JPH04186502A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH04186502A JPH04186502A JP31404590A JP31404590A JPH04186502A JP H04186502 A JPH04186502 A JP H04186502A JP 31404590 A JP31404590 A JP 31404590A JP 31404590 A JP31404590 A JP 31404590A JP H04186502 A JPH04186502 A JP H04186502A
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Landscapes
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置に係り、特に、磁気ディスク
装置の耐摺動信頼性向上のために好適な、磁気ディスク
保護膜材料と磁気ヘッド材料の組み合わせに関する。
装置の耐摺動信頼性向上のために好適な、磁気ディスク
保護膜材料と磁気ヘッド材料の組み合わせに関する。
磁気ディスク装置の分野で、記録密度を向上させるため
、磁気ヘッドの低浮上化と、磁気ディスクの潤滑膜およ
び保護膜の薄膜化による磁気ヘッドから磁気記録膜まで
の実効的な距離の低減、磁気記録膜の高保磁力化などが
行われている。特に、前者の磁気ヘッドから磁気記録膜
までの実効的距離の低減によって、磁気ディスク保護膜
および磁気ヘッドを耐摺動特性に優れたものにする必要
がある。
、磁気ヘッドの低浮上化と、磁気ディスクの潤滑膜およ
び保護膜の薄膜化による磁気ヘッドから磁気記録膜まで
の実効的な距離の低減、磁気記録膜の高保磁力化などが
行われている。特に、前者の磁気ヘッドから磁気記録膜
までの実効的距離の低減によって、磁気ディスク保護膜
および磁気ヘッドを耐摺動特性に優れたものにする必要
がある。
最近の磁気ディスク装置ではカーボン保護膜ディスクと
、アルミナ・チタンカーバイドのような酸化物(フェラ
イト)からなる磁気ヘッドを組み合わせた磁気ディスク
装置が主流となっている(トライボロシスト、 35.
3 (1990) 157)。この材料構成の磁気ディ
スク装置では、磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動時に、
磁気ヘッドが磁気ディスク保護膜を機械的に摩耗させ、
発生する摩擦熱によってカーボン保護膜が燃焼して磁気
ディスク表面が著しく損傷する欠点がある。
、アルミナ・チタンカーバイドのような酸化物(フェラ
イト)からなる磁気ヘッドを組み合わせた磁気ディスク
装置が主流となっている(トライボロシスト、 35.
3 (1990) 157)。この材料構成の磁気ディ
スク装置では、磁気ヘッドと磁気ディスクの摺動時に、
磁気ヘッドが磁気ディスク保護膜を機械的に摩耗させ、
発生する摩擦熱によってカーボン保護膜が燃焼して磁気
ディスク表面が著しく損傷する欠点がある。
特開昭61−110301号公報に記載されているよう
に、酸化物保護膜を形成した磁気ディスクと、酸化物(
アルミナセラミックス)からなる磁気ヘッドの組み合わ
せでは、高硬度の材料どうしが接触・摺動するため著し
い摩耗を生じ、最悪の場合にはクラッシュが起こるため
、装置の寿命が短いという欠点がある。
に、酸化物保護膜を形成した磁気ディスクと、酸化物(
アルミナセラミックス)からなる磁気ヘッドの組み合わ
せでは、高硬度の材料どうしが接触・摺動するため著し
い摩耗を生じ、最悪の場合にはクラッシュが起こるため
、装置の寿命が短いという欠点がある。
〔発明が解決しようとする課題]
このように従来の磁気ディスク装置では、磁気ディスク
と磁気ヘッドの摺動時に磁気ディスク表面が著しく損傷
し、磁気ディスク装置としての十分な耐摺動信頼性が確
保できない問題があった。
と磁気ヘッドの摺動時に磁気ディスク表面が著しく損傷
し、磁気ディスク装置としての十分な耐摺動信頼性が確
保できない問題があった。
本発明はこの問題を解決するため、摺動による磁気ディ
スク表面の摩耗損傷が少ない磁気ディスク装置を提供す
ることを目的としている。すなわち、磁気ディスク表面
が摩耗する前に磁気ヘッドが先に摩耗し、しかも、摩耗
する際に摩耗粉が発生することのない、磁気ディスク保
護膜材料と磁気ヘッド材料とを組み合わせて作成した磁
気ディスク装置を提供することを目的とする。
スク表面の摩耗損傷が少ない磁気ディスク装置を提供す
ることを目的としている。すなわち、磁気ディスク表面
が摩耗する前に磁気ヘッドが先に摩耗し、しかも、摩耗
する際に摩耗粉が発生することのない、磁気ディスク保
護膜材料と磁気ヘッド材料とを組み合わせて作成した磁
気ディスク装置を提供することを目的とする。
上記目的は、前述のジルコニウム(Zr)、シリコン(
Si)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(A[)の少
なくとも一つを含む金属あるいは合金の酸化物、すなわ
ちHv(ビッカース硬度)が]000〜3000程度の
酸化物を主成分とする材料で保護膜を形成した磁気ディ
スクと非晶質カーボンを主成分とする材料で形成された
薄膜磁気ヘッド、あるいは磁気ディスクと摺動する表面
(以降「磁気ヘッドの摺動面」と記述する)が非晶質カ
ーボンを主成分とする材料で形成された磁気ヘッドおよ
びこれらを駆動する機構系などからなる磁気ディスク装
置を作成することにより達成できる。
Si)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(A[)の少
なくとも一つを含む金属あるいは合金の酸化物、すなわ
ちHv(ビッカース硬度)が]000〜3000程度の
酸化物を主成分とする材料で保護膜を形成した磁気ディ
スクと非晶質カーボンを主成分とする材料で形成された
薄膜磁気ヘッド、あるいは磁気ディスクと摺動する表面
(以降「磁気ヘッドの摺動面」と記述する)が非晶質カ
ーボンを主成分とする材料で形成された磁気ヘッドおよ
びこれらを駆動する機構系などからなる磁気ディスク装
置を作成することにより達成できる。
この際、酸化物を主成分とする保護膜の形成には(1)
スパッタリング法、(2)真空蒸着法、(3)CVD法
、(4)イオンブレーティング法・イオンビームスパッ
タリング法、(5)成膜後酸化する方法などを用いるこ
とができる。また、磁気ヘッド構成材料である非晶質カ
ーボンの形成は、(1)スパッタリング法、(2)CV
D法などを用いることができる。
スパッタリング法、(2)真空蒸着法、(3)CVD法
、(4)イオンブレーティング法・イオンビームスパッ
タリング法、(5)成膜後酸化する方法などを用いるこ
とができる。また、磁気ヘッド構成材料である非晶質カ
ーボンの形成は、(1)スパッタリング法、(2)CV
D法などを用いることができる。
本発明は、高硬度の酸化物を主成分とする材料で保護膜
を形成した磁気ディスクと、非晶質カーボンを主成分と
する材料で形成した薄膜磁気ヘッド、あるいは摺動面を
非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した磁気ヘッ
ドと、これらを駆動する機構系から磁気ディスク装置を
作成する。機構系は主に、磁気ディスクの支持・回転機
構、磁気ヘッドの支持・移動・位置決め機構、及びこれ
ら全体の駆動機構などからなる。本発明の磁気ディスク
装置では摺動時に、磁気ディスク表面が摩耗損傷する前
に、主成分が非晶質カーボンである磁気ヘッド摺動面が
先に摩耗する。しかも、摩耗する際の摩擦熱が、磁気ヘ
ッド摺動面の非晶質カーボンを下式に示す燃焼反応によ
り消失させて摩耗粉の発生を防止する。
を形成した磁気ディスクと、非晶質カーボンを主成分と
する材料で形成した薄膜磁気ヘッド、あるいは摺動面を
非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した磁気ヘッ
ドと、これらを駆動する機構系から磁気ディスク装置を
作成する。機構系は主に、磁気ディスクの支持・回転機
構、磁気ヘッドの支持・移動・位置決め機構、及びこれ
ら全体の駆動機構などからなる。本発明の磁気ディスク
装置では摺動時に、磁気ディスク表面が摩耗損傷する前
に、主成分が非晶質カーボンである磁気ヘッド摺動面が
先に摩耗する。しかも、摩耗する際の摩擦熱が、磁気ヘ
ッド摺動面の非晶質カーボンを下式に示す燃焼反応によ
り消失させて摩耗粉の発生を防止する。
(C+O,→CO,)
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気ディスク装置の説明図を示す。1
は磁気ディスク、2は磁気ヘッド、3はこれらを駆動す
る機構系である。第1図中の円Aにおける磁気ディスク
の断面構造を第2図に示す。
は磁気ディスク、2は磁気ヘッド、3はこれらを駆動す
る機構系である。第1図中の円Aにおける磁気ディスク
の断面構造を第2図に示す。
本発明の磁気ディスクは、非磁性体基盤4上に下地膜5
.磁気記録膜6.酸化物材料を主成分とする保護膜7.
IR滑模膜8順次、形成して完成させる。第3図は、本
発明の磁気ヘッドの概略を示す。
.磁気記録膜6.酸化物材料を主成分とする保護膜7.
IR滑模膜8順次、形成して完成させる。第3図は、本
発明の磁気ヘッドの概略を示す。
第3図(a)は非晶質カーボンを主成分とする材料でヘ
ッドスライダ全体を形成した磁気ヘッド、第3図(b)
はスライダ表面に好適な膜厚の非晶質カーボンを主成分
とする膜を形成した磁気ヘッドを示す。
ッドスライダ全体を形成した磁気ヘッド、第3図(b)
はスライダ表面に好適な膜厚の非晶質カーボンを主成分
とする膜を形成した磁気ヘッドを示す。
以下に記述した実施例、及び、比較例の条件で作成した
磁気ディスク、及び、磁気ヘッドを用いて作成した磁気
ディスク装置についてC8S強度を測定し、耐摺動性を
評価した結果を表1及び表2に示す。
磁気ディスク、及び、磁気ヘッドを用いて作成した磁気
ディスク装置についてC8S強度を測定し、耐摺動性を
評価した結果を表1及び表2に示す。
以下余白
* c s s 旦ontact s tart&
s top* CS S : Contac
t 旦tart& S t、op〔実施例1〕 φ5.25”アルミニウムーマグネシウム合金基板上に
ニッケルーリン膜をめっき後、クロム下地膜を形成し、
その表面上にコバルト−ニッケル磁気記録膜を形成した
。さらに、スパッタリング法によって酸化物を主成分と
する保護膜を形成した後、パーフロロポリエーテルより
なる潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した。なお、
実験番号1では酸化ジルコニウム、実験番号2ではシリ
コン酸化物、実験番号3ではニッケル酸化物、実験番号
4では、酸化アルミニウムを用いて、膜厚30nmの保
護膜を形成した。
s top* CS S : Contac
t 旦tart& S t、op〔実施例1〕 φ5.25”アルミニウムーマグネシウム合金基板上に
ニッケルーリン膜をめっき後、クロム下地膜を形成し、
その表面上にコバルト−ニッケル磁気記録膜を形成した
。さらに、スパッタリング法によって酸化物を主成分と
する保護膜を形成した後、パーフロロポリエーテルより
なる潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した。なお、
実験番号1では酸化ジルコニウム、実験番号2ではシリ
コン酸化物、実験番号3ではニッケル酸化物、実験番号
4では、酸化アルミニウムを用いて、膜厚30nmの保
護膜を形成した。
磁気ヘッドは、スパッタリング法で非晶質カーボンを主
成分とする材料を形成した薄膜磁気ヘッド(表1中バル
ク材と表示した)を用い、磁気ディスクと組み合わせて
磁気ディスク装置を完成した。
成分とする材料を形成した薄膜磁気ヘッド(表1中バル
ク材と表示した)を用い、磁気ディスクと組み合わせて
磁気ディスク装置を完成した。
以上のように作成した磁気ディスク装置について測定し
たC8S強度は、表1に示すように、すべて20に回以
上であった。
たC8S強度は、表1に示すように、すべて20に回以
上であった。
〔実施例2〕
上記実施例1と同様に磁気記録膜まで形成後、実施例1
と同じ方法で酸化物を主成分とする保護膜を形成し、さ
らに実施例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディスクを
完成した。なお実験番号12〜14では酸化ジルコニウ
ムを用いて、膜厚30nmの保護膜を形成した。
と同じ方法で酸化物を主成分とする保護膜を形成し、さ
らに実施例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディスクを
完成した。なお実験番号12〜14では酸化ジルコニウ
ムを用いて、膜厚30nmの保護膜を形成した。
磁気ヘッドは、実施例1と同じ方法で摺動面の膜厚11
00n〜10μmを非晶質カーボンを主成分とする材料
で形成し、磁気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装
置を完成した。
00n〜10μmを非晶質カーボンを主成分とする材料
で形成し、磁気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装
置を完成した。
このように作成した磁気ディスク装置について測定した
C8S強度は、表2に示すように20に回以上であった
。
C8S強度は、表2に示すように20に回以上であった
。
(比較例1)
実施例1と同様に、磁気記録膜まで形成後、実施例1と
同様の方法によって非晶質カーボンを主成分とする保護
膜(膜厚30nm)を形成し、さらに実施例1と同様の
潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した。
同様の方法によって非晶質カーボンを主成分とする保護
膜(膜厚30nm)を形成し、さらに実施例1と同様の
潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した。
磁気ヘッドは、実施例1と同様の非晶質カーボンを主成
分とする材料で形成した薄膜ヘッドを用い、磁気ディス
クと組み合わせて磁気ディスク装置を完成した。
分とする材料で形成した薄膜ヘッドを用い、磁気ディス
クと組み合わせて磁気ディスク装置を完成した。
このように作成した磁気ディスク装置について測定した
C8S強度は実験番号5(表1)に示すように5に回以
下であった。
C8S強度は実験番号5(表1)に示すように5に回以
下であった。
(比較例2)
実施例1と同様に磁気記録膜まで形成後、実施例1と同
様の方法によって酸化物を主成分とする保護膜を形成し
、さらに実施例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディス
クを完成した。実験番号6は酸化ジルコニウム、実験番
号7はシリコン酸化物、実験番号8はニッケル酸化物、
実験番号9は酸化アルミニウムを用いて、膜厚30nm
の保護膜を形成した。
様の方法によって酸化物を主成分とする保護膜を形成し
、さらに実施例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディス
クを完成した。実験番号6は酸化ジルコニウム、実験番
号7はシリコン酸化物、実験番号8はニッケル酸化物、
実験番号9は酸化アルミニウムを用いて、膜厚30nm
の保護膜を形成した。
磁気ヘッドは、アルミナ−チタンカーバイド(Tic
A1z03)で形成したものを用い、磁気ディスクと
組み合わせて磁気ディスク装置を完成した。
A1z03)で形成したものを用い、磁気ディスクと
組み合わせて磁気ディスク装置を完成した。
このように作成した磁気ディスク装置について測定した
C8S強度は表1に示すように6に回以下であった。
C8S強度は表1に示すように6に回以下であった。
(比較例3)
実施例1−と同様に磁気記録膜まで形成後、比較例1と
同様の非晶質カーボンを主成分とする膜厚30nmの保
護膜を形成し、さらに実施例1と同様の潤滑膜を形成し
て磁気ディスクを完成した。
同様の非晶質カーボンを主成分とする膜厚30nmの保
護膜を形成し、さらに実施例1と同様の潤滑膜を形成し
て磁気ディスクを完成した。
磁気ヘッドは、比較例2と同様のアルミナ−チタンカー
バイドを主成分とする材料で形成した磁気ヘッドを用い
、磁気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装置を完成
した。
バイドを主成分とする材料で形成した磁気ヘッドを用い
、磁気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装置を完成
した。
このように作成した磁気ディスク装置について測定した
C8S強度は、表1(実験番号10)に示すように10
に回以下であった。
C8S強度は、表1(実験番号10)に示すように10
に回以下であった。
(比較例4)
実施例1と同様に磁気記録膜まで形成後、実施例1と同
様の酸化物を主成分とする保護膜を形成し、さらに実施
例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した
。実験番号11では酸化ジルコニウムを用い、膜厚30
nmの保護膜を形成した。
様の酸化物を主成分とする保護膜を形成し、さらに実施
例1と同様の潤滑膜を形成して磁気ディスクを完成した
。実験番号11では酸化ジルコニウムを用い、膜厚30
nmの保護膜を形成した。
磁気ヘッドは、実施例2と同様の方法で摺動面に膜厚5
0nmの非晶質カーボンを主成分とする膜を形成し、磁
気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装置を完成した
。
0nmの非晶質カーボンを主成分とする膜を形成し、磁
気ディスクと組み合わせて磁気ディスク装置を完成した
。
このように作成した磁気ディスク装置について測定した
C8S強度は、表2に示すとおり5に回以下であった。
C8S強度は、表2に示すとおり5に回以下であった。
以上の実施例及び比較例に記述したように、磁気記録膜
上に酸化物を主成分とする保護膜を形成した磁気ディス
クと、非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した薄
膜磁気ヘッド、あるいは、摺動面の100n100nμ
mを非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した磁気
ヘッドを組み合わせて作成した実験番号1〜4(実施例
1)及び実験番号12〜14(実施例2)の磁気ディス
ク装置は、C8S強度が20に回以下であった。
上に酸化物を主成分とする保護膜を形成した磁気ディス
クと、非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した薄
膜磁気ヘッド、あるいは、摺動面の100n100nμ
mを非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した磁気
ヘッドを組み合わせて作成した実験番号1〜4(実施例
1)及び実験番号12〜14(実施例2)の磁気ディス
ク装置は、C8S強度が20に回以下であった。
これに対し、比較例1〜3に記述したように、〔磁気デ
ィスク保護膜材料−磁気ヘッド摺動面材料〕の組み合わ
せが、 〔非晶質カーボン−非晶質カーボン〕 (比較例1;実験番号5) J酸化物−酸化物〕 (比較例2:実験番号6〜9) 〔非晶質カーボン−酸化物〕 (比較例3;実験番号10) では、C8S強度が10に回以下であった。
ィスク保護膜材料−磁気ヘッド摺動面材料〕の組み合わ
せが、 〔非晶質カーボン−非晶質カーボン〕 (比較例1;実験番号5) J酸化物−酸化物〕 (比較例2:実験番号6〜9) 〔非晶質カーボン−酸化物〕 (比較例3;実験番号10) では、C8S強度が10に回以下であった。
比較例1.2では、同種材料どうしの摺動、いわゆる共
摺れ現象となり、著しい摩耗を生じてCC8強度が小さ
くなると考えられる。
摺れ現象となり、著しい摩耗を生じてCC8強度が小さ
くなると考えられる。
比較例3は現在主流の組み合わせの磁気ディスク装置で
あり、摺動時に磁気ヘッドが磁気ディスク表面を機械的
に摩耗させ、発生する摩擦熱によってカーボン保護膜が
燃焼して磁気ディスク表面が摩耗し、C8S強度が小さ
くなる。
あり、摺動時に磁気ヘッドが磁気ディスク表面を機械的
に摩耗させ、発生する摩擦熱によってカーボン保護膜が
燃焼して磁気ディスク表面が摩耗し、C8S強度が小さ
くなる。
また、比較例4(実験番号11)に記述したように、酸
化物を主成分とする保護膜を形成した磁気ディスクと、
摺動面を非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した
磁気ヘッドを組み合わせた磁気ディスク装置でも、非晶
質カーボン膜の膜厚が前述の好適範囲100 n m〜
10μmよりも薄い場合には、摺動時にカーボンが燃焼
することによって磁気ディスクの摩耗損傷を防止する本
発明の効果が持続しないためにC8S強度が小さくなる
と考えられる。逆に、摺動時の摩耗が1μm程度である
と考えられる磁気ヘッド摺動面の非晶質カーボン膜は、
コスト的にも10μm以下の膜厚で十分である。
化物を主成分とする保護膜を形成した磁気ディスクと、
摺動面を非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した
磁気ヘッドを組み合わせた磁気ディスク装置でも、非晶
質カーボン膜の膜厚が前述の好適範囲100 n m〜
10μmよりも薄い場合には、摺動時にカーボンが燃焼
することによって磁気ディスクの摩耗損傷を防止する本
発明の効果が持続しないためにC8S強度が小さくなる
と考えられる。逆に、摺動時の摩耗が1μm程度である
と考えられる磁気ヘッド摺動面の非晶質カーボン膜は、
コスト的にも10μm以下の膜厚で十分である。
なお、上述の実施例及び比較例に記述した以外に、以下
に記述するような変更も可能である。
に記述するような変更も可能である。
(1)上記した以外のサイズ、例えば、φ2.5”。
φ3.5”、φ8°゛などの磁気ディスクを用いる。
(2)非磁性体基盤として、表面にアルマイト処理を施
したアルミニウム基板、ガラス基板などを用いる。
したアルミニウム基板、ガラス基板などを用いる。
(3)磁気記録膜材料としてコバルト、鉄、ニラナルの
単独あるいは複数の合金;これらの単独の酸化物あるい
は複数の酸化物の合金、あるいは前述のすべての材料に
クロムや白金などその他の元素を含有する合金を用いる
。
単独あるいは複数の合金;これらの単独の酸化物あるい
は複数の酸化物の合金、あるいは前述のすべての材料に
クロムや白金などその他の元素を含有する合金を用いる
。
(4)磁気ディスクの保護膜材料として上記した元素の
他にタンタル(Ta)他を用いる。
他にタンタル(Ta)他を用いる。
(5)磁気ディスク保護膜材料として、前述のジルコニ
ウム、シリコン、ニッケル、アルミニウムの酸化物に好
適な濃度の他の元素、例えば、窒素、はう素などを混入
させる。
ウム、シリコン、ニッケル、アルミニウムの酸化物に好
適な濃度の他の元素、例えば、窒素、はう素などを混入
させる。
(6)磁気ディスク保護膜を前述の真空蒸着法、イオン
ブレーティング法、イオンビームスパッタ法、あるいは
成膜後酸化する方法で形成する。
ブレーティング法、イオンビームスパッタ法、あるいは
成膜後酸化する方法で形成する。
(7)磁気ヘッドの構成材料として、非晶質カーボンに
好適な濃度の他の元素、例えば窒素、はう素などを混入
させる。
好適な濃度の他の元素、例えば窒素、はう素などを混入
させる。
(8)磁気ヘッド構成材料の非晶質カーボンをCVI)
法で形成する。
法で形成する。
(9)潤滑膜材料として脂肪酸他を用いる。
(10)上記した基板、下地膜、磁気記録膜、保護膜。
潤滑膜を所望の膜厚とする。
本発明によれば、酸化物を主成分とする材料で好適な膜
厚の保護膜を形成した磁気ディスクと、非晶質カーボン
を主成分とする材料で形成した薄膜磁気ヘッド、あるい
は同材料で摺動面1100n〜10μmの膜を形成した
磁気ヘッドとを組み合わせることによって、磁気ディス
ク表面が摩耗損傷する前に、磁気ヘッド摺動面が先に摩
耗し、しがも摩擦熱によって磁気ヘッド摺動面のカーボ
ンが燃焼消失して摩耗粉の発生を防ぎ、耐摺動性に優れ
た磁気ディスク装置を提供できる。
厚の保護膜を形成した磁気ディスクと、非晶質カーボン
を主成分とする材料で形成した薄膜磁気ヘッド、あるい
は同材料で摺動面1100n〜10μmの膜を形成した
磁気ヘッドとを組み合わせることによって、磁気ディス
ク表面が摩耗損傷する前に、磁気ヘッド摺動面が先に摩
耗し、しがも摩擦熱によって磁気ヘッド摺動面のカーボ
ンが燃焼消失して摩耗粉の発生を防ぎ、耐摺動性に優れ
た磁気ディスク装置を提供できる。
第1図は本発明の一実施例の磁気ディスク装置の説明図
、第2図は本発明の磁気ディスクの断面図、第3図は本
発明の磁気ヘッドの断面図である。 1・・・磁気ディスク 2・・・磁気ヘッド3・・・
機構系 4・・・非磁性体基板5・・・下地膜
6・・・磁気記録膜7・・・酸化物材料を主
成分とする保護膜8・・・潤滑膜 9・・・非晶質カーボンを特徴とする特許第1目 9:井晶勧−f>1生成分と3るオオ料第2図
、第2図は本発明の磁気ディスクの断面図、第3図は本
発明の磁気ヘッドの断面図である。 1・・・磁気ディスク 2・・・磁気ヘッド3・・・
機構系 4・・・非磁性体基板5・・・下地膜
6・・・磁気記録膜7・・・酸化物材料を主
成分とする保護膜8・・・潤滑膜 9・・・非晶質カーボンを特徴とする特許第1目 9:井晶勧−f>1生成分と3るオオ料第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気記録膜上に保護膜を形成した磁気ディスク、記
録再生を行う磁気ヘッドおよびこれらを駆動する機構系
よりなる磁気ディスク装置において、 前記保護膜を酸化物を主成分とする材料で形成し、前記
磁気ヘッドの少なくとも前記磁気ディスクと摺動する面
を非晶質カーボンを主成分とする材料で形成することを
特徴とする磁気ディスク装置。 2、請求項1において、前記磁気ディスクの保護膜がジ
ルコニウム、シリコン、ニッケル、アルミニウムの少な
くとも一つを含む金属あるいは合金の酸化物を主成分と
する磁気ディスク装置。 3、請求項1において、前記磁気ヘッドが、スライダ全
体を非晶質カーボンを主成分とする材料で形成した磁気
ヘッドであること、あるいは磁気ディスクと摺動するス
ライダ表面が非晶質カーボンを主成分とする材料で構成
される磁気ディスク装置。 4、請求項3において、前記磁気ヘッドの前記磁気ディ
スクと摺動する表面に形成する非晶質カーボン膜の膜厚
が100nmから10μmの範囲内である磁気ディスク
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31404590A JPH04186502A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31404590A JPH04186502A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04186502A true JPH04186502A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18048554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31404590A Pending JPH04186502A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04186502A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH087258A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nec Corp | 磁気ディスク装置 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31404590A patent/JPH04186502A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH087258A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-12 | Nec Corp | 磁気ディスク装置 |
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