JPH04175768A - ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体 - Google Patents
ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体Info
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は光照射によって生ずる劣化を防止した、ポリシ
ラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体
に関する。
ラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体
に関する。
従来、電子写真感光体で用いる光導電材料として、ポリ
ビニルカルバゾールをはじめとする各種の存機光導電性
ポリマーが提案されてきたが、これらのポリマーは、無
機系光導電材料に比べ成膜性、軽量性などの点で優れて
いるにもかかわらず、今日までその実用化が困難であっ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、また感度
、耐久性及び環境変化による安定性の点で無機系光導電
材料に比べ劣っているためであった。また、米国特許第
4.150,987号公報などに開示のヒドラゾン化合
物、米国特許第3.837,851号公報などに記載の
トリアリールピラゾリン化合物、特開昭51−9482
8号公報、特開昭51−94829号公報などに記載さ
れている9−スチリルアントラセン化合物などの低分子
の有機光導電体が提案されている。このような低分子の
有機光導電体は、使用するバインダーを適当に選択する
ことによって、有機光導電性ポリマーの分野で問題とな
っていた成膜性の欠点を解消できるようになったが、感
度の点で十分なものとはいえない。
ビニルカルバゾールをはじめとする各種の存機光導電性
ポリマーが提案されてきたが、これらのポリマーは、無
機系光導電材料に比べ成膜性、軽量性などの点で優れて
いるにもかかわらず、今日までその実用化が困難であっ
たのは、未だ十分な成膜性が得られておらず、また感度
、耐久性及び環境変化による安定性の点で無機系光導電
材料に比べ劣っているためであった。また、米国特許第
4.150,987号公報などに開示のヒドラゾン化合
物、米国特許第3.837,851号公報などに記載の
トリアリールピラゾリン化合物、特開昭51−9482
8号公報、特開昭51−94829号公報などに記載さ
れている9−スチリルアントラセン化合物などの低分子
の有機光導電体が提案されている。このような低分子の
有機光導電体は、使用するバインダーを適当に選択する
ことによって、有機光導電性ポリマーの分野で問題とな
っていた成膜性の欠点を解消できるようになったが、感
度の点で十分なものとはいえない。
このようなことから、近年窓光層を電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離させた積層構造体が提案された。この積
層構造を感光層とした電子写真感光体は、可視光に対す
る感度、電荷保持力、表面強度などの点で改善できるよ
うになった。
送層に機能分離させた積層構造体が提案された。この積
層構造を感光層とした電子写真感光体は、可視光に対す
る感度、電荷保持力、表面強度などの点で改善できるよ
うになった。
このような電子写真感光体は、例えば米国特許第3.8
37.851号、回第3.871,882号公報などに
開示されている。
37.851号、回第3.871,882号公報などに
開示されている。
しかし、従来の低分子の有機光導電体をバインダー樹脂
に混合し、電荷輸送層に用いた電子写真感光体はバイン
ダー樹脂を用いるため、電荷のモビリティ−が低下し、
感度、特性が必ずしも十分でなく、繰り返し帯電及び露
光を行った際には明部電位と暗部電位の変動が大きく、
耐久性のある感光体は完成されていないのが実状である
。
に混合し、電荷輸送層に用いた電子写真感光体はバイン
ダー樹脂を用いるため、電荷のモビリティ−が低下し、
感度、特性が必ずしも十分でなく、繰り返し帯電及び露
光を行った際には明部電位と暗部電位の変動が大きく、
耐久性のある感光体は完成されていないのが実状である
。
ところで最近、前述の問題点を解決するためにポリシラ
ン化合物の使用が検討されている。
ン化合物の使用が検討されている。
ポリシランについては溶剤不溶のものと報告さねている
〔ザ・ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティー −1,152291pp(1,924,))
。また、ポリソランが溶剤可溶性であり、フィルム形成
が容易であることが報告さねている〔ザ・ジャーナル・
オブ・アメリカン・セラミック・ソサエティー 6j5
04pp(1978)) 。
〔ザ・ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティー −1,152291pp(1,924,))
。また、ポリソランが溶剤可溶性であり、フィルム形成
が容易であることが報告さねている〔ザ・ジャーナル・
オブ・アメリカン・セラミック・ソサエティー 6j5
04pp(1978)) 。
また、ポリシランは主鎖のび一結合によって電荷の移動
が可能な先手導体の特性を持ち。
が可能な先手導体の特性を持ち。
〔フィジカル・レビュー Bμs5 2818ppN9
87))、1子写真感光体への応用も期待されている。
87))、1子写真感光体への応用も期待されている。
しかし、このような電子写真感光体への適用のためには
、ポリシラン化合物は溶剤可溶性でフィルム形成能があ
るだけではなく、微細な欠陥のないフィルム形成、均質
性の高いフィルム形成のできることが必要となる。電子
写真感光体においては微細な欠陥も許されないため、置
換基についても構造の明確でフィルム形成に異常を発生
させない高品位のポリシラン化合物を要求されている。
、ポリシラン化合物は溶剤可溶性でフィルム形成能があ
るだけではなく、微細な欠陥のないフィルム形成、均質
性の高いフィルム形成のできることが必要となる。電子
写真感光体においては微細な欠陥も許されないため、置
換基についても構造の明確でフィルム形成に異常を発生
させない高品位のポリシラン化合物を要求されている。
従来からポリシラン化合物の合成研究は種々の報告があ
るが、電子写真感光体に用いるにはまだ問題点を残して
いる。低分子量のポリンラン化合物では全ての81基に
有機基が置換した構造のものが報告されている〔ザ・ジ
ャーナルオブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー(
Journal of American Ch
emical 5ociety!J4.(1,1)3
806pp (1972))、特公昭63−38033
)。
るが、電子写真感光体に用いるにはまだ問題点を残して
いる。低分子量のポリンラン化合物では全ての81基に
有機基が置換した構造のものが報告されている〔ザ・ジ
ャーナルオブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー(
Journal of American Ch
emical 5ociety!J4.(1,1)3
806pp (1972))、特公昭63−38033
)。
前者の刊行物に記載のものはジメチルシランの末端基に
メチル基を置換した構造であり、後者の刊行物に記載の
ものはジメチルシランの末端基にアルコキシ基を置換し
た構造であるが、いずれも重合度が2〜6であり、高分
子の特徴を示さない。つまり、低分子量のためにそのま
まではフィルム形成能がなく、産業上の利用は難しい。
メチル基を置換した構造であり、後者の刊行物に記載の
ものはジメチルシランの末端基にアルコキシ基を置換し
た構造であるが、いずれも重合度が2〜6であり、高分
子の特徴を示さない。つまり、低分子量のためにそのま
まではフィルム形成能がなく、産業上の利用は難しい。
高分子量のポリシラン化合物で全ての81基に有機基を
置換した構造のものが最近報告されている(日経ニュー
マテリアル8月15日号46ページ(1,988))。
置換した構造のものが最近報告されている(日経ニュー
マテリアル8月15日号46ページ(1,988))。
しかし特殊な反応中間体を経由するため、合成収率の低
下が予想され工業的な大量生産は困難である。
下が予想され工業的な大量生産は困難である。
また、ポリシラン化合物の合成方法が〔ザ・ジャーナル
・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー 198p
p C27(1980)又はザ・ジャーナル・オブ・
ポリマー・ザイエンス、ポリマー・ケミストリー・エデ
イジョン Vol、22151−i、70pp (1
984))により報告されている。しかし、報告されて
いるいずれの合成方法もポリシラン主鎖の縮合反応のみ
で、末端基については全く言及はない。そしていずれの
合成方法の場合も未反応のクロル基や副反応による副生
物の生成があり、所望のポリシラン化合物を定常的に得
るのは困難である。
・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー 198p
p C27(1980)又はザ・ジャーナル・オブ・
ポリマー・ザイエンス、ポリマー・ケミストリー・エデ
イジョン Vol、22151−i、70pp (1
984))により報告されている。しかし、報告されて
いるいずれの合成方法もポリシラン主鎖の縮合反応のみ
で、末端基については全く言及はない。そしていずれの
合成方法の場合も未反応のクロル基や副反応による副生
物の生成があり、所望のポリシラン化合物を定常的に得
るのは困難である。
前記のポリシラン化合物を光導電体として使用する例も
報告されているが(U、 S、 P、 11!14
.618,55]、lJ、 S、 P、 4,772,
525、特開昭62−269964) 、未反応のクロ
ル基や副反応による副生物の影響が推測される。
報告されているが(U、 S、 P、 11!14
.618,55]、lJ、 S、 P、 4,772,
525、特開昭62−269964) 、未反応のクロ
ル基や副反応による副生物の影響が推測される。
IJ 、 S 、 P 、階4,618,551では、
前記のポリシラン化合物を電子写真感光体として用いて
いるが、一般の複写機では表面電位の絶対値が500〜
800Vで良いのに、異常に高い表面電位−100OV
を用いている。これは通常の電位ではポリシランの構造
欠陥により電子写真感光体に欠陥を生じ、画像上の斑点
状の異常現象を消失させるためと考えられる。また、特
開昭62−269964では前記のポリシラン化合物を
用いて電子写真感光体を作製し、光感度を測定している
が、光感度が遅く、従来知られているセレン感光体や有
機感光体に比べ何の利点も持たない。
前記のポリシラン化合物を電子写真感光体として用いて
いるが、一般の複写機では表面電位の絶対値が500〜
800Vで良いのに、異常に高い表面電位−100OV
を用いている。これは通常の電位ではポリシランの構造
欠陥により電子写真感光体に欠陥を生じ、画像上の斑点
状の異常現象を消失させるためと考えられる。また、特
開昭62−269964では前記のポリシラン化合物を
用いて電子写真感光体を作製し、光感度を測定している
が、光感度が遅く、従来知られているセレン感光体や有
機感光体に比べ何の利点も持たない。
このような電子材料に利用するためには、まだ数多くの
問題点を残し、産業上に利用できるポリシラン化合物は
未だ提供されていないのが実状である。
問題点を残し、産業上に利用できるポリシラン化合物は
未だ提供されていないのが実状である。
本発明者らは、上述した従来技術におけるポリシラン化
合物を電荷輸送材料として用いた電子写真感光体につい
て検討のために繰り返し帯電及び露光を行ったところ、
露光を行った時の明部の電位がしだいに上昇してくると
いう事実が判明した。
合物を電荷輸送材料として用いた電子写真感光体につい
て検討のために繰り返し帯電及び露光を行ったところ、
露光を行った時の明部の電位がしだいに上昇してくると
いう事実が判明した。
また、前記電子写真感光体を使用する前、即ち、複写機
に設置する前に、紫外線成分を含有する光線下に放置し
、その後に設置し、通常の画像形成プロセスに供すると
光線下に放置しなかった場合と比較して明部電位の上昇
が大きく、この結果得られる画像は、地力ブリのある不
鮮明な画像になってしまうという仲間のあることが判明
した。
に設置する前に、紫外線成分を含有する光線下に放置し
、その後に設置し、通常の画像形成プロセスに供すると
光線下に放置しなかった場合と比較して明部電位の上昇
が大きく、この結果得られる画像は、地力ブリのある不
鮮明な画像になってしまうという仲間のあることが判明
した。
本発明者らは、上述の問題点について鋭意検討を重ねた
ところ電荷輸送材料として用いたポリシラン化合物は、
紫外線領域の波長光を吸収し、分解してしまい、この分
解生成物が電荷発生材料から注入された電荷担体をトラ
ップし、電荷の蓄積を起こし、繰り返し使用した時に明
部電位が次第に上昇していくものと推論するに至った。
ところ電荷輸送材料として用いたポリシラン化合物は、
紫外線領域の波長光を吸収し、分解してしまい、この分
解生成物が電荷発生材料から注入された電荷担体をトラ
ップし、電荷の蓄積を起こし、繰り返し使用した時に明
部電位が次第に上昇していくものと推論するに至った。
従って、本発明の目的は、前述の欠点を解消したポリシ
ラン化合物を含有する電子写真感光体を提供することに
ある。
ラン化合物を含有する電子写真感光体を提供することに
ある。
本発明の別の目的は前記した電子写真感光体中に入射さ
れる光線の作用により生しる不可逆的な光化学反応つま
りポリシラン分子の分解を防止した電子写真感光体を提
供することにある。
れる光線の作用により生しる不可逆的な光化学反応つま
りポリシラン分子の分解を防止した電子写真感光体を提
供することにある。
本発明の上記目的は、少なくともポリシランを含有する
電子写真感光体の露光光源側の表面に250〜360n
mの範囲の光線を吸収する保護層を設けることによって
達成される。
電子写真感光体の露光光源側の表面に250〜360n
mの範囲の光線を吸収する保護層を設けることによって
達成される。
本発明で用いる保護層は、前記ポリシランを電荷輸送物
質として用いた電荷輸送層の上に紫外線吸収力を持つ物
質を例えば有機溶剤等に溶解したものを塗布するか有機
樹脂をバインダーとして用い、溶剤中にこのバインダー
と紫外線吸収物質を溶解した溶液を塗布することによっ
て形成することができる。
質として用いた電荷輸送層の上に紫外線吸収力を持つ物
質を例えば有機溶剤等に溶解したものを塗布するか有機
樹脂をバインダーとして用い、溶剤中にこのバインダー
と紫外線吸収物質を溶解した溶液を塗布することによっ
て形成することができる。
また、光源が支持体側にある場合、本発明で用いる保護
層を支持体の非感光層側に設けることもできる。
層を支持体の非感光層側に設けることもできる。
本発明による電子写真感光体の層構成は、第1図又は第
2図に示される内容のものである。即ち、怒光層側より
露光する際、第1図の感光体の層構成は導電性支持体6
上に電荷発生層4、電荷輸送材料であるポリシラン層3
及び紫外線を吸収する保護層1の順の3層をこの順序で
積層して設けられたものである。
2図に示される内容のものである。即ち、怒光層側より
露光する際、第1図の感光体の層構成は導電性支持体6
上に電荷発生層4、電荷輸送材料であるポリシラン層3
及び紫外線を吸収する保護層1の順の3層をこの順序で
積層して設けられたものである。
支持体側より露光する際、第2図の感光体の層構成は透
明導電性支持体7上に電荷発生層4及び′@、荷輸送材
料であるポリシラン層3をこの順序で積層して設け、透
明導電性支持体7の非感光層側に紫外線を吸収する保護
層1を設けてなるものである。
明導電性支持体7上に電荷発生層4及び′@、荷輸送材
料であるポリシラン層3をこの順序で積層して設け、透
明導電性支持体7の非感光層側に紫外線を吸収する保護
層1を設けてなるものである。
上記ポリシラン層3(電荷輸送層)の膜厚は、好ましく
は5〜40μ、より好ましくは10〜30μとされる。
は5〜40μ、より好ましくは10〜30μとされる。
本発明に用いられる上記紫外線吸収剤としては、ベンゾ
トリアゾール類、チアゾリドン類、アクリロニトリル類
、ベンゾフェノン類などが用いられる。これらの具体例
は上述するものである。
トリアゾール類、チアゾリドン類、アクリロニトリル類
、ベンゾフェノン類などが用いられる。これらの具体例
は上述するものである。
本発明の感光体における紫外線吸収保護層1中の紫外線
吸収剤の割合は、重量分率で好ましくは0.1〜70%
、より好ましくは0. ]〜40%が良い。また、本発
明での紫外線吸収保護層の膜厚は、好ましくは0.1〜
10μであり、より好ましくは0.5〜5μである。
吸収剤の割合は、重量分率で好ましくは0.1〜70%
、より好ましくは0. ]〜40%が良い。また、本発
明での紫外線吸収保護層の膜厚は、好ましくは0.1〜
10μであり、より好ましくは0.5〜5μである。
上記、バインダー樹脂としては、溶剤可溶型樹脂が用い
られる。具体的な該樹脂としては、ポリエステル、ポリ
カーボネート、スチレン、アクリル、ポリサルホン、ブ
チラール、塩化ビニル、酢酸ビ、ニル共重合体などの筑
可望樹脂やエポキシ樹脂、bツー7L/ 型7 x−、
/−ル樹脂、ポリウレタン樹脂などの熱硬化樹脂が挙げ
られる。
られる。具体的な該樹脂としては、ポリエステル、ポリ
カーボネート、スチレン、アクリル、ポリサルホン、ブ
チラール、塩化ビニル、酢酸ビ、ニル共重合体などの筑
可望樹脂やエポキシ樹脂、bツー7L/ 型7 x−、
/−ル樹脂、ポリウレタン樹脂などの熱硬化樹脂が挙げ
られる。
(息子余白)
ピ、H。
ピ5lLt (i)
eJll (il)
(tJ’V’ 1o> cJ、(i)C諷(i
) (itI C&(t) OH −CmHe 本発明において用いるポリシラン化合物は、ザ・ジャー
ナル・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー 19
8pp C27(1980)又はザ・ジャーナル・オ
ブ・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミストリー・
エデイシラン Vol。
) (itI C&(t) OH −CmHe 本発明において用いるポリシラン化合物は、ザ・ジャー
ナル・オブ・オルガノメタリック・ケミストリー 19
8pp C27(1980)又はザ・ジャーナル・オ
ブ・ポリマー・サイエンス、ポリマー・ケミストリー・
エデイシラン Vol。
22 159−170pp (1984)に記載された
方法により合成できる。
方法により合成できる。
本発明において使用できるポリシラン化合物としては以
下のものを挙げることができる。
下のものを挙げることができる。
(以下余白)
において されるポリシランヒへ のα。
島
イSi ha −3
α(01,)□
島
島 島
1 [
CI(3C)I3
I3
ωs (O(t)s
好ましく使用できるポリシラン化合物としては、下記の
一般式(1)で表され重量平均分子量が6000乃至2
00000であるポリシラン化合物である。
一般式(1)で表され重量平均分子量が6000乃至2
00000であるポリシラン化合物である。
R,R2
A−ESi→了−−Hl−ト1−A′・・・(1)Rt
Ra 〔但し、式中、R1は炭素数1又は2のアルキル基、R
8は炭素数3乃至8のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基又はアラルキル基、R1は炭素数1乃至4の
アルキル基、R4は炭素数1乃至4のアルキル基をそれ
ぞれ示す、A、A’は、それぞれ炭素数4乃至12のア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキ
ル基であり、両者は同じであっても或いは異なってもよ
い、nとmは、ポリマー中の総モノマーに対するそれぞ
れのモノマー数の割合を示すモル比であり、H+m=1
となり、Q<fi≦1.0≦m〈1である。] 上記−船人口)で表されるポリシラン化合物は、具体的
には、つぎのようにして合成することができる。即ち、
酸素及び水分を無くした高純度不活性雰囲気下で、ジク
ロロシランモアツマ−をアルカリ金属からなる縮合触媒
に接触させてハロゲン脱離と縮重合を行い中間体ポリマ
ーを合成し、得られた該中間体ポリマーを未反応のモノ
マーと分動し、該中間体ポリマーに所定のハロゲン化有
機試薬をアルカリ金属からなる縮合触媒の存在下で反応
せしめて該中間体ポリマーの末端に有機基を縮合せしめ
ることにより合成される。
Ra 〔但し、式中、R1は炭素数1又は2のアルキル基、R
8は炭素数3乃至8のアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基又はアラルキル基、R1は炭素数1乃至4の
アルキル基、R4は炭素数1乃至4のアルキル基をそれ
ぞれ示す、A、A’は、それぞれ炭素数4乃至12のア
ルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキ
ル基であり、両者は同じであっても或いは異なってもよ
い、nとmは、ポリマー中の総モノマーに対するそれぞ
れのモノマー数の割合を示すモル比であり、H+m=1
となり、Q<fi≦1.0≦m〈1である。] 上記−船人口)で表されるポリシラン化合物は、具体的
には、つぎのようにして合成することができる。即ち、
酸素及び水分を無くした高純度不活性雰囲気下で、ジク
ロロシランモアツマ−をアルカリ金属からなる縮合触媒
に接触させてハロゲン脱離と縮重合を行い中間体ポリマ
ーを合成し、得られた該中間体ポリマーを未反応のモノ
マーと分動し、該中間体ポリマーに所定のハロゲン化有
機試薬をアルカリ金属からなる縮合触媒の存在下で反応
せしめて該中間体ポリマーの末端に有機基を縮合せしめ
ることにより合成される。
上記合成操作にあっては、出発物質たるジクロロシラン
モノマー、前記中間体ポリマー、ハロゲン化有機試薬及
びアルカリ金属縮合触媒は、いずれも酸素や水分との反
応性が高いので、これら酸素や水分が存在する雰囲気の
下では目的とする上述のポリシラン化合物は得られない
。
モノマー、前記中間体ポリマー、ハロゲン化有機試薬及
びアルカリ金属縮合触媒は、いずれも酸素や水分との反
応性が高いので、これら酸素や水分が存在する雰囲気の
下では目的とする上述のポリシラン化合物は得られない
。
したがって本発明のボリンラン化合物を得る上述の操作
は、酸素及び水分のいずれもが存在しない雰囲気下で実
施することが必要である。
は、酸素及び水分のいずれもが存在しない雰囲気下で実
施することが必要である。
このため、反応系に酸素及び水分のいずれもが存在する
ところとならないように反応容器及び使用する試薬の全
てについて留意が必要である。例えば反応容器について
は、ブローボックス中で真空1引とアルゴンガス置換を
行って水分や酸素の系内への吸着がないようにする。使
用するアルゴンガスは、いずれの場合にあっても予めソ
リ力ゲル力ラムに通し脱水して、ついで銅粉末を100
℃に加熱したカラムに還して脱M素処理して使用する。
ところとならないように反応容器及び使用する試薬の全
てについて留意が必要である。例えば反応容器について
は、ブローボックス中で真空1引とアルゴンガス置換を
行って水分や酸素の系内への吸着がないようにする。使
用するアルゴンガスは、いずれの場合にあっても予めソ
リ力ゲル力ラムに通し脱水して、ついで銅粉末を100
℃に加熱したカラムに還して脱M素処理して使用する。
出発原料たるジクロロシランモノマーについては、反応
系内への導入直前で脱酸素処理した上述のアルゴンガス
を使用して減圧蒸留を行った後乙こ反応系内に導入する
。特定の有機基を導入するだめの上記ハロゲン化有機試
薬及び使用する上記溶剤についても、ジクロロシランモ
ノマーと同様に脱酸素処理した後に反応系内に導入する
。なお、溶剤の脱酸素処理は、上述の脱酸素処理したア
ルゴンガスを使用して減圧蒸留した後、金属ナトリウム
で更に脱水処理する。
系内への導入直前で脱酸素処理した上述のアルゴンガス
を使用して減圧蒸留を行った後乙こ反応系内に導入する
。特定の有機基を導入するだめの上記ハロゲン化有機試
薬及び使用する上記溶剤についても、ジクロロシランモ
ノマーと同様に脱酸素処理した後に反応系内に導入する
。なお、溶剤の脱酸素処理は、上述の脱酸素処理したア
ルゴンガスを使用して減圧蒸留した後、金属ナトリウム
で更に脱水処理する。
上記縮合触媒については、ワイヤー化或いはチップ化し
て使用するところ、前記ワイヤー化又はチップ化は無酸
素のパラフィン系溶剤中で行い、酸化が起こらないよう
にして使用する。
て使用するところ、前記ワイヤー化又はチップ化は無酸
素のパラフィン系溶剤中で行い、酸化が起こらないよう
にして使用する。
上記の一般式(1)で表されるポリシラン化合物を製造
するに際して使用する出発原料のジクロロシランモノマ
ーは、後述する一船人:R+ Rt S i CIt
2で表されるシラン化合物か又はこれと−船人: Rs
Ra S I Clχで表されるシラン化合物が選択
的に使用される。
するに際して使用する出発原料のジクロロシランモノマ
ーは、後述する一船人:R+ Rt S i CIt
2で表されるシラン化合物か又はこれと−船人: Rs
Ra S I Clχで表されるシラン化合物が選択
的に使用される。
上述の縮合触媒は、ハロゲン脱離して縮合反応をもたら
しめるアルカリ金属が望ましく使用され、該アルカリ金
属の具体例としてリチウム、ナトリウム、カリウムが挙
げられ、中でもリチウム及びナトリウムが好適である。
しめるアルカリ金属が望ましく使用され、該アルカリ金
属の具体例としてリチウム、ナトリウム、カリウムが挙
げられ、中でもリチウム及びナトリウムが好適である。
上述のハロゲン化有機試薬は、A及びA′で表されるi
t換基を導入するためのものであって、ハロゲン化アル
キル化合物、ハロゲン化シクロアルキル化合物、ハロゲ
ン化了り−ル化合物及びハロゲン化アラルギル化合物か
らなる群から選択される適当な化合物、即ち、−船人:
A−X及び/又は−船人:A’−XC但し、XはCI!
又はBr)で表され、後述する具体例の中の適当な化合
物が選択的に使用される。
t換基を導入するためのものであって、ハロゲン化アル
キル化合物、ハロゲン化シクロアルキル化合物、ハロゲ
ン化了り−ル化合物及びハロゲン化アラルギル化合物か
らなる群から選択される適当な化合物、即ち、−船人:
A−X及び/又は−船人:A’−XC但し、XはCI!
又はBr)で表され、後述する具体例の中の適当な化合
物が選択的に使用される。
上述の中間体ポリマーを合成するに際して使用する一船
式’ R+ R! S I C1z又はこれと一般式:
R,Ra5iC1zで表されるジクロロシランモノマー
は、所定の溶剤に溶解して反応系に導入されるところ、
該溶剤としては、パラフィン系の無掻性炭化水素溶剤が
望ましく使用される。該溶剤の好ましい例としては、n
−ヘキサン、n−オクタン、n−ノナン、n−ドデカン
、シクロヘキサン及びシクロオクタンが挙げられる。
式’ R+ R! S I C1z又はこれと一般式:
R,Ra5iC1zで表されるジクロロシランモノマー
は、所定の溶剤に溶解して反応系に導入されるところ、
該溶剤としては、パラフィン系の無掻性炭化水素溶剤が
望ましく使用される。該溶剤の好ましい例としては、n
−ヘキサン、n−オクタン、n−ノナン、n−ドデカン
、シクロヘキサン及びシクロオクタンが挙げられる。
そして生成する中間体ポリマーはこれらの溶剤に不溶で
あることから、該中間体ポリマーを未反応のジクロロシ
ランモノマーから分離するについて好都合である。分離
した中間体ポリマーは、ついで上述のハロゲン化有機試
薬と反応せしめるわけであるが、その際両者は同じ溶剤
に溶解せしめて反応に供される。この場合の溶剤として
はヘンゼン、トルエン、キソレン等の芳香族溶剤が好適
に使用される。
あることから、該中間体ポリマーを未反応のジクロロシ
ランモノマーから分離するについて好都合である。分離
した中間体ポリマーは、ついで上述のハロゲン化有機試
薬と反応せしめるわけであるが、その際両者は同じ溶剤
に溶解せしめて反応に供される。この場合の溶剤として
はヘンゼン、トルエン、キソレン等の芳香族溶剤が好適
に使用される。
上述のジクロロシランモノマーを上述のアルカリ金属触
媒を使用して縮合せしめて所望の中間体を得るについて
は、反応温度と反応時間を調節することにより得られる
中間体ポリマーの重合度を適宜制御できる。しかしなが
らその際の反応温度は60〜130℃の間に設定するの
が望ましい。
媒を使用して縮合せしめて所望の中間体を得るについて
は、反応温度と反応時間を調節することにより得られる
中間体ポリマーの重合度を適宜制御できる。しかしなが
らその際の反応温度は60〜130℃の間に設定するの
が望ましい。
以上説明の一般式(1)で表される上述のポリシラン化
合物の製造方法の望ましい一態様を以下に述べる。
合物の製造方法の望ましい一態様を以下に述べる。
即ち、上述のポリシラン化合物の製造方法は、(a)中
間体ポリマーを製造する工程と(b) 該中間体ポリマ
ーの末端に置換基A及びA′を導入する工程とからなる
。
間体ポリマーを製造する工程と(b) 該中間体ポリマ
ーの末端に置換基A及びA′を導入する工程とからなる
。
上記(a)の工程はつぎのようにして行われる。
即ち、反応容器の反応系内を酸素及び水分を完全に除い
てアルゴンで支配され所定の内圧に維持した状態にし、
無酸素のパラフィン系溶剤と無酸素の縮合触媒を入れ、
ついで無酸素のジクロロシランモノマーを入れ、全体を
撹拌しながら所定温度に加熱して該七ツマ−の縮合を行
う。この際前記ジクロロシランモノマーの縮合度合は、
反応温度と反応時間を調節し、所望の重合度の中間体ポ
リマーが生成されるようにする。
てアルゴンで支配され所定の内圧に維持した状態にし、
無酸素のパラフィン系溶剤と無酸素の縮合触媒を入れ、
ついで無酸素のジクロロシランモノマーを入れ、全体を
撹拌しながら所定温度に加熱して該七ツマ−の縮合を行
う。この際前記ジクロロシランモノマーの縮合度合は、
反応温度と反応時間を調節し、所望の重合度の中間体ポ
リマーが生成されるようにする。
この際の反応は、下記の反応式(i)で表されるように
ジクロロシランモノマーのクロル基と触媒が脱塩反応を
起こしてSi基同志が縮合を繰り返してポリマー化して
中間体ポリマーを生成する。
ジクロロシランモノマーのクロル基と触媒が脱塩反応を
起こしてSi基同志が縮合を繰り返してポリマー化して
中間体ポリマーを生成する。
IRs
CI−←5i→コr−Hオi−ト1−CI −(i )
Rz R。
Rz R。
なお、このところの具体的反応操作手順は、パラフィン
系溶剤中に縮合触媒(アルカリ金属)を仕込んでおき、
加熱下で撹拌しながらジクロロシランモノマーを滴下し
て添加する。ポリマー化の度合は、反応液をサンプリン
グして確認する。
系溶剤中に縮合触媒(アルカリ金属)を仕込んでおき、
加熱下で撹拌しながらジクロロシランモノマーを滴下し
て添加する。ポリマー化の度合は、反応液をサンプリン
グして確認する。
ポリマー化の簡単な確認はサンプリング液を揮発させフ
ィルムが形成できるか否かで判断できる。
ィルムが形成できるか否かで判断できる。
縮合が進み、ポリマーが形成されると白色固体となって
反応系から析出してくる。ここで冷却し、反応系からモ
ノマーを含む溶媒をデカンテーションで分離し、中間体
ポリマーを得る。
反応系から析出してくる。ここで冷却し、反応系からモ
ノマーを含む溶媒をデカンテーションで分離し、中間体
ポリマーを得る。
ついで前記(b)の工程を行う、即ち、得られた中間体
ポリマーの末端基のクロル基をハロゲン化有機剤と縮合
触媒(アルカリ金i)を用いて脱塩縮合を行いポリマー
末端基を所定の有機基で置換する。この際の反応は下記
の反応式(11)で表される。
ポリマーの末端基のクロル基をハロゲン化有機剤と縮合
触媒(アルカリ金i)を用いて脱塩縮合を行いポリマー
末端基を所定の有機基で置換する。この際の反応は下記
の反応式(11)で表される。
RI R3
CI−ESi→コー−+おi−ト、C1R,R。
A−おi−ト■−−−−千3量−テ1−A′・・・ (
ii )I R1R4 このところ具体的には、ジクロロシランモノマーの縮合
で得られた中間体ポリマーに芳香族系溶剤を加え溶解す
る6次に縮合触媒(アルカリ金属)を加え、室温でハロ
ゲン化有機剤を滴下する。この時ポリマー末端基同士の
縮合反応と競合するためハロゲン化有機剤を出発モノマ
ーに対して0.01〜0.1倍の過剰量添加する。徐々
に加熱し、80〜100℃で1時間加熱撹拌し、目的の
反応を行う。
ii )I R1R4 このところ具体的には、ジクロロシランモノマーの縮合
で得られた中間体ポリマーに芳香族系溶剤を加え溶解す
る6次に縮合触媒(アルカリ金属)を加え、室温でハロ
ゲン化有機剤を滴下する。この時ポリマー末端基同士の
縮合反応と競合するためハロゲン化有機剤を出発モノマ
ーに対して0.01〜0.1倍の過剰量添加する。徐々
に加熱し、80〜100℃で1時間加熱撹拌し、目的の
反応を行う。
反応終了後冷却し、触媒のアルカリ金属を除去するため
、メタノールを加える9次に生成したポリシラン化合物
をトルエンで抽出し、シリカゲルカラムで精製する。か
くして所望のポリシラン化合物が得られる。
、メタノールを加える9次に生成したポリシラン化合物
をトルエンで抽出し、シリカゲルカラムで精製する。か
くして所望のポリシラン化合物が得られる。
もR,StCII□及で1正4F−ツユΔλ生拠注):
下記の化合物の中、b−2〜1.6.1B、 20.2
1 。
下記の化合物の中、b−2〜1.6.1B、 20.2
1 。
23、24がR,R2Siらhに用いられ、b−1,2
゜11、1?、 19.22.23.25がlj、R4
SiC1tに用いられる。
゜11、1?、 19.22.23.25がlj、R4
SiC1tに用いられる。
(OIJ2SiC4!2 b
−1CH3(C[lJ 752、 ;>SiCら b−、]、0α、″′ CII:I′ CH3’ ((013)!!5iC41b−22 ((αj樽zsic l z bδA−
X びA’ −Xの■ (OL)8aIt1cm1 (23001J aC1c−2 013(Q(t) sC11c −3 α、(α出。CJ c−4◎C/
c−7 013Q cx c−s CH3+cg c−9 0−◇C1c−10 会算Rc−12 e (Olz)3Ce c−13α3 (Ofり
5tir c −14αz
(OIJ +(IBr c
−15ぐΣBr c−16 発B・ 触媒としてはアルカリ金属が好ましい。
−1CH3(C[lJ 752、 ;>SiCら b−、]、0α、″′ CII:I′ CH3’ ((013)!!5iC41b−22 ((αj樽zsic l z bδA−
X びA’ −Xの■ (OL)8aIt1cm1 (23001J aC1c−2 013(Q(t) sC11c −3 α、(α出。CJ c−4◎C/
c−7 013Q cx c−s CH3+cg c−9 0−◇C1c−10 会算Rc−12 e (Olz)3Ce c−13α3 (Ofり
5tir c −14αz
(OIJ +(IBr c
−15ぐΣBr c−16 発B・ 触媒としてはアルカリ金属が好ましい。
アルカリ金属としてはリチウム、ナトリウム、カリウム
が使用される。形状はワイヤー状またはチップ状にして
表面積を大きくすることが好ましい。
が使用される。形状はワイヤー状またはチップ状にして
表面積を大きくすることが好ましい。
mにおいてイ する ましいポリシランヒ人a′I3
α、(OI□)、÷Si→了(C&)sob d〜
1CHコ 0h(Q(t)s−(sih−(Olz)sob
d−10島 CHs (O(x) 、イSi +−r−(CHz)s
Q4s d −18aI(OI、)2 CH(α、)2 >x CI(3CI(3 α、 部 01+fCX、)s−(Sl:)■−(St )T (
Q(JsQb d−25ah Q4
:+ o+1 CI3 CIli(f&L−”’(Si :)y’−”f Si
〕−f−(OIJaCIl:+ d −32α3
島 (I CM +1(Of z ) s−イSi )x−fSi
) v (Olz)scHs d
l、。
1CHコ 0h(Q(t)s−(sih−(Olz)sob
d−10島 CHs (O(x) 、イSi +−r−(CHz)s
Q4s d −18aI(OI、)2 CH(α、)2 >x CI(3CI(3 α、 部 01+fCX、)s−(Sl:)■−(St )T (
Q(JsQb d−25ah Q4
:+ o+1 CI3 CIli(f&L−”’(Si :)y’−”f Si
〕−f−(OIJaCIl:+ d −32α3
島 (I CM +1(Of z ) s−イSi )x−fSi
) v (Olz)scHs d
l、。
C113側。
CII3(CHz) loイSi すi’f Si 3
? (Clb) +eOIs d −34
CI(3CH:l I3 □ CH3(CR□ン。
? (Clb) +eOIs d −34
CI(3CH:l I3 □ CH3(CR□ン。
01゜
Ol。
軒! (CI(2)x
CI(r(CI(z)s −(Si ’jウーfSi
’J−!−(CHz)scuh d −41汀)
:、F記構造式中のXとYは、いずれも単量体重合単位
を示す、そしてnは、X/(X+Y)、またmは、Y/
(X→−Y)の計算式によりそれぞれ求められる。
’J−!−(CHz)scuh d −41汀)
:、F記構造式中のXとYは、いずれも単量体重合単位
を示す、そしてnは、X/(X+Y)、またmは、Y/
(X→−Y)の計算式によりそれぞれ求められる。
本発明の積層型感光体においては、電荷発生層とポリシ
ラン層とを積層させた構成をとる。
ラン層とを積層させた構成をとる。
電荷発生層は、電荷発生物質を支持体の表面に蒸着する
か又は電荷発生物質をバインダー樹脂に分散したものを
基体上に塗布し、乾燥して形成される。
か又は電荷発生物質をバインダー樹脂に分散したものを
基体上に塗布し、乾燥して形成される。
電荷発生層の膜厚は、蒸着により形成する場合には1μ
m以下、電荷発生物質をバインダーに分散したものを塗
布する場合には0.1μm以上5μm以下が適当である
。
m以下、電荷発生物質をバインダーに分散したものを塗
布する場合には0.1μm以上5μm以下が適当である
。
ポリシラン化合物を積層型感光体の電荷移動層として用
いる場合のポリシラン層の膜厚は5〜30μm、好まし
くは8〜15μmである。
いる場合のポリシラン層の膜厚は5〜30μm、好まし
くは8〜15μmである。
積層型感光体の電荷発生物質として使用されるものとし
ては、Se、5eTe、5eAs等の無機電荷発生物質
や、ビリリウム、チアピリリウム系染料、フタロシアニ
ン系顔料、アントアントロl顔料、ジベンズピレンキノ
ン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゾ顔料、ジスアヅ
顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクリドン系顔料、
非対称キノシアニン、キノシアニンなどのを機系の電荷
発生物質が用いられる。
ては、Se、5eTe、5eAs等の無機電荷発生物質
や、ビリリウム、チアピリリウム系染料、フタロシアニ
ン系顔料、アントアントロl顔料、ジベンズピレンキノ
ン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゾ顔料、ジスアヅ
顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナクリドン系顔料、
非対称キノシアニン、キノシアニンなどのを機系の電荷
発生物質が用いられる。
本発明においては、導電性基板と感光層との間に導電性
基板からのキャリアの注入阻止及び導電性基板と感光層
の接着性の向上を目的として下引層を設けてもよい。下
引層に用いられる樹脂としては、ポリアミド、ポリビニ
ルピロリドン、カゼイン、エチルセルロース、ニトロセ
ルロースなどが挙げられる。下引層の膜厚は0.1〜3
μが良い。
基板からのキャリアの注入阻止及び導電性基板と感光層
の接着性の向上を目的として下引層を設けてもよい。下
引層に用いられる樹脂としては、ポリアミド、ポリビニ
ルピロリドン、カゼイン、エチルセルロース、ニトロセ
ルロースなどが挙げられる。下引層の膜厚は0.1〜3
μが良い。
〔使用するポリシラン化合物の製造例〕1遺斑上
真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ソロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。
三ソロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。
この三フロフラスコ中に脱水ドデカン100グラムとワ
イヤー状金属ナトリウム033モルを仕込み、撹拌しな
がら100℃に加熱した。次にジクロロメチルフェニル
シランモノマー(チッソ■製)0.1モルを脱水ドデカ
ン30グラムに溶解させて、用意した溶液を反応系にゆ
っくり滴下した。
イヤー状金属ナトリウム033モルを仕込み、撹拌しな
がら100℃に加熱した。次にジクロロメチルフェニル
シランモノマー(チッソ■製)0.1モルを脱水ドデカ
ン30グラムに溶解させて、用意した溶液を反応系にゆ
っくり滴下した。
滴下後、100℃で1時間縮重合させることにより、白
色固体を析出させた。この後冷却し、ドデカンをデカン
テーションして、さらに脱水トルエン100グラムを加
えることにより、白色固体を溶解させ、金属ナトリウム
0.01モルを加えた。
色固体を析出させた。この後冷却し、ドデカンをデカン
テーションして、さらに脱水トルエン100グラムを加
えることにより、白色固体を溶解させ、金属ナトリウム
0.01モルを加えた。
次に、n−へキシルクロライド(東京化成製)0.01
モルをトルエン10mj!に溶解させて用意した溶液を
反応系に撹拌しながらゆっくり滴下して添加し、100
℃で1時間加熱した。この後冷却し、過剰の金属ナトリ
ウムを処理するため、メタノール50m1をゆっくり滴
下した。これにより懸濁層とトルエン層とが生成した。
モルをトルエン10mj!に溶解させて用意した溶液を
反応系に撹拌しながらゆっくり滴下して添加し、100
℃で1時間加熱した。この後冷却し、過剰の金属ナトリ
ウムを処理するため、メタノール50m1をゆっくり滴
下した。これにより懸濁層とトルエン層とが生成した。
次に、トルエン層を分離し、減圧濃縮した後シリカゲル
カラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリシ
ラン化合物11i11 (d−1)を得た。
カラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリシ
ラン化合物11i11 (d−1)を得た。
収率は65%であった。
このポリシラン化合物の重量平均分子量はGPC法によ
りTHF展開し測定した結果75,000であった(ポ
リスチレンを標準とした)。
りTHF展開し測定した結果75,000であった(ポ
リスチレンを標準とした)。
11貫1
真空吸引とアルゴン置換を行ったブローボックスの中に
三ツロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。
三ツロフラスコを用意し、これにリフランクスコンデン
サーと温度計と滴下ロートを取り付けて、滴下ロートの
バイパス管からアルゴンガスを通した。
この三ンロフラスコ中に脱水n−ヘキサン100グラム
と1寵角の金属ナトリウム0.3モルを仕込み、撹拌し
ながら80℃に加熱した。次にジクロロメチルシクロへ
キシルシラノモノマー(チッソ■製)0.1モルを脱水
n−ヘキサンに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっ
くりと滴下した。滴下後80℃で3時間縮重合させるこ
とにより、白色固体を析出させた。この後冷却し、n−
へキサンをデカンテーションして、さらに脱水トルエン
100グラムを加えることにより白色固体を溶解させ、
金属ナトリウム0.01モルを加えり6次に、n−へキ
シルクロライド(東京化成製)0.01モルをトルエン
10mlに溶解させて用意した溶液を反応系に撹拌しな
がらゆっくり滴下して添加し、80′rで1時間加熱し
たヶこの後冷却し、過剰の金属力トリウムを処理するた
め、メタノール50mlをゆっくり滴下した。これによ
り懸濁層とトルエン層とが生成した。
と1寵角の金属ナトリウム0.3モルを仕込み、撹拌し
ながら80℃に加熱した。次にジクロロメチルシクロへ
キシルシラノモノマー(チッソ■製)0.1モルを脱水
n−ヘキサンに溶解させて用意した溶液を反応系にゆっ
くりと滴下した。滴下後80℃で3時間縮重合させるこ
とにより、白色固体を析出させた。この後冷却し、n−
へキサンをデカンテーションして、さらに脱水トルエン
100グラムを加えることにより白色固体を溶解させ、
金属ナトリウム0.01モルを加えり6次に、n−へキ
シルクロライド(東京化成製)0.01モルをトルエン
10mlに溶解させて用意した溶液を反応系に撹拌しな
がらゆっくり滴下して添加し、80′rで1時間加熱し
たヶこの後冷却し、過剰の金属力トリウムを処理するた
め、メタノール50mlをゆっくり滴下した。これによ
り懸濁層とトルエン層とが生成した。
次に、トルエン層を分離し、減圧濃縮した後、シリカゲ
ルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリ
シラン化合物鳩、2(d−10)を得た。収率は58%
であり、重量平均分子量は120.000であった 製造例2と同様にし、てポリシラン階3を製造した。製
造例1と同様にしてポリシラン陽4,5を製造した。
ルカラム、クロマトグラフィーで展開して精製し、ポリ
シラン化合物鳩、2(d−10)を得た。収率は58%
であり、重量平均分子量は120.000であった 製造例2と同様にし、てポリシラン階3を製造した。製
造例1と同様にしてポリシラン陽4,5を製造した。
以下の実施例により、本発明を更に説明するが、本発明
はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
なお、以下の記載において、“部。
は重量部を意味する。
L施−例」−
50μ厚のアルミシート支持体上に、6−6.6−6゜
10−4.2四元系ポリアミド共重合体樹脂5部をメタ
ノール70部とブタノール25部の混合溶媒に溶解した
溶液を塗布乾燥して1μ厚の下引層を設けた。
10−4.2四元系ポリアミド共重合体樹脂5部をメタ
ノール70部とブタノール25部の混合溶媒に溶解した
溶液を塗布乾燥して1μ厚の下引層を設けた。
次に、ポリビニルブチラール5部をメナルエチルケトン
90部に溶解し、これにアルミクロルフタロシアニン1
0部を加えボールミルで分散し、この分散液を下引層ト
に塗布後乾燥し、0.3μのi!荷発生層を形成した。
90部に溶解し、これにアルミクロルフタロシアニン1
0部を加えボールミルで分散し、この分散液を下引層ト
に塗布後乾燥し、0.3μのi!荷発生層を形成した。
次に製造例1で合成したポリシラン&1.IO重量部(
以下、部とする)をトルエン80部に熔解し、電荷発生
層上に塗布と1、乾燥して10μ厚の電荷輸送層を形成
した。
以下、部とする)をトルエン80部に熔解し、電荷発生
層上に塗布と1、乾燥して10μ厚の電荷輸送層を形成
した。
さらに構造式IJV−1で表される紫外線吸収剤1部と
ポリメタクリル酸メチル樹脂19部をメチルエチルケト
ン180部に溶解したものを電荷輸送層上に塗布・乾燥
して1μ厚の保護層を形成し7だ。
ポリメタクリル酸メチル樹脂19部をメチルエチルケト
ン180部に溶解したものを電荷輸送層上に塗布・乾燥
して1μ厚の保護層を形成し7だ。
こうして作成した電子写真感光体のシートを、川口電機
特製、静電複写紙試験装置Mocle1. E P A
−8100を用いてスタティック方式で−5k、 Vで
コロナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、2.5A u
x−seeで露光し、帯電特性を調べた。帯電特性とし
ては、表面電位(Vo)と1秒間暗減衰させた時の暗部
電位V4及び露光後の明部電位■。
特製、静電複写紙試験装置Mocle1. E P A
−8100を用いてスタティック方式で−5k、 Vで
コロナ帯電し、暗所で1秒間保持した後、2.5A u
x−seeで露光し、帯電特性を調べた。帯電特性とし
ては、表面電位(Vo)と1秒間暗減衰させた時の暗部
電位V4及び露光後の明部電位■。
を測定した。また耐久試験として上記モードを1ooo
o回繰り返し、初期と耐久後の明部電位との差分ΔV、
の値を測定した。結果を第2表に示した。
o回繰り返し、初期と耐久後の明部電位との差分ΔV、
の値を測定した。結果を第2表に示した。
上Jえ件ユ。
一方、比較テストとして実施例1において紫外線吸収剤
の入った保護層を設けない、電荷輸送層までの電子写真
感光体を作成した。
の入った保護層を設けない、電荷輸送層までの電子写真
感光体を作成した。
この比較例1に対して実施例1と全く同様の方法で試験
を行った際のV、 、V、 、ΔV、の値を測定した。
を行った際のV、 、V、 、ΔV、の値を測定した。
得られた結果を第2表に示した。
大施桝業−ユ旦−
実施例1で用いた紫外線吸収剤のかわりに紫外線吸収剤
UV−3,UV−5,LJV−8,UV−11、、tJ
V−15をそれぞれ用いた他は、実施例1と同様にし、
電子写真感光体(実施例2〜6)を作成したにれらの電
子写真感光体に対して、実施例1と同様の方法にて初期
の半減露光量Ez及び初期の明部電位と10000回耐
久後の明部電位の差ΔV、を測定した。結果を第2表に
示した。
UV−3,UV−5,LJV−8,UV−11、、tJ
V−15をそれぞれ用いた他は、実施例1と同様にし、
電子写真感光体(実施例2〜6)を作成したにれらの電
子写真感光体に対して、実施例1と同様の方法にて初期
の半減露光量Ez及び初期の明部電位と10000回耐
久後の明部電位の差ΔV、を測定した。結果を第2表に
示した。
大流柑−二↓す
実施例1において、感光層を形成する際に、ポリシラン
としてNQlのかわりに1lk2.1m3.m4゜隘5
をそれぞれ用いた以外は、実施例1と同様にして電子写
真感光体を作成した(実施例7〜10)。
としてNQlのかわりに1lk2.1m3.m4゜隘5
をそれぞれ用いた以外は、実施例1と同様にして電子写
真感光体を作成した(実施例7〜10)。
これらの電子写真感光体に対して、実施例1と同様の評
価を行った。結果を第2表に示した。
価を行った。結果を第2表に示した。
大旅L!]
50μ厚のITOi着PETフィルム支持体上に、6−
6.6.−6.10−1..2四元系ポリアミド共重合
体樹脂5部をメタノール70部とブタノール25部の混
合溶媒に溶解した?容液を塗布乾燥して、1μ厚の下引
層を設けた。
6.6.−6.10−1..2四元系ポリアミド共重合
体樹脂5部をメタノール70部とブタノール25部の混
合溶媒に溶解した?容液を塗布乾燥して、1μ厚の下引
層を設けた。
次に、ポリビニルブチラール5部をメチルエチルケトン
90部に溶解し、これにアルミクロルフタロシアニン1
0部を加えボールミルで分散し、この分散液を下引層上
に塗布後乾燥し、0.3μの電荷発生層を形成した。
90部に溶解し、これにアルミクロルフタロシアニン1
0部を加えボールミルで分散し、この分散液を下引層上
に塗布後乾燥し、0.3μの電荷発生層を形成した。
次に製造例1で合成したポリシラン1lkll、10重
量部(以下、部とする)をトルエン80部に溶解し、電
荷発生層上に塗布し、乾燥して】0μ厚の電荷輸送層を
形成した。
量部(以下、部とする)をトルエン80部に溶解し、電
荷発生層上に塗布し、乾燥して】0μ厚の電荷輸送層を
形成した。
さらに構造式UV−1で表される紫外線吸収剤1部とポ
リメタクリル酸メチル樹脂19部をメチルエチルケトン
180部に溶解したものを支持体の非感光層側に塗布・
乾燥して10μ厚の保護層を形成した。
リメタクリル酸メチル樹脂19部をメチルエチルケトン
180部に溶解したものを支持体の非感光層側に塗布・
乾燥して10μ厚の保護層を形成した。
こうして作成した電子写真感光体のシートを、感光体の
支持体側より露光できるように改造した川口電機■製、
静ift複写紙試験装置Mode1. E P A−8
100を用いてスタティック方式で一5kVでコロナ帯
電し、暗所で1秒間保持した後、2.5j! llX−
5ecで支持体側より露光し、帯電特性を調べた。帯電
特性としては、表面電位(■。)と1秒間暗減衰させた
時の暗部電位■、及び露光後の明部電位V、を測定した
。また耐久試験として上記モードを10000回繰り返
し、初期と耐久後の明部電位との差分Δ■、の値を測定
した。得られた結果を第3表に示した。
支持体側より露光できるように改造した川口電機■製、
静ift複写紙試験装置Mode1. E P A−8
100を用いてスタティック方式で一5kVでコロナ帯
電し、暗所で1秒間保持した後、2.5j! llX−
5ecで支持体側より露光し、帯電特性を調べた。帯電
特性としては、表面電位(■。)と1秒間暗減衰させた
時の暗部電位■、及び露光後の明部電位V、を測定した
。また耐久試験として上記モードを10000回繰り返
し、初期と耐久後の明部電位との差分Δ■、の値を測定
した。得られた結果を第3表に示した。
此較桝又
一方、比較テストとして実施例11において紫外線吸収
剤の入った保護層を設けない、電荷輸送層までの電子写
真感光体を作成した(比較例2)。
剤の入った保護層を設けない、電荷輸送層までの電子写
真感光体を作成した(比較例2)。
この電子写真感光体に対して実施例11と全く同様の方
法で試験を行った際のV、、V、。
法で試験を行った際のV、、V、。
ΔV、の値を測定した。得られた結果を第3表に示した
。
。
天蓬j1じいΣ16
実施例11で用いた紫外線吸収剤のかわりに紫外線吸収
剤UV−3,UV−5,UV−8,UV−’11.UV
−15をそれぞれ用いた他は、実施例11と同様にし、
電子写真感光体を作成した〈実施例12〜16)。これ
らの電子写真感光体に対して、実施例1と同様の方法に
て初期の半減露光量E%及び初期の明部電位と1000
0回耐久後の明部電位の差△V、を測定した。結果を第
3表に示した。
剤UV−3,UV−5,UV−8,UV−’11.UV
−15をそれぞれ用いた他は、実施例11と同様にし、
電子写真感光体を作成した〈実施例12〜16)。これ
らの電子写真感光体に対して、実施例1と同様の方法に
て初期の半減露光量E%及び初期の明部電位と1000
0回耐久後の明部電位の差△V、を測定した。結果を第
3表に示した。
(以下余白)
第 1 表
第 2 表
第 3 ′s
〔発明の効果のW略〕
以上詳述したように本発明によれば、少なくともポリシ
ランを含佇する電子写真感光体において露光光源側の表
面に280〜360nmの範囲に権太吸収を持つ紫外線
吸収剤を含有する保護層を設けることにより、繰り返し
7帯電及び露光を行っても明部電位の上昇を起こさない
電子写真感光体を提供することができる。
ランを含佇する電子写真感光体において露光光源側の表
面に280〜360nmの範囲に権太吸収を持つ紫外線
吸収剤を含有する保護層を設けることにより、繰り返し
7帯電及び露光を行っても明部電位の上昇を起こさない
電子写真感光体を提供することができる。
第1図及び第2図は、それぞれ、本発明における紫外線
吸収効果を持つ保護層を有する積層型の電子写真感光体
の断面図である。 間中において、1・・・保護層、2・・・紫外線吸収剤
、3・・電荷輸送層(ポリシラン層)、4・・・電萄発
住層、5 電荷物」ユ材籾、6・・・導電性支持体、7
・・・透明導電性支持体。 第1図 第 2 図
吸収効果を持つ保護層を有する積層型の電子写真感光体
の断面図である。 間中において、1・・・保護層、2・・・紫外線吸収剤
、3・・電荷輸送層(ポリシラン層)、4・・・電萄発
住層、5 電荷物」ユ材籾、6・・・導電性支持体、7
・・・透明導電性支持体。 第1図 第 2 図
Claims (1)
- 少なくともポリシランを含有する電子写真感光体にお
いて、この感光体の露光光源側に位置する表面に、波長
250〜360nmの範囲の光線を吸収する保護層を有
することを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30268890A JPH04175768A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30268890A JPH04175768A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04175768A true JPH04175768A (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=17911999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30268890A Pending JPH04175768A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04175768A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1039525A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
EP1704135A4 (en) * | 2003-12-23 | 2007-10-24 | Abraxis Bioscience Inc | PROPOFOL ANALOGS, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND METHODS OF USING SAME |
-
1990
- 1990-11-09 JP JP30268890A patent/JPH04175768A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1039525A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
EP1704135A4 (en) * | 2003-12-23 | 2007-10-24 | Abraxis Bioscience Inc | PROPOFOL ANALOGS, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, AND METHODS OF USING SAME |
US7586008B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-08 | Abraxis Bioscience, Inc. | Propofol analogs, process for their preparation, and methods of use |
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