合せ機構49が動作してキャリア48内の半導体ウェ
ハ22を整列させる。次いて、突き上げ棒51が上方に
作動してキャリア48をそのままに、半導体ウェハ22
のみを上方に取り出す。この後、上記突き上げ棒51が
互に寄合って50枚の半導体ウェハ22を等間隔て位置
させる。
置されたキャリア48が2つ搬送されてくると、オリフ
ラ合せ機構49が動作してキャリア48内の半導体ウェ
ハ22を整列させる。次いて、突き上げ棒51が上方に
作動してキャリア48をそのままに、半導体ウェハ22
のみを上方に取り出す。この後、上記突き上げ棒51が
互に寄合って50枚の半導体ウェハ22を等間隔て位置
させる。
次に、回転搬送アーム24が作動して水平回転し、かつ
ローダ16方向に伸びて先端のウニ/飄フォーク52を
突き上げ棒51の下側に位置させる。
ローダ16方向に伸びて先端のウニ/飄フォーク52を
突き上げ棒51の下側に位置させる。
そして、突き上げ棒51が下降し、ウェハフォーク52
上に半導体ウェハ22が載置位置決めされる。
上に半導体ウェハ22が載置位置決めされる。
次いで、ウニハフ寸−り52上に半導体ウェハ22が載
置された状態で、回転搬送アーム24が水平回転し、か
つ伸縮して洗浄処理槽ユニット26のケース40開口部
38から半導体ウェハ22を処理槽66の専用ボート5
6上に挿入位置させる。この場合、シャッター44は下
降した状態となっており、エアーカーテンは停止した状
態又は風量を抑えた状態となっている。そして、回転搬
送アーム24がケース40の開口部38から外に出ると
、開口部38のシャッター44が閉ると共に、開口部3
8上部のエアー吹出部46からエアーが吹出されてエア
ーカーテンが形成され、内部の雰囲気の漏出が防止され
る。この場合、吹出されるエアーはエアー吹出部46内
で膨張収縮を繰返して吹出しロアロより出されるため、
幅方向において均一に吹出されることとなる。
置された状態で、回転搬送アーム24が水平回転し、か
つ伸縮して洗浄処理槽ユニット26のケース40開口部
38から半導体ウェハ22を処理槽66の専用ボート5
6上に挿入位置させる。この場合、シャッター44は下
降した状態となっており、エアーカーテンは停止した状
態又は風量を抑えた状態となっている。そして、回転搬
送アーム24がケース40の開口部38から外に出ると
、開口部38のシャッター44が閉ると共に、開口部3
8上部のエアー吹出部46からエアーが吹出されてエア
ーカーテンが形成され、内部の雰囲気の漏出が防止され
る。この場合、吹出されるエアーはエアー吹出部46内
で膨張収縮を繰返して吹出しロアロより出されるため、
幅方向において均一に吹出されることとなる。
また、エアー吹出部46によるエアーカーテンの形成と
共に、開口部38の下部でエアー吸込部84によって吹
出しエアーが吸込まれて最適なエアーカーテンを形成す
るため、エアーカーテンが外側に膨らんで内部の雰囲気
が外部に漏出するのを確実に防止するように・なってい
る。さらにこの場合、洗浄処理槽26の雰囲気は、ケー
ス40内が大気圧よりも若干負圧にされていることで外
部への漏出がより一層確実に防止されることとなる。
共に、開口部38の下部でエアー吸込部84によって吹
出しエアーが吸込まれて最適なエアーカーテンを形成す
るため、エアーカーテンが外側に膨らんで内部の雰囲気
が外部に漏出するのを確実に防止するように・なってい
る。さらにこの場合、洗浄処理槽26の雰囲気は、ケー
ス40内が大気圧よりも若干負圧にされていることで外
部への漏出がより一層確実に防止されることとなる。
そして、洗浄終了後、上述の動作と逆の動作でボート5
6上の半導体ウェハ22を回転搬送アーム24のウェハ
フォーク52上に載置位置決めして、半導体ウェハ22
を洗浄処理槽ユニット26のケース40外へ取りたし、
次の洗浄処理槽ユニット28へと半導体ウェハ22を搬
送するようにしている。50枚のウェハ22の洗浄処理
槽28への搬送が終了し、この処理槽28での処理中に
、回転搬送アーム24を用いて次の新たな50枚のウェ
ハ22を洗浄処理槽26に搬入可能となる。
6上の半導体ウェハ22を回転搬送アーム24のウェハ
フォーク52上に載置位置決めして、半導体ウェハ22
を洗浄処理槽ユニット26のケース40外へ取りたし、
次の洗浄処理槽ユニット28へと半導体ウェハ22を搬
送するようにしている。50枚のウェハ22の洗浄処理
槽28への搬送が終了し、この処理槽28での処理中に
、回転搬送アーム24を用いて次の新たな50枚のウェ
ハ22を洗浄処理槽26に搬入可能となる。
このようにして搬入側の洗浄処理ユニット10による洗
浄処理が終了したら、搬入側の洗浄処理ユニット10と
中間の洗浄処理ユニット12との間に配した水中ローダ
20に半導体ウェハ22が移され、この水中ローダ56
内を移動しつつ中間の洗浄処理ユニット12側へと搬送
される。
浄処理が終了したら、搬入側の洗浄処理ユニット10と
中間の洗浄処理ユニット12との間に配した水中ローダ
20に半導体ウェハ22が移され、この水中ローダ56
内を移動しつつ中間の洗浄処理ユニット12側へと搬送
される。
中間の洗浄処理ユニット12では、回転搬送アーム24
が水中ローダ56より半導体ウェハ22を受は取り、洗
浄処理槽ユニット30に搬送してフッ酸洗浄処理を行な
い、さらに洗浄処理槽ユニット32に搬送して水洗オー
バーフロー処理を行ない、その後中間の洗浄処理ユニッ
ト12と搬出側の洗浄処理ユニット14との間に配した
水中ローダ56に搬送して搬出側の洗浄処理ユニット1
4側に移行させるようになっている。
が水中ローダ56より半導体ウェハ22を受は取り、洗
浄処理槽ユニット30に搬送してフッ酸洗浄処理を行な
い、さらに洗浄処理槽ユニット32に搬送して水洗オー
バーフロー処理を行ない、その後中間の洗浄処理ユニッ
ト12と搬出側の洗浄処理ユニット14との間に配した
水中ローダ56に搬送して搬出側の洗浄処理ユニット1
4側に移行させるようになっている。
搬出側の洗浄処理ユニット14ては、回転搬送アーム2
4が水中ローダ56より半導体ウェハ22を受は取り、
洗浄処理槽ユニット34に搬送してファイナルリンスを
行ない、さらに乾燥処理槽ユニット36に搬送して乾燥
処理を行ない、その後アンローダ18に搬送し、このア
ンローダ18にて半導体ウェハ22の25枚ずつの分割
、オリフラ合せを行ない、半導体ウェハ22を2つのキ
ャリア48に載置して搬出するようにしている。 この
ように、洗浄処理槽ユニット26と同様に、その後の洗
浄処理槽ユニット28.30.32.34、及び水中ロ
ーダ並びに乾燥処理槽ユニット36においてもシャッタ
ー44及びエアーカーテンによる開口部38の閉塞が確
実になされて各処理槽ユニット間の遮蔽がなされること
となる。
4が水中ローダ56より半導体ウェハ22を受は取り、
洗浄処理槽ユニット34に搬送してファイナルリンスを
行ない、さらに乾燥処理槽ユニット36に搬送して乾燥
処理を行ない、その後アンローダ18に搬送し、このア
ンローダ18にて半導体ウェハ22の25枚ずつの分割
、オリフラ合せを行ない、半導体ウェハ22を2つのキ
ャリア48に載置して搬出するようにしている。 この
ように、洗浄処理槽ユニット26と同様に、その後の洗
浄処理槽ユニット28.30.32.34、及び水中ロ
ーダ並びに乾燥処理槽ユニット36においてもシャッタ
ー44及びエアーカーテンによる開口部38の閉塞が確
実になされて各処理槽ユニット間の遮蔽がなされること
となる。
なお、上記実施例においては、2つのキャリア48に載
置された50枚の半導体ウニへ22を一度に処理する場
合について説明したが、この例に限らず1つのキャリア
48上の25枚の半導体ウェハ22を一度に処理するよ
うにしてもよい。
置された50枚の半導体ウニへ22を一度に処理する場
合について説明したが、この例に限らず1つのキャリア
48上の25枚の半導体ウェハ22を一度に処理するよ
うにしてもよい。
また、3つの処理ユニット10.12.14を組合せる
ようにしているか、組合せの個数は任意に変更すること
ができる。
ようにしているか、組合せの個数は任意に変更すること
ができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の処理装置は、各処理部間
にエアーカーテンを形成することとしたため、エアーカ
ーテンにて確実に処理部間を気体的に絶縁することかで
き、従って各処理部内の雰囲気が外部に漏れるのを確実
に防止して、その処理部の周辺機器への悪影響や他の処
理部への影響を確実に防止することができるという効果
がある。
にエアーカーテンを形成することとしたため、エアーカ
ーテンにて確実に処理部間を気体的に絶縁することかで
き、従って各処理部内の雰囲気が外部に漏れるのを確実
に防止して、その処理部の周辺機器への悪影響や他の処
理部への影響を確実に防止することができるという効果
がある。
また、請求項2に記載の処理装置ては、エアー吹出部の
エアー吹出し量に対し、エアー吸込み量を1.5〜4倍
に設定してエアーカーテンを形成することにより、エア
ーカーテンの状態を良好に設定でき、従ってエアーカー
テンが吹出し途中で必要以上に膨らんで処理部内の雰囲
気がエアーと共に外部に漏出するのを防止することかで
きるという効果がある。
エアー吹出し量に対し、エアー吸込み量を1.5〜4倍
に設定してエアーカーテンを形成することにより、エア
ーカーテンの状態を良好に設定でき、従ってエアーカー
テンが吹出し途中で必要以上に膨らんで処理部内の雰囲
気がエアーと共に外部に漏出するのを防止することかで
きるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係る処理装置の全体的構成
を示す断面図、 第2図は第1図ローダ部分の平面図、 第3図は第2図のオリフラ合せ機構の断面図、第4図(
a)(b)は突き上げ棒の作動状態を示す断面図、 第5図は搬入側の処理ユニットの拡大図、第6図は洗浄
処理槽ユニットの斜視図、第7図はボート及びアームの
状態を示す斜視図、第8図(a)はウエノ1フォークの
平面図、同図(b)はその正面図、同図(c)は同図(
b)のA−A断面図、 第9図(a)はボートの側面図、同図(b)はその正面
図、同図(c)は同図(b)のB−B断面図、 第10図はシャッター及びエアーカーテンの状態を示す
斜視図、 第11図は開口部の横断面図、 第12図はエアー吹出部の平面図、 第13図はエアー吹出部の縦断面図である。 20・・・水中ローダ、22・・半導体ウエノ1.24
・・・回転搬送アーム、 26.28.30.32.34 ・・・洗浄処理槽ユニット、 36・・・乾燥処理槽ユニット、38・・・開口部、4
4・・・シャッター、46・・エアー吹出部。 代理人 弁理士 井 上 −(他1名)第2図 第3図 (bl 第6図 第7図 第 8 図 第10図 第11図
を示す断面図、 第2図は第1図ローダ部分の平面図、 第3図は第2図のオリフラ合せ機構の断面図、第4図(
a)(b)は突き上げ棒の作動状態を示す断面図、 第5図は搬入側の処理ユニットの拡大図、第6図は洗浄
処理槽ユニットの斜視図、第7図はボート及びアームの
状態を示す斜視図、第8図(a)はウエノ1フォークの
平面図、同図(b)はその正面図、同図(c)は同図(
b)のA−A断面図、 第9図(a)はボートの側面図、同図(b)はその正面
図、同図(c)は同図(b)のB−B断面図、 第10図はシャッター及びエアーカーテンの状態を示す
斜視図、 第11図は開口部の横断面図、 第12図はエアー吹出部の平面図、 第13図はエアー吹出部の縦断面図である。 20・・・水中ローダ、22・・半導体ウエノ1.24
・・・回転搬送アーム、 26.28.30.32.34 ・・・洗浄処理槽ユニット、 36・・・乾燥処理槽ユニット、38・・・開口部、4
4・・・シャッター、46・・エアー吹出部。 代理人 弁理士 井 上 −(他1名)第2図 第3図 (bl 第6図 第7図 第 8 図 第10図 第11図
Claims (1)
- (1)被処理体を処理する複数の処理部を備える処理装
置において、 各処理部間にエアーを吹き付けてエアーカーテンを形成
したことを特徴とする処理装置。(2)請求項1に記載
の処理装置において、前記エアーカーテンを形成するた
めにエアー吹出部およびエアー吸込部を設け、前記エア
ー吹出部からのエアー吹出し量に対し、エアー吸込部か
らのエアーの吸込み量を1.5〜4倍に設定したことを
特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31247790A JP3162702B2 (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31247790A JP3162702B2 (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04186623A true JPH04186623A (ja) | 1992-07-03 |
JP3162702B2 JP3162702B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=18029680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31247790A Expired - Fee Related JP3162702B2 (ja) | 1990-11-17 | 1990-11-17 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3162702B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
JP2022523802A (ja) * | 2019-03-04 | 2022-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の欠陥を低減するための乾燥環境 |
-
1990
- 1990-11-17 JP JP31247790A patent/JP3162702B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
DE4332857C2 (de) * | 1992-09-25 | 1999-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
JP2022523802A (ja) * | 2019-03-04 | 2022-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の欠陥を低減するための乾燥環境 |
US11710648B2 (en) | 2019-03-04 | 2023-07-25 | Applied Materials, Inc. | Drying environments for reducing substrate defects |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3162702B2 (ja) | 2001-05-08 |
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