JPH04177625A - 熱拡散層付き光ディスク媒体およびその製造方法 - Google Patents
熱拡散層付き光ディスク媒体およびその製造方法Info
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- JPH04177625A JPH04177625A JP2302755A JP30275590A JPH04177625A JP H04177625 A JPH04177625 A JP H04177625A JP 2302755 A JP2302755 A JP 2302755A JP 30275590 A JP30275590 A JP 30275590A JP H04177625 A JPH04177625 A JP H04177625A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、大容量、高密度の情報の記録が可能な光ディ
スク、光カードに供するための光記録媒体に関し、さら
に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的変
化または磁気的変化を引き起こさせて情報を記録するの
に適した熱拡散付き光ディスク媒体およびその製造方法
に間するものである。
スク、光カードに供するための光記録媒体に関し、さら
に詳しくはレーザビームを照射して、照射部に光学的変
化または磁気的変化を引き起こさせて情報を記録するの
に適した熱拡散付き光ディスク媒体およびその製造方法
に間するものである。
(従来の技術)
近年、小形で高性能のレーザ光源の発展にともない、光
記録関連の技術が急速に発展した。なかでもレーザ光を
レンズで波長限界まで絞り、透明基板上の薄膜状媒体に
照射して、薄膜に穴を開ける(穴開は型)、屈折率変化
を起こさせる(相変化型)、または磁気的変化を引き起
こす(光磁気型)等の手段を用いた光記録方式が盛んに
研究され、商品化も進められている。
記録関連の技術が急速に発展した。なかでもレーザ光を
レンズで波長限界まで絞り、透明基板上の薄膜状媒体に
照射して、薄膜に穴を開ける(穴開は型)、屈折率変化
を起こさせる(相変化型)、または磁気的変化を引き起
こす(光磁気型)等の手段を用いた光記録方式が盛んに
研究され、商品化も進められている。
この中で、書換え可能な相変化型と光磁気型が注目され
ている。このような変化は、記録膜に、集光したレーザ
光を照射して融点(相変化型)またはキュウリ−温度以
上(光磁気型)の高温に加熱することによって引き起こ
されている。ここで、加熱温度は、相変化型の場合には
、600〜700″C以上、光磁気型の場合には、30
0°C以上である。
ている。このような変化は、記録膜に、集光したレーザ
光を照射して融点(相変化型)またはキュウリ−温度以
上(光磁気型)の高温に加熱することによって引き起こ
されている。ここで、加熱温度は、相変化型の場合には
、600〜700″C以上、光磁気型の場合には、30
0°C以上である。
このように集光されたレーザ光を用いた加熱により記録
膜および誘電膜ならびに誘電膜に近接する透明基板は、
高温に曝されるので、記録媒体および透明基板は、記録
消去のたびに熱変形を起こし、これが蓄積されて媒体特
性の劣化を引き起こす。このため、書換え回数が制限さ
れる。従来の記録媒体の構成は、金属反射層が熱拡散の
役割を果たしており、記録層およびその周辺の熱は、−
たんこの反射層に流れ込み記録媒体の面内を拡散してい
く。このため、反射層近辺の保護膜および樹脂層は熱が
逃げ易く、低い温度に保たれる。これに対し、下地層側
には熱の逃げ場が無いので、下地層および基板表面は、
記録層とほぼ同じ温度まで昇温される。最近は、コスト
的に安いプラスチック基板が使用される傾向にあるが、
この基板は、軟化点が120°C付近ときわめて高温に
弱い。
膜および誘電膜ならびに誘電膜に近接する透明基板は、
高温に曝されるので、記録媒体および透明基板は、記録
消去のたびに熱変形を起こし、これが蓄積されて媒体特
性の劣化を引き起こす。このため、書換え回数が制限さ
れる。従来の記録媒体の構成は、金属反射層が熱拡散の
役割を果たしており、記録層およびその周辺の熱は、−
たんこの反射層に流れ込み記録媒体の面内を拡散してい
く。このため、反射層近辺の保護膜および樹脂層は熱が
逃げ易く、低い温度に保たれる。これに対し、下地層側
には熱の逃げ場が無いので、下地層および基板表面は、
記録層とほぼ同じ温度まで昇温される。最近は、コスト
的に安いプラスチック基板が使用される傾向にあるが、
この基板は、軟化点が120°C付近ときわめて高温に
弱い。
このため、プラスチック基板の熱変形による繰り返し回
数の低下が問題となっている。特に低線速で使用する媒
体は、1回の加熱時間が長いので、媒体が劣化し易い。
数の低下が問題となっている。特に低線速で使用する媒
体は、1回の加熱時間が長いので、媒体が劣化し易い。
また、高線速で使用する光ディスク媒体は、短時間に書
き込み消去を行う必要があることから、高感度であるこ
とが要求される。これには、保護膜の熱伝導率を低く抑
えることが有効であるが、このようにすると下地層側特
に基板表面付近の熱が逃げ難くなり、ますます基板表面
が高温に曝される時間が長くなり、繰り返し耐久性が低
下する。
き込み消去を行う必要があることから、高感度であるこ
とが要求される。これには、保護膜の熱伝導率を低く抑
えることが有効であるが、このようにすると下地層側特
に基板表面付近の熱が逃げ難くなり、ますます基板表面
が高温に曝される時間が長くなり、繰り返し耐久性が低
下する。
第1図(a)に、従来の通常の光ディスク媒体の構成を
示す。この構成の光ディスク媒体aについては、後述の
実施例1の項で、本発明の実施例1の光ディスク媒体す
と比較して説明する。
示す。この構成の光ディスク媒体aについては、後述の
実施例1の項で、本発明の実施例1の光ディスク媒体す
と比較して説明する。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の課題は、媒体の構造および材料を改良し、書き
込み消去の繰り返し回数と記録消去の感度を、ともに従
来よりも向上させた熱拡散層付き光ディスク媒体および
その製造方法を提供することにある。
込み消去の繰り返し回数と記録消去の感度を、ともに従
来よりも向上させた熱拡散層付き光ディスク媒体および
その製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
繰り返し書き込み消去による媒体特性の劣化は、レーザ
加熱による熱変形、特にプラスチック基板の変形が蓄積
されるために起きるとされている。
加熱による熱変形、特にプラスチック基板の変形が蓄積
されるために起きるとされている。
そこで、記録媒体は、レーザにより加熱した後、記録膜
の熱が加熱地点から拡散され、速やかに冷却される必要
がある。これには、記録膜に近接する保護層および金属
反射層の熱拡散係数の高い材料を用いることが有効であ
る。しかし保護膜の熱拡散係数を単に低くすると、加熱
時に記録膜から(保護膜を通した)の熱の逃げが大きく
なり、著しい感度の低下を招く。感度を損なわずに、基
板付近の温度上昇を抑えるには、基板と下地保護層の間
に、透明な熱拡散層を設けることにより解決できる。す
なわち記録膜を比較的熱拡散率の低いZnSとSiO□
分散膜またはSiO□膜等によりサンドインチされてい
ることから、加熱時に記録膜からの熱の逃げは低く抑え
られ、感度の低下はない。さらに(下地保護層に比べ)
熱拡散率の高い熱拡散層があるので、基板表面に到達し
た熱は、速やかに媒体面内で拡散する。このため、基板
表面は常に低い温度に保たれ、熱変形を起こし難くなる
。
の熱が加熱地点から拡散され、速やかに冷却される必要
がある。これには、記録膜に近接する保護層および金属
反射層の熱拡散係数の高い材料を用いることが有効であ
る。しかし保護膜の熱拡散係数を単に低くすると、加熱
時に記録膜から(保護膜を通した)の熱の逃げが大きく
なり、著しい感度の低下を招く。感度を損なわずに、基
板付近の温度上昇を抑えるには、基板と下地保護層の間
に、透明な熱拡散層を設けることにより解決できる。す
なわち記録膜を比較的熱拡散率の低いZnSとSiO□
分散膜またはSiO□膜等によりサンドインチされてい
ることから、加熱時に記録膜からの熱の逃げは低く抑え
られ、感度の低下はない。さらに(下地保護層に比べ)
熱拡散率の高い熱拡散層があるので、基板表面に到達し
た熱は、速やかに媒体面内で拡散する。このため、基板
表面は常に低い温度に保たれ、熱変形を起こし難くなる
。
ここで重要なのは、この熱拡散層が透明でなければなら
ない点である。なぜなら、書き込み消去に使用するレー
ザ光は基板側から照射されるからである。
ない点である。なぜなら、書き込み消去に使用するレー
ザ光は基板側から照射されるからである。
ダイヤモンドおよびダイヤモンド状カーボン膜は、拡散
係数が高いとされるAuやCuに比べて一桁以上の高い
値を示し、かつ光学的には、使用する波長領域内で(近
赤外から可視域において)透明であることから、基板側
に用いる熱拡散層として非常に優れた特性を有している
。
係数が高いとされるAuやCuに比べて一桁以上の高い
値を示し、かつ光学的には、使用する波長領域内で(近
赤外から可視域において)透明であることから、基板側
に用いる熱拡散層として非常に優れた特性を有している
。
このような、熱拡散率の高い、ダイヤモンドおよびダイ
ヤモンド状カーボン膜の作製方法として、ECRプラズ
マCVD法が注目されている。
ヤモンド状カーボン膜の作製方法として、ECRプラズ
マCVD法が注目されている。
ECRプラズマCVD (以下、ECRと略記する)法
ではイオン源中で電子サイクロトロン共鳴により高密度
プラズマを発生させ、そのプラズマを試料室の基板状に
導き、基板上で反応させて膜を堆積させる。この方法は
、制御性、生産性に優れているうえ、基板温度も室温で
よく、膜堆積中の基板温度も60°C程度と言われ、光
ディスクの誘電体保護膜の作製技術として適している。
ではイオン源中で電子サイクロトロン共鳴により高密度
プラズマを発生させ、そのプラズマを試料室の基板状に
導き、基板上で反応させて膜を堆積させる。この方法は
、制御性、生産性に優れているうえ、基板温度も室温で
よく、膜堆積中の基板温度も60°C程度と言われ、光
ディスクの誘電体保護膜の作製技術として適している。
本発明は、最近研究が進んできた、このECR法による
膜作製を、光ディスク用の保護膜に適用したものである
。前述のようにして得られた誘電体保護膜は、熱拡散性
、耐熱性に優れているので、高性能の書き込み消去の繰
り返し性を要求される光ディスク媒体に最適なものであ
る。
膜作製を、光ディスク用の保護膜に適用したものである
。前述のようにして得られた誘電体保護膜は、熱拡散性
、耐熱性に優れているので、高性能の書き込み消去の繰
り返し性を要求される光ディスク媒体に最適なものであ
る。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
実施炎上
以下、本発明の実施例1を従来の通常の光ディスク媒体
と比較して説明する。
と比較して説明する。
第1図(a)は、従来の通常の媒体aの断面を示し、第
1図(b)は、本発明の実施例1の媒体すの断面を示す
。第1図において、1はPC基板、2は保護層(下地)
、3は記録層、4は保護層(上地)、6は封止層、7は
熱拡散層である。
1図(b)は、本発明の実施例1の媒体すの断面を示す
。第1図において、1はPC基板、2は保護層(下地)
、3は記録層、4は保護層(上地)、6は封止層、7は
熱拡散層である。
媒体aは基板/誘電体保護層(下地層)/記録層/誘電
体保護層(上地層)/金属反射層/封止用エポキシ樹脂
層の構成となっている。誘電体保護層は下地層も上地層
もともにZnSと5iOzの分散膜(ZnS : 80
at%、 Sing : 20at%)で、金属反射層
は400人のAu膜を使用した。記録層にはGezSb
zTes合金膜を用いた。媒体すは基板/熱拡散層/誘
電体保護層(下地層)/記録層/誘電体保護層(上地層
)/金属反射層/封止用エポキシ樹脂層の構成となって
いる。熱拡散層には、2000人のARN膜を用いたが
、これ以外は、すべて媒体aと同じ構成とした。これら
は、 (封止層を除いて)すべてマグネトロンrfスパ
ッタ法により作製した。封止用エポキシ樹脂層はスピン
コードした。
体保護層(上地層)/金属反射層/封止用エポキシ樹脂
層の構成となっている。誘電体保護層は下地層も上地層
もともにZnSと5iOzの分散膜(ZnS : 80
at%、 Sing : 20at%)で、金属反射層
は400人のAu膜を使用した。記録層にはGezSb
zTes合金膜を用いた。媒体すは基板/熱拡散層/誘
電体保護層(下地層)/記録層/誘電体保護層(上地層
)/金属反射層/封止用エポキシ樹脂層の構成となって
いる。熱拡散層には、2000人のARN膜を用いたが
、これ以外は、すべて媒体aと同じ構成とした。これら
は、 (封止層を除いて)すべてマグネトロンrfスパ
ッタ法により作製した。封止用エポキシ樹脂層はスピン
コードした。
スパッタには、Arガスを導入し、ガス圧は、記録膜お
よびZnSとSingの分散膜では1.OPa、 Af
fN熱拡散膜は0.3Paで行った。rfパワーはいず
れも100Wとした。
よびZnSとSingの分散膜では1.OPa、 Af
fN熱拡散膜は0.3Paで行った。rfパワーはいず
れも100Wとした。
次に、この光ディスクを光ディスク動特性評価装置を用
いてオーバーライドによる繰り返し性の測定を行った。
いてオーバーライドによる繰り返し性の測定を行った。
ここで、使用したレーザ光源は波長830nsの半導体
レーザである。このオーバーライドに使用したパルス波
形を第2図に示す。線速は10m/s、記録周波数は5
MHz、書き込みパルス幅は50nsとした。書き込み
パワーおよびベースパワーが、媒体aはそれぞれ12m
W、 6 mW、媒体すはそれぞれ11.5mW、
6 mWとした。それぞれでC/Nが53dB、消去
率が一26dBの値が得られた。媒体aおよび媒体すに
ついて繰り返し書き込み消去の試験を行った。この条件
で、前記二つの媒体は、ともにC/Nが53dB、消去
率が一28dBと優れた値を示した。媒体aおよび媒体
すの繰り返し性の試験結果をそれぞれ第3図および第4
図に示す。繰り返し書き込み消去による劣化は、一般に
ノイズレベルの増加として現れるが、ここでは、繰り返
し回数の限界をノイズレベルが初期値よりも3dB上昇
した回数とした。通常の構成の媒体aは、第3図に示す
ように、3X10’回あたりでノイズレベルの急な増加
が起きるが、熱拡散層を持つ媒体すは第4図に示すよう
に、106回まで劣化が見られない。熱拡散層の付加に
より感度がほとんど変化せず、繰り返し特性が改善され
た。また、Al2Nに変えてSiNまたはAβ20+ス
パッタ膜を熱拡散層として使用した場合も、同様な結果
が得られた。ここで、これらのスパッタ条件は、ANN
膜の場合と同様で、それぞれSiN、 Al2z(h焼
結ターゲットを用いてスパッタした。このことがら、透
明な熱拡散層を付加することにより、高感度で、かつ高
性能の繰り返し性を持たせることができることがわかっ
た。
レーザである。このオーバーライドに使用したパルス波
形を第2図に示す。線速は10m/s、記録周波数は5
MHz、書き込みパルス幅は50nsとした。書き込み
パワーおよびベースパワーが、媒体aはそれぞれ12m
W、 6 mW、媒体すはそれぞれ11.5mW、
6 mWとした。それぞれでC/Nが53dB、消去
率が一26dBの値が得られた。媒体aおよび媒体すに
ついて繰り返し書き込み消去の試験を行った。この条件
で、前記二つの媒体は、ともにC/Nが53dB、消去
率が一28dBと優れた値を示した。媒体aおよび媒体
すの繰り返し性の試験結果をそれぞれ第3図および第4
図に示す。繰り返し書き込み消去による劣化は、一般に
ノイズレベルの増加として現れるが、ここでは、繰り返
し回数の限界をノイズレベルが初期値よりも3dB上昇
した回数とした。通常の構成の媒体aは、第3図に示す
ように、3X10’回あたりでノイズレベルの急な増加
が起きるが、熱拡散層を持つ媒体すは第4図に示すよう
に、106回まで劣化が見られない。熱拡散層の付加に
より感度がほとんど変化せず、繰り返し特性が改善され
た。また、Al2Nに変えてSiNまたはAβ20+ス
パッタ膜を熱拡散層として使用した場合も、同様な結果
が得られた。ここで、これらのスパッタ条件は、ANN
膜の場合と同様で、それぞれSiN、 Al2z(h焼
結ターゲットを用いてスパッタした。このことがら、透
明な熱拡散層を付加することにより、高感度で、かつ高
性能の繰り返し性を持たせることができることがわかっ
た。
災施桝I
実施例2では、熱拡散層にダイヤモンド誘電膜を使用し
た媒体を検討した。まず、ECR法によるダイヤモンド
誘電膜の作製を行った。使用した装置は4インチ用の市
販の装置である。反応ガスにC2H4を使用し、流量は
300sccr@とした。そして、500Wのμ波パワ
ーを投入してプラズマを発生させ、基板にはrfバイア
ス200Wをかけて膜を石英基板に堆積させた。基板は
30”Cに冷却した。堆積させたダイヤモンド膜は、ラ
マン分光法により評価したところ、1355c+++−
’にピークが現れ、ダイヤモンドであることが確認でき
た。
た媒体を検討した。まず、ECR法によるダイヤモンド
誘電膜の作製を行った。使用した装置は4インチ用の市
販の装置である。反応ガスにC2H4を使用し、流量は
300sccr@とした。そして、500Wのμ波パワ
ーを投入してプラズマを発生させ、基板にはrfバイア
ス200Wをかけて膜を石英基板に堆積させた。基板は
30”Cに冷却した。堆積させたダイヤモンド膜は、ラ
マン分光法により評価したところ、1355c+++−
’にピークが現れ、ダイヤモンドであることが確認でき
た。
次に、このダイヤモンド膜を熱拡散層として用いた光デ
ィスクを作製し評価を行った。5インチ−ポリカーボネ
イト樹脂ディスク基板上に、基板/熱拡散層/誘電体保
護層(下地層)/記録層/誘電体保護層(上地層)/金
属反射層/封止用エポキシ樹脂層の構成で光ディスクを
作製した。この光ディスク媒体の断面図を第5図に示す
。第5図において、1はPC基板、2は保護層(下地)
、3は記録層、4は保護層(上地)、5は金属反射層、
6は封止層、7′は熱拡散層である。ここで、熱拡散層
7′は、ECRプラズマCVD法を用いて堆積した上記
のダイヤモンド膜(1700人)を用いた。これ以外は
、いずれもrfスパ、クリング法を用いて、実施例1と
同様の方法で堆積した。封止用のエポキシ樹脂層はスピ
ンコードした。
ィスクを作製し評価を行った。5インチ−ポリカーボネ
イト樹脂ディスク基板上に、基板/熱拡散層/誘電体保
護層(下地層)/記録層/誘電体保護層(上地層)/金
属反射層/封止用エポキシ樹脂層の構成で光ディスクを
作製した。この光ディスク媒体の断面図を第5図に示す
。第5図において、1はPC基板、2は保護層(下地)
、3は記録層、4は保護層(上地)、5は金属反射層、
6は封止層、7′は熱拡散層である。ここで、熱拡散層
7′は、ECRプラズマCVD法を用いて堆積した上記
のダイヤモンド膜(1700人)を用いた。これ以外は
、いずれもrfスパ、クリング法を用いて、実施例1と
同様の方法で堆積した。封止用のエポキシ樹脂層はスピ
ンコードした。
この光ディスクを実施例1と同じ光ディスク動特性評価
装置を用いて、オーバーライドによる繰り返し性の測定
を行った。このオーバーライドに使用したパルス波形は
第2図と同様で、線速は10m/s、記録周波数は5M
Hz、書き込みパルス幅は50nsとした。書き込みパ
ワーおよびヘースバワーが、それぞれ6d、 11mW
で、C/Nが53dB、消去率が一28dBの値が得ら
れた。
装置を用いて、オーバーライドによる繰り返し性の測定
を行った。このオーバーライドに使用したパルス波形は
第2図と同様で、線速は10m/s、記録周波数は5M
Hz、書き込みパルス幅は50nsとした。書き込みパ
ワーおよびヘースバワーが、それぞれ6d、 11mW
で、C/Nが53dB、消去率が一28dBの値が得ら
れた。
第6歯は、繰り返し書き込み消去の繰り返し特性図で、
キャリアレベル、ノイズレベル、消去レベルを繰り返し
回数に対してプロットした。5×106回の繰り返しに
対してもノイズの増加や信号の低下は見られず、媒体特
性の劣化が見られないことがわかった。
キャリアレベル、ノイズレベル、消去レベルを繰り返し
回数に対してプロットした。5×106回の繰り返しに
対してもノイズの増加や信号の低下は見られず、媒体特
性の劣化が見られないことがわかった。
これによりダイヤモンド保護膜を用いたこの光ディスク
媒体が、高感度で、かつ繰り返し特性に優れていること
がわかった。
媒体が、高感度で、かつ繰り返し特性に優れていること
がわかった。
1隻五主
実施例3では基板の反対側からレーザ光を入射させる場
合で、使用する膜は、実施例1の媒体すと全く同じで、
膜堆積の順序だけが異なり、第7図の構成となっている
。第7図において、1はPC基板、2′は保護層(下地
)、3は記録層、4′は保護層(上地)5は金属反射層
、6は封止層、7は熱拡散層である。感度および繰り返
し性は、実施例1の媒体すと同様に、高感度で、高性能
の繰り返し性を有していた。
合で、使用する膜は、実施例1の媒体すと全く同じで、
膜堆積の順序だけが異なり、第7図の構成となっている
。第7図において、1はPC基板、2′は保護層(下地
)、3は記録層、4′は保護層(上地)5は金属反射層
、6は封止層、7は熱拡散層である。感度および繰り返
し性は、実施例1の媒体すと同様に、高感度で、高性能
の繰り返し性を有していた。
11■工
実施例4では実施例2の媒体に基板の反対側からレーザ
光を入射させた場合で、使用する膜は実施例2と全く同
じで、第8図の構成となっている。
光を入射させた場合で、使用する膜は実施例2と全く同
じで、第8図の構成となっている。
感度および繰り返し性は、実施例2と同様に、高感度で
、高性能の繰り返し性を有していた。
、高性能の繰り返し性を有していた。
(発明の効果)
以上説明してきたように、プラスチック基板と、下地保
護膜との間に、透明な熱拡散層を設けた本発明の光ディ
スク媒体は、書き込み消去の感度および繰り返し性が、
ともに優れた高性能なものである。
護膜との間に、透明な熱拡散層を設けた本発明の光ディ
スク媒体は、書き込み消去の感度および繰り返し性が、
ともに優れた高性能なものである。
第1図(a)は従来の通常の光ディスク媒体aの断面図
、 第1図(b)は本発明の実施例1の媒体すの断面図、 第2図は本発明の実施例1および実施例2の媒体の繰り
返し特性の評価に使用したオーバーライトパルス波形図
、 第3図は従来の通常の光ディスク媒体aの繰り返し特性
図、 第4図は本発明の実施例1の媒体すの繰り返し特性図、 第5図は本発明の実施例2の媒体の断面図、第6図は本
発明の実施例2の媒体の繰り返し特性図、 第7図は本発明の実施例3の媒体の断面図、第8図は本
発明の実施例4の媒体の断面図である。 1・・・PC基板 2.2′・・・保護層(下
地)3・・・記録層 4,4′・・・保護層
(上地)5・・・金属反射層 6・・・封止層7
.7′・・・熱拡散層 特許出願人 日本電信電話株式会社代理人弁理士
杉 村 暁 秀同 弁理士 杉
村 興 作■ レーサ゛九 7−・、◆へおλ貴曳J鳴:AI N スハ′・ング月
襄 (2000,八)第2図 第3図 ノJ々り返し置敷 第6図 40メ (N) 蚤1ノ頑(E回◆丸 〉O レベル ト 笥 罰
、 第1図(b)は本発明の実施例1の媒体すの断面図、 第2図は本発明の実施例1および実施例2の媒体の繰り
返し特性の評価に使用したオーバーライトパルス波形図
、 第3図は従来の通常の光ディスク媒体aの繰り返し特性
図、 第4図は本発明の実施例1の媒体すの繰り返し特性図、 第5図は本発明の実施例2の媒体の断面図、第6図は本
発明の実施例2の媒体の繰り返し特性図、 第7図は本発明の実施例3の媒体の断面図、第8図は本
発明の実施例4の媒体の断面図である。 1・・・PC基板 2.2′・・・保護層(下
地)3・・・記録層 4,4′・・・保護層
(上地)5・・・金属反射層 6・・・封止層7
.7′・・・熱拡散層 特許出願人 日本電信電話株式会社代理人弁理士
杉 村 暁 秀同 弁理士 杉
村 興 作■ レーサ゛九 7−・、◆へおλ貴曳J鳴:AI N スハ′・ング月
襄 (2000,八)第2図 第3図 ノJ々り返し置敷 第6図 40メ (N) 蚤1ノ頑(E回◆丸 〉O レベル ト 笥 罰
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光を吸収して変質する記録層と、該記録層に近接し
て配置された誘電層とが透明基板上に設けられる光記録
媒体において、透明基板側から光を照射する場合に、前
記誘電体下地層と透明基板の間に、透明で前記誘電体下
地層に比べて熱拡散係数の大きな熱拡散層を設けたこと
を特徴とする熱拡散層付き光ディスク媒体。 2、光を吸収して変質する記録層と、該記録層に近接し
て配置された誘電層とが、透明基板上に設けられる光記
録媒体において、透明基板の反対側から光を照射する場
合に、前記誘電体上地層の上に、透明で前記誘電体上地
層に比べて熱拡散係数の大きな熱拡散層を設けたことを
特徴とする熱拡散層付き光ディスク媒体。 3、請求項1または請求項2に記載の熱拡散層付き光デ
ィスク媒体において、熱拡散層がダイヤモンドまたはダ
イヤモンド状薄膜からなることを特徴とする熱拡散層付
き光ディスク媒体。 4、請求項1または請求項2に記載の熱拡散層付き光デ
ィスク媒体において、熱拡散層がAlN、SiN、Al
_2O_3スパッタ膜または蒸着膜からなることを特徴
とする熱拡散層付き光ディスク媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2302755A JPH04177625A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 熱拡散層付き光ディスク媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2302755A JPH04177625A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 熱拡散層付き光ディスク媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04177625A true JPH04177625A (ja) | 1992-06-24 |
Family
ID=17912757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2302755A Pending JPH04177625A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 熱拡散層付き光ディスク媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04177625A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05101442A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
EP1014352A2 (en) * | 1998-12-09 | 2000-06-28 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacture thereof |
FR2813138A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-22 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique multi-niveau a puits thermique transparent pour systeme de lecture/ecriture par laser |
US6724943B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-04-20 | Sony Corporation | Device and method for image processing |
WO2017111913A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Film media kit |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP2302755A patent/JPH04177625A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05101442A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
EP1014352A2 (en) * | 1998-12-09 | 2000-06-28 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacture thereof |
EP1014352A3 (en) * | 1998-12-09 | 2001-07-11 | Sony Corporation | Optical recording medium and method for manufacture thereof |
SG90082A1 (en) * | 1998-12-09 | 2002-07-23 | Sony Corp | Optical recording medium and method for manufacture thereof |
US6724943B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-04-20 | Sony Corporation | Device and method for image processing |
FR2813138A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-22 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique multi-niveau a puits thermique transparent pour systeme de lecture/ecriture par laser |
WO2002017304A2 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Support d'enregistrement optique multi-niveau a puits thermique transparent pour systeme de lecture/ecriture par laser |
WO2002017304A3 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-07-04 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique multi-niveau a puits thermique transparent pour systeme de lecture/ecriture par laser |
WO2017111913A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Film media kit |
US10696075B2 (en) | 2015-12-21 | 2020-06-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Film media kit |
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