JPH04162711A - 塗布装置 - Google Patents
塗布装置Info
- Publication number
- JPH04162711A JPH04162711A JP28899790A JP28899790A JPH04162711A JP H04162711 A JPH04162711 A JP H04162711A JP 28899790 A JP28899790 A JP 28899790A JP 28899790 A JP28899790 A JP 28899790A JP H04162711 A JPH04162711 A JP H04162711A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- semiconductor wafer
- chemical solution
- vapor
- vaporization chamber
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は塗布装置に関する。
従来の塗布装置は、第３図に示すように、ウェーハ処理
室３の中に半導体ウェーハ２を吸着して回転させる回転
支持台１と、半導体ウェーハ２の上に薬液を滴下させる
ノズル９と排出口４とを有し、ウェーハ処理室３内の温
度及び湿度を管理していた。
室３の中に半導体ウェーハ２を吸着して回転させる回転
支持台１と、半導体ウェーハ２の上に薬液を滴下させる
ノズル９と排出口４とを有し、ウェーハ処理室３内の温
度及び湿度を管理していた。
上述した従来の塗布装置は、ウェーハ処理室内の温度と
湿度の管理を実施しているが、薬液の溶剤が、膜形成時
に膜面より蒸発していく。これにより、薬液の表面と半
導体ウェーハとの界面の部分で溶剤の濃度に差が生じる
為、膜厚が不均一になるという欠点がある。
湿度の管理を実施しているが、薬液の溶剤が、膜形成時
に膜面より蒸発していく。これにより、薬液の表面と半
導体ウェーハとの界面の部分で溶剤の濃度に差が生じる
為、膜厚が不均一になるという欠点がある。
本発明の塗布装置は、半導体ウェーハを吸着して回転さ
せる回転支持台と、前記半導体ウェーハ上に薬液を滴下
させるノズルを含む塗布装置において、前記薬液に含ま
れる溶剤と同種の溶剤を蒸発させる蒸発室と、前記溶剤
の蒸気を前記回転支持台近傍に導くためのダクトとを備
えている。
せる回転支持台と、前記半導体ウェーハ上に薬液を滴下
させるノズルを含む塗布装置において、前記薬液に含ま
れる溶剤と同種の溶剤を蒸発させる蒸発室と、前記溶剤
の蒸気を前記回転支持台近傍に導くためのダクトとを備
えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式的断面図であ
る。
る。
第１図に示すように、半導体ウェーハ２を真空吸着して
回転させる回転支持台１と、半導体ウェーハ２の上に例
えばフォトレジスト液等の薬液を滴下させるためのノズ
ル９とを有するウェーハ処理室３と、薬液に含まれる溶
剤と同じ種類の溶剤を入れＮ２ガスでバブリングする蒸
発室７と、蒸発室７内の溶剤の温度を調整する温度調整
器８と、蒸発室７で発生させた溶剤の蒸気をウェーハ処
理室３に導くためのダクト６と、ウェーハ処理室３内の
溶剤の濃度を検出して温度調整器を制御するための濃度
センサ５と、半導体ウェーハ２よりはじき飛ばされた薬
液及び蒸気を外部に排出する排出口４とを有して塗布装
置が構成される。
回転させる回転支持台１と、半導体ウェーハ２の上に例
えばフォトレジスト液等の薬液を滴下させるためのノズ
ル９とを有するウェーハ処理室３と、薬液に含まれる溶
剤と同じ種類の溶剤を入れＮ２ガスでバブリングする蒸
発室７と、蒸発室７内の溶剤の温度を調整する温度調整
器８と、蒸発室７で発生させた溶剤の蒸気をウェーハ処
理室３に導くためのダクト６と、ウェーハ処理室３内の
溶剤の濃度を検出して温度調整器を制御するための濃度
センサ５と、半導体ウェーハ２よりはじき飛ばされた薬
液及び蒸気を外部に排出する排出口４とを有して塗布装
置が構成される。
第２図は本発明の第２の実施例を示す模式的断面図であ
る。
る。
第２図に示すように、ウェーハ処理室３内に導かれた蒸
気が半導体ウェーハ２の中心部に吹き付けられるように
、ダクト６の先端に取付けたノズルｌＯを設けた以外は
第１の実施例と同機の構成を有しており、半導体ウェー
ハ２の上に滴下された薬液が回転支持台１の回転により
中心から周辺へ広げられる際に半導体ウェーハ２の周速
が中心部で遅く、周辺部で速くなるために生ずる中心部
の膜厚が周辺部より厚くなる現象を半導体ウェーハ２の
中心部へ溶剤の蒸気を吹き付けることにより軽減できる
利点がある。
気が半導体ウェーハ２の中心部に吹き付けられるように
、ダクト６の先端に取付けたノズルｌＯを設けた以外は
第１の実施例と同機の構成を有しており、半導体ウェー
ハ２の上に滴下された薬液が回転支持台１の回転により
中心から周辺へ広げられる際に半導体ウェーハ２の周速
が中心部で遅く、周辺部で速くなるために生ずる中心部
の膜厚が周辺部より厚くなる現象を半導体ウェーハ２の
中心部へ溶剤の蒸気を吹き付けることにより軽減できる
利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェーハ処理室内に膜形
成用薬液の溶剤の蒸気を供給する手段を設けることによ
り半導体ウェーハ上に形成する膜の厚さを均一にできる
という効果を有する。
成用薬液の溶剤の蒸気を供給する手段を設けることによ
り半導体ウェーハ上に形成する膜の厚さを均一にできる
という効果を有する。
第１図及び第２図は、本発明の第１及び第２の実施例を
示す模式的断面図、第３図は従来の塗布装置の一例を示
す模式的断面図である。 １・・・回転支持台、２・・・半導体ウェーハ、３・・
・ウェーハ処理室、４・・・排出口、５・・・濃度セン
サー、６・・・ダクト、７・・・蒸発室、８・・・温度
調整器、９゜１０・・・ノズル。
示す模式的断面図、第３図は従来の塗布装置の一例を示
す模式的断面図である。 １・・・回転支持台、２・・・半導体ウェーハ、３・・
・ウェーハ処理室、４・・・排出口、５・・・濃度セン
サー、６・・・ダクト、７・・・蒸発室、８・・・温度
調整器、９゜１０・・・ノズル。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを吸着して回転させる回転支持台と、
前記半導体ウェーハ上に薬液を滴下させるノズルを含む
塗布装置において、前記薬液に含まれる溶剤と同種の溶
剤を蒸発させる蒸発室と、前記溶剤の蒸気を前記回転支
持台近傍に導くためのダクトとを備えたことを特徴とす
る塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28899790A JPH04162711A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28899790A JPH04162711A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04162711A true JPH04162711A (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=17737511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28899790A Pending JPH04162711A (ja) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | 塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04162711A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2013021004A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129125A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPH0298126A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトレジスト塗布装置 |
-
1990
- 1990-10-26 JP JP28899790A patent/JPH04162711A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129125A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPH0298126A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ホトレジスト塗布装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
| JP2013021004A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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