JPH04154131A - 半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方法 - Google Patents
半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方法Info
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- JPH04154131A JPH04154131A JP27977090A JP27977090A JPH04154131A JP H04154131 A JPH04154131 A JP H04154131A JP 27977090 A JP27977090 A JP 27977090A JP 27977090 A JP27977090 A JP 27977090A JP H04154131 A JPH04154131 A JP H04154131A
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- JP
- Japan
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- capsule
- pellet
- die bonding
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置ダイボンディングペースト塗布方
法に関する。
法に関する。
従来のダイボンディングペースト塗布方法は、ディスペ
ンス（吐出器）や、スタンプで転写する方法が多く用い
られている。第３図にディスペンス方法、第４図にスタ
ンプ方法を示した。
ンス（吐出器）や、スタンプで転写する方法が多く用い
られている。第３図にディスペンス方法、第４図にスタ
ンプ方法を示した。
すなわちディスペンス方法は第３図に示すように、ディ
スペンス１に入れられたペースト２はニードル先端から
リードフレーム３の所定の位置に吐出され、その上にベ
レットが接着される。また第４図に示すスタンプ方法で
は容器６にペースト２が入れられ、スタンプ５の先端を
ペーストにつけ、リードフレームの所定位置に転写し、
これにベレットを接着させる。
スペンス１に入れられたペースト２はニードル先端から
リードフレーム３の所定の位置に吐出され、その上にベ
レットが接着される。また第４図に示すスタンプ方法で
は容器６にペースト２が入れられ、スタンプ５の先端を
ペーストにつけ、リードフレームの所定位置に転写し、
これにベレットを接着させる。
従来のダイボンディングペースト塗布方法であるディス
ペンス方法、スタンピング方法は、吐出量及び転写量の
調整が煩わしくディスペンス方法の場合に於いては、シ
リンジ内のペーストの残量を確認する事が困難である。
ペンス方法、スタンピング方法は、吐出量及び転写量の
調整が煩わしくディスペンス方法の場合に於いては、シ
リンジ内のペーストの残量を確認する事が困難である。
（内壁にペーストが付着している為）又、ディスペンス
を暫く停止状態にしておくとニードル先端からペースト
が垂れベレットやリードフレームを汚してしまう。
を暫く停止状態にしておくとニードル先端からペースト
が垂れベレットやリードフレームを汚してしまう。
一方、ペーストの利用率に着目すると、ディスペンス方
法はシリンジ内壁に付着したペーストは完全に吐出出来
ず廃棄となり、スタンピング方法に於いては、−旦容器
へ移したペーストを回収することは困難であり、共に、
経済的な面で問題が有る。
法はシリンジ内壁に付着したペーストは完全に吐出出来
ず廃棄となり、スタンピング方法に於いては、−旦容器
へ移したペーストを回収することは困難であり、共に、
経済的な面で問題が有る。
本発明の目的は、ダイボンディングに使用するペースト
の塗布量を容易に調整でき、ベレットサイズの異ること
による設備の機種切り換え工数が削減でき、またディス
ペンス方法に於ける設備停止時のペーストの垂れ問題も
なく、ペーストの利用率の悪さも発生しない半導体装置
用ダイボンディングペースト塗布方法を提供することに
ある。
の塗布量を容易に調整でき、ベレットサイズの異ること
による設備の機種切り換え工数が削減でき、またディス
ペンス方法に於ける設備停止時のペーストの垂れ問題も
なく、ペーストの利用率の悪さも発生しない半導体装置
用ダイボンディングペースト塗布方法を提供することに
ある。
本発明の半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方
法は、ダイボンディングペーストを小さなカプセルに封
じ込めて提供する事を特徴として構成され、その結果カ
プセルの大きさにより塗布量が簡単に調整でき、且つ無
駄なくペーストを使用する事が出来るという特徴を有し
ている。
法は、ダイボンディングペーストを小さなカプセルに封
じ込めて提供する事を特徴として構成され、その結果カ
プセルの大きさにより塗布量が簡単に調整でき、且つ無
駄なくペーストを使用する事が出来るという特徴を有し
ている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例に使用するダイボンディングペース
トの封じ込められたカプセルの断面図である。
は本発明の一実施例に使用するダイボンディングペース
トの封じ込められたカプセルの断面図である。
本発明に使用するダイボンディングペーストはペースト
と同じ素材で形成されているエポキシ系樹脂のカプセル
の中に封じ込められており、カプセルは、薄い膜で作ら
れており、多少の弾力性を持っている。
と同じ素材で形成されているエポキシ系樹脂のカプセル
の中に封じ込められており、カプセルは、薄い膜で作ら
れており、多少の弾力性を持っている。
第２図は本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した塗布方法の説明図である。
した塗布方法の説明図である。
本発明のダイボンディングペースト塗布方法の一実施例
を第２図により説明する。カプセルに封じ込めたダイボ
ンディングペーストを容器のノズル先端から順次送り出
しリードフレームのベレットアイランドへ押しつけ固定
する。次に、熱風赤外線等でカプセルを加熱し、カプセ
ル内で発生するガス圧でカプセル自体を破壊し、ペース
トをベレットアイランド上に塗布する。次いで、塗布さ
れたペースト２上にベレットを接着させる。
を第２図により説明する。カプセルに封じ込めたダイボ
ンディングペーストを容器のノズル先端から順次送り出
しリードフレームのベレットアイランドへ押しつけ固定
する。次に、熱風赤外線等でカプセルを加熱し、カプセ
ル内で発生するガス圧でカプセル自体を破壊し、ペース
トをベレットアイランド上に塗布する。次いで、塗布さ
れたペースト２上にベレットを接着させる。
以上説明したように本発明は、半導体装置のダイボンデ
ィングに於いて、ペーストをカプセルに封じ込め使用す
ることにより、ペーストの量をカプセルの大きさで、容
易に調整することが出来、ペレットサイズが異ることに
よる設備の機種切り換え工数が削減出来る。又、ディス
ペンス方法での設備停止のペースト垂れも本発明では発
生しない。
ィングに於いて、ペーストをカプセルに封じ込め使用す
ることにより、ペーストの量をカプセルの大きさで、容
易に調整することが出来、ペレットサイズが異ることに
よる設備の機種切り換え工数が削減出来る。又、ディス
ペンス方法での設備停止のペースト垂れも本発明では発
生しない。
又、ディスペンス方法やスタンピング方法で問題となる
ペーストの利用率の悪さも、本発明ではカプセル単位で
使用する為無駄が発生せず、利用率は１００％となる。
ペーストの利用率の悪さも、本発明ではカプセル単位で
使用する為無駄が発生せず、利用率は１００％となる。
第１図は本発明の一実施例に使用するペーストの封じ込
められたカプセルの断面図、第２図は本発明の一実施例
を説明するために工程順に示した塗布方法を示す説明図
、第３図は従来技術であるディスペンスを使用したディ
スペンス塗布方法の説明図、第４図は従来技術であるス
タンプを使用したスタンピング塗布方法の説明図である
。 １・・・ディスペンス、２・・・ペースト、３・・リー
ドフレーム、４・・・ベレット、５・・・スタンプ、６
・・・容器、７・・・カプセル、８・・・ノズル、９・
・・熱線。
められたカプセルの断面図、第２図は本発明の一実施例
を説明するために工程順に示した塗布方法を示す説明図
、第３図は従来技術であるディスペンスを使用したディ
スペンス塗布方法の説明図、第４図は従来技術であるス
タンプを使用したスタンピング塗布方法の説明図である
。 １・・・ディスペンス、２・・・ペースト、３・・リー
ドフレーム、４・・・ベレット、５・・・スタンプ、６
・・・容器、７・・・カプセル、８・・・ノズル、９・
・・熱線。
Claims (1)
- 半導体装置のダイボンディングに於いてダイボンディ
ングペーストをカプセルに封じ込めた状態で供給する事
を特徴とする半導体装置用ダイボンディングペースト塗
布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977090A JPH04154131A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977090A JPH04154131A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154131A true JPH04154131A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17615672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27977090A Pending JPH04154131A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 半導体装置用ダイボンディングペースト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04154131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176890A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP27977090A patent/JPH04154131A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176890A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4544675B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2010-09-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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