JP2001313278A - 半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 仕上げ研磨後の半導体ウエハを、研磨工程か
らの洗浄負荷の大きい汚染を持ち込むことなく速やかに
最終洗浄工程へ移行でき、両工程を効率的な一連のプロ
セスとして進行させられる半導体ウエハ研磨・最終洗浄
装置の提供。 【解決手段】 半導体ウエハの表面仕上げ研磨を行う研
磨室と仕上げ研磨後のウエハの最終洗浄を行う洗浄室と
を連結するウエハ搬送部によって研磨室から仕上げ研磨
済の半導体ウエハを水没状態で洗浄室へ搬送する導体ウ
エハ研磨・最終洗浄装置。ウエハ搬送部は、一端部が研
磨室内に他端部が洗浄室内に位置してこれら両室間に延
在するレール機構と、該レール機構に案内されて研磨室
と洗浄室との間を移動するウエハ保持用トレーと、研磨
室内でレール機構上のウエハ保持用トレー内に液体を導
入する液体注入機構と、該トレーに対して半導体ウエハ
の導入および／または導出を行う機構と、を有するもの
とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
製造工程における半導体ウエハの表面研磨および最終洗
浄を行うための装置に関するものであり、詳しくは仕上
げ研磨工程から最終洗浄工程へのウエハ水中搬送手段を
備えた装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的な半導体ウエハの製造加工工程に
おいては、シリコン単結晶インゴットから一定の厚さに
切り出されたウエハ基板を、ラッピング、エッチング、
粗研磨、鏡面仕上げ研磨等の工程を経て、最終洗浄上り
で高清浄度表面を得た後、基板表面上にシリコン単結晶
を堆積、成長させるエピタキシャル成長工程へ供されて
いる。

【０００３】従来は、複数枚のウエハについて同時に仕
上げ研磨を行い、これら研磨後のウエハをカセット等に
収容して最終洗浄工程へ搬送していた。しかし、近年の
半導体ウエハの大口径化に伴い、研磨工程も枚葉式で行
うことが主流になりつつある。

【０００４】また、このような枚葉式で仕上げ研磨が行
われた後の半導体ウエハは、最終洗浄上がりでウエハ表
面の高清浄化を達成するためにも、順次、速やかに最終
洗浄工程へ移行されることが最も効率的であり、仕上げ
研磨工程と最終洗浄工程とを連続した一連のプロセスで
行える設備の開発が望まれる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同一設
備で仕上げ研磨工程と最終洗浄工程とを一連のプロセス
で行うといっても、もちろん両工程を同一空間で行うこ
とはできず、研磨工程からの汚染を最終洗浄工程に持ち
込むことは避けなければならないことから、両工程は、
互いに隔離された空間で行うことになる。

【０００６】従って、両工程を一連のプロセスで進行さ
せるには、半導体ウエハを、これら互いに隔離された空
間の間を速やかに効率よく搬送させなければならない。
しかし、未だ、このような機構は確立されていないのが
現状である。

【０００７】また、従来同様、単に、仕上げ研磨済のウ
エハを最終洗浄工程へ搬送するのでは、ウエハ表面が乾
燥状態であることが一般的であることから、仕上げ研磨
でウエハ表面にパーティクル汚染物質や金属不純物が付
着していたものが乾燥によって最終洗浄でも除去し難い
状態となり、最終洗浄工程での洗浄負荷を増大せしめ
る。このような洗浄負荷の増大は、大口径ウエハではさ
らに大きくなり、両工程を一連のプロセスで進めること
による効率性を相殺してしまう。

【０００８】本発明の目的は、上記問題点に鑑み、仕上
げ研磨後の半導体ウエハを、次工程での洗浄負荷を増大
せしめるような研磨工程からの汚染を持ち込むことなく
速やかに最終洗浄工程へ移行でき、両工程を効率的な一
連のプロセスとして進行させられる半導体ウエハ研磨・
最終洗浄装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係る半導体ウエハ研磨・最
終洗浄装置は、半導体ウエハの表面仕上げ研磨を行う研
磨室と、仕上げ研磨後の半導体ウエハに対して最終洗浄
を行う洗浄室と、これら研磨室と洗浄室とを連結し、研
磨室から仕上げ研磨済の半導体ウエハを水没状態で洗浄
室へ搬送するウエハ搬送部と、を備えた半導体ウエハ研
磨・最終洗浄装置であって、前記ウエハ搬送部は、一端
部が前記研磨室内に、他端部が前記洗浄室内に位置して
これら両室間に延在するレール機構と、該レール機構に
案内されて研磨室と洗浄室との間を移動するウエハ保持
用トレーと、前記研磨室内で前記レール機構上のウエハ
保持用トレー内に液体を導入する液体注入機構と、該ト
レーに対して半導体ウエハの導入および／または導出を
行う機構と、を有するものである。

【００１０】また、請求項２に記載の発明に係る半導体
ウエハ研磨・最終洗浄装置は、請求項１に記載の半導体
ウエハ研磨・最終洗浄装置において、前記レール機構
は、少なくとも研磨室と洗浄室との間の室外領域が暗渠
状に覆われていることを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項３に記載の発明に係る半導体
ウエハ研磨・最終洗浄装置は、請求項１に記載の半導体
ウエハ研磨・最終洗浄装置において、前記液体注入機構
は、複数種の液体をそれぞれ選択可能に前記トレー内に
注入する注入液体切換え機構を備えていることを特徴と
するものである。

【００１２】本発明においては、半導体ウエハの表面仕
上げ研磨を行う研磨室と最終洗浄を行う洗浄室とを連結
するウエハ搬送部を設けることによって、仕上げ研磨後
の半導体ウエハを速やかに搬送部を介して最終洗浄工程
へ移行することができ、仕上げ研磨工程と最終洗浄工程
を連続する一連のプロセスとして進行させることができ
る。

【００１３】しかも、ウエハ搬送部は、ウエハを水没状
態で搬送させるものであるため、仕上げ研磨後の半導体
ウエハが搬送中に表面乾燥されることがなく、ウエハ表
面に付着しているパーティクル汚染物質の乾燥による固
着も回避され、最終洗浄工程での洗浄負荷が増大する問
題も解消される。

【００１４】また、本発明のウエハ搬送部の構成は、一
端部が研磨室に挿入され他端部が洗浄室に挿入されたレ
ール機構に沿って、研磨室と洗浄室との間を移動するウ
エハ保持用トレーを用いて枚葉式に半導体ウエハを水没
状態で搬送するものであり、大口径ウエハに対応できる
とともに、搬送路全体を水路とするよりも、純水等のウ
エハ浸漬用液の使用量が少なくて済み、経済的でもあ
る。

【００１５】このトレー内には、研磨室側に設置された
液体注入機構によって、純水等の液体を注入できる構成
であるので、研磨室側のレール上にトレーを位置させ
て、トレー内に液体を適量注入しておいてから研磨済ウ
エハを載置し、水没状態とすれば、研磨直後から最終洗
浄工程までの間、ウエハ表面は外気に曝されることがな
く、新たな汚染物質のウエハ表面付着も生じず、最終洗
浄工程への汚染持ち込みも避けられる。

【００１６】また、このウエハ搬送路において、少なく
とも研磨室と洗浄室の間の室外領域のレール機構を暗渠
状に覆う構成とすれば、搬送路自体を外気から遮断でき
るため、汚染持ち込み防止効果を向上できる。さらに、
研磨室と洗浄室にそれぞれ挿入される両端部の各室の隔
壁との間を気密にし、暗渠内を減圧排気できる構成とす
れば、汚染持ち込み防止効果はさらに向上できる。

【００１７】また、トレー内に注入される液体は、純水
に限らず、例えば、オゾン水など、ウエハ表面からのパ
ーティクル離脱効果のある各種機能水等、適宜選択すれ
ばよい。この場合、液体注入機構において、複数種の液
体をそれぞれ選択可能にトレー内に注入する注入液体切
換え機構を備えておけば、注水液体の変更は容易に行
え、また、各種液体の混合調整も可能である。

【００１８】なお、トレー内ではウエハを良好な水没状
態にできない場合もある。たとえば、トレー内を満水状
態にしてからウエハを載置すると、ウエハが泳いでしま
ったり、浮きすぎてしまったりする。そこで、ウエハが
適正な水深位置に水没できるように、当初のトレー内注
水量は半分程度とし、ウエハ上面から再び注水しながら
リフトダウンさせるなど、注入機構は注水を断続制御で
きるものとすることが好ましい。

【００１９】このような本発明の装置は、半導体ウエハ
製造加工工程の鏡面仕上げ研磨に限らず、ＳＯＩ製造工
程や、デバイスのＣＭＰプロセス、あるいはディスク、
液晶の製造プロセスなど、基盤の研磨と洗浄を行うプロ
セスであれば有効に適用できるものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による半導
体ウエハ研磨・最終洗浄装置の概略構成を図１から図４
に示す。図１（ａ）は本装置のウエハ搬送路部を中心と
して上方からみた部分平面透視図であり、（ｂ）は
（ａ）に示した部分の側面図である。図２は搬送部本体
内を上方から見た概略平面図である。図３は搬送部本体
の部分断面側面図である。図４は、トレーの構成を説明
する概略構成図であり、（ａ）はレール本体上にある場
合のトレーの概略平面図、（ｂ）は洗浄室側の端部に位
置する昇降レール上にあるトレーを正面から見た概略断
面図である。

【００２１】本装置は、半導体ウエハの鏡面仕上げ研磨
を行う研磨室１０と、仕上げ研磨後の半導体ウエハの最
終洗浄を行う洗浄室２０とを連結するウエハ搬送部１を
備えたものである。なお、ここでは研磨室１０内の研磨
部および洗浄室２０内の洗浄部については説明の簡便の
ため図示を省略した。なお、本実施形態における研磨部
および洗浄部については、従来から半導体ウエハ製造加
工工程で用いられていた研磨装置、洗浄装置と同様のも
のを利用できる。

【００２２】本装置のウエハ搬送部１は、互いに隔離さ
れた独立空間として並設された研磨室１０および洗浄室
２０に、両室を隔離する隔壁Ｘを貫通状態でそれぞれ両
端部が挿入された略箱状の暗渠型搬送部本体２と、該搬
送部本体２の内部に設置されたレールＲに沿って研磨室
１０と洗浄室２０との間を移動するウエハ保持用トレー
３とから主に構成されている。即ち、本装置のウエハ搬
送部１は、枚葉式のウエハ搬送機構である。

【００２３】このウエハ搬送部１は、搬送部本体２の研
磨室１０側では、仕上げ研磨機１１内部に装置隔壁１０
ｘを貫通して突出している端部位置Ａで露呈しているレ
ールＲ上にトレー３が位置決めされた状態において、該
トレー３内に研磨済ウエハＷをハンドリング機構を利用
して移し替え、洗浄室２０側のスピン洗浄機等の最終洗
浄機２１内部にその装置隔壁２０ｘを貫通して突出して
いる端部位置Ｂまで、トレー３をレールＲに沿って移動
させ、そこで別のハンドリング機構によりウエハＷを取
り出して洗浄機２１の洗浄位置へ移し替える構成とし
た。

【００２４】なお、本装置では、研磨室１０側のハンド
リング機構として、反転機構４を利用するものとした。
これは、通常のウエハ研磨工程では、回転テーブルの上
面に貼付されている研磨クロスに対して研磨表面が摺接
するように表面を下側にしてウエハＷが研磨ヘッドに保
持されているのに対して、最終洗浄においてはスピン洗
浄機を用いるなど、洗浄表面を上側にして洗浄を行う場
合が多く、いずれは洗浄すべきウエハ表面を上方へ向け
させるための反転動作が必要となることに加え、洗浄室
２０側では室内の高清浄度を維持するために装置機構の
設置を少なくすることが望ましいことから、洗浄室２０
へ搬送する前にウエハＷを反転しておく構成としたもの
である。

【００２５】反転機構４としては、例えばウエハＷのエ
ッジを等角度間隔の４点支持など複数位置で挟持するア
ーム機構を利用すれば良い。このような反転機構４は、
搬送部本体２の研磨室側の端部と研磨部との間に設置
し、研磨部側から搬送部本端端部へウエハ挟持状態のア
ームを回動させることによって、搬送部本体２の端部位
置Ａのトレー３上にウエハＷを表面上向きに位置させら
れ、その位置で挟持状態を解除すれば、トレー３にウエ
ハＷ表面上向き状態で載置し、移し替えることができ
る。

【００２６】また、洗浄室２０側でトレー３からウエハ
Ｗを取り出して最終洗浄装置へ移し替えるハンドリング
機構としても、同様なウエハＷのエッジを等角度間隔の
複数位置で挟持するアーム機構を利用すれば良く、前記
の如く研磨室１０側でウエハの反転が済んでいれば、ア
ームの水平移動によって移し替えを行えば良い。

【００２７】本実施形態におけるトレー３は、トレー下
部に前後左右２個ずつの配列で取付けられたロール３４
が搬送部本体２内の中央に全長方向に亘って設けられた
レールＲに対して左右両側から挟むようにレールエッジ
に嵌合状態となっており、これらロール３４が回転駆動
してレールＲに沿って移動することにより、トレー３が
レールＲ上を位置Ａから位置Ｂまで往復移動するもので
ある。

【００２８】また、トレー３は、外周枠壁３０の同心内
周位置に別の内枠壁３１を有する二重枠構造を備えてお
り、この内枠壁３１の内側にウエハＷが収容されるもの
とした。内枠壁３１は、頭頂部が外周側へテーパー状に
傾斜しており、後述の如く、内部でのウエハＷの水中昇
降に伴う水のオーバーフロー分が、これら内外枠壁（３
１，３０）の間に環状に形成された溝部３２に流れ落ち
ることができる。

【００２９】一方、レールＲは、その前記位置Ａおよび
位置Ｂの両端部が、昇降装置（８Ａ，８Ｂ）によってレ
ール本体とは独立して昇降駆動する昇降レール（ＲＡ，
ＲＢ）となっており、トレー３がちょうど位置Ａあるい
は位置Ｂにある場合、８個のロール３４のうち、内側の
４つのロール３４ｐのみが、この昇降レールＲＡあるい
は昇降レールＲＢに嵌合状態となる。

【００３０】なお、これらロール３４は、外側の４つは
トレー３の底部に直接取付けられているが、４つの内側
ロール３４ｐは、トレー底部と別体の板部材３３に取付
けられている。また、この板部材３３の上面には、トレ
ー底部を貫通状態で溝部３２内から等角度間隔で４点位
置に突出する軸ピン３５が突設されており、該軸ピン３
５の先端には、それぞれ逆Ｌ字型のウエハ支持部材３６
が内枠壁３１を跨ぎ越えるように取付けられている。各
支持部材３６の先端部３７は、ウエハＷのエッジテーパ
ーに対応したテーパー形状を有しており、トレー３内に
おいてこれら先端部３７によってウエハＷを表面に接す
ることなくエッジ４点で支持することができる。

【００３１】従って、４つの内側ロール３４ｐが昇降レ
ール（ＲＡ，ＲＢ）に嵌合状態であるとき、その昇降レ
ール（ＲＡ，ＲＢ）を上昇させると、それに伴って４つ
のロール３４ｐも上昇し、板部材３３を上方へ押し上げ
る。これにより、各４つの軸ピン３５と共に支持部材３
６も上昇する。逆にレール本体と連通する同一高さ位置
まで昇降レール（ＲＡ，ＲＢ）を降下させると、それに
伴って内側ロール３４ｐと共に、板部材３３および軸ピ
ン３５、ウエハ支持部材３６が下降する。

【００３２】このように、位置Ａおよび位置Ｂにおいて
は、昇降レール（ＲＡ，ＲＢ）の昇降によってウエハ支
持部材３６が昇降されるため、このウエハ支持部材３６
に支持されているウエハＷをトレー３内部で昇降させる
ことができる。本実施形態では、水中搬送のためのトレ
ー３内収納時にウエハＷが水中に充分埋没できるトレー
３のほぼ中央高さ位置付近まで下降でき、移し替えの際
にウエハＷがハンドリング機構によってエッジ挟持でき
るトレー３上方の高さ位置まで上昇できる昇降範囲とし
た。

【００３３】また、トレー３には、底部に水抜き用のド
レイン開口４０と、これを覆うドレイン蓋４１とを設け
ており、位置Ｂにおける昇降レールＲＢの上昇時にの
み、洗浄工程への移し替えの際のウエハＷ上昇動作に伴
って、ドレイン蓋４１が押し上げられる構成とした。こ
れによって、ウエハＷの搬送後、トレー３の上方にウエ
ハＷを上昇させると同時にドレイン蓋４１を押し上げて
ドレイン開口４０を露呈させ、トレー３内の水をトレー
底部から搬送部本体２の下部へ排出させることができ
る。

【００３４】搬送部本体２の下部は、ドレイン配管（不
図示）に連通する排水口を有しており、搬送部本体下部
へ落とされる水は全てこの排水口に集まり、ここからド
レイン配管内へ流れ落ちていく。このとき、効率のよい
排水ができるように、トレー３の底面はドレイン開口４
０に向かって下降傾斜を有するものとした。

【００３５】なお、搬送部本体２の研磨室１０側には、
端部位置Ａ上のトレー３内に純水を注水する液体注入機
構５が設置されており、また、搬送部本体２内を減圧排
気する排気機構６も設けられている。

【００３６】以上の如き構成を備えた半導体ウエハ研磨
・最終洗浄装置における研磨工程から最終洗浄工程への
ウエハ搬送は、以下の通り行われる。

【００３７】まず、研磨室１０内において枚葉式で仕上
げ研磨を行う際には、洗浄室２０側でも予定ウエハ処理
数に応じて最終洗浄が随時行えるように洗浄機２１を待
機状態とするとともに、ウエハ搬送部１も液体注入機構
５への純水準備および本体２内の減圧排気を行って駆動
準備を終了しておく。

【００３８】以上の待機状態において、研磨室１０での
仕上げ研磨工程を開始する。最初の半導体ウエハＷの仕
上げ研磨を行い、仕上げ研磨の終了直前に、トレー３を
位置Ａに戻しておき、昇降装置８Ａによる上昇動作によ
って４つのウエハ支持部材３６をトレー３の上方に上昇
させておくとともに、液体注入機構５によってトレー３
内に略半部程度の純水を注水しておく。最初の半導体ウ
エハＷの仕上げ研磨工程が終了したら、研磨機１１側の
ロボットアーム機構を駆動してウエハＷを保持している
研磨ヘッドを反転機構４まで移動させ、そこでウエハＷ
を反転機構４に渡す。この際、次の半導体ウエハＷの研
磨工程を開始する。

【００３９】反転機構４に渡された前記ウエハＷは、反
転機構４による反転回動で位置Ａのトレー３上の４つの
ウエハ支持部材３６の先端部３７間に位置決めされた
後、反転機構４側の挟持状態から開放され、ウエハ支持
部材３６によってエッジで４点支持される。ウエハＷ支
持後、再び液体注入機構５によってウエハＷ上面から純
水を注入しながら、昇降装置８Ａによる下降動作によっ
てウエハＷをウエハ支持部材３６と共にトレー３内の所
定位置に下降させて水没状態とする。

【００４０】トレー３内にウエハＷが水没状態となった
ら、下部のロール３４を回転駆動させてトレー３をレー
ルＲに沿って洗浄室２０内の位置Ｂまで搬送移動させ
る。搬送後、位置Ｂにおける昇降装置８Ｂによる上昇動
作によって、ウエハＷはウエハ支持部材３６と共にトレ
ー３の予め定められた上方位置へ上昇し、ここでハンド
リング機構によって速やかに洗浄機２１に移され、最終
洗浄工程に供される。このときの上昇動作では、同時に
ドレイン蓋４１も押し上げられ、トレー３内の水は露呈
したドレイン開口４０から搬送部本体２の下部へ落ち、
さらにドレイン配管へと排出される。

【００４１】仕上げ研磨済のウエハＷをトレー３内から
洗浄機２１へ移し終えたら、位置Ｂにおいて、昇降装置
８Ｂによる下降動作によってウエハ支持部材３６とドレ
イン蓋４１を下降させ、次の半導体ウエハＷの仕上げ研
磨が終了する前に、空になったトレー３をロール３４の
逆方向回転駆動によってレールＲに沿って上の位置Ａま
で戻し、前回と同様に所定量の純水をトレー３内に注入
しておく。以上の操作を順次、仕上げ研磨終了後のウエ
ハＷ毎に繰り返す。

【００４２】以上のように、本実施形態の装置によれ
ば、仕上げ研磨された半導体ウエハを速やかに最終洗浄
工程に移行でき、このウエハの搬送による研磨側からの
汚染の持ち込みはほとんどないと共に、ウエハ表面にも
パーティクル汚染物や金属不純物の乾燥による固着は見
られなかった。このようなウエハＷの最終洗浄は、洗浄
負荷が軽減され、最終洗浄上がりで高清浄化表面が達成
された。

【００４３】なお、上記実施形態においては、トレー内
に注入される液体として純水を用いる場合を示したが、
これに限らず、例えば、ウエハ表面からの各種パーティ
クル汚染物質離脱効果のある液体、例えばオゾン水等の
機能水など、各種液体を注入することができる。

【００４４】また、本発明による装置は、φ４００ｍｍ
等の大口径半導体ウエハの研磨洗浄用に限らず、その
他、φ３００ｍｍ、φ２００ｍｍ等の比較的小口径の半
導体ウエハについても、各ウエハ口径に応じたトレーお
よび搬送部の設計とすれば、いずれのタイプの場合でも
有効である。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の半導体ウ
エハ研磨・最終洗浄装置によれば、仕上げ研磨後の半導
体ウエハを、次工程での洗浄負荷を増大せしめるような
研磨工程からの汚染を持ち込むことなく速やかに最終洗
浄工程へ移行でき、両工程を効率的な一連のプロセスと
して進行させられるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による半導体ウエハ研磨・
最終洗浄装置の概略構成図であり、（ａ）は上方から見
た搬送部を中心とした平面透視図であり、（ｂ）は
（ａ）で示した部分の側面図である。

【図２】図１に示した半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置
の、搬送部本体内を上方から見た概略平面図である。

【図３】図１に示した半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置
の、搬送部本体の部分断面側面図である。

【図４】図１に示した半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置
の、ウエハ搬送に用いるトレーの構成を示す説明図であ
り、（ａ）はレール本体上にある場合のトレーの概略平
面図、（ｂ）は洗浄室側の端部に位置する昇降レール上
にある場合のトレーを正面から見た概略断面図である。

【符号の説明】

１：ウエハ搬送部 ２：搬送部本体 ３：トレー ４：反転機構 ５：液体注入機構 ６：排気機構 ８Ａ，８Ｂ：昇降装置 １０：研磨室 ２０：洗浄室 Ｘ：隔壁 Ｒ：レール ＲＡ，ＲＢ：昇降レール １１：仕上げ研磨機 ２１：洗浄機 ３０：外周枠壁 ３１：内枠壁 ３２：溝部 ３３：板部材 ３４：ロール ３４ｐ：内側ロール ３５：軸ピン ３６：ウエハ支持部材 ３７：先端部 ４０：ドレイン開口 ４１：ドレイン蓋 Ｗ：ウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 7/04 Ｂ０８Ｂ 7/04 Ａ Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｂ６５Ｇ 49/07 Ｌ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ Ｕ (72)発明者 松崎 順一 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の１ 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 波田野 光一 東京都千代田区神田多町２−２−22 ラッ プマスターエスエフティ株式会社内 (72)発明者 松本 康男 東京都千代田区神田多町２−２−22 ラッ プマスターエスエフティ株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB14 AB27 AB34 AB42 BA01 BA11 BB21 3B201 AA03 AB14 AB27 AB34 AB42 BA01 BA11 BB21 BB92 CB15 5F031 CA02 DA13 FA01 FA07 FA11 FA21 GA10 GA15 GA47 GA60 MA22 MA23 PA23

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表面仕上げ研磨を行う研
   磨室と、仕上げ研磨後の半導体ウエハに対して最終洗浄
   を行う洗浄室と、これら研磨室と洗浄室とを連結し、研
   磨室から仕上げ研磨済の半導体ウエハを水没状態で洗浄
   室へ搬送するウエハ搬送部と、を備えた半導体ウエハ研
   磨・最終洗浄装置であって、 前記ウエハ搬送部は、一端部が前記研磨室内に、他端部
   が前記洗浄室内に位置してこれら両室間に延在するレー
   ル機構と、該レール機構に案内されて研磨室と洗浄室と
   の間を移動するウエハ保持用トレーと、前記研磨室内で
   前記レール機構上のウエハ保持用トレー内に液体を導入
   する液体注入機構と、該トレーに対して半導体ウエハの
   導入および／または導出を行う機構と、を有することを
   特徴とする半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置。
2. 【請求項２】 前記レール機構は、少なくとも研磨室と
   洗浄室との間の室外領域が暗渠状に覆われていることを
   特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ研磨・最終洗
   浄装置。
3. 【請求項３】 前記液体注入機構は、複数種の液体をそ
   れぞれ選択可能に前記トレー内に注入する注入液体切換
   え機構を備えていることを特徴とする請求項１に記載の
   半導体ウエハ研磨・最終洗浄装置。