JPH04164340A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPH04164340A
JPH04164340A JP2291533A JP29153390A JPH04164340A JP H04164340 A JPH04164340 A JP H04164340A JP 2291533 A JP2291533 A JP 2291533A JP 29153390 A JP29153390 A JP 29153390A JP H04164340 A JPH04164340 A JP H04164340A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode pads
lsi chip
grounding
lsi
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2291533A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Iwasaki
岩崎 和幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2291533A priority Critical patent/JPH04164340A/ja
Publication of JPH04164340A publication Critical patent/JPH04164340A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に多端子を有する半
導体集積回路の電極パッドの構造に間する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路(以下LSIと記す)は、第3図
(a)、(b)に示すように、セラミック等からなるL
SI用のパッケージ1のアイランド6に、LSIチップ
2Bを公知のマウント技術によりマウントし、LSIチ
ップ2Bの周辺部に単列に設けられた複数の電極パッド
3とアイランド6の周囲に設けられたステッチ4の間を
ワイヤー5にてワイヤーボンディングする構造となって
いた。又、従来技術では、電源・接地用電価バッドと入
出力信号用を極パッドも同列の電極パッド3として混在
して設け、さらに同様にパッケージlのステッチ4も電
源・接地用と入出力信号用のものが混在する構造となっ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積回路では、電極パッド3がL
SIチップの周辺部に単列に形成されているために、L
SIチップ内部に収納されるゲート数の増加に伴ないL
SIチップのサイズが大きくなり、電源及び接地用の電
極パッド数をより多く必要とするため、周辺部の電極パ
ッド3の中に占める電源・接地用電極パッドの割合が増
加する欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路は、パッケージ内のアイランド
に固定されたLSIチップと、このLSIチップの電極
パッドと前記アイランドの周囲に設けられたステッチと
を接続するワイヤとを有する半導体集積回路において、
前記電極パッドはLSIチップの周辺部に設けられた信
号配線用の電極パッドとLSIチップの活性領域内に設
けられた電源・接地用の電極パッドとから構成されてい
るものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例の上面図
及びA−A’線断面図であり、特にキャップをとりはず
した状態を示している。
第1図(a>、(b)に示すように、セラミックからな
るLSI用のパッケージ1内のアイランド6上には、L
SIチップ2が公知のマウント技術によりマウントされ
ており、LSIチップ2の周辺部の各辺に設けられた入
出力信号用電極パッド3Bとパッケージ1に設けられた
入出力信号用ステッチ4Bとが1本のワイヤー5で、そ
して、LSIチップ2の内部の活性領域に平行に2列設
けられた電源・接地用電極パッド3Aと複数個の電源・
接地用ステッチ4Aとの間は、複数本のワイヤー5によ
り接続されている。このように構成されたのちにLSI
チップ2を覆う金属製キャップがパッケージ上部に封圧
されLSIが完成することになる。尚第1図(b)にお
ける7は入出力ピンである。
このように構成された第1の実施例によれば、電源・接
地用電極パッド3AをLSIチップ2の活性領域内に設
け、しかもパッケージ1に設けるステッチを2列として
いるなめ、LSIチップ2のサイズを大きくすることな
く電極パッド数を増° すことができる。
第2図(a>、(b)は本発明の第2の実施例の上面図
及びB−B’線断面図である。
第1の実施例では電源・接地用電極パッド3AをLSI
チップ2の内部の活性領域に、平行に2列に設ける構造
であったが、本第2の実施例では、第2図(a)、(b
)に示すように、LSIチップ2Aの4辺の周辺部の各
辺に設けられた入出力信号用電極パッド3Bと平行に内
部の活性領域にも口の字型に電源・接続用電極パッド3
Aを設ける構造としたものである。
このように構成された第2の実施例によれば、電源・接
地用電極パッド3Aと電源・接地用ステッチ4Aとの距
離が等しくなるため、ワイヤー5の接続が容易となる。
更にワイヤーによるインピーダンスもほぼ苓しくなるな
め、LSIの特性のばらつきが小さくなるという利点が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、LSIチップの表面上の
4辺の周辺部の各辺にほぼ平行に複数個の入出力信号用
電極パッドを設け、内部の活性領域に複数個の電源・接
地用電極パッドを設けることにより、LSIに内蔵され
るゲート数の増加に伴なって多くの入出力端子を必要と
する場合、入出力信号用電極パッドが周辺部にあるなめ
ワイヤーの長さが短かく8来、遅延時間を低減できる。
又、遅延時間を問題にしない電源・接地用電極パッドを
大型にしてLSIチップの内部にまとめて設け、複数本
のワイヤーにて電源・接地用ステッチにボンディングす
ることにより、LSIチップのサイズを′大きくするこ
となく、チップ周辺部の入出力信号用電極パッドを多く
して有効活用できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)及び第2図(a>、(b)は本発
明の第1及び第2の実施例の上面図及び断面図、第3図
(a)、(bンは従来例の上面図及び断面図である。 1・・・パッケージ、2.2A、2B・・・LSIチ・
ンプ、3・・・電極パッド、3A・・・電源・接地用電
極ノ<ラド、3B・・・入出力信号用電極パ・ラド、4
・・・ステッチ、4A・・・電源・接地用ステ・ソチ、
4B・・・入出力信号用ステッチ、5・・・ワイヤー、
6・・・アイランド、7・・・入出力ピン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、パッケージ内のアイランドに固定されたLSIチッ
    プと、このLSIチップの電極パッドと前記アイランド
    の周囲に設けられたステッチとを接続するワイヤとを有
    する半導体集積回路において、前記電極パッドはLSI
    チップの周辺部に設けられた信号配線用の電極パッドと
    LSIチップの活性領域内に設けられた電源・接地用の
    電極パッドとから構成されていることを特徴とする半導
    体集積回路。 2、電源・接地用の電極パッドは複数本のワイヤにより
    ステッチに接続されている請求項1記載の半導体集積回
    路。
JP2291533A 1990-10-29 1990-10-29 半導体集積回路 Pending JPH04164340A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291533A JPH04164340A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291533A JPH04164340A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04164340A true JPH04164340A (ja) 1992-06-10

Family

ID=17770137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2291533A Pending JPH04164340A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04164340A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485547B1 (ko) * 2001-10-29 2005-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 다양한 패키지에 대응할 수 있는 반도체 기억 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485547B1 (ko) * 2001-10-29 2005-04-28 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 다양한 패키지에 대응할 수 있는 반도체 기억 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5164817A (en) Distributed clock tree scheme in semiconductor packages
JPH04307943A (ja) 半導体装置
JPH06151641A (ja) 半導体装置
JPH0685151A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH04164340A (ja) 半導体集積回路
JPH04243156A (ja) プラスチックpgaパッケージ
JPH0661289A (ja) 半導体パッケージ及びこれを用いた半導体モジュール
JPH02226753A (ja) マルチチップパッケージ
JPS59139660A (ja) 半導体装置
JPS629654A (ja) 集積回路装置実装パツケ−ジ
JPS60234335A (ja) 半導体装置
JP2002270779A (ja) 半導体装置
JPH02142151A (ja) 集積回路装置
JPH0719148Y2 (ja) マイクロ波回路用パッケージ
JPS6022327A (ja) 半導体装置
JPS62123744A (ja) 半導体装置
JPH04304659A (ja) 混成集積回路装置
KR100230750B1 (ko) 반도체 패키지
JPH01145842A (ja) 半導体装置
JP2606571B2 (ja) 半導体装置
JPH0387054A (ja) 半導体装置
JPS62169463A (ja) 半導体装置
JPH08264673A (ja) 集積回路装置
JPS63198364A (ja) モ−ルド型集積回路
JPH04124844A (ja) 半導体装置のボンディングパッド電極の構造