JPH04158538A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH04158538A JPH04158538A JP28506890A JP28506890A JPH04158538A JP H04158538 A JPH04158538 A JP H04158538A JP 28506890 A JP28506890 A JP 28506890A JP 28506890 A JP28506890 A JP 28506890A JP H04158538 A JPH04158538 A JP H04158538A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 21
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
従来の技術
第２図は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図で
ある。樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド１上に半導
体チップ２を導電性樹脂３により接着した後、熱硬化性
エポキシ樹脂４で封止することによりダイパッド１及び
半導体チップ２を封止するものであった。
ある。樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド１上に半導
体チップ２を導電性樹脂３により接着した後、熱硬化性
エポキシ樹脂４で封止することによりダイパッド１及び
半導体チップ２を封止するものであった。
発明が解決しようとする課題
樹脂封止型半導体装置は、製造工程や製品倉庫などで保
管される間に、大気中の湿気を吸湿する。この湿気が樹
脂表面から拡散し、半導体チップとダイパッドの界面に
到達、停留する。特に、表面実装型半導体装置はその外
形厚が薄いため、短時間に湿気が半導体チップとダイパ
ッドの界面に到達する。したがって、赤外線リフローや
ＶＰＳなどはんだ実装時の急激な加熱により、半導体チ
ップとダイパッドの界面に停留した水分が気化膨張する
。そのときに発生する蒸気圧に伴う応力が、樹脂の機械
的強度をこえることにより、樹脂にクラックが発生する
ことがある。
管される間に、大気中の湿気を吸湿する。この湿気が樹
脂表面から拡散し、半導体チップとダイパッドの界面に
到達、停留する。特に、表面実装型半導体装置はその外
形厚が薄いため、短時間に湿気が半導体チップとダイパ
ッドの界面に到達する。したがって、赤外線リフローや
ＶＰＳなどはんだ実装時の急激な加熱により、半導体チ
ップとダイパッドの界面に停留した水分が気化膨張する
。そのときに発生する蒸気圧に伴う応力が、樹脂の機械
的強度をこえることにより、樹脂にクラックが発生する
ことがある。
課題を解決するための手段
このような問題点を解決するために本発明は、半導体チ
ップとダイパッドを樹脂封止した後、疎水性のガスをふ
きつけるものである。
ップとダイパッドを樹脂封止した後、疎水性のガスをふ
きつけるものである。
作用
本発明を用いることにより、大気中の湿気が樹脂表面か
ら内部へ拡散するのを防ぐことができる。
ら内部へ拡散するのを防ぐことができる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例における半導体装置の製造
方法を説明するための製造工程断面図であり、第１図に
基づいて以下に述べる。
方法を説明するための製造工程断面図であり、第１図に
基づいて以下に述べる。
第１図（Ａ）に示すように、グイパット１上に半導体チ
ップ２を導電性樹脂３を用いて接着する。
ップ２を導電性樹脂３を用いて接着する。
次に同図（Ｂ）に示すように、金型に熱硬化性エポキシ
樹脂４を射出成型することにより、樹脂封止型半導体装
置が完成する。
樹脂４を射出成型することにより、樹脂封止型半導体装
置が完成する。
その後、同図（（２）に示すように、樹脂封止型半導体
装置の表面全体に疎水性のガス５をふきつける。疎水性
ガスにはフッ素系化合物のガスを用い、例えば、ＣＦ４
を使用する。この工程が、本発明の特徴であり、これに
より大気中の湿気が樹脂封止型半導体装置内部へ拡散す
ることを防ぐものである。
装置の表面全体に疎水性のガス５をふきつける。疎水性
ガスにはフッ素系化合物のガスを用い、例えば、ＣＦ４
を使用する。この工程が、本発明の特徴であり、これに
より大気中の湿気が樹脂封止型半導体装置内部へ拡散す
ることを防ぐものである。
疎水性ガスをふきつけた樹脂封止型半導体装置と未処理
の樹脂打止型半導体装置とのはんだ耐熱性試験の結果比
較を表１に示す。
の樹脂打止型半導体装置とのはんだ耐熱性試験の結果比
較を表１に示す。
試験方法は、５種類の樹脂を用いた両者の＃４脂封止型
半導体装置を、温度８５℃・相対湿度８５％の雰囲気に
４０時間保存した後、２６０℃の溶融したはんだパッケ
ージ全体をしんせきして、樹脂にクラックが発生するま
での時間を測定した。
半導体装置を、温度８５℃・相対湿度８５％の雰囲気に
４０時間保存した後、２６０℃の溶融したはんだパッケ
ージ全体をしんせきして、樹脂にクラックが発生するま
での時間を測定した。
クラックの発生は、３０倍の光学類Ｗ１鏡により目視判
定すると共に、気密性試験（グロスＩＩ−クチスト）も
実施した。
定すると共に、気密性試験（グロスＩＩ−クチスト）も
実施した。
なお、この実験による吸湿条件は、樹脂封止型半導体装
置が通常の工程や保管倉庫などで吸湿する量を加速した
ものである。
置が通常の工程や保管倉庫などで吸湿する量を加速した
ものである。
表１かられかるように、いずれの樹脂材で封止した半導
体装置でも、本発明を実施したものが、はんだ耐熱性に
優れていることがわかる。
体装置でも、本発明を実施したものが、はんだ耐熱性に
優れていることがわかる。
この効果は、疎水性の高いフッ素化合物ガスを樹脂表面
にふきつけることにより、雰囲気中の湿気が樹脂表面に
付着するのをふせぐことによるものである。
にふきつけることにより、雰囲気中の湿気が樹脂表面に
付着するのをふせぐことによるものである。
樹脂封止型半導体装置がプリント基板にはんだ実装され
る条件は、はぼ２３５℃／１０秒以内であることから、
本発明の効果は大きく、特に表面実装型半導体装置に対
して有効である。
る条件は、はぼ２３５℃／１０秒以内であることから、
本発明の効果は大きく、特に表面実装型半導体装置に対
して有効である。
発明の効果
本発明は樹脂封止後、樹脂封止型半導体装置の表面全体
に疎水性のガスをふきつけるものであるから、大気中の
湿気が樹脂封止型半導体装置内部へ拡散するのを防止し
、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる
。
に疎水性のガスをふきつけるものであるから、大気中の
湿気が樹脂封止型半導体装置内部へ拡散するのを防止し
、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる
。
第１図は本発明の一実施例を説明するための樹脂封止型
半導体装置の製造工程断面図、第２図は従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。 １・・・・・・ダイパッド、２・・・・・・半導体チッ
プ、３・・・・・・導電性接着樹脂、４・・・・・・熱
硬化性エポキシ樹脂、５・・・・・・疎水性ガス（フッ
素系化合物ＣＦ−４など）。
半導体装置の製造工程断面図、第２図は従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。 １・・・・・・ダイパッド、２・・・・・・半導体チッ
プ、３・・・・・・導電性接着樹脂、４・・・・・・熱
硬化性エポキシ樹脂、５・・・・・・疎水性ガス（フッ
素系化合物ＣＦ−４など）。
Claims (2)
- （１）樹脂封止後、疎水性のガスをふきつける工程を備
えた樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）疎水性のガスが、フッ素系化合物である特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506890A JPH04158538A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28506890A JPH04158538A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158538A true JPH04158538A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17686741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28506890A Pending JPH04158538A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158538A (ja) |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP28506890A patent/JPH04158538A/ja active Pending
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