JPH04174505A - 積層型インダクタ及びその製造方法 - Google Patents
積層型インダクタ及びその製造方法Info
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- JPH04174505A JPH04174505A JP29978290A JP29978290A JPH04174505A JP H04174505 A JPH04174505 A JP H04174505A JP 29978290 A JP29978290 A JP 29978290A JP 29978290 A JP29978290 A JP 29978290A JP H04174505 A JPH04174505 A JP H04174505A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は積層型インダクタに関するものである。
[従来の技術]
従来の積層型インダクタは1強磁性体として酸化鉄主体
のフェライト強磁性体を用い1 このフェライト粉末を
メチルセルロース及びブチラール樹脂等の公知のバイン
ダー及び溶剤と適宜混練したペーストを印刷法により積
層し、更に導電体層はAg−Pd (75; 25の合
金)、Ag、またはその他の金属粉末とバインダーから
成るペーストを印刷することにより形成しその積層体を
焼成炉に入れて強磁性体(フェライト)の所要焼成温度
及び時間で処理して、成形するものであった。
のフェライト強磁性体を用い1 このフェライト粉末を
メチルセルロース及びブチラール樹脂等の公知のバイン
ダー及び溶剤と適宜混練したペーストを印刷法により積
層し、更に導電体層はAg−Pd (75; 25の合
金)、Ag、またはその他の金属粉末とバインダーから
成るペーストを印刷することにより形成しその積層体を
焼成炉に入れて強磁性体(フェライト)の所要焼成温度
及び時間で処理して、成形するものであった。
しかしながら、積層体の焼成温度は2通常1000℃以
上と高く、導電体層のAg−Pd合金が700〜800
℃付近で焼結が完了するのに対して強磁性体層の焼結に
は1000℃以上を必要とするために9強磁性体層と導
電体層とで焼結での収縮率に差が生じ、特にAg−Pd
層の厚みが数十μmと薄い為に焼結中に破断し結果的に
短絡を起こす原因となることがしばしばあった。更に、
導電体層と強磁性体層との整合性に問題が生じたり、t
た。焼結後インダクタに外部電極(端子)を焼付ける際
1前述したように強磁性体層と導電体層の焼結時での収
縮率か異なる為内部電極Ag−Pdと外部電極Agが完
全に接合せず1局部的に接合面積が小さくなる為直流抵
抗を増大させるといった問題も生じておりインダクタと
して好ましくないものであった。すなわち、高温で積層
体を焼結すると強磁性体層のフェライトと導電体層のA
g−Pdとの反応により特性の劣化をもたらすこともあ
る。
上と高く、導電体層のAg−Pd合金が700〜800
℃付近で焼結が完了するのに対して強磁性体層の焼結に
は1000℃以上を必要とするために9強磁性体層と導
電体層とで焼結での収縮率に差が生じ、特にAg−Pd
層の厚みが数十μmと薄い為に焼結中に破断し結果的に
短絡を起こす原因となることがしばしばあった。更に、
導電体層と強磁性体層との整合性に問題が生じたり、t
た。焼結後インダクタに外部電極(端子)を焼付ける際
1前述したように強磁性体層と導電体層の焼結時での収
縮率か異なる為内部電極Ag−Pdと外部電極Agが完
全に接合せず1局部的に接合面積が小さくなる為直流抵
抗を増大させるといった問題も生じておりインダクタと
して好ましくないものであった。すなわち、高温で積層
体を焼結すると強磁性体層のフェライトと導電体層のA
g−Pdとの反応により特性の劣化をもたらすこともあ
る。
逆に、積層体の焼結温度を1000℃未満と低くする場
合1強磁性体層のフェライト自体が十分焼結せず密度不
足により完全な焼結体を得ることができず積層体での機
械的強度が十分に出せない等の欠点があった。
合1強磁性体層のフェライト自体が十分焼結せず密度不
足により完全な焼結体を得ることができず積層体での機
械的強度が十分に出せない等の欠点があった。
これらの欠点を除去するため強磁性体層と導電体との接
合面に電気絶縁性のガラスシート(Si02 P b
O2)の層を設けて実験を試みた結果外部電極と内部
電極との接合性に改善か見られ。
合面に電気絶縁性のガラスシート(Si02 P b
O2)の層を設けて実験を試みた結果外部電極と内部
電極との接合性に改善か見られ。
直流電気抵抗においてもわずかな改善が見られた。
[発明が解決しようとする課8つ
しかしながら、上述のインダクタにおいて1強磁性体層
とガラスシートとの収縮率が異なる為。
とガラスシートとの収縮率が異なる為。
強磁性体層ガラスシート、導電体層の接合に若干の問題
か生じた。また、直流電気抵抗においても未だ十分とは
言えない段階である。
か生じた。また、直流電気抵抗においても未だ十分とは
言えない段階である。
そこで1本発明の技術的課題はこれらの欠点を除去する
ため1強磁性体層と導電体層との接合面に非磁性のZn
フェライトを設け2強磁性体層。
ため1強磁性体層と導電体層との接合面に非磁性のZn
フェライトを設け2強磁性体層。
Znフェライト層、及び導電体層の接合性を改善し、ま
た直流電気抵抗をも改善した積層型インダクタンスを提
供することにある。
た直流電気抵抗をも改善した積層型インダクタンスを提
供することにある。
〔課題を解決するための手段]
本発明によれば、導電体層を非磁性体層を介して強磁性
体層で挟み込んで重畳したことを特徴とする積層型イン
ダクタが得られる。
体層で挟み込んで重畳したことを特徴とする積層型イン
ダクタが得られる。
また2本発明によれば、導電体層と非磁性体層と強磁性
体層とを、4電体層を非磁性体層を介して強磁性体層が
挟み込むように、順次積層印刷して積層体を形成し焼成
することを特徴とする積層型インダクタの製造方法が得
られる。
体層とを、4電体層を非磁性体層を介して強磁性体層が
挟み込むように、順次積層印刷して積層体を形成し焼成
することを特徴とする積層型インダクタの製造方法が得
られる。
更に1本発明によれば、前記積層型インダクタの製造方
法において、前記焼成する工程は前記積層体を熱間加圧
することを含むことを特徴とする積層型インダクタの製
造方法が得られる。
法において、前記焼成する工程は前記積層体を熱間加圧
することを含むことを特徴とする積層型インダクタの製
造方法が得られる。
即ち1本発明では3強磁性体層と導電体層との接合部に
非磁性体層として2例えば、Zn−フェライトの層を設
けることにより、従来において見られた強磁性体層、ガ
ラスシート、導電体層の結合性の不良、及び内部電極に
おける直流電気抵抗の増大を失<L、*雑なパターンの
インダクタや超薄形のインダクタの提供をすることがで
きるものである。
非磁性体層として2例えば、Zn−フェライトの層を設
けることにより、従来において見られた強磁性体層、ガ
ラスシート、導電体層の結合性の不良、及び内部電極に
おける直流電気抵抗の増大を失<L、*雑なパターンの
インダクタや超薄形のインダクタの提供をすることがで
きるものである。
更に2本発明では9強磁性体層と導電体層との間に非磁
性体層が介在していることにより強磁性体としては電気
抵抗が低くても磁気特性の良いフェライト材料を選択す
ることができ、特性の良いインダクタを得ることができ
るようになった。
性体層が介在していることにより強磁性体としては電気
抵抗が低くても磁気特性の良いフェライト材料を選択す
ることができ、特性の良いインダクタを得ることができ
るようになった。
ここて1本発明において、非磁性体層としての20−フ
ェライトを用いた場合に、焼結温度か1050℃と極力
強磁性体層(焼結温度1150℃)と近く更に焼結過程
での挙動も同等である。
ェライトを用いた場合に、焼結温度か1050℃と極力
強磁性体層(焼結温度1150℃)と近く更に焼結過程
での挙動も同等である。
またZn−フェライトは導電体層としてAg−Pd(焼
結温度800℃)と融点か近いことから非磁性体層の存
在により強磁性体層と導電体層との収縮の差を緩和する
ことが可能となった。従って。
結温度800℃)と融点か近いことから非磁性体層の存
在により強磁性体層と導電体層との収縮の差を緩和する
ことが可能となった。従って。
強磁性体層(Ni−Cu−Znフェライト)導電体層C
Ag−Pd)非磁性体層(Zn−フェライト)をもつ場
合において通常の粉末冶金法による焼結では均一な組織
をもつ焼成体を得ることができる。
Ag−Pd)非磁性体層(Zn−フェライト)をもつ場
合において通常の粉末冶金法による焼結では均一な組織
をもつ焼成体を得ることができる。
更に1本発明において、均一な組織を作る為低温でも焼
成可能な熱間加圧成形が適している。この方法では収縮
率の異なる強磁性体層、導電体層。
成可能な熱間加圧成形が適している。この方法では収縮
率の異なる強磁性体層、導電体層。
非磁性体層でも収縮率の差を極力小さくしだ焼結が可能
である点で優れている。
である点で優れている。
本発明において、熱間加圧成形はいわゆるホットプレス
、熱間静水圧プレス、押し出し法のいずれでも可能であ
るが直接最終製品形状か得られ従来法に比べ切断、切削
加工工程を削減もしくは削除できるという観点からホッ
トプレス、熱間静水圧プレス等が適している。
、熱間静水圧プレス、押し出し法のいずれでも可能であ
るが直接最終製品形状か得られ従来法に比べ切断、切削
加工工程を削減もしくは削除できるという観点からホッ
トプレス、熱間静水圧プレス等が適している。
[実施例]
以下に本発明の実施例について説明する。
(実施例−1)
Ni−Znフェライトとバインダを混合混練した混合物
を金型に挿入して乾燥し9強磁性体層とし1次に非磁性
のZn−フェライトを同様にバインダと混合・混練した
混合物を導電体層3と同じ形状でやや大きめに印刷して
乾燥し非磁性体層2とし1 この上に導電体層3を構成
するAg−Pd合金のペースト状粉末を印刷して乾燥し
1次に非磁性のZn−フェライトの層を積層して乾燥し
。
を金型に挿入して乾燥し9強磁性体層とし1次に非磁性
のZn−フェライトを同様にバインダと混合・混練した
混合物を導電体層3と同じ形状でやや大きめに印刷して
乾燥し非磁性体層2とし1 この上に導電体層3を構成
するAg−Pd合金のペースト状粉末を印刷して乾燥し
1次に非磁性のZn−フェライトの層を積層して乾燥し
。
導電体層3か非磁性体層2を介して強磁性体層に挾まれ
るように、順次印刷乾燥した積層体を形成した。この積
層体を1000℃の温度で60分間焼結を行った。得ら
れた焼結体の断面の組織を第1図に示す。
るように、順次印刷乾燥した積層体を形成した。この積
層体を1000℃の温度で60分間焼結を行った。得ら
れた焼結体の断面の組織を第1図に示す。
第1図に示すように導電体層2のAg−Pd1金は約2
0μ鳳の幅でほぼ均一であり1強磁性体層3と導電体層
1との間に数十μlのZn−フェライト層2が見られ接
合性も良好であり密度も積層体としては5.2g/m3
と十分な焼成体が得られた。即ち、Zn−フェライトが
強磁性体層2のNi−Znフェライトと導電体層1のA
g−Pdとの収縮率の差を緩和したためである。
0μ鳳の幅でほぼ均一であり1強磁性体層3と導電体層
1との間に数十μlのZn−フェライト層2が見られ接
合性も良好であり密度も積層体としては5.2g/m3
と十分な焼成体が得られた。即ち、Zn−フェライトが
強磁性体層2のNi−Znフェライトと導電体層1のA
g−Pdとの収縮率の差を緩和したためである。
比較例として本実施例1の非磁性体層の変りに電気絶縁
層のガラスシート(S 1o2−pbo2系)を印刷し
た積層体を1050℃の温度で60分間焼結して試片を
得た。二の方法で得られた焼成体は強磁性体層と導電体
層の接合部にガラスシートを入れている為Ni−Znフ
ェライトとAg−Pdの収縮率の差をわずかながら緩和
することができたか1強磁性体層、ガラスンート及び導
電体層が完全に接合することはできず、また、その結果
として導電体層の幅においてもわずかにうねった状態の
ものが観察された。
層のガラスシート(S 1o2−pbo2系)を印刷し
た積層体を1050℃の温度で60分間焼結して試片を
得た。二の方法で得られた焼成体は強磁性体層と導電体
層の接合部にガラスシートを入れている為Ni−Znフ
ェライトとAg−Pdの収縮率の差をわずかながら緩和
することができたか1強磁性体層、ガラスンート及び導
電体層が完全に接合することはできず、また、その結果
として導電体層の幅においてもわずかにうねった状態の
ものが観察された。
次に1本発明の実施例1て得られた焼成体を40℃X9
0%RHの恒温恒湿中で耐湿負荷試験を2000時間行
った。その結果、従来のものと同様に水分の媒介による
通電中の短絡は見られなかった。しかしながら電気試験
において従来のものは強磁性体層、ガラスシート、及び
導電体層が完全に接合しておらず導電体層に若干のうね
りが見られわずかながらの直流電気抵抗の増大が見られ
たが本発明の実施例によって得られた焼成体は耐湿負荷
試験2000時間経過後においても直流電気抵抗の変化
は見られず、値としても従来はρ≧106〜Ω(至)で
あるのに対して本発明の実施例は91108〜1099
cm(目標ρ≧108Ωcm)と改善され良好な結果が
得られた。
0%RHの恒温恒湿中で耐湿負荷試験を2000時間行
った。その結果、従来のものと同様に水分の媒介による
通電中の短絡は見られなかった。しかしながら電気試験
において従来のものは強磁性体層、ガラスシート、及び
導電体層が完全に接合しておらず導電体層に若干のうね
りが見られわずかながらの直流電気抵抗の増大が見られ
たが本発明の実施例によって得られた焼成体は耐湿負荷
試験2000時間経過後においても直流電気抵抗の変化
は見られず、値としても従来はρ≧106〜Ω(至)で
あるのに対して本発明の実施例は91108〜1099
cm(目標ρ≧108Ωcm)と改善され良好な結果が
得られた。
(実施例−2)
Ni−Znフェライトとバインダを混合混練した混合物
を金型に挿入して乾燥し1強磁性体層1とし9次に非磁
性のZn−フェライトを同様にバインダと混合・混練し
た混合物を導電体層3と同じ形状でやや大きめに印刷し
て乾燥し非磁性体層2とし、この上に導電体層3を構成
するAg−Pd合金のペースト状粉末を印刷して乾燥し
1次に非磁性のZn−フェライトの層2を積層して乾燥
し、導電体層3が非磁性体層2を介して強磁性体層に挾
まれるように、順次印刷乾燥した積層体を形成した。こ
の積層体を800℃の温度で5分間0.5ton /(
至)2の成形圧力でホットプレスした時5.4g/cm
’の密度をもつ焼成体か得られた。
を金型に挿入して乾燥し1強磁性体層1とし9次に非磁
性のZn−フェライトを同様にバインダと混合・混練し
た混合物を導電体層3と同じ形状でやや大きめに印刷し
て乾燥し非磁性体層2とし、この上に導電体層3を構成
するAg−Pd合金のペースト状粉末を印刷して乾燥し
1次に非磁性のZn−フェライトの層2を積層して乾燥
し、導電体層3が非磁性体層2を介して強磁性体層に挾
まれるように、順次印刷乾燥した積層体を形成した。こ
の積層体を800℃の温度で5分間0.5ton /(
至)2の成形圧力でホットプレスした時5.4g/cm
’の密度をもつ焼成体か得られた。
得られた焼成体の断面の組織観察を行った結果。
第1図に見られた組織と同様の均一な組織が得られた。
実施例−1の比較例と同様な従来の焼結法で製造された
焼成体においては強磁性体層ガラスシート導電体層に若
干の収縮の差があることから各々の層を同一の長さに保
つことは困難であり内部電極(Ag−Pd)と外部電極
(A g)の接合が完全でなかった為耐湿負荷試験中に
おいて突撥的に直流電気抵抗がρ 106Ω印と増大す
るということが見られたが9本発明の実施例により得ら
れた焼成体は強磁性体層と導電体との収縮の差をZn−
フェライトが大きく緩和している為、各々の層を同一の
長さに保つことが容易になった。またこのことによって
耐湿負荷試験での直流電気抵抗に変化は見られず抵抗値
としては10”Ω■と良好な結果を得ることができた。
焼成体においては強磁性体層ガラスシート導電体層に若
干の収縮の差があることから各々の層を同一の長さに保
つことは困難であり内部電極(Ag−Pd)と外部電極
(A g)の接合が完全でなかった為耐湿負荷試験中に
おいて突撥的に直流電気抵抗がρ 106Ω印と増大す
るということが見られたが9本発明の実施例により得ら
れた焼成体は強磁性体層と導電体との収縮の差をZn−
フェライトが大きく緩和している為、各々の層を同一の
長さに保つことが容易になった。またこのことによって
耐湿負荷試験での直流電気抵抗に変化は見られず抵抗値
としては10”Ω■と良好な結果を得ることができた。
[発明の効果]
以上、説明した様に本発明によれば1強磁性体層と導電
体層の接合面に非磁性体層を介在させ焼結することによ
り均一な積層形インダクタの製造が可能となった。
体層の接合面に非磁性体層を介在させ焼結することによ
り均一な積層形インダクタの製造が可能となった。
また2本発明によれば1強磁性体層と導電体層との接合
面に非磁性体層を介在させ熱間加圧成形することにより
内部電極と外部電極との接合性が良好で電気的にもより
安定している。
面に非磁性体層を介在させ熱間加圧成形することにより
内部電極と外部電極との接合性が良好で電気的にもより
安定している。
これらのことから小体積で大きいインダクタンス値を有
することのできるインダクタの提供が可能となった。
することのできるインダクタの提供が可能となった。
第1図は本発明の製造方法により得られた積層型インダ
クタの一例を示す断面図である。 図中、1・・・強磁性体層、2・・・非磁性体層、3・
・・導電体層。 代理人(7783)弁理士池田憲保 で2〜;J −戸
クタの一例を示す断面図である。 図中、1・・・強磁性体層、2・・・非磁性体層、3・
・・導電体層。 代理人(7783)弁理士池田憲保 で2〜;J −戸
Claims (3)
- 1.導電体層を非磁性体層を介して強磁性体層で挟み込
んで重畳したことを特徴とする積層型インダクタ。 - 2.導電体層と非磁性体層と強磁性体層とを,導電体層
を非磁性体層を介して強磁性体層が挟み込むように、順
次積層印刷して積層体を形成し焼成することを特徴とす
る積層型インダクタの製造方法。 - 3.第2請求項記載の積層型インダクタの製造方法にお
いて,前記焼成する工程は前記積層体を熱間加圧するこ
とを含むことを特徴とする積層型インダクタの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29978290A JPH04174505A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29978290A JPH04174505A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04174505A true JPH04174505A (ja) | 1992-06-22 |
Family
ID=17876885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29978290A Pending JPH04174505A (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04174505A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06343005A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-13 | Tdk Corp | サーキュレータ |
KR19990048271A (ko) * | 1997-12-09 | 1999-07-05 | 이형도 | 칩인덕터 및 그 제조방법 |
JPH11186040A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 積層型ノイズフィルタ |
JP2018056513A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP29978290A patent/JPH04174505A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06343005A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-13 | Tdk Corp | サーキュレータ |
KR19990048271A (ko) * | 1997-12-09 | 1999-07-05 | 이형도 | 칩인덕터 및 그 제조방법 |
JPH11186040A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Tdk Corp | 積層型ノイズフィルタ |
JP2018056513A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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