JPH041604A - 光導波路デバイスの固定方法 - Google Patents
光導波路デバイスの固定方法Info
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光通信システム等の光回路構成部品における光導波路デ
バイスの筺体に対する固定方法に関し、固定時における
光導波路デバイスの特性変化をなくして生産性の向上を
図ることを目的とし、強誘電体結晶からなる光導波路デ
バイスの筺体に対する固定方法であって、前記光導波路
デバイ〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信システム等の光回路構成部品に係り、特
に光導波路デバイスを筺体に固定する際に発生する該光
導波路デバイスの特性変化をなくすことで生産性の向上
を図った光導波路デバイスの固定方法に関する。
バイスの筺体に対する固定方法に関し、固定時における
光導波路デバイスの特性変化をなくして生産性の向上を
図ることを目的とし、強誘電体結晶からなる光導波路デ
バイスの筺体に対する固定方法であって、前記光導波路
デバイ〔産業上の利用分野〕 本発明は光通信システム等の光回路構成部品に係り、特
に光導波路デバイスを筺体に固定する際に発生する該光
導波路デバイスの特性変化をなくすことで生産性の向上
を図った光導波路デバイスの固定方法に関する。
光通信技術の進展につれて各種機能を持つ光回路構成部
品が求められているが、これらの光回路構成部品は通常
各種機能を持つ光導波路デバイスを筺体に固定して構成
している。
品が求められているが、これらの光回路構成部品は通常
各種機能を持つ光導波路デバイスを筺体に固定して構成
している。
しかし、光導波路デバイスを筺体に固定する際に両者の
熱膨張係数の差等によって該光導波路デバイスに内部応
力が発生し、光導波路デバイスとしての特性が変化する
ことからその解決が強く望まれている。
熱膨張係数の差等によって該光導波路デバイスに内部応
力が発生し、光導波路デバイスとしての特性が変化する
ことからその解決が強く望まれている。
一般に光回路構成部品は、通常各種機能を持つ光導波路
デバイスを箱形筺体の所定位置に固定した後、該デバイ
スの入出力用光導波路端面に光信号伝送用の光ファイバ
を接続して構成するようにしている。
デバイスを箱形筺体の所定位置に固定した後、該デバイ
スの入出力用光導波路端面に光信号伝送用の光ファイバ
を接続して構成するようにしている。
第３図は従来の光回路構成部品の構成例を示す図であり
、（１）は斜視断面図、（２）は光導波路デバイス部分
を示す拡大図である。
、（１）は斜視断面図、（２）は光導波路デバイス部分
を示す拡大図である。
完成状態を示す第３図（１）、（２）で、ステンレス等
からなる箱形の筺体ｌの内側底部所定位置には四角状に
突出するステージ１ａが形成されており、該ステージ１
ａ上には強誘電体結晶゛例えばリチウム・ナイオベーｈ
（ＬｉＮｂＯ３） ”からなる光導波路基板（以下単
に基板とする） ２ａの表面にパターン形成されたチタ
ン（Ｔｉ）を拡散して構成した光変調器（図では省略さ
れている）と該光変調器に繋がる光導波路２ｂとが形成
されている光導波路デバイス２が例えば導電接着剤３を
介して固定されている。
からなる箱形の筺体ｌの内側底部所定位置には四角状に
突出するステージ１ａが形成されており、該ステージ１
ａ上には強誘電体結晶゛例えばリチウム・ナイオベーｈ
（ＬｉＮｂＯ３） ”からなる光導波路基板（以下単
に基板とする） ２ａの表面にパターン形成されたチタ
ン（Ｔｉ）を拡散して構成した光変調器（図では省略さ
れている）と該光変調器に繋がる光導波路２ｂとが形成
されている光導波路デバイス２が例えば導電接着剤３を
介して固定されている。
特に該光導波路デバイス２の上記光変調器に繋がる光導
波路２ｂは、該光変調器を挟む両側の基板２ａの各端面
にほぼ半円形に露出するようになっている。なお該光導
波路デバイス２の上記変調器と光導波路の形成面側の全
面には更にバッファ層が被着形成されているが、本図で
は理解し易くするために図示していない。
波路２ｂは、該光変調器を挟む両側の基板２ａの各端面
にほぼ半円形に露出するようになっている。なお該光導
波路デバイス２の上記変調器と光導波路の形成面側の全
面には更にバッファ層が被着形成されているが、本図で
は理解し易くするために図示していない。
また、該光導波路デバイス２の上記各光導波路が露出す
る端面と平行する筺体ｌの各壁面には、上記各光導波路
と対応する位置に貫通孔１ｂが形成されており、更に該
貫通孔ｉｂには表面がビニールチューブ４で被覆された
光ファイバ５が挿入固定されている。
る端面と平行する筺体ｌの各壁面には、上記各光導波路
と対応する位置に貫通孔１ｂが形成されており、更に該
貫通孔ｉｂには表面がビニールチューブ４で被覆された
光ファイバ５が挿入固定されている。
そして上記各光ファイバ５の光導波路デバイス２側の端
部は、円内図（１−１）のように該光ファイバ５のコア
５ａが上記光導波路２ｂの露出する半円状端面とほぼ同
軸になるように接合されている。
部は、円内図（１−１）のように該光ファイバ５のコア
５ａが上記光導波路２ｂの露出する半円状端面とほぼ同
軸になるように接合されている。
なお図の６は上記筺体ｌのカバーである。
かかる構成になる光回路構成部品は、先ず筺体ｌのステ
ージ１８面に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波路
デバイス２をその光導波路形成面が露出するように載置
した状態で通常１２０℃程度の温度で両者を接着固定し
、更に上記三箇所の各貫通孔１ｂに外部からビニールチ
ューブ４で被覆された光ファイバ４を挿入固定し該光フ
ァイバ４の端部を上記光導波路デバイス２の光導波路２
ｂの半円状露出端面に合致させて接着することで構成す
るようにしている。
ージ１８面に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波路
デバイス２をその光導波路形成面が露出するように載置
した状態で通常１２０℃程度の温度で両者を接着固定し
、更に上記三箇所の各貫通孔１ｂに外部からビニールチ
ューブ４で被覆された光ファイバ４を挿入固定し該光フ
ァイバ４の端部を上記光導波路デバイス２の光導波路２
ｂの半円状露出端面に合致させて接着することで構成す
るようにしている。
しかし、光導波路デバイス２を筺体Ｉに固定するのに上
述した如＜１２０℃程度に加熱しなければならないが、
筺体ＩのステージＩａと光導波路デバイス２の裏面とが
導電接着剤３を介して面接触した状態で接着されるため
温度変化や筺体１と光導波路デバイス２との間の熱膨張
係数の差等によって光導波路デバイス２に局部的な内部
応力が発生し、結果的に該光導波路デバイス２に部分的
な歪が生ずる。
述した如＜１２０℃程度に加熱しなければならないが、
筺体ＩのステージＩａと光導波路デバイス２の裏面とが
導電接着剤３を介して面接触した状態で接着されるため
温度変化や筺体１と光導波路デバイス２との間の熱膨張
係数の差等によって光導波路デバイス２に局部的な内部
応力が発生し、結果的に該光導波路デバイス２に部分的
な歪が生ずる。
特にこの場合の歪は、上記基板２ａが強誘電体結晶“図
ではリチウム・ナイオベート（ＬｉＮｂＯｓ）”からな
っているため圧電効果や光弾性効果によって光変調器部
分や光導波路２ｂ部分の屈折率を部分的に変えることに
なり、結果的に光導波路デバイス２としての特性の変化
を誘起する。
ではリチウム・ナイオベート（ＬｉＮｂＯｓ）”からな
っているため圧電効果や光弾性効果によって光変調器部
分や光導波路２ｂ部分の屈折率を部分的に変えることに
なり、結果的に光導波路デバイス２としての特性の変化
を誘起する。
例えば、該光導波路デバイス２に形成されている光変調
器が光導波路を分岐して形成するマツハツエンダ型変調
器等の場合には、部分的な屈折率の変化が動作点のシフ
トを誘起する等である。
器が光導波路を分岐して形成するマツハツエンダ型変調
器等の場合には、部分的な屈折率の変化が動作点のシフ
トを誘起する等である。
他方上述した導電接着剤に代えて、ステージ１８面と光
導波路デバイス２の固定面とのそれぞれに例えば金（Ａ
ｕ）蒸着膜等を被着形成した後半田付は作業で両者を固
定する方法もあるが、この場合でも低融点半田を使用し
ても半田接続温度が１１５℃程度になるため上記導電接
着剤３を使用した場合と同等の結果をもたらすことにな
る。
導波路デバイス２の固定面とのそれぞれに例えば金（Ａ
ｕ）蒸着膜等を被着形成した後半田付は作業で両者を固
定する方法もあるが、この場合でも低融点半田を使用し
ても半田接続温度が１１５℃程度になるため上記導電接
着剤３を使用した場合と同等の結果をもたらすことにな
る。
従って、単体時の光導波路デバイス２を如何に精度よく
且つ特性的に安定するように形成しても、光回路構成部
品としての特性が変化することから生産性の向上を期待
することができない欠点がある。
且つ特性的に安定するように形成しても、光回路構成部
品としての特性が変化することから生産性の向上を期待
することができない欠点がある。
従来の光導波路デバイスの固定方法では、筺体のステー
ジ面と光導波路デバイスの裏面とを接触させた状態で固
定しているため、光導波路デバイスに部分的な歪が生じ
て光導波路デバイスとしての特性が変化すると言う問題
があった。
ジ面と光導波路デバイスの裏面とを接触させた状態で固
定しているため、光導波路デバイスに部分的な歪が生じ
て光導波路デバイスとしての特性が変化すると言う問題
があった。
上記問題点は、強誘電体結晶からなる光導波路デバイス
の筺体に対する固定方法であって、前記光導波路デバイ
スを、該光導波路デバイスの裏面の１箇所の微小領域の
みで筺体の所定位置に接続固定する光導波路デバイスの
固定方法によって解決される。
の筺体に対する固定方法であって、前記光導波路デバイ
スを、該光導波路デバイスの裏面の１箇所の微小領域の
みで筺体の所定位置に接続固定する光導波路デバイスの
固定方法によって解決される。
筺体のステージ面と光導波路デバイスの裏面との固定領
域を点（ポイント）のように小さい微小領域にすると、
光導波路デバイスに発生する内部応力をなくすことがで
きて光導波路デバイスとしての特性の変化を抑制するこ
とができる。
域を点（ポイント）のように小さい微小領域にすると、
光導波路デバイスに発生する内部応力をなくすことがで
きて光導波路デバイスとしての特性の変化を抑制するこ
とができる。
本発明では、筺体のステージ面に１箇所の突起や微小な
固定領域を設けることで筺体のステージ面と光導波路デ
バイスの裏面との固定領域を１箇所の微小領域化するよ
うにしている。
固定領域を設けることで筺体のステージ面と光導波路デ
バイスの裏面との固定領域を１箇所の微小領域化するよ
うにしている。
従って、筺体との固定時における光導波路デバイスの特
性変化をなくすことができる。
性変化をなくすことができる。
第１図は本発明になる光導波路デバイスの固定方法を説
明する図であり、第２図は他の実施例を示す図である。
明する図であり、第２図は他の実施例を示す図である。
第３図同様の完成状態を示す第１図で、ステンレス等か
らなる箱形の筺体１１の内側底部所定位置に角状に突出
して設けられたステージｌｌａのほぼ中央部には突起１
１ｂが形成されており、該突起ｌＩｂ上には第３図で説
明した光導波路デバイス２が導電接着剤３で固定されて
いる。
らなる箱形の筺体１１の内側底部所定位置に角状に突出
して設けられたステージｌｌａのほぼ中央部には突起１
１ｂが形成されており、該突起ｌＩｂ上には第３図で説
明した光導波路デバイス２が導電接着剤３で固定されて
いる。
また、該光導波路デバイス２の上記各光導波路が露出す
る端面と平行する筺体１１の各壁面には、上記各光導波
路と対応する位置に貫通孔１１ｃが形成されており、更
に該貫通孔１１ｂには表面がビニールチューブ４で被覆
された第３図同様の光ファイバ５が挿入固定されている
。
る端面と平行する筺体１１の各壁面には、上記各光導波
路と対応する位置に貫通孔１１ｃが形成されており、更
に該貫通孔１１ｂには表面がビニールチューブ４で被覆
された第３図同様の光ファイバ５が挿入固定されている
。
そして上記各光ファイバ５の光導波路デバイス２側の端
部は、該光ファイバ５のコアが上記光導波路２ｂの露出
する半円状端面とほぼ同軸になるように接合されている
ことは第３図で説明した通りである。
部は、該光ファイバ５のコアが上記光導波路２ｂの露出
する半円状端面とほぼ同軸になるように接合されている
ことは第３図で説明した通りである。
なお図の１２は上記筺体１１のカバーである。
かかる構成になる場合では、先ず筺体１１の突起１１ｂ
の部分に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波路デバ
イス２をその光導波路形成面が露出するように載置し、
図示されない治具で該光導波路デバイス２を保持したま
ま１２０°Ｃ程度の温度で両者を接着固定し、更に第３
図で説明したように上記二箇所の各貫通孔１１ｂに外部
から挿入固定した光ファイバ５の端部を上記光導波路デ
バイス２の光導波路２ｂの半円状露出端面に合致させて
接着し上記治具を取り外すことで所要の光回路構成部品
を構成することができる。
の部分に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波路デバ
イス２をその光導波路形成面が露出するように載置し、
図示されない治具で該光導波路デバイス２を保持したま
ま１２０°Ｃ程度の温度で両者を接着固定し、更に第３
図で説明したように上記二箇所の各貫通孔１１ｂに外部
から挿入固定した光ファイバ５の端部を上記光導波路デ
バイス２の光導波路２ｂの半円状露出端面に合致させて
接着し上記治具を取り外すことで所要の光回路構成部品
を構成することができる。
特にこの場合には、上記光導波路デバイス２と筺体１１
のステージＩｌａとは突起１１ｂの部分で固定されてい
るため、温度変化や筺体１１と光導波路デバイス２との
間に熱膨張係数の差があっても光導波路デバイス２に局
部的な内部応力が発生することがなく、結果的に光導波
路デバイス２としての特性を変化させることがない。
のステージＩｌａとは突起１１ｂの部分で固定されてい
るため、温度変化や筺体１１と光導波路デバイス２との
間に熱膨張係数の差があっても光導波路デバイス２に局
部的な内部応力が発生することがなく、結果的に光導波
路デバイス２としての特性を変化させることがない。
なお、該光導波路デバイス２に形成されている光変調器
が第３図で説明したマツハツエンダ型変調器等の場合で
も部分的な屈折率の変化が生じないことから動作点がシ
フトすることがな（特性的に安定した状態で該光導波路
デバイス２を筺体ＩＩに固定することができる。
が第３図で説明したマツハツエンダ型変調器等の場合で
も部分的な屈折率の変化が生じないことから動作点がシ
フトすることがな（特性的に安定した状態で該光導波路
デバイス２を筺体ＩＩに固定することができる。
更に、上述した導電接着剤に代えて突起１１ｂと光導波
路デバイス２の固定面とのそれぞれに金（ＡＵ）蒸着膜
等を被着形成した後半田付は作業で両者を固定する場合
でも上記導電接着剤３を使用した場合と同等の効果を得
ることができる。
路デバイス２の固定面とのそれぞれに金（ＡＵ）蒸着膜
等を被着形成した後半田付は作業で両者を固定する場合
でも上記導電接着剤３を使用した場合と同等の効果を得
ることができる。
他の実施例を示す第２図は第３図におけるステ−ジｌａ
を中心部と外周部を除いて同心状の溝を形成したもので
あり、他の構成は第３図および第１図と同様である。
を中心部と外周部を除いて同心状の溝を形成したもので
あり、他の構成は第３図および第１図と同様である。
第２図で筺体１３は、ステンレス等からなる箱形の筺体
１１の内側底部所定位置に角状に突出して設けられたス
テージ１３ａのほぼ中央部１３ｂと外周部１３ｃを除（
領域に同心状の角型溝１３ｄを形成したものである。
１１の内側底部所定位置に角状に突出して設けられたス
テージ１３ａのほぼ中央部１３ｂと外周部１３ｃを除（
領域に同心状の角型溝１３ｄを形成したものである。
かかる構成では、先ず筺体１３のステージ１３ａの中心
部１３ｂ部分に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波
路デバイス２を第１図同様に載置したまま１２０℃程度
で加熱することで両者を接着固定することができる。
部１３ｂ部分に導電接着剤３を塗布した後上記の光導波
路デバイス２を第１図同様に載置したまま１２０℃程度
で加熱することで両者を接着固定することができる。
そこで第１図で説明したように筺体１３に設けである三
箇所の各貫通孔１３ｅに外部から光ファイバ５を挿入固
定し該光ファイバ５の端部を上記光導波路デバイス２の
上述した所定位置に合致させて接着することで所要の光
回路構成部品を構成することができる。
箇所の各貫通孔１３ｅに外部から光ファイバ５を挿入固
定し該光ファイバ５の端部を上記光導波路デバイス２の
上述した所定位置に合致させて接着することで所要の光
回路構成部品を構成することができる。
この場合には、上記光導波路デバイス２と筺体１３のス
テージ１３ａとが中心部１３ｂの部分のみで固定される
ため、温度変化や筺体Ｉ３と光導波路デバイス２との間
に熱膨張係数の差があっても光導波路デバイス２に局部
的な内部応力が発生することがなく、第１図の場合と同
様に光導波路デバイス２としての特性を変化させること
がない。
テージ１３ａとが中心部１３ｂの部分のみで固定される
ため、温度変化や筺体Ｉ３と光導波路デバイス２との間
に熱膨張係数の差があっても光導波路デバイス２に局部
的な内部応力が発生することがなく、第１図の場合と同
様に光導波路デバイス２としての特性を変化させること
がない。
更に、ステージ１３ａの中心部１３ｂと光導波路デバイ
ス２の固定面とのそれぞれに金（Ａｕ）蒸着膜等を被着
形成した後半田付は作業で両者を固定する場合でも、同
等の効果を得ることができる。
ス２の固定面とのそれぞれに金（Ａｕ）蒸着膜等を被着
形成した後半田付は作業で両者を固定する場合でも、同
等の効果を得ることができる。
上述の如く本発明により、光導波路デバイスを筺体に固
定する際に発生する該光導波路デバイスの特性変化をな
くすことで生産性の向上を図った光導波路デバイスの固
定方法を提供することができる。
定する際に発生する該光導波路デバイスの特性変化をな
くすことで生産性の向上を図った光導波路デバイスの固
定方法を提供することができる。
なお本発明の説明に当たっては基板にリチウム・ナイオ
ベイト（Ｌ＋Ｎｂ０８）を使用した場合について行って
いるが、該基板がリチウム・タンタレート（ＬｉＴａ０
３）の如き他の強誘電体結晶からなる光導波路基板の場
合でも同等の効果を得ることができる。
ベイト（Ｌ＋Ｎｂ０８）を使用した場合について行って
いるが、該基板がリチウム・タンタレート（ＬｉＴａ０
３）の如き他の強誘電体結晶からなる光導波路基板の場
合でも同等の効果を得ることができる。
第１図は本発明になる光導波路デバイスの固定方法を説
明する図、 第２図は他の実施例を示す図、 第３図は従来の光回路構成部品の構成例を示す図、 である。 図において、 ２は光導波路デバイス、２ａは光導波路基板、３は導電
接着剤、 ４はビニールチューブ、５は光ファイバ
、 １１、１３は筺体、 ｌｌａ、 １３ａはステージ
、１１ｂは突起、 ｌｌｃ、 １３ｅは貫通孔、
１２はカバー １３ｂは中心部、１３ｃは角形
溝、 １３ｄは外周部、をそれぞれ表わす。 兜１図 他の突旋ｇＩＩＥ示す図 第２図
明する図、 第２図は他の実施例を示す図、 第３図は従来の光回路構成部品の構成例を示す図、 である。 図において、 ２は光導波路デバイス、２ａは光導波路基板、３は導電
接着剤、 ４はビニールチューブ、５は光ファイバ
、 １１、１３は筺体、 ｌｌａ、 １３ａはステージ
、１１ｂは突起、 ｌｌｃ、 １３ｅは貫通孔、
１２はカバー １３ｂは中心部、１３ｃは角形
溝、 １３ｄは外周部、をそれぞれ表わす。 兜１図 他の突旋ｇＩＩＥ示す図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 強誘電体結晶からなる光導波路デバイスの筺体に対する
固定方法であって、 前記光導波路デバイスを、該光導波路デバイスの裏面の
１箇所の微小領域のみで筺体の所定位置に接続固定する
ことを特徴とした光導波路デバイスの固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102590A JP2581256B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光導波路デバイスの固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102590A JP2581256B2 (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | 光導波路デバイスの固定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041604A true JPH041604A (ja) | 1992-01-07 |
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