JP2010532096A - ゲート構造体を形成する方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims abstract description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 164
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical group [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- -1 poly (oxy-1,4-phenyleneoxy- 1,4-phenylenecarbonyl-1,4-phenylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- ZYZYQCACSQDPSB-UHFFFAOYSA-N 12,15-dioxatricyclo[8.6.0.02,7]hexadeca-1(10),2,4,6,8-pentaene-11,16-dione Chemical compound O=C1OCCOC(=O)C2=C1C=CC1=CC=CC=C21 ZYZYQCACSQDPSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
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- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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Abstract
Description
C=所定の陽極酸化電圧に達するために必要な、単位面積当たり、1ボルト当たりの電荷量(mF/cm2)である。1つの実施形態において、アルミニウム(Al)の等価容量は約2mF/cm2である。
式Iの他のいくつかのパラメータは次の通りである。
λ=D/ASRC (II)
式IIのパラメータは以下を含む。
基材として、ポリエチレン−2,6−ナフタレン(PEN、100マイクロメートル(μm)、帝人デュポンフィルム(Dupont Teijin Films)、日本)の上にアルミニウム(Al)がスパッタリング及びパターン形成され、複数個の導電性エレメントが形成された。ウェブは、基材、基材の上に配置されている導電性エレメント並びに基材の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスを含む。ウェブを陽極酸化ステーションを通って動かすことにより、複数個の導電性エレメントが陽極酸化された。ウェブが陽極酸化ステーションを通って動かされた際に、パターン形成されたアルミニウム導電性エレメントは陽極酸化された。
実施例1の陽極酸化プロセスを使用して作製されたゲート構造体を用いて、薄膜トランジスタが製造された。基材はIR管ヒーターを用いて脱気が行われ、導電性金属蒸着と同じ条件下で同じ装置を用いて、3nmのSiOx及び200nmのAlがスパッタリングされた。ソース電極及びドレイン電極は、導電性金属と同様にして、DFPR(UGH−072、旭化成(Asahi Kasei)、日本)を用いてパターン形成された。フォトマスクアライナを用いて導電性金属がパターン形成され、100mJで照射された。DFPRは、分離層が除去され、スプレー圧力27.57kPa、温度21.1℃、ウェブ速度152.4m/minで、炭酸ナトリウム((Na2CO3)、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))溶液で現像が行われた。このDFPRに、ウェブ速度1.82m/min、100℃でベーキングが行われた。この導電性金属に、27.6℃で、45重量%の水酸化カリウム(KOH、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))を用いてエッチングが行われた。40℃で、4.61重量%のモノエタノールアミン(MEA、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))を用いてDFPRが除去され、このウェブは、32.2℃の脱イオン水ですすがれた。Al金属エッチング、DFPR除去及びすすぎ手順はすべて、ウェブ速度2.29m/minのライン上で行われた。このウェブは次にリキノックス(Liquinox)(2重量%、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))/クエン酸(2重量%、シグマ・アルドリッチ(Sigma Aldrich)社、ミズーリ州セントルイス(St. Louis))溶液を用いて、48.9℃、速度0.457m/minで、洗浄が行われた。
Claims (22)
- 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。 - 前記支持体が、金属、金属合金、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリカーボネート又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記の複数個の導電性エレメントが、アルミニウム、タンタル、ニオビウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、ハフニウム又はこれらの組み合わせを含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記陽極酸化ステーションを通過する前記基材を支えて、動かすための水平コンベヤであって、前記水平コンベヤは前記基材の上方に設置され、前記陽極酸化槽を通過する垂直面に向けられた基材に対し平行な面において移動し、前記複数個のクランプは、前記水平コンベヤと共に動くように設置されている、水平コンベヤを更に含む、請求項1に記載のプロセス。
- 前記の複数個のクランプが、前記基材と整列され、前記少なくとも1つのクランプは(a)前記入口箇所より前に前記基材の前記陽極酸化バスに取り付けられ、(b)前記基材を前記陽極酸化槽を通って動かし、(c)前記出口箇所の後で前記基材を放し、前記水平コンベヤは、前記少なくとも1つのクランプを独立に開閉するためのクランプカムを含む、請求項4に記載のプロセス。
- 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、
前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。 - 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、請求項6に記載のプロセス。
- 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、請求項6に記載のプロセス。
- 前記半導体が、無機物である、請求項6に記載のプロセス。
- 前記の複数個のゲート誘電体に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、請求項6に記載のプロセス。
- 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のプロセス。
- 前記ソース電極と前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、請求項6に記載のプロセス。
- 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートに対向する、工程と、を含む、プロセス。 - 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、請求項13に記載のプロセス。
- 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、請求項13に記載のプロセス。
- 前記半導体が無機物である、請求項13に記載のプロセス。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、請求項13に記載のプロセス。
- 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、請求項13に記載のプロセス。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、請求項13に記載のプロセス。
- 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。 - 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、
前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。 - 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、
前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートと対向する、工程と、含む、プロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US94673407P | 2007-06-28 | 2007-06-28 | |
PCT/US2008/064181 WO2009005902A1 (en) | 2007-06-28 | 2008-05-20 | Method for forming gate structures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010532096A true JP2010532096A (ja) | 2010-09-30 |
JP2010532096A5 JP2010532096A5 (ja) | 2011-07-07 |
Family
ID=40226440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010514908A Pending JP2010532096A (ja) | 2007-06-28 | 2008-05-20 | ゲート構造体を形成する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8318552B2 (ja) |
EP (1) | EP2183781B1 (ja) |
JP (1) | JP2010532096A (ja) |
CN (1) | CN101720509B (ja) |
WO (1) | WO2009005902A1 (ja) |
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WO2009005902A1 (en) | 2007-06-28 | 2009-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming gate structures |
-
2008
- 2008-05-20 WO PCT/US2008/064181 patent/WO2009005902A1/en active Application Filing
- 2008-05-20 EP EP08755917A patent/EP2183781B1/en not_active Not-in-force
- 2008-05-20 US US12/665,094 patent/US8318552B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-20 JP JP2010514908A patent/JP2010532096A/ja active Pending
- 2008-05-20 CN CN200880022533.2A patent/CN101720509B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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---|---|
EP2183781B1 (en) | 2012-10-24 |
CN101720509A (zh) | 2010-06-02 |
US8318552B2 (en) | 2012-11-27 |
CN101720509B (zh) | 2012-08-29 |
EP2183781A4 (en) | 2010-10-13 |
US20100252176A1 (en) | 2010-10-07 |
WO2009005902A1 (en) | 2009-01-08 |
EP2183781A1 (en) | 2010-05-12 |
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A521 | Written amendment |
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|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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