JPH04177732A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

Info

Publication number
JPH04177732A
JPH04177732A JP30473390A JP30473390A JPH04177732A JP H04177732 A JPH04177732 A JP H04177732A JP 30473390 A JP30473390 A JP 30473390A JP 30473390 A JP30473390 A JP 30473390A JP H04177732 A JPH04177732 A JP H04177732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
image processing
semiconductor
processing device
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30473390A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Nakaoka
中岡 久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP30473390A priority Critical patent/JPH04177732A/ja
Publication of JPH04177732A publication Critical patent/JPH04177732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、特にポールボンディング法により半導体チ
ップのボンディングパラ1セ」二にバンプを形成する際
に用いられる半導体製造装置に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、ワイヤボンディング法により半導体チップのポン
ディングパッド上にはバンプと呼はれる突起状の電極か
形成されているが、大量生産のためには複数個の半導体
チップからなる半導体ウェハから不良の半導体チップ(
以下E不良チップ」という。)を識別し、この不良チッ
プには、バンプを形成しないようにすることが必要であ
る。
第3図は従来の半導体製造装置の構成を示す概念図であ
る。
第3図において、1は複数個の半導体チップIaからな
る半導体ウェハ、2aはボンディングヘッド、3は半導
体ウェハIを構成する半導体チップか不良であることを
示す不良識別マーク、4,4′は単一の半導体チップの
角部、5は半導体ウェハ】を載置するためのウェハステ
ージ、6はウェハステージ用NCテーブル、7はウェハ
ステージ用NCテーブル6の駆動信号、8はウェハステ
ージ用NCテーブル6を制御するNCステージコントロ
ーラ、9は通信手段、10aは単一の半導体チップの角
部を撮像し、半導体チップlaとボンディングヘッド2
aとを位置合わせするための位置合わせ情報用カメラ、
llaは位置合わせ情報用カメラ]Oaによる映像出力
信号、12aは位置合わせ情報用カメラ10aに接続さ
れた位置合わせ情報用画像処理装置、13は通信手段、
14はボンディングヘッド2aを移動させるためのホン
ディングヘッド用NCテーブル、15はボンディングヘ
ッド用NCテーブル14の駆動信号、16はボンディン
グヘッド用NCテーブル14を制御するNCテーブルコ
ントローラ、17は通信手段、18aはメインCPU、
19aは位置合わせ情報用カメラ10aのために半導体
チップIa付近を照明する照明装置、20は半導体ウェ
ハ1」二の不良識別マーク3を撮像するための不良識別
マーク撮像用カメラ、21はこの不良識別マーク撮像用
カメラ20のために半導体チップ1aを照明する照明装
置、22は不良識別マーク撮像用カメラ20による撮像
出力信号、23aは不良識別マーク撮像用カメラ20に
接続された不良識別情報用画像処理装置、24は通信手
段である。
このように構成された従来の半導体製造装置の動作を以
下説明する。
ウェハステージ5上に半導体ウェハ1か載置され、位置
規正手段(図示せず)により規正された後、ウェハステ
ージ用NCテーブル6によりウェハステージ5か初期位
置に移動される。この状態で半導体ウェハ1上の処理対
象となる半導体チップla付近か照明装置21により照
明されるとともに、不良識別マーク撮像用カメラ20に
より撮像され、不良識別マーク撮像用カメラ20から不
良識別情報用画像処理装置23aに映像出力信号22か
出力される。これにより不良識別情報用画像処理装置2
3aによって、処理対象となる半導体チップ(以下「処
理対象チップ」という。)上に不良識別マーク3かある
か、ないかか判定される。そして、不良識別マーク3か
ある場合には、NCステージコントローラ8によりウェ
ハステージ用NCテーブル6を駆動することによりウェ
ハステージ5か移動し、次の処理対象となる半導体チッ
プ1aの位置に移動される。
また、不良識別マーク3がない場合には、処理対象チッ
プは照明装置+9aにより照明された状態で、ボンディ
ングヘッド2上に付設された位置合わせ情報用カメラ1
0aにより各角部4,4′を撮像し、映像出力信号11
aを位置合わせ情報用画像処理装置12aに入力するこ
とにより、正確な位置合わせを行う。その後、処理対象
チップのポンディングパッド上にポールボンディング法
によりバンプを形成する。そして、バンプを形成した後
、ウェハステージ用NCテーブル6の移動により、次の
処理対象となる半導体チップlaに移動し、以下同様の
動作により半導体ウェハ1を構成する半導体チップ1a
のうち良品の半導体チップ1aのみにバンプを形成する
なお、NCテーブルコントローラ8.NCテーブルコン
トローラ162位置合わせ情報用画像処理装置12aお
よび不良マーク識別用画像処理装置23aの動作は、通
信手段9.  +7. 12. 13゜23を介してメ
インCPUl8aにより制御される。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしなから、このように構成された従来の半導体製造
装置では、位置合わせ情報用カメラ10aおよび照明装
置19aとは別に不良識別マーク撮像用カメラ20およ
び照明装置21か設けられているため、装置の構成が複
雑となり、ポールボンディング処理の作業性か劣化する
という問題かあった。また、照明装置19aおよび照明
装置21による照明は互いに干渉し、これを避けるため
に照明装置19aおよび照明装置21を別々に制御する
ことが必要となり、実用上困難であるという問題かあっ
た。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の半導体製造装置は、不良識別情報を有する複
数個の半導体チップからなる半導体ウェハと、半導体チ
ップ上のポンディングパッドにバンプ形成処理を行うだ
めのボンディングヘッドと、このボンディングヘッドに
付設した撮像装置と、半導体チップの不良識別情報を得
るための不良識別情報用画像処理装置と、半導体チップ
の位置合わせ情報を得るための位置合わせ情報用画像処
理装置と、半導体ウェハを照明する照明装置とを備え、
半導体チップに対するバンプ形成処理を行う前のボンデ
ィングヘッドの待機位置て撮像装置により半導体チップ
を撮像して得た映像出力信号によって、不良識別情報用
画像処理装置により半導体チップの良否状態を判定する
とともに位置合わせ情報用画像処理装置により半導体チ
ップの位置合わせ情報を得るようにしたものである。
〔作用〕
この発明の構成によれば、半導体チップに対するバンプ
形成処理実行前のボンディングヘッドの待機位置で撮像
装置により半導体チップを撮像して得た映像出力信号に
よって、不良識別情報用画像処理装置により半導体チッ
プの良否状態を判定するとともに位置合わせ情報用画像
処理装置により半導体チップの位置合わせ情報を得るよ
うにした。したかって、単一の撮像装置および単一の照
明装置により半導体チップの不良識別情報および位置合
わせ情報を得ることかできる。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第1図ないし第2図に基ついて説
明する。
第1図はこの発明の一実施例の半導体製造装置の構成を
示す概念図、第2図は同半導体製造装置の処理の流れを
説明するための流れ図である。
第1図において、2はボンディングヘット、10は撮像
装置となるテレビカメラ、11はテレビカメラによる映
像出力信号、12は位置合わせ情報用画像処理装置、I
9は照明装置、23は不良識別情報用画像処理装置であ
る。また、第3図と同様の部分には同符号を付した。
第1図に示すように、ボンディングヘッド2に付設した
テレビカメラ10による映像出力信号11を2つに分岐
し、この映像出力信号11を位置合わせ情報用画像処理
装置12および不良識別情報用画像処理装置23に入力
する。
バンプ形成処理実行前のホンディングヘッド2の処理す
べき各半導体チップ1aに対する待機位置は、ボンディ
ングヘッド2に付設したテレビカメラ10により半導体
チップ1aに施した不良識別マーク3を撮像できるよう
な位置である。
以下、実施例の半導体製造装置の動作を第1図および第
2図に基づいて説明する。
先ず第2図に示す処理25を実行する。すなわち、ウェ
ハステージ5上に半導体ウェハ1を載置し、位置規正手
段(図示せず)により半導体ウェハ1の位置を規正した
後、NCテーブルコントローラ8によりウェハステージ
用NCテーブル6に駆動信号7を出力してウェハステー
ジ用NCテーブルを駆動することにより、ウェハステー
ジ5を初期位置に移動させる。
次に、処理26を実行する。すなわち、バンプ形成処理
の実行前に、ボンディングヘットNCテーブル14を駆
動し、ボンディングヘラ)・2を処理すべき半導体チッ
プIa(以下「処理対象チップ」という。)に対する待
機位置に移動させて停止させる。この際、照明装置19
により処理対象チップ付近を照明しており、ボンデイン
クヘッド2に付設したテレビカメラ10により、処理対
象チップを撮像する。そして、このテレビカメラ10に
よる映像出力信号を2つに分岐し、不良識別情報用画像
処理装置23および位置合わせ情報用画像処理装置12
に入力する。
次に、処理27を実行する。すなわち、不良識別情報用
画像処理装置23に映像出力信号11を入力することに
より、処理対象チップに不良識別情報となる不良識別マ
ーク3かあるかないかを識別し、処理対象チップが良品
であるか不良品であるかを判定する。
処理対象チップに不良識別マーク3かない場合には、こ
の処理対象チップを良品と判断し、この良品の処理対象
チップに対して処理28(位置合わせおよびバンプ形成
処理)を実行する。すなわち、テレビカメラ20により
処理対象チップの位置合わせ情報となる角部4,4′ 
を撮像し、テレビカメラ20から映像出力信号11を位
置合わせ情報用画像処理装置12に入力することにより
、処理対象チップの正確な位置合わせを行い、続いて処
理対象チップのポンディングパッド(図示せず)上に順
次バンプを形成する。そして、処理対象チップの全ての
ポンディングパッド上にバンプを形成した後、処理29
を実行し、ウェハステージ用NCテーブル6を駆動して
、ウェハステージ5を移動させることにより、半導体ウ
ェハ1を次に処理すべき半導体チップ1aの位置に移動
させる。
一方、処理対象チップに不良識別マーク3がある場合に
は、この処理対象チップを不良品と判断し、処理29を
実行する。すなわち、ウェハステージ用NCテーブル6
を駆動して、ウェハステージ5を移動させることにより
、半導体ウェハ1を次に処理ずへき半導体チップの位置
に移動させる。
次に処理30を実行する。すなわち、半導体ウェハlの
全ての半導体チップlaに対して、バンプを形成したか
どうかの判定を行う。そして、形成していれば、バンプ
形成処理を終了し、また、バンプを形成していない半導
体チップかあれは、再び処理26から各処理を実行する
なお、NGテーブルコントローラ8.NCテーブルコン
トローラ161位置合わせ情報用画像処理装置12およ
び不良マーク識別用画像処理装置23の動作は、通信手
段9.  +7. 12. 13゜23を介してメイン
CPU]8により制御される。
このように処理すべき半導体チップ1aに対するバンプ
形成処理実行前のボンディングヘッド2の待機位置にお
いて、単一のテレビカメラ20により撮像して得た映像
出力信号11により半導体チップ1aの不良識別情報と
なる不良識別マーク3および位置合わせ情報となる角部
4,4′を撮像して得た映像出力信号11によって、半
導体チップ1aの良否状態を判定するとともに半導体チ
ツブ1aの位置合わせ情報を得る。したかって、装置の
構成を簡略化することかできる。
なお、上述実施例では、位置合わせ情報用画像処理装置
I2と不良識別情報用画像処理装置23とを別ユニット
として構成したか、ソフトウェアで対応することにより
単一の装置で構成することもてきる。これにより、大幅
な設備費低減を図ることかできる。
〔発明の効果〕
この発明の半導体製造装置によれば、半導体チップに対
するバンプ形成処理実行前のボンディングヘッドの待機
位置で撮像装置により半導体チップを撮像して得た映像
出力信号によって、不良識別情報用画像処理装置により
半導体チップの良否状態を判定するとともに位置合わせ
情報用画像処理装置により半導体チップの位置合わせ情
報を得るようにした。したがって、単一の撮像装置およ
び単一の照明装置により半導体チップの不良識別情報お
よび位置合わせ情報を得ることができる。
その結果、従来のような複数の照明装置による照明の干
渉を考慮することか不要となり装置の構成が簡略化でき
る。したかって、ポールポンディング処理の作業性を向
上させることかでき、不良の半導体チップを容易にスキ
ップ処理することかでき、また、大幅な設備費低減を図
ることかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の半導体製造装置の構成を
示す概念図、第2図は同半導体製造装置の処理の流れを
説明するための流れ図、第3図は従来の半導体製造装置
の構成を示す概念図である。 1・・・半導体ウェハ、1a・・・半導体チップ、2・
・・ボンディングヘッド、3・・・不良識別マーク(不
良識別情報)、4,4′ ・・・角部(位置合わせ情報
)、11・・・映像出力信号、12・・位置合わせ情報
用画像処理装置、19・・・照明装置、23・・不良識
別情報用画像処理装置 特許出願人  松下電子工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  不良識別情報を有する複数個の半導体チップからなる
    半導体ウェハと、前記半導体チップ上のボンディングパ
    ッドにバンプ形成処理を行うためのボンディングヘッド
    と、このボンディングヘッドに付設した撮像装置と、前
    記半導体チップの不良識別情報を得るための不良識別情
    報用画像処理装置と、前記半導体チップの位置合わせ情
    報を得るための位置合わせ情報用画像処理装置と、前記
    半導体ウェハを照明する照明装置とを備え、 前記半導体チップに対する前記バンプ形成処理を行う前
    の前記ボンディングヘッドの待機位置で前記撮像装置に
    より前記半導体チップを撮像して得た映像出力信号によ
    って、前記不良識別情報用画像処理装置により前記半導
    体チップの良否状態を判定するとともに前記位置合わせ
    情報用画像処理装置により前記半導体チップの位置合わ
    せ情報を得るようにした半導体製造装置。
JP30473390A 1990-11-09 1990-11-09 半導体製造装置 Pending JPH04177732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30473390A JPH04177732A (ja) 1990-11-09 1990-11-09 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30473390A JPH04177732A (ja) 1990-11-09 1990-11-09 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04177732A true JPH04177732A (ja) 1992-06-24

Family

ID=17936561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30473390A Pending JPH04177732A (ja) 1990-11-09 1990-11-09 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04177732A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62248240A (ja) * 1986-04-22 1987-10-29 Fuji Xerox Co Ltd バンプ形成方法
JPS6386551A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp バンプ形成方法
JPS63296248A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Nec Corp ボ−ルバンプ形成方法及びその装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62248240A (ja) * 1986-04-22 1987-10-29 Fuji Xerox Co Ltd バンプ形成方法
JPS6386551A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp バンプ形成方法
JPS63296248A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Nec Corp ボ−ルバンプ形成方法及びその装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07161759A (ja) ワイヤボンディング装置
US5615821A (en) Wire bonding method and apparatus
JP3235008B2 (ja) ワイヤボンデイング部のボール検出方法及び検出装置
JPH04177732A (ja) 半導体製造装置
US5579984A (en) Bonding coordinate teaching method and teaching means
JP2570585B2 (ja) プローブ装置
JPH09115943A (ja) ワイヤボンディング方法及びその装置
JPH08114426A (ja) ワイヤ曲がり検査方法及びその装置
JP3921326B2 (ja) 部品実装装置
JPH05308086A (ja) 半導体製造装置
JPS61252517A (ja) ズ−ムレンズの倍率設定装置
JP2702836B2 (ja) ダイボンディング装置
JPH04250700A (ja) 電子部品認識方法
JPH04196546A (ja) ダイボンディング装置
JPH07142530A (ja) ボンデイング座標のティーチング方法及びティーチング手段
JPH01173174A (ja) 認識位置補正方法
JPH04233250A (ja) 半導体ダイシング装置
JPH08122726A (ja) 液晶パネル検査装置
JP3184640B2 (ja) ボンディングワイヤ検査装置
JPH05196420A (ja) 半導体露光装置用位置合わせ方法及び装置
JPH05129408A (ja) ワイヤボンデイング方法及び装置
JPH03136341A (ja) ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPH1187432A (ja) 半導体ベアチップ実装方法
TW202437455A (zh) 半導體製造裝置,邊緣的檢測方法及半導體裝置的製造方法
JP2001358183A (ja) ワイヤボンダ