JPH04152515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04152515A JPH04152515A JP27671390A JP27671390A JPH04152515A JP H04152515 A JPH04152515 A JP H04152515A JP 27671390 A JP27671390 A JP 27671390A JP 27671390 A JP27671390 A JP 27671390A JP H04152515 A JPH04152515 A JP H04152515A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に於ける薄膜形成を行
なうホットウォール型の減圧ＯＶＤ装置の該反応管内壁
に凹、凸を有する構造に関する。
なうホットウォール型の減圧ＯＶＤ装置の該反応管内壁
に凹、凸を有する構造に関する。
従来の半導体装置の製造方法は、反応管に透明石英を使
用し、アニール等の熱処理により内壁表面は、十分なめ
らかな状態で第２図に反応管断面を示すように、薄膜形
成において膜が付着する部分はなめらかであった。
用し、アニール等の熱処理により内壁表面は、十分なめ
らかな状態で第２図に反応管断面を示すように、薄膜形
成において膜が付着する部分はなめらかであった。
しかし前述第２図反応管の内壁は十分なめらかであるこ
とにより核反応管内部に付着した、気相成長による薄膜
形成は、数回程度の膜形成により反応管内壁に付着した
膜は、膜厚増加、石英との機械的なストレスにより剥離
又は温度上下による熱ストレスにおける剥離が発生し直
接基板上にパーティクルとして付着したり、雰囲気によ
り拡散し薄膜の膜質及び製品の歩留等を著しく悪くする
という問題点を有していた。
とにより核反応管内部に付着した、気相成長による薄膜
形成は、数回程度の膜形成により反応管内壁に付着した
膜は、膜厚増加、石英との機械的なストレスにより剥離
又は温度上下による熱ストレスにおける剥離が発生し直
接基板上にパーティクルとして付着したり、雰囲気によ
り拡散し薄膜の膜質及び製品の歩留等を著しく悪くする
という問題点を有していた。
そこで、本発明は従来のこのような課題を解決する為、
反応管内壁の薄膜が形成される部分に凹凸をつけること
により実効的な表面積を増加させることにより石英表面
と、薄膜との密着性を改善することにより、基板への剥
離を出来るだけ低下させるとともに、反応管のクリーニ
ング回数（メンテナンス時間）を減少させることにより
長期間にわたって安定な薄膜形成装置とすることを目的
としている。
反応管内壁の薄膜が形成される部分に凹凸をつけること
により実効的な表面積を増加させることにより石英表面
と、薄膜との密着性を改善することにより、基板への剥
離を出来るだけ低下させるとともに、反応管のクリーニ
ング回数（メンテナンス時間）を減少させることにより
長期間にわたって安定な薄膜形成装置とすることを目的
としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体製造において
薄膜形成を行なう減圧ＯＶＤ装置において、ホットウォ
ール型構造を有しプロセスチャンバー自体が薄膜形成温
度と同等まで上昇し、チャンバー内面に薄膜が形成され
る構造の半導体装置において、該チャンバー内壁全面に
１０μｍから５００μｍの凹凸を有することを特徴とす
る。
薄膜形成を行なう減圧ＯＶＤ装置において、ホットウォ
ール型構造を有しプロセスチャンバー自体が薄膜形成温
度と同等まで上昇し、チャンバー内面に薄膜が形成され
る構造の半導体装置において、該チャンバー内壁全面に
１０μｍから５００μｍの凹凸を有することを特徴とす
る。
第１図は横型ホットウォール型の減圧ＯＶＤ装置の実施
例を示す。１は半導体基板、２はアウターチューブ、６
は反応管（チャンバー又はインナーチューブ）、５はガ
ス導入管である。
例を示す。１は半導体基板、２はアウターチューブ、６
は反応管（チャンバー又はインナーチューブ）、５はガ
ス導入管である。
以下、詳細に説明する。
薄膜形成におけるホットウォール型の横型減圧ＯＶＤ装
置において石英の２重管構造における内側反応管（イン
ナーチューブ）においてガス導入管部より反応用ガスを
供給し、ヒーターにて加熱されたアウターチューブ及び
内部におかれた、半導体基板に薄膜形成を行なうと同時
に熱された反応管内壁に凹凸の処理をほどこした管を使
用する構造となっている。薄膜形成を繰り返し行なうこ
とにより内壁に付着した薄膜はストレスにより剥離し半
導体基板表面に落下し易いものとなっていたが、第３図
は本発明の石英反応管内部に凹凸を付けることにより内
壁に付着している薄膜との密着性を実効的面積の増加す
ることにより内壁からの剥離を低減し反応管内部の半導
体基板表面への落下及び付着を低減しパーティクルの発
生を元からおさえることができる。以上は本発明の一実
施例であり、 基板は半導体ウェハーに限らず、ガラス基板等にも使用
可能であり、又反応管は石英に限らずＳ１０、アルミナ
等の使用も可能である。
置において石英の２重管構造における内側反応管（イン
ナーチューブ）においてガス導入管部より反応用ガスを
供給し、ヒーターにて加熱されたアウターチューブ及び
内部におかれた、半導体基板に薄膜形成を行なうと同時
に熱された反応管内壁に凹凸の処理をほどこした管を使
用する構造となっている。薄膜形成を繰り返し行なうこ
とにより内壁に付着した薄膜はストレスにより剥離し半
導体基板表面に落下し易いものとなっていたが、第３図
は本発明の石英反応管内部に凹凸を付けることにより内
壁に付着している薄膜との密着性を実効的面積の増加す
ることにより内壁からの剥離を低減し反応管内部の半導
体基板表面への落下及び付着を低減しパーティクルの発
生を元からおさえることができる。以上は本発明の一実
施例であり、 基板は半導体ウェハーに限らず、ガラス基板等にも使用
可能であり、又反応管は石英に限らずＳ１０、アルミナ
等の使用も可能である。
以上述べたような発明によれば、反応管内壁に１１０１
Ｉから５００μｍの凹凸を付けることにより薄膜形成に
より反応管内部に付着した薄膜の剥離を従来の１／１ｏ
に低減することが可能であり、基板表面への付着は著し
く低減出来るとともに、反応管のクリーニング回数も１
１５程度に低減しより安定しパーティクルの少ない薄膜
を長期間にわたって形成を行なえることを可能としてい
る。
Ｉから５００μｍの凹凸を付けることにより薄膜形成に
より反応管内部に付着した薄膜の剥離を従来の１／１ｏ
に低減することが可能であり、基板表面への付着は著し
く低減出来るとともに、反応管のクリーニング回数も１
１５程度に低減しより安定しパーティクルの少ない薄膜
を長期間にわたって形成を行なえることを可能としてい
る。
第１図は横型ホットウォール型減圧ＯＶＤ装置の概要図
を示す図。 第２図は、従来の石英反応管の表面状態の断面図。 第５図は、反応管内壁に凹凸を付けたものの状・・・・
・・・・・半導体基板 ・・・・・・・・・アウターチューブ ・・・・・・・・・反応管（インナーチューブ）・・・
・・・・・・石英ボート ・・・・・・・・・ガス導入管 ・・・・・・・・・ヒーター ・・・・・・・・・反応管に付着した薄膜以 上
を示す図。 第２図は、従来の石英反応管の表面状態の断面図。 第５図は、反応管内壁に凹凸を付けたものの状・・・・
・・・・・半導体基板 ・・・・・・・・・アウターチューブ ・・・・・・・・・反応管（インナーチューブ）・・・
・・・・・・石英ボート ・・・・・・・・・ガス導入管 ・・・・・・・・・ヒーター ・・・・・・・・・反応管に付着した薄膜以 上
Claims (1)
- 半導体装置において薄膜形成を行なう減圧ＣＶＤ装置
において、ホットウォール型構造を有しプロセスチャン
バー（反応管）自体が薄膜形成温度と同等まで上昇し、
チャンバー内面に薄膜が形成する構造の半導体装置にお
いて、該チャンバー内壁に１０μｍから５００μｍの凸
，凹を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27671390A JPH04152515A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27671390A JPH04152515A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04152515A true JPH04152515A (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17573293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27671390A Pending JPH04152515A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04152515A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044538A3 (de) * | 1997-03-27 | 1998-12-30 | Heraeus Quarzglas | Bauteil aus quarzglas für die verwendung bei der halbleiterherstellung |
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| US6187102B1 (en) | 1998-11-26 | 2001-02-13 | Tokyo Electron Limited | Thermal treatment apparatus |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27671390A patent/JPH04152515A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| WO1998044538A3 (de) * | 1997-03-27 | 1998-12-30 | Heraeus Quarzglas | Bauteil aus quarzglas für die verwendung bei der halbleiterherstellung |
| US6187102B1 (en) | 1998-11-26 | 2001-02-13 | Tokyo Electron Limited | Thermal treatment apparatus |
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