JP2010532096A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010532096A5
JP2010532096A5 JP2010514908A JP2010514908A JP2010532096A5 JP 2010532096 A5 JP2010532096 A5 JP 2010532096A5 JP 2010514908 A JP2010514908 A JP 2010514908A JP 2010514908 A JP2010514908 A JP 2010514908A JP 2010532096 A5 JP2010532096 A5 JP 2010532096A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
anodizing
electrochemical solution
bath
conductive elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010514908A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010532096A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2008/064181 external-priority patent/WO2009005902A1/en
Publication of JP2010532096A publication Critical patent/JP2010532096A/ja
Publication of JP2010532096A5 publication Critical patent/JP2010532096A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

本出願では、以下の態様が提供される。
1. 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。
2. 前記支持体が、金属、金属合金、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ポリカーボネート又はこれらの組み合わせを含む、態様1に記載のプロセス。
3. 前記の複数個の導電性エレメントが、アルミニウム、タンタル、ニオビウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、ハフニウム又はこれらの組み合わせを含む、態様1に記載のプロセス。
4. 前記陽極酸化ステーションを通過する前記基材を支えて、動かすための水平コンベヤであって、前記水平コンベヤは前記基材の上方に設置され、前記陽極酸化槽を通過する垂直面に向けられた基材に対し平行な面において移動し、前記複数個のクランプは、前記水平コンベヤと共に動くように設置されている、水平コンベヤを更に含む、態様1に記載のプロセス。
5. 前記の複数個のクランプが、前記基材と整列され、前記少なくとも1つのクランプは(a)前記入口箇所より前に前記基材の前記陽極酸化バスに取り付けられ、(b)前記基材を前記陽極酸化槽を通って動かし、(c)前記出口箇所の後で前記基材を放し、前記水平コンベヤは、前記少なくとも1つのクランプを独立に開閉するためのクランプカムを含む、態様4に記載のプロセス。
6. 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。
7. 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、態様6に記載のプロセス。
8. 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、態様6に記載のプロセス。
9. 前記半導体が、無機物である、態様6に記載のプロセス。
10. 前記の複数個のゲート誘電体に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、態様6に記載のプロセス。
11. 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、態様6に記載のプロセス。
12. 前記ソース電極と前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、態様6に記載のプロセス。
13. 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートに対向する、工程と、を含む、プロセス。
14. 前記電子デバイスが、薄膜トランジスタである、態様13に記載のプロセス。
15. 前記電子デバイスが、アクティブマトリックスディスプレイバックプレーンである、態様13に記載のプロセス。
16. 前記半導体が無機物である、態様13に記載のプロセス。
17. 前記ソース電極及び前記ドレイン電極に隣接する前記半導体をパターン形成する工程を更に含む、態様13に記載のプロセス。
18. 前記半導体が、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛スズ、酸化インジウムガリウム亜鉛又はこれらの組み合わせを含む、態様13に記載のプロセス。
19. 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方が、アルミニウム、金、銅、銀、チタン、クロム、酸化金属、ドーピングされた半導体又はこれらの組み合わせを含む、態様13に記載のプロセス。
20. 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、を含む、プロセス。
21. 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、前記複数個のゲート誘電体に隣接する半導体を供給する工程と、前記複数個のゲート構造体に対向する前記半導体の表面に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、を含む、プロセス。
22. 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、(a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記陰極は、前記入口箇所からある距離で位置され、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離であり、前記複数個の導電性エレメントは、前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程と、前記複数個のゲート誘電体に隣接するソース電極及びドレイン電極の両方を供給する工程であって、前記ソース電極は前記ドレイン電極と接触していない、工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方の表面に隣接する半導体を供給する工程であって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の両方は前記複数のゲートと対向する、工程と、含む、プロセス。
本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく本開示の様々な修正形態及び変更形態が、当業者には、明らかとなろう。また、本開示は、本明細書に記載した例示的な要素に限定されないことが理解されるべきである。

Claims (2)

  1. 複数個のゲート構造体を形成するプロセスであって、前記プロセスは、
    (a)支持体、(b)前記支持体上に配置されている複数個の導電性エレメント並びに(c)前記支持体の第一エッジに対して平行な導電性陽極酸化バスであって、第一導電性エレメント及び少なくとも1つの第二導電性エレメントは、前記陽極酸化バスに電気的に接続している、導電性陽極酸化バス、を含む基材を供給する工程と、
    前記基材を動かす工程であって、前記基材は、基材送り出しロールとともに搬送され、基材受け取りロールとともに受け取られ、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで延在し、前記基材は前記基材送り出しロールから前記基材受け取りロールまで通過する、工程と、
    前記基材を陽極酸化ステーションを通過させる工程であって、前記陽極酸化ステーションは(a)前記基材のための入口箇所及び出口箇所を含む陽極酸化槽、(b)前記陽極酸化槽内に保持された電気化学溶液であって、前記電気化学溶液は、表面を有する、電気化学溶液、(c)前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記複数個の導電性エレメントは前記支持体と前記陰極との間に配置される、陰極、(d)(i)前記陽極酸化バスであって、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置される、前記陽極酸化バスと、(ii)前記複数個の導電性エレメントであって、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置される、前記複数個の導電性エレメントと、(iii)複数個のクランプであって、少なくとも1つのクランプは、前記陽極酸化バスと電気的に接触している、複数個のクランプと、を含む、陽極並びに(e)前記陽極及び前記陰極に取り付けられている電源、を含む、工程と、
    前記電気化学溶液に曝露された前記複数個の導電性エレメントの前記表面の少なくとも一部分を陽極酸化させて、複数個のゲート電極に隣接する複数個のゲート誘電体を含む複数個のゲート構造体を形成する工程であって、前記複数個のゲート電極は前記複数個のゲート誘電体と前記支持体との間に配置される、工程
    を含む、プロセス。
  2. 複数個の電子デバイスを形成するプロセスであって、前記プロセスは、
    導電性陽極酸化バスに電気的に接続している、複数個の導電性エレメントを含む基材を供給する工程と、
    前記基材を陽極酸化槽に通過させる工程であって、前記陽極酸化槽
    前記基材のための入口箇所と、
    前記基材のための出口箇所と、
    電気化学溶液を含み、前記電気化学溶液は、
    表面と、
    前記入口箇所からある距離における前記電気化学溶液内に位置された陰極であって、前記距離は前記入口箇所での放電を防ぐのに十分な距離である、陰極と、
    前記陽極酸化バスを含む陽極を含み、
    前記基材は前記陽極酸化槽を通過する垂直面に向けられており、前記陽極酸化バスは、前記電気化学溶液の前記表面の上に配置され、前記複数個の導電性エレメントの少なくとも一部分は、前記電気化学溶液の前記表面の下に配置され、
    低電圧が前記入口箇所に印加され、
    最大電圧が前記出口箇所付近に印加される、工程
    を含む、プロセス。
JP2010514908A 2007-06-28 2008-05-20 ゲート構造体を形成する方法 Pending JP2010532096A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94673407P 2007-06-28 2007-06-28
PCT/US2008/064181 WO2009005902A1 (en) 2007-06-28 2008-05-20 Method for forming gate structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010532096A JP2010532096A (ja) 2010-09-30
JP2010532096A5 true JP2010532096A5 (ja) 2011-07-07

Family

ID=40226440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010514908A Pending JP2010532096A (ja) 2007-06-28 2008-05-20 ゲート構造体を形成する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8318552B2 (ja)
EP (1) EP2183781B1 (ja)
JP (1) JP2010532096A (ja)
CN (1) CN101720509B (ja)
WO (1) WO2009005902A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8318552B2 (en) 2007-06-28 2012-11-27 3M Innovative Properties Company Method for forming gate structures
JP2010040897A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Sony Corp 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
US8895425B2 (en) * 2012-09-14 2014-11-25 Snu R&Db Foundation Method of forming channel layer of electric device and method of manufacturing electric device using the same
CN104867876B (zh) * 2014-02-24 2017-11-14 清华大学 薄膜晶体管阵列的制备方法
CN104960864A (zh) * 2015-06-29 2015-10-07 佛山市润华粤发自动化机械厂 一种铝型材自动扎排上排生产线及其使用方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3643670A (en) * 1970-08-20 1972-02-22 Finishing Equipment And Supply Apparatus for liquid treatment of flat materials
JPS6126261A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 縦形mos電界効果トランジスタの製造方法
JPS62229873A (ja) * 1986-03-29 1987-10-08 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
US4865699A (en) * 1988-06-24 1989-09-12 Fromson H A Process and apparatus for anodizing aluminum
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH04157427A (ja) * 1990-10-22 1992-05-29 Hitachi Ltd 陽極酸化装置
JP3153065B2 (ja) * 1993-12-27 2001-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の電極の作製方法
JP3748295B2 (ja) 1996-07-22 2006-02-22 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用アルミニウム支持体の粗面化方法
JPH11183904A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
AU2001227838A1 (en) 2000-09-06 2002-03-22 3M Innovative Properties Company Integrated circuit having organic semiconductor and anodized gate dielectric
US6267861B1 (en) * 2000-10-02 2001-07-31 Kemet Electronics Corporation Method of anodizing valve metals
US6572743B2 (en) * 2001-08-23 2003-06-03 3M Innovative Properties Company Electroplating assembly for metal plated optical fibers
US6746590B2 (en) * 2001-09-05 2004-06-08 3M Innovative Properties Company Ultrasonically-enhanced electroplating apparatus and methods
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US6998068B2 (en) * 2003-08-15 2006-02-14 3M Innovative Properties Company Acene-thiophene semiconductors
US6946676B2 (en) * 2001-11-05 2005-09-20 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with polymeric interface
US6617609B2 (en) * 2001-11-05 2003-09-09 3M Innovative Properties Company Organic thin film transistor with siloxane polymer interface
US6667215B2 (en) * 2002-05-02 2003-12-23 3M Innovative Properties Method of making transistors
JP2004243633A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版用支持体の製造方法
US7098525B2 (en) * 2003-05-08 2006-08-29 3M Innovative Properties Company Organic polymers, electronic devices, and methods
US7208756B2 (en) * 2004-08-10 2007-04-24 Ishiang Shih Organic semiconductor devices having low contact resistance
US7298084B2 (en) * 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7368045B2 (en) * 2005-01-27 2008-05-06 International Business Machines Corporation Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow
US7645478B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US20080011225A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Mcclure Donald J Apparatus and methods for continuously depositing a pattern of material onto a substrate
US20080095988A1 (en) * 2006-10-18 2008-04-24 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a deposit metal on a polymeric substrate
US8764996B2 (en) * 2006-10-18 2014-07-01 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a material on polymeric substrates
US7655127B2 (en) * 2006-11-27 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of fabricating thin film transistor
US20080121877A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 3M Innovative Properties Company Thin film transistor with enhanced stability
US7968804B2 (en) * 2006-12-20 2011-06-28 3M Innovative Properties Company Methods of patterning a deposit metal on a substrate
US20080171422A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Tokie Jeffrey H Apparatus and methods for fabrication of thin film electronic devices and circuits
US8318552B2 (en) 2007-06-28 2012-11-27 3M Innovative Properties Company Method for forming gate structures

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010532096A5 (ja)
JP5150727B2 (ja) インライン設備における平面状製品の電気的接触装置および方法
KR100372839B1 (ko) 금속 배선의 제조 방법 및 그 금속 배선을 구비한 배선 기판
JP2013130615A5 (ja)
EP3333900A1 (en) Thin film transistor and array substrate, and manufacturing method thereof, and display device
US20100140104A1 (en) Electrolytic etching method and method of producing a solar battery
CN107591416B (zh) 一种阵列基板的制造方法和阵列基板
JP6043295B2 (ja) 電子デバイス
US8318552B2 (en) Method for forming gate structures
WO2018025960A1 (ja) ダイコーター、色素増感太陽電池の製造装置、及び電池の製造方法
TWI359214B (en) Electroplating method
KR101993769B1 (ko) 롤투롤 공정의 인쇄회로기판 수평 도금라인에서 캐소드롤러의 역 도금 방지 장치
US11821100B2 (en) Conductive plating apparatus, plating system and plating method for conductive film
EP3282488A1 (en) Thin-film transistor array formation substrate, image display device substrate, and thin-film transistor array formation substrate manufacturing method
US11414776B2 (en) Electrochemical processing device and method for operating electrochemical processing device
CN107046049B (zh) 显示装置的制造方法和成膜装置
JP4341380B2 (ja) 可撓性配線基板、可撓性配線基板の製造方法、電子デバイスおよび電子機器
EP3221497B1 (en) Galvanic plating device of a horizontal galvanic plating processing line for galvanic metal deposition and use thereof
CN101405823B (zh) 固体电解电容器的制造装置、固体电解电容器的制造方法、固体电解电容器
US20120132991A1 (en) Organic thin-film transistor, and process for production thereof
KR960036139A (ko) 반도체 집적회로의 제조방법
US20220181196A1 (en) Deposition apparatus and display panel manufacturing apparatus including the same
JP6662231B2 (ja) 給電治具、ワーク保持治具、化学処理装置
WO2011151463A1 (en) Conductive elements in organic electronic devices
KR101186574B1 (ko) 전기소자의 채널층 형성 방법 및 이를 이용하는 전기소자의 제조 방법