JPH04157427A - 陽極酸化装置 - Google Patents

陽極酸化装置

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JPH04157427A
JPH04157427A JP2281897A JP28189790A JPH04157427A JP H04157427 A JPH04157427 A JP H04157427A JP 2281897 A JP2281897 A JP 2281897A JP 28189790 A JP28189790 A JP 28189790A JP H04157427 A JPH04157427 A JP H04157427A
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JP
Japan
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anodizing
power supply
film
insulation substrate
electrode
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Pending
Application number
JP2281897A
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English (en)
Inventor
Kazuo Shirohashi
白橋 和男
Yuka Matsukawa
松川 由佳
Akira Sasano
笹野 晃
Hidekazu Hirata
平田 英一
Morio Uchida
内田 盛男
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は薄膜トランジスタを有する液晶表示装置等を
製造する場合に使用される陽極酸化装置に関するもので
ある。
[従来の技術] 薄膜トランジスタを有する液晶表示装置においては、高
歩留まりを実現するために、アルミニウム、タンタル等
の陽極酸化膜をゲート絶縁膜として用いることが提案さ
れている(特開昭58−147069号公報、特開昭6
3−164号公報)。
第4図(a)はアルミニウムの陽極酸化膜をゲート絶縁
膜とした薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の一部
を示す断面図である。図において、■は絶縁性基板、2
aはゲート端子G用のクロム膜、2bはゲート配線、ゲ
ート電極のアルミニウム膜、3はアルミニウムの陽極酸
化膜、4は窒化シリコン膜、5は非晶質シリコン膜、6
は窒化シリコン膜、7はリンをドープした水素化非晶質
シリコン膜、8はドレイン配線、ソース電極、ドレイン
電極用のクロム膜、9は同じくアルミニウム膜、10は
透明電極、11は保護膜である。
つぎに、第4図(a)に示した液晶表示装置の製造方法
について説明する。まず、第5図(a)に示すように、
絶縁性基板1上に膜厚が1100人のクロム膜2aをス
パッタ法により堆積し、パターン化してゲート端子Gを
形成するとともに、第4図(b)に示す陽極酸化のため
の電圧供給ラインとなるパスラインすなわちゲート端子
Gを共通接続したパスライン12を形成する。つぎに、
膜厚が2600人のアルミニウム膜2bをスパッタ法に
より堆積し、パターン化してゲート電極およびゲート配
線13を形成する。このとき、ゲート配線13はパスラ
イン12により共通接続される。また、第4図(c)に
示すように、ゲート配線13のゲート端子Gとの接続部
Jをストライプ状にし、この線幅dを約110l1とす
る。つぎに、膜厚が3Ijmのホトレジストを塗布し、
ホトエツチングプロセスにより第4図(b)の破線で囲
んだ領域A−Cの部分のホトレジストを除去し、この状
態で絶縁性基板lを陽極酸化液に浸し、陽極酸化用電極
Pを介してパスライン12に電圧を供給し、アルミニウ
ム膜2bの一部を陽極酸化する。この場合、0.5〜1
0mA/cntの電流密度になるように電圧をOから徐
々に昇圧しく定電流酸化) 、 +120Vになったら
そのままその電圧に保持する(定電圧酸化)。すると、
約30分で1100人のアルミニウム膜2bが陽極酸化
され、約1700人の陽極酸化膜3が得られる。
また、陽極酸化液としては、3%酒石酸溶液をアンモニ
アで中和し、エチレングリコールもしくはプロピレング
リコールで19に稀釈し、pH7±0.5に調整した溶
液を用いる。つぎに、ホトレジスト・を除去したのち、
大気中あるいは真空中で200〜400℃で60分加熱
する。つぎに、第5図(b)に示すように、プラズマC
VD法により膜厚が1200〜2000人の窒化シリコ
ン膜4、膜厚が200〜1000人の非晶質シリコン膜
5、膜厚が1000〜2000人の窒化シリコン膜6を
順次堆積する。このとき、絶縁性基板1の温度を150
〜300℃とする。つぎに、窒化シリコン膜6をパター
ン化し、窒化シリコン膜6を薄膜トランジスタのチャネ
ル上と配線交差部にのみ残す。つぎに、第5図(c)に
示すように、リンを0.6〜2.5%ドープした膜厚が
200〜500人の非晶質シリコン膜7を堆積する。つ
ぎに、非晶質シリコン膜7、非晶質シリコン膜5をパタ
ーン化する。つぎに、第5図(d)に示すように、膜厚
が500〜1000人のクロム膜8、膜厚が3000〜
8000人のアルミニウム膜9を抵抗加熱蒸着法あるい
はスパッタ法により堆積し、パターン化してドレイン配
線15、薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極
を形成する。つぎに、第5図(e)に示すように、酸化
インジュウムからなる膜厚が約1000、人の透明電極
10をスパッタ法により堆積し、パターン化して画素電
極、端子等を形成する。つぎに、プラズマCVD法によ
り膜厚が1−の窒化シリコン膜を堆積し、ホトエツチン
グプロセスにより端子部上の窒化シリコン膜を除去する
。つぎに、絶縁性基板1を切出線1cで切断する。
この液晶表示装置の製造方法においては、領域A〜Cの
アルミニウム膜2bを陽極酸化するから、ゲート配線1
3の大部分のアルミニウム膜2bが陽極酸化されないの
で、ゲート配線13の配線抵抗を低く押さえることがで
きる。また、ゲート配線13のゲート端子Gとの接続部
Jをストライプ状にし、この線幅dを約10虜としたか
ら、ホイスカが発生することがない。また、陽極酸化膜
3を形成したのち、大気中あるいは真空中で200〜4
00℃で60分加熱するから、陽極酸化膜3のリーク電
流を1桁以上減少することができる。
第6図は従来の陽極酸化装置を示す概略正断面図、第7
図は同じく概略側断面図である。図において、21は陽
極酸化槽、22は陽極酸化槽21内の陽極酸化液、23
は陽極酸化槽21に取り付けられた電極板、24は保持
板、25は保持板24に固定された下部保持部、26は
保持板24に上下動可能に取り付けられた上部保持部、
27は保持板24に固定されたバネ受け、28はバネ受
け27と上部保持部26との間に設けられたバネ、29
は給電クリップ、30は給電クリップ29に接続された
電源、31は絶縁性基板、32は絶縁性基板31に形成
された陽極酸化用電極で、陽極酸化用電極32はアルミ
ニウム膜からなるゲート配線に共通接続されている。
この陽極酸化装置においては、下部保持部25と下部保
持部26との間に絶縁性基板31を保持し、陽極酸化用
電極32に給電クリップ29を取り付ければ、電源30
からゲート配線に電圧が供給され、ゲート・配線を構成
するアルミニウム膜が陽極酸化される。
〔発明が解決しようとする課題1 しかし、このような陽極酸化装置においては、1枚の絶
縁性基板31ごとに陽極酸化処理を行なわなければなら
ないから、作業が面倒であり、また製造コストが高くな
る。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、作業が容易であり、また製造コストが安価となる陽極
酸化装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段1 この目的を達成するため、この発明においては、絶縁性
基板に形成された金属膜を陽極酸化する陽極酸化装置に
おいて、陽極酸化槽と、上記陽極酸化槽にほぼ一定間隔
で取り付けられた複数の電極板と、上記絶縁性基板を挿
入可能な複数の溝を有するカセット治具とを設ける。
この場合、2個の給電クリップと、上記2個の給電クリ
ップに接続された検査用電源とを設けてもよい。
[作用] この陽極酸化装置においては、複数の絶縁性基板につい
て同時に陽極酸化処理をすることができる。
また、2個の給電クリップと、2個の給電クリップに接
続された検査用電源とを設ければ、絶縁性基板に2個の
陽極酸化用電極を設け、2個の陽極酸化用電極を接続し
、給電クリップを陽極酸化用電極にそれぞれ取り付ける
ことによって、陽極酸化前に給電部の接続の確認を行な
うことができる。
[実施例] 第1図はこの発明に係る陽極酸化装置を示す概略側断面
図、第2図は同じく概略正断面図、第3図は第1図、第
2図に示した陽極酸化装置のカセット治具を示す図であ
る。図において、41は陽極酸化槽、42は陽極酸化槽
41内の陽極酸化液で、陽極酸化槽41はポリプロピレ
ン樹脂、塩化ビニール樹脂等の陽極酸化液42に対して
耐食性のある絶縁体からなり、陽極酸化液42は陽極酸
化槽41と補助タンク(図示せず)との間を循環し、そ
の間のフィルタ(図示せず)によって濾過される。43
は導体からなる接続板、44は接続板43に60mm間
隔で取り付けられた複数の電極板で、電極板44として
はチタン板に白金メツキを施したものを使用している。
45は接続板43と電極板44の下部を覆った被覆体で
、接続板43、電極板44、被覆体45で電極装置46
を構成している。47は電極装置46を支持するための
支持部材で、支持部材47は陽極酸化槽41に取り付け
られている。48は陽極酸化槽41に取り付けられた位
置決め部材、49は四角筒状のカセット治具で、カセッ
ト治具49は位置決め部材48によって位置決めされる
。59はカセット治具49に取り付けられた吊具、50
はカセット治具49の内側側面に60順間隔で設けられ
た複数の溝で、溝50内には絶縁性基板31の端部を挿
入することができる。32a、32bは絶縁性基板31
に形成された陽極酸化用電極で、陽極酸化用電極32a
、32bはアルミニウム膜からなるゲート配線に共通接
続されている。33は陽極酸化用電極32aと陽極酸化
用電極32bとを接続する接続線である。51a、51
bは給電クリップ、52は給電クリップ51a、51b
に接続された主電源、53は主電源52の電圧を測定す
るための電圧計、54は供給電流を検出するための電流
計、55は主電源52と給電クリップ51a、51bと
の間に設けられた主スィッチ、56は給電クリップ51
. a、51bに接続された検査用電源で、検査用電源
56の印加電圧は2Vである。
57は検査用電源56と給電クリップ51aとの間に設
けられた電流計、58は検査用電源56と並列に設けら
れたスイッチ、61はスイッチ58がオフでありかつ陽
極酸化用電極32a、32bに給電クリップ51a、5
1bが取り付けられた状態で、電流計57が電流を検出
しなかったときに警報を発する警報装置で、給電クリッ
プ51a、51b、主電源52、主スィッチ55、検査
用電源56、スイッチ58等で電源装置60を構成して
おり、電源装置60は溝50に対応してそれぞれ設けら
れている。
つぎに、この陽極酸化装置を使用して、絶縁性基板31
に形成されたゲート配線を構成するアルミニウム膜を陽
極酸化する場合について説明する。
まず、溝50内に絶縁性基板31の端部を挿入すした状
態で、自動搬送装置(図示せず)により吊具59を吊っ
て、カセット治具49を陽極酸化槽41内に入れる。こ
の場合、位置決め部材48によりカセット治具49が位
置決めされ、この状態では絶縁性基板31と電極板44
とが交互に並ぶ。
つぎに、主スィッチ55、スイッチ58をオフにした状
態で、陽極酸化用電極32a、32bに給電クリップ5
1a、51bを取り付ける。すると、陽極酸化用電極3
2a、32bと給電クリップ51a、51bとが電気的
に接続されたときには、警報装置61が警報を発しない
が、陽極酸化用電極32a、32bと給電クリップ51
a、51bとが電気的に接続されていないときには、警
報装置61が警報を発する。つぎに、警報装置6]が警
報を発しない電源装[60について、主スィッチ55、
スイッチ58をオンにする。すると、電源52からゲー
ト配線に電圧が供給され、ゲート配線を構成するアルミ
ニウム膜が陽極酸化される。
この場合、0.5〜10mA/7の電流密度になるよう
に電圧を0から徐々に昇圧しく定電流酸化)1、+12
0Vになったらそのままその電圧に保持する(定電圧酸
化)。
この陽極酸化装置においては、複数の絶縁性基板31に
ついて同時に陽極酸化処理をすることができるから、作
業が容易であり、また製造コストが安価となる。また、
陽極酸化用電極32a、32bと給電クリップ51a、
51bとが電気的に接続されていないときには、警報装
置61が警報を発するから、この絶縁性基板31につい
て再度陽極酸化処理を行なうことができるので、全ての
絶縁性基板31について確実に陽極酸化処理を行なうこ
とができる。
なお、上述実施例においては、薄膜トランジスタを有す
る液晶表示装置を製造する場合に使用される陽極酸化装
置について説明したが、絶縁性基板に形成された金属膜
を陽極酸化する陽極酸化装置にこの発明を適用すること
ができる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明に係る陽極酸化装置にお
いては、複数の絶縁性基板について同時に陽極酸化処理
をすることができるから、作業が容易であり、また製造
コストが安価となる。
また、2個の給電クリップと、2個の給電クリップに接
続された検査用電源とを設ければ、陽極酸化前に給電部
の接続の確認を行なうことができるから、確実に陽極酸
化処理を行なうことができる。
このように、この発明の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係る陽極酸化装置を示す概略側断面
図、第2図は同じく概略正断面図、第3図は第1図、第
2図に示した陽極酸化装置のカセット治具を示す図、第
4図(a)はアルミニウムの陽極酸化膜をゲート絶縁膜
とした薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の一部を
示す断面図、第4図(b)、(c)、第5図はそれぞれ
第4図(a)に示した液晶表示装置の製造方法の説明図
、第6図は従来の陽極酸化装置を示す概略正断面図、第
7図は同じく概略側断面図である。 41・・・陽極酸化槽 44・・・電極板 49・・・カセット治具 50・・・溝 51a、51b・・給電クリップ 52・・主電源 56・・・検査用電源 代理人  弁理士 中 村 純之助 第1図 昭 56−−−−−−tLk用を源 第2図 第3図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、絶縁性基板に形成された金属膜を陽極酸化する陽極
    酸化装置において、陽極酸化槽と、上記陽極酸化槽にほ
    ぼ一定間隔で取り付けられた複数の電極板と、上記絶縁
    性基板を挿入可能な複数の溝を有するカセット治具とを
    具備することを特徴とする陽極酸化装置。 2、2個の給電クリップと、上記2個の給電クリップに
    接続された検査用電源とを有することを特徴とする請求
    項第1項記載の陽極酸化装置。
JP2281897A 1990-10-22 1990-10-22 陽極酸化装置 Pending JPH04157427A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19548938A1 (de) * 1995-04-18 1996-10-24 Mitsubishi Electric Corp Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung und Siliziumsubstrat-Kassette zum selektiven Ätzen
JP2010532096A (ja) * 2007-06-28 2010-09-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ゲート構造体を形成する方法

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