JPH02157730A - 基板型光スイッチ - Google Patents
基板型光スイッチInfo
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- JPH02157730A JPH02157730A JP31270488A JP31270488A JPH02157730A JP H02157730 A JPH02157730 A JP H02157730A JP 31270488 A JP31270488 A JP 31270488A JP 31270488 A JP31270488 A JP 31270488A JP H02157730 A JPH02157730 A JP H02157730A
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- optical
- switch
- optical switch
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Links
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 18
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光通信や光情報処理等において、光伝送路の
切り換えを行うための光スィッチに関するものである。
切り換えを行うための光スィッチに関するものである。
〈従来の技術〉
従来、光伝送路の切り換えを行う光スィッチとしては、
例えば第3図に示した如き構造のものが提案されている
。
例えば第3図に示した如き構造のものが提案されている
。
この光スィッチSlは、基板1上に2本の導波路2.2
を設け、その基板中央の近接した結合部には、光路制御
用の電極3・・を設けて光路切換部(方向性結合器)4
を形成してなる。
を設け、その基板中央の近接した結合部には、光路制御
用の電極3・・を設けて光路切換部(方向性結合器)4
を形成してなる。
そして、この基板1の両端には、光フアイバホルダ5,
5を設置し、当該基板1の導波路2.2と、外部の光伝
送路り、、L、をなす光ファイバF・・・・とが接続さ
れている。
5を設置し、当該基板1の導波路2.2と、外部の光伝
送路り、、L、をなす光ファイバF・・・・とが接続さ
れている。
従って、今、入力側の光伝送路り、の光ファイバFから
光を入射させた場合、その導波光は導波路2中を導波し
て、光路切換部4へと進行する。
光を入射させた場合、その導波光は導波路2中を導波し
て、光路切換部4へと進行する。
このとき、光路制御用の電極3・・に適当な電圧を印加
すれば、導波光は2本の出力側の導波路2゜2の何れか
へと進行して、出力側の光伝送路り。
すれば、導波光は2本の出力側の導波路2゜2の何れか
へと進行して、出力側の光伝送路り。
の光ファイバFに伝送されたり、あるいは出力側の光伝
送路L2の光ファイバFに伝送されたりする。
送路L2の光ファイバFに伝送されたりする。
即ち、光路制御用の電極3・・の電圧を変化させるだけ
で、簡単に光伝送路の切り換えができ、しかも、この際
、電気光学効果を利用しているため、極めて高速でのス
イチッグが可能である。
で、簡単に光伝送路の切り換えができ、しかも、この際
、電気光学効果を利用しているため、極めて高速でのス
イチッグが可能である。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような光スィッチでは、基板lとし
て、例えばL 1Nbc)+ 、L tTa03、SB
N、PBN、PLZTのような光学異方性を持つものを
使用しているため、電気光学効果において偏波依存性が
ある。
て、例えばL 1Nbc)+ 、L tTa03、SB
N、PBN、PLZTのような光学異方性を持つものを
使用しているため、電気光学効果において偏波依存性が
ある。
従って、光を入射させる際、電気光学効果の各成分に対
応する軸方向に偏光した光を入射させないと、光路を切
り換えた場合の両翼波路2,2間の消光比が極端に悪い
という欠点があった。
応する軸方向に偏光した光を入射させないと、光路を切
り換えた場合の両翼波路2,2間の消光比が極端に悪い
という欠点があった。
このため、従来にあっては、使用する定偏波光ファイバ
の主軸を、基板となる単結晶の軸と正確に一致させるこ
と(軸合わせ)により、上記のような欠点を解決してい
るが、この場合、極めて微妙な軸調整が必要とされ、光
スィッチの製造コストの上昇、歩留りの低下、性能のバ
ラツキ、動作安定性の低下等、種々の問題があった。
の主軸を、基板となる単結晶の軸と正確に一致させるこ
と(軸合わせ)により、上記のような欠点を解決してい
るが、この場合、極めて微妙な軸調整が必要とされ、光
スィッチの製造コストの上昇、歩留りの低下、性能のバ
ラツキ、動作安定性の低下等、種々の問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のである。
のである。
〈課題を解決するための手段〉
か\る本発明の特徴とする点は、光スイッチ部が形成さ
れた光学異方性を有する基板上で、前記光スイッチ部の
一部に偏光調整部を設けた基板型光スイッチにある。
れた光学異方性を有する基板上で、前記光スイッチ部の
一部に偏光調整部を設けた基板型光スイッチにある。
〈作用〉
上記偏光調整部により、導波光の不要な偏波成分が吸収
され、消光比の高い光スィッチが得られる。
され、消光比の高い光スィッチが得られる。
〈実施例〉
第1図は本発明に係る基板型光スイッチの一実施例を示
したものである。
したものである。
この光スィッチS2も、基本的には、上述した第2図の
光スィッチS、と略同様であるが、本光スィッチS7の
場合、例えば入力側の導波路2゜2部分に金属クラッド
6.6からなる偏光調整部7を設けである。
光スィッチS、と略同様であるが、本光スィッチS7の
場合、例えば入力側の導波路2゜2部分に金属クラッド
6.6からなる偏光調整部7を設けである。
この偏光調整部7をより具体的に示すと、第2図の如く
で、例えば基板1中に拡散されてなる上記導波路2.2
近傍の左右、イオンビームエツチング法等により少々掘
り込み、この部分に金属をスパッタング等により埋め込
んで金属クラッド6を設けている。
で、例えば基板1中に拡散されてなる上記導波路2.2
近傍の左右、イオンビームエツチング法等により少々掘
り込み、この部分に金属をスパッタング等により埋め込
んで金属クラッド6を設けている。
この金属クラッド6・・・の存在により、入力側の導波
路2,2に入射された光の導波光は、通常は、基板1側
の光学異方性に基づく偏波依存性により、TEモードと
7Mモードのスイッチ電圧が異なるために、TE、TM
のいずれかの単一偏光を入射させない限り、その消光比
が著しく低下するが、上記金属クラッド6・・・中の電
荷の慣性効果により、不要な偏波成分は吸収される。
路2,2に入射された光の導波光は、通常は、基板1側
の光学異方性に基づく偏波依存性により、TEモードと
7Mモードのスイッチ電圧が異なるために、TE、TM
のいずれかの単一偏光を入射させない限り、その消光比
が著しく低下するが、上記金属クラッド6・・・中の電
荷の慣性効果により、不要な偏波成分は吸収される。
従って、光ファイバの接続にあたって、当該光ファイバ
の主軸と基板1側の軸との軸合わせをする必要なく、接
続することが可能となる。
の主軸と基板1側の軸との軸合わせをする必要なく、接
続することが可能となる。
く実験例〉
先ず、Z+JiLiNbO+の基板上にTiによる2本
のラインを方向性結合器状にバターニングした。このバ
ターニングTiの厚さは800人とした。次に、この基
板を1050 ”C18時間、水蒸気を含む空気雰囲気
中で拡散させ、2本のTi拡散導波路を得た。
のラインを方向性結合器状にバターニングした。このバ
ターニングTiの厚さは800人とした。次に、この基
板を1050 ”C18時間、水蒸気を含む空気雰囲気
中で拡散させ、2本のTi拡散導波路を得た。
この2本のTi拡散導波路が近接する結合部にSiO□
、Affiを用いて光路制御用の電極を設けた。
、Affiを用いて光路制御用の電極を設けた。
この後、Ti拡散導波路のTE−Ltkeモードを消失
させるため、入力側の導波路の両側に、イオンビームエ
ツチング法も用いて、深さ2μm程度エツチングし、こ
の部分に、1!金属をスパッタリング法により、埋め込
み、金属クラッドを形成した。これが偏波調整部である
。
させるため、入力側の導波路の両側に、イオンビームエ
ツチング法も用いて、深さ2μm程度エツチングし、こ
の部分に、1!金属をスパッタリング法により、埋め込
み、金属クラッドを形成した。これが偏波調整部である
。
このようにしてなる基板の左右にSii仮の■溝光ファ
イバホルダを設置し、通常の光ファイ゛ハを接続した。
イバホルダを設置し、通常の光ファイ゛ハを接続した。
この構造の光スィッチにおいて、光のスイッチング試験
を行ったところ、スイッチの挿入損は1OdBで、スイ
ッチング電圧は0■と15Vであり、消光比は15dB
であった。
を行ったところ、スイッチの挿入損は1OdBで、スイ
ッチング電圧は0■と15Vであり、消光比は15dB
であった。
この消光比は、従来型の光スィッチが5dB程度である
ことと比較すれば、高い消光比であることが判る。
ことと比較すれば、高い消光比であることが判る。
なお、上記実施例では、偏光調整部7の金属クラッド6
・・・をアルミとしてスパッタリングにより形成したが
、本発明はこれに限定されず、同様の作用をするもので
あれば、他の材料、例えばTt、Ni、Fe等の電気伝
導体で形成してもよく、また、その形成場所も特に限定
されない。
・・・をアルミとしてスパッタリングにより形成したが
、本発明はこれに限定されず、同様の作用をするもので
あれば、他の材料、例えばTt、Ni、Fe等の電気伝
導体で形成してもよく、また、その形成場所も特に限定
されない。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように本発明によれば、基板上
の光スイッチ部の一部に偏光調整部が設けであるため、
基板側の光スイッチ部と接続しようとする光フアイバ側
との偏光方向の軸合わせが不要となり、しかも、通常の
光ファイバを用いても、高消光比の基板型光スイッチを
得ることができる。
の光スイッチ部の一部に偏光調整部が設けであるため、
基板側の光スイッチ部と接続しようとする光フアイバ側
との偏光方向の軸合わせが不要となり、しかも、通常の
光ファイバを用いても、高消光比の基板型光スイッチを
得ることができる。
従って、従来光スィッチにおいて、問題であった製造コ
ストの上昇、歩留りの低下、性能のバラツキ、動作安定
性の低下等の諸問題が悉く解消される。
ストの上昇、歩留りの低下、性能のバラツキ、動作安定
性の低下等の諸問題が悉く解消される。
第1図は本発明に係る基板型光スイッチの一実施例を示
した斜視図、第2図は第1図の基板型光スイッチの偏波
調整部の縦断面図、第3図は従来の基板型光スイッチの
一例を示した斜視図である。 図中、 1・・・・・基板、 2 ・ ・ 3 ・ ・ 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ F ・ ・ l−2 導波路、 電極、 光路切換部、 光フアイバホルダ、 金属クラッド、 偏波調整部、 光ファイバ、 光伝送路、
した斜視図、第2図は第1図の基板型光スイッチの偏波
調整部の縦断面図、第3図は従来の基板型光スイッチの
一例を示した斜視図である。 図中、 1・・・・・基板、 2 ・ ・ 3 ・ ・ 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ F ・ ・ l−2 導波路、 電極、 光路切換部、 光フアイバホルダ、 金属クラッド、 偏波調整部、 光ファイバ、 光伝送路、
Claims (1)
- 光スイッチ部が形成された光学異方性を有する基板上
で、前記光スイッチ部の一部に偏光調整部を設けたこと
を特徴とする基板型光スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31270488A JPH02157730A (ja) | 1988-12-10 | 1988-12-10 | 基板型光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31270488A JPH02157730A (ja) | 1988-12-10 | 1988-12-10 | 基板型光スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02157730A true JPH02157730A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18032424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31270488A Pending JPH02157730A (ja) | 1988-12-10 | 1988-12-10 | 基板型光スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02157730A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011247913A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換装置 |
JP2017116751A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 干渉型光回路およびその制御方法 |
US11385408B2 (en) * | 2020-04-15 | 2022-07-12 | Globalfoundries U.S. Inc. | Stacked-waveguide polarizers with conductive oxide strips |
-
1988
- 1988-12-10 JP JP31270488A patent/JPH02157730A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011247913A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長変換装置 |
JP2017116751A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 日本電信電話株式会社 | 干渉型光回路およびその制御方法 |
US11385408B2 (en) * | 2020-04-15 | 2022-07-12 | Globalfoundries U.S. Inc. | Stacked-waveguide polarizers with conductive oxide strips |
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