JPH04155731A - 反射防止膜および陰極線管 - Google Patents
反射防止膜および陰極線管Info
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- JPH04155731A JPH04155731A JP2282547A JP28254790A JPH04155731A JP H04155731 A JPH04155731 A JP H04155731A JP 2282547 A JP2282547 A JP 2282547A JP 28254790 A JP28254790 A JP 28254790A JP H04155731 A JPH04155731 A JP H04155731A
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は陰極線管の表示装置等に適用される多層反射
防止膜に関するものである。
防止膜に関するものである。
（従来の技術）
陰極線管の表面で外光が反射して表示画像の視認性が劣
化するのを防止するために、フェースプレートすなわち
ガラス基板の外表面を、サンドブラストやフロスト処理
して、あるいはシリコン酸化物の粗面膜を塗布して粗面
化する構造が知られている。
化するのを防止するために、フェースプレートすなわち
ガラス基板の外表面を、サンドブラストやフロスト処理
して、あるいはシリコン酸化物の粗面膜を塗布して粗面
化する構造が知られている。
シリコン酸化物の粗面膜を形成する方法は、第４図に示
すようにエチルシリケート５ｉ（ＯＲ）４（ただしＲは
アルキル基）のアルコール溶液を予め５０℃乃至６０℃
に加熱されたガラス基板４０の外表面にスプレー塗布し
焼成して、表面が凹凸の膜４１を形成するもので、平均
膜厚ｄＡＶは１００ｎｍ、凹凸のピッチＰは１５乃至２
０μｍ程度である。
すようにエチルシリケート５ｉ（ＯＲ）４（ただしＲは
アルキル基）のアルコール溶液を予め５０℃乃至６０℃
に加熱されたガラス基板４０の外表面にスプレー塗布し
焼成して、表面が凹凸の膜４１を形成するもので、平均
膜厚ｄＡＶは１００ｎｍ、凹凸のピッチＰは１５乃至２
０μｍ程度である。
基板表面の粗面化により、例えば蛍光灯のような外光も
乱反射により輪郭のぼけた反射像となり、外光の画像に
対する障害が軽減される。しかし粗面は同時に画像光を
も拡散し解像度を劣化してしまうという不都合がある。
乱反射により輪郭のぼけた反射像となり、外光の画像に
対する障害が軽減される。しかし粗面は同時に画像光を
も拡散し解像度を劣化してしまうという不都合がある。
この粗面のピッチを微細化して解像度の劣化を防ぐ技術
として、直径１０乃至１０００ ｎａ（” Ｓ］０２微
粒子を分散させたエチルシリケートＳｌ （ＯＲ）４の
アルコール溶液をガラス基板表面に塗布、焼成する技術
がある（特開平１−１５４４４４号公報）。得られる膜
は第５図に示すようにＳｉ０２微粒子５１とＳ ｉ ０
２薄膜５２からなるものであるが、光散乱による反射防
止効果を得るのか本質であるから、幾何光学的な拡散を
生じるように比較的大粒子のＳｉＯ３微粒子を使用しな
ければならないため、解像度劣化の根本的な解消にはな
らない。
として、直径１０乃至１０００ ｎａ（” Ｓ］０２微
粒子を分散させたエチルシリケートＳｌ （ＯＲ）４の
アルコール溶液をガラス基板表面に塗布、焼成する技術
がある（特開平１−１５４４４４号公報）。得られる膜
は第５図に示すようにＳｉ０２微粒子５１とＳ ｉ ０
２薄膜５２からなるものであるが、光散乱による反射防
止効果を得るのか本質であるから、幾何光学的な拡散を
生じるように比較的大粒子のＳｉＯ３微粒子を使用しな
ければならないため、解像度劣化の根本的な解消にはな
らない。
このような解像度劣化のない構造に第６図に示すような
多層蒸着膜６１がある。すなわち、屈折率１．３８のＭ
ｇＦ２層６２と屈折率２．０６の（Ｔ１０２ ＋Ｐｒｅ
０１１）層６３等を例えば交互に４層に形成したもの
で、正反射率は干渉によって０、 １％以下に下がる。
多層蒸着膜６１がある。すなわち、屈折率１．３８のＭ
ｇＦ２層６２と屈折率２．０６の（Ｔ１０２ ＋Ｐｒｅ
０１１）層６３等を例えば交互に４層に形成したもの
で、正反射率は干渉によって０、 １％以下に下がる。
しかしながら蒸着膜の形成には大規模な真空蒸着設備な
どを必要とし、生産性の面で好ましくない。
どを必要とし、生産性の面で好ましくない。
蒸着のかわりに塗布法を用いて多層膜を形成する試みも
なされている（ゾル−ゲル法）。すなわち、エチルシリ
ケート５ｌ（ＯＲ）４のアルコール溶液中に必要とする
屈折率をもつ例えばＭｇＰ２やＴｌＯ２の微粒子を分散
させた塗布液か、金属アルコキシド溶液を基板に塗布し
焼成するもので、この場合、生成するＳ ｓ ０２膜は
微粒子のバインダーとして作用する。所望の屈折率の膜
を形成するためには膜中の微粒子の含有量を多くしなく
てはならず、このためバインダー成分が少なくなり膜が
剥離しやすく、その対策として６００℃以上の高温焼成
か必要になり、適用する基板の材料も制約され、製造価
格も高くなる。
なされている（ゾル−ゲル法）。すなわち、エチルシリ
ケート５ｌ（ＯＲ）４のアルコール溶液中に必要とする
屈折率をもつ例えばＭｇＰ２やＴｌＯ２の微粒子を分散
させた塗布液か、金属アルコキシド溶液を基板に塗布し
焼成するもので、この場合、生成するＳ ｓ ０２膜は
微粒子のバインダーとして作用する。所望の屈折率の膜
を形成するためには膜中の微粒子の含有量を多くしなく
てはならず、このためバインダー成分が少なくなり膜が
剥離しやすく、その対策として６００℃以上の高温焼成
か必要になり、適用する基板の材料も制約され、製造価
格も高くなる。
（発明か解決しようとする課題）
本発明は上記不都合を考慮してなされたもので、表示画
像の解像度劣化を生じない表示装置の反射防止膜と陰極
線管を得るものである。
像の解像度劣化を生じない表示装置の反射防止膜と陰極
線管を得るものである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、ガラス基体の表面に形成され高屈折率層と低
屈折率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多層光学膜
からなる反射防止膜において、前記高屈折率層は高屈折
率微粒子とＳｉＯ２微粒子を３１０゜の結着層に混合分
散したＳｉ０２層でなり、前記各微粒子の平均粒径が５
０ｎ＋ｏ未満で、かつ前記高屈折率微粒子のＳｉ０２微
粒子に対する混合割合が１乃至２０ｖｔ％であることを
特徴とする反射防止膜を得るものである。
屈折率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多層光学膜
からなる反射防止膜において、前記高屈折率層は高屈折
率微粒子とＳｉＯ２微粒子を３１０゜の結着層に混合分
散したＳｉ０２層でなり、前記各微粒子の平均粒径が５
０ｎ＋ｏ未満で、かつ前記高屈折率微粒子のＳｉ０２微
粒子に対する混合割合が１乃至２０ｖｔ％であることを
特徴とする反射防止膜を得るものである。
また、内面に蛍光体スクリーンを形成し、外面に高屈折
率層と低屈折率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多
層光学膜からなる反射防止膜を形成したガラスのフェー
スプレートを含む外囲器を具備する陰極線管において、
前記高屈折率層は高屈折率微粒子とＳ ｉＯ２微粒子を
Ｓ ］ ０２の結石層に混合分散したＳｉＯ３層でなり
、前記各微粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満で、前記高屈
折率微粒子のＳｉＯ２微粒子に対する混合割合が１乃至
２０ｖｔ％であることを特徴とする陰極線管を得るもの
である。
率層と低屈折率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多
層光学膜からなる反射防止膜を形成したガラスのフェー
スプレートを含む外囲器を具備する陰極線管において、
前記高屈折率層は高屈折率微粒子とＳ ｉＯ２微粒子を
Ｓ ］ ０２の結石層に混合分散したＳｉＯ３層でなり
、前記各微粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満で、前記高屈
折率微粒子のＳｉＯ２微粒子に対する混合割合が１乃至
２０ｖｔ％であることを特徴とする陰極線管を得るもの
である。
（作用）
ＳｉＯ３微粒子を高屈折率微粒子のＳｉ０２微粒子に対
する割合が１乃至２０ｖｔ％になるように混合してＳ
］ ０２結着層に分散したことにより、高屈折率微粒子
を単独でＳ ｉＯ２結着層で固着した場合よりも強固な
膜を形成することができる。
する割合が１乃至２０ｖｔ％になるように混合してＳ
］ ０２結着層に分散したことにより、高屈折率微粒子
を単独でＳ ｉＯ２結着層で固着した場合よりも強固な
膜を形成することができる。
すなわち、第３図に示すように、ガラス基板１上に高屈
折率層２を形成し、さらに低屈折率層３を積層して、こ
の２層で反射防止膜４を構成する。
折率層２を形成し、さらに低屈折率層３を積層して、こ
の２層で反射防止膜４を構成する。
高屈折率層３はエチルシリケート５ｌ（ＯＲ）４の加水
分解縮合で形成されるＳｉＯ２結着層５、この層内に分
散するＳｉＯ□微粒子６および高屈折率微粒子７からな
る。Ｓｉ０２結看層５はガラス基板１とＳ ］ ０２微
粒子６とをシロキサン結合８により強固に結合する。Ｓ
ｒ ０２結着層５が単独で膜を形成した場合は、２０
０℃乃至２５０℃程度に処理温度が制約されると、膜強
度が弱いが、硬度の大なるＳｉＯ２微粒子６の添加によ
り膜強度が高められる。
分解縮合で形成されるＳｉＯ２結着層５、この層内に分
散するＳｉＯ□微粒子６および高屈折率微粒子７からな
る。Ｓｉ０２結看層５はガラス基板１とＳ ］ ０２微
粒子６とをシロキサン結合８により強固に結合する。Ｓ
ｒ ０２結着層５が単独で膜を形成した場合は、２０
０℃乃至２５０℃程度に処理温度が制約されると、膜強
度が弱いが、硬度の大なるＳｉＯ２微粒子６の添加によ
り膜強度が高められる。
さらに異種の金属酸化物でなる高屈折率微粒子７が分散
することによる膜強度の劣化を、高屈折率微粒子７に対
して５倍以上含まれるＳ ｉＯ２微粒子によってＳ ｉ
Ｏ２結着層との接着力が弱い高屈折率微粒子７を取囲む
構造となり、強度劣化を防止する。
することによる膜強度の劣化を、高屈折率微粒子７に対
して５倍以上含まれるＳ ｉＯ２微粒子によってＳ ｉ
Ｏ２結着層との接着力が弱い高屈折率微粒子７を取囲む
構造となり、強度劣化を防止する。
さらに各微粒子６．７の平均粒径を５０ｎ■未満とする
ことで、粒子とＳｉＯ２結着層界面の光散乱が軽減され
て、層を透過する表示画像の光の散乱が生じない。
ことで、粒子とＳｉＯ２結着層界面の光散乱が軽減され
て、層を透過する表示画像の光の散乱が生じない。
（実施例）
以下図面により、本発明の詳細な説明する。
第１図及び第２図は本発明を陰極線管の反射防止膜に適
用したもので、第２図は陰極線管を示し、ガラスででき
た真空外囲器１０はフェースプレート１１、ファンネル
１２、ネック１３からなる。
用したもので、第２図は陰極線管を示し、ガラスででき
た真空外囲器１０はフェースプレート１１、ファンネル
１２、ネック１３からなる。
フェースプレート１１は内面に蛍光体スクリーン１４を
塗布し、外面に反射防止膜１５を形成している。
塗布し、外面に反射防止膜１５を形成している。
第１図に示すように、反射防止膜１５はガラスのフェー
スプレート１１上に第２層の高屈折率層１６と第１層の
低屈折率層１７の２層を積層したもので構成される。高
屈折率層１６はＳｉＯ３結着層１８中にＴｉＯ高屈折率
微粒子１９とＳｉＯ３微粒子２０を混合分散したもので
、各微粒子の平均粒径は５０ｎｍ未満に選択される。Ｔ
ｉＯ２高屈折率層粒子はＳｉＯ３微粒子の量に対して
重量組成比で１乃至２０ｖｔ％含まれる。
スプレート１１上に第２層の高屈折率層１６と第１層の
低屈折率層１７の２層を積層したもので構成される。高
屈折率層１６はＳｉＯ３結着層１８中にＴｉＯ高屈折率
微粒子１９とＳｉＯ３微粒子２０を混合分散したもので
、各微粒子の平均粒径は５０ｎｍ未満に選択される。Ｔ
ｉＯ２高屈折率層粒子はＳｉＯ３微粒子の量に対して
重量組成比で１乃至２０ｖｔ％含まれる。
この高屈折率層１６上に積層される低屈折率層１７はＳ
ｉＯ３結着層２１中に平均粒径５０ｎｍ未満のＭｇＦ２
低屈折率微粒子２２を分散固着した構造を有する。
ｉＯ３結着層２１中に平均粒径５０ｎｍ未満のＭｇＦ２
低屈折率微粒子２２を分散固着した構造を有する。
反射防止膜１５の製造は、まず平均粒径５０ｒｕ＋＋未
満に調整したＴｊＯ微粒子とＳ ］ Ｏ０２微粒子を重
量組成比（ＴｊＯ／ ＳｉＯ２ ） −１乃至２０ｖｔ
％になるように混入し安定分散させたエチルシリケー）
Ｓｌ （ＯＲ）４のアルコール溶液を、フェースプレ
ート上に１００乃至５００ ｒｐｍの回転でスピン塗布
することによって得られる。エチルシリケート５ｌ（Ｏ
Ｒ）４は溶媒であるアルコールが気化し加水分解後に脱
水縮合してＳｉＯ３になる（ゾル−ゲル法）。
満に調整したＴｊＯ微粒子とＳ ］ Ｏ０２微粒子を重
量組成比（ＴｊＯ／ ＳｉＯ２ ） −１乃至２０ｖｔ
％になるように混入し安定分散させたエチルシリケー）
Ｓｌ （ＯＲ）４のアルコール溶液を、フェースプレ
ート上に１００乃至５００ ｒｐｍの回転でスピン塗布
することによって得られる。エチルシリケート５ｌ（Ｏ
Ｒ）４は溶媒であるアルコールが気化し加水分解後に脱
水縮合してＳｉＯ３になる（ゾル−ゲル法）。
層１６を高屈折率化するために、ＳｉＯ３よりも高屈折
率のＴｉＯ３の微粒子を使用するが、層を所望の高屈折
率にするためには、高屈折率物質の溶媒に対する濃度を
１％以上にする必要かある。また強固な膜を維持するた
めにＴ ｉｏ ２微粒子／ ＳｉＯ２微粒子の重量組成
比を１乃至２０ｖｔ％とし、かつＴｉＯ微粒子／ Ｓｉ
Ｏ２ （微粒子＋結着層）の重量組成比を２％以上に
する必要がある。なお、ＴＩＯ微粒子／ ＳｉＯ２微粒
子の重量組成比を２０ｖｔ％以上にすると膜強度が劣化
する。高屈折率物質はＴｉＯのほかＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ
３、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。また膜厚を均
一にするために溶媒に対する固形分を５％以下にし、溶
媒としてエタノール、メタノール、ブタノール、ＩＰＡ
１酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブ、メチル
エチルケトン等を添加するのが望ましい。
率のＴｉＯ３の微粒子を使用するが、層を所望の高屈折
率にするためには、高屈折率物質の溶媒に対する濃度を
１％以上にする必要かある。また強固な膜を維持するた
めにＴ ｉｏ ２微粒子／ ＳｉＯ２微粒子の重量組成
比を１乃至２０ｖｔ％とし、かつＴｉＯ微粒子／ Ｓｉ
Ｏ２ （微粒子＋結着層）の重量組成比を２％以上に
する必要がある。なお、ＴＩＯ微粒子／ ＳｉＯ２微粒
子の重量組成比を２０ｖｔ％以上にすると膜強度が劣化
する。高屈折率物質はＴｉＯのほかＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ
３、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。また膜厚を均
一にするために溶媒に対する固形分を５％以下にし、溶
媒としてエタノール、メタノール、ブタノール、ＩＰＡ
１酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブ、メチル
エチルケトン等を添加するのが望ましい。
このようにして得られた高屈折率層１６の屈折率ｎ は
約１．８、平均膜厚はλｏ／（４ｎ１）から■ 約７６ｎ■（λｏ −５５０ｎ厘）である。
約１．８、平均膜厚はλｏ／（４ｎ１）から■ 約７６ｎ■（λｏ −５５０ｎ厘）である。
次にエチルシリケート５ｔ（ＯＲ）４のアルコール溶液
または粒径１０乃至５０ｎｍのＭｇＦ２をエチルシリケ
ートのアルコール溶液に分散させた塗布液を第２層であ
る前記高屈折率層の上にスピン塗布した。これにより得
られる第１層の塗膜は前者はＳｉＯ単独の膜、後者はＭ
ｇＦ２微粒子をＳｉＯ３膜で固めた構造になる。
または粒径１０乃至５０ｎｍのＭｇＦ２をエチルシリケ
ートのアルコール溶液に分散させた塗布液を第２層であ
る前記高屈折率層の上にスピン塗布した。これにより得
られる第１層の塗膜は前者はＳｉＯ単独の膜、後者はＭ
ｇＦ２微粒子をＳｉＯ３膜で固めた構造になる。
第１層の低屈折率層の屈折率ｎ２は各々約１゜４５、約
１．４２であり、平均膜厚は各々約９８Ｏｎｍｓ約９７
０ｎｍである。
１．４２であり、平均膜厚は各々約９８Ｏｎｍｓ約９７
０ｎｍである。
以上により積層された反射防止膜を２００℃で焼成する
と、高屈折率層はＳｉＯ微粒子と３１０２結着層とが結
合して高屈折率微粒子を包囲して固め、低屈折率層も強
固になり全体として剥離に強い膜になる。消しゴムの擦
りテストでは１００回擦っても外観上全く差異がなかっ
た。
と、高屈折率層はＳｉＯ微粒子と３１０２結着層とが結
合して高屈折率微粒子を包囲して固め、低屈折率層も強
固になり全体として剥離に強い膜になる。消しゴムの擦
りテストでは１００回擦っても外観上全く差異がなかっ
た。
この反射防止膜の正反射率は約０．５と低反射率であり
、十分な反射防止効果を示した。
、十分な反射防止効果を示した。
以上実施例で陰極線管の反射防止膜について説明したが
、本発明はこれに限定されることな（、液晶装置等の他
の表示装置の反射防止膜に適用できることはいうまでも
ない。
、本発明はこれに限定されることな（、液晶装置等の他
の表示装置の反射防止膜に適用できることはいうまでも
ない。
［発明の効果］
本発明によれば、表示画像の劣化がなく、反射率の低い
反射防止膜を比較的簡単な製造方法を用いて低コストで
形成することができる。
反射防止膜を比較的簡単な製造方法を用いて低コストで
形成することができる。
第１図は本発明の一実施例の反射防止膜の一部拡大断面
図、第２図は第１図の反射防止膜が適用された陰極線管
の断面図、第３図は本発明の詳細な説明する図、第４図
乃至第６図は従来の陰極線管の反射防止膜の一部拡大断
面図である。 １１・・・フェースプレート、 １４・・・蛍光体スクリーン、 １５・・・反射防止膜、 １６・・・高屈折率層、 １７・・・低屈折率層、 １８・・・５ＩＯ２結看層。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第２図 第３図
図、第２図は第１図の反射防止膜が適用された陰極線管
の断面図、第３図は本発明の詳細な説明する図、第４図
乃至第６図は従来の陰極線管の反射防止膜の一部拡大断
面図である。 １１・・・フェースプレート、 １４・・・蛍光体スクリーン、 １５・・・反射防止膜、 １６・・・高屈折率層、 １７・・・低屈折率層、 １８・・・５ＩＯ２結看層。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）ガラス基体の表面に形成され高屈折率層と低屈折
率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多層光学膜から
なる反射防止膜において、前記高屈折率層は高屈折率微
粒子とＳｉＯ＿２微粒子をＳｉＯ＿２の結着層に混合分
散したＳｉＯ＿２層でなり、前記各微粒子の平均粒径が
５０ｎｍ未満で、かつ前記高屈折率微粒子のＳｉＯ＿２
微粒子に対する混合割合が１乃至２０２ｗｔ％であるこ
とを特徴とする反射防止膜 - （２）内面に蛍光体スクリーンを形成し、外面に高屈折
率層と低屈折率層の屈折率の異なる少なくとも２層の多
層光学膜からなる反射防止膜を形成したガラスのフェー
スプレートを含む外囲器を具備する陰極線管において、
前記高屈折率層は高屈折率微粒子とＳｉＯ＿２微粒子を
ＳｉＯ＿２の結着層に混合分散したＳｉＯ＿２層でなり
、前記各微粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満で、前記高屈
折率微粒子のＳｉＯ＿２微粒子に対する混合割合が１乃
至２０ｗｔ％であることを特徴とする陰極線管
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282547A JPH04155731A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 反射防止膜および陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282547A JPH04155731A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 反射防止膜および陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155731A true JPH04155731A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17653895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282547A Pending JPH04155731A (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | 反射防止膜および陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162711A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 反射防止機能を持つセルフクリーニングコーティング膜とその構成体 |
| WO2008001675A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Nikon Corporation | mince film MULTICOUCHE OPTIQUE, élément optique et procédé de fabrication de mince film multicouche optique |
| CN115961247A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-04-14 | 福建戴斯光电有限公司 | 一种高透光率的光学物品 |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP2282547A patent/JPH04155731A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162711A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | 反射防止機能を持つセルフクリーニングコーティング膜とその構成体 |
| WO2008001675A1 (fr) * | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Nikon Corporation | mince film MULTICOUCHE OPTIQUE, élément optique et procédé de fabrication de mince film multicouche optique |
| JPWO2008001675A1 (ja) * | 2006-06-27 | 2009-11-26 | 株式会社ニコン | 光学多層薄膜、光学素子、及び光学多層薄膜の製造方法 |
| US8098432B2 (en) | 2006-06-27 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Optical multi-layer thin film, optical element, and method for producing the optical multi-layer thin film |
| CN115961247A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-04-14 | 福建戴斯光电有限公司 | 一种高透光率的光学物品 |
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