JPH04149187A - アルキルホスフィンの精製方法 - Google Patents
アルキルホスフィンの精製方法Info
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- JPH04149187A JPH04149187A JP27501790A JP27501790A JPH04149187A JP H04149187 A JPH04149187 A JP H04149187A JP 27501790 A JP27501790 A JP 27501790A JP 27501790 A JP27501790 A JP 27501790A JP H04149187 A JPH04149187 A JP H04149187A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、アルキルホスフィンの精製方法に関する。特
に本発明はＭ ＯＣＶ Ｄ （ｔｌｅｔａｌｏｒｇａｎ
ｉｃＣｈｅｍｊｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎｌ法等によるエピタキシャル膜成長の原料として
有用な高純度のアルキルホスフィンの製造方法に関する
。
に本発明はＭ ＯＣＶ Ｄ （ｔｌｅｔａｌｏｒｇａｎ
ｉｃＣｈｅｍｊｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎｌ法等によるエピタキシャル膜成長の原料として
有用な高純度のアルキルホスフィンの製造方法に関する
。
［従来の技術］
ガリウム−リン、インジウム−リン等、リンと周期律表
第３族元素とから成る単結晶は、半導体として有用であ
るが、このような半導体のエピタキシーを得る法として
、有機金属気相化学成長法が開発されている。このため
のリン原料として従来ホスフィン（ＰＨ，１が用いられ
ていたが、これは毒性が高いため、近年、低毒性の有機
リン化合物が注目されている［例えば、ジャーナルオブ
クリスタルグロース（Ｊ、Ｃｒｙ、Ｇｒｏｗｔｈ）７７
ｆ１９８６１ｐＨｌｌ。その中で特に蒸気圧の適当な
アルキルホスフィン化合物が多く利用されている。
第３族元素とから成る単結晶は、半導体として有用であ
るが、このような半導体のエピタキシーを得る法として
、有機金属気相化学成長法が開発されている。このため
のリン原料として従来ホスフィン（ＰＨ，１が用いられ
ていたが、これは毒性が高いため、近年、低毒性の有機
リン化合物が注目されている［例えば、ジャーナルオブ
クリスタルグロース（Ｊ、Ｃｒｙ、Ｇｒｏｗｔｈ）７７
ｆ１９８６１ｐＨｌｌ。その中で特に蒸気圧の適当な
アルキルホスフィン化合物が多く利用されている。
アルキルホスフィンの合成法としてモノアルキルホスフ
ィンの場合は、アルキルジハロゲノホスフィン、ホスホ
ン酸ジアルキル、アルキルジハロゲノホスホニルなどを
水素化リチウムアルミニウムや金属ナトリウムなどによ
り還元する方法、ジアルキルホスフィンの場合は５ジア
ルキルハロゲノホスフインや亜ホスフイン酸アルキルな
どを水素化リチウムアルミニウムや金属ナトリウムなど
により還元する方法、トリアルキルホスフィンの場合は
、リントリハロゲン化物をアルキルリチウムやグリニヤ
ール試薬などでアルキル置換する方法等が知られている
。
ィンの場合は、アルキルジハロゲノホスフィン、ホスホ
ン酸ジアルキル、アルキルジハロゲノホスホニルなどを
水素化リチウムアルミニウムや金属ナトリウムなどによ
り還元する方法、ジアルキルホスフィンの場合は５ジア
ルキルハロゲノホスフインや亜ホスフイン酸アルキルな
どを水素化リチウムアルミニウムや金属ナトリウムなど
により還元する方法、トリアルキルホスフィンの場合は
、リントリハロゲン化物をアルキルリチウムやグリニヤ
ール試薬などでアルキル置換する方法等が知られている
。
［発明が解決しようとする課題Ｊ
モノアルキルホスフィン、ジアルキルホスフィンを合成
する還元反応には、塩酸を用いる加水分解工程があり、
この過程で生成物のアルキルホスフィンが分解し、ハロ
ゲン化アルキルが生じる。
する還元反応には、塩酸を用いる加水分解工程があり、
この過程で生成物のアルキルホスフィンが分解し、ハロ
ゲン化アルキルが生じる。
また、還元反応原料（ジアルキルハロゲノホスフィン、
アルキルジハロゲノホスフィン、アルキルハロゲノホス
ホニルなど）の合成反応の原料としてハロゲン化アルキ
ルを用いるので未反応のハロゲン化アルキルが残留する
可能性がある。
アルキルジハロゲノホスフィン、アルキルハロゲノホス
ホニルなど）の合成反応の原料としてハロゲン化アルキ
ルを用いるので未反応のハロゲン化アルキルが残留する
可能性がある。
また、トリアルキルホスフィンの合成反応に利用するア
ルキルリチウムやグリニヤール試薬などの合成時にハロ
ゲン化アルキルを使用するため。
ルキルリチウムやグリニヤール試薬などの合成時にハロ
ゲン化アルキルを使用するため。
未反応のハロゲン化アルキルがトリアルキルホスフィン
中に残留する可能性がある。
中に残留する可能性がある。
以上のように、モノ、ジ、トリいずれのアルキルホスフ
ィンの場合でも、生成アルキルホスフィン中にハロゲン
化アルキルが残留する。特にアルキルホスフィンと、残
留したハロゲン化アルキルの沸点が近接している場合に
は、蒸留によって分離精製することは困難であった。
ィンの場合でも、生成アルキルホスフィン中にハロゲン
化アルキルが残留する。特にアルキルホスフィンと、残
留したハロゲン化アルキルの沸点が近接している場合に
は、蒸留によって分離精製することは困難であった。
一方半導体用途には特に高純度のアルキルホスフィンが
要求されるので、生成物中の微量のハロゲン化アルキル
を更に低減することが求められている。
要求されるので、生成物中の微量のハロゲン化アルキル
を更に低減することが求められている。
本発明は上記の問題点を解決したもので本発明の目的は
高純度のアルキルホスフィンを得ることにある。
高純度のアルキルホスフィンを得ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明はハロゲン化アルキルを不純物として含有するア
ルキルホスフィンにアルカリ金属を添加し、ハロゲン化
アルキルを除去することを特徴とするアルキルホスフィ
ンの精製方法である。
ルキルホスフィンにアルカリ金属を添加し、ハロゲン化
アルキルを除去することを特徴とするアルキルホスフィ
ンの精製方法である。
本発明は、いずれのアルキル基を有するアルキルホスフ
ィンでも適用することができるが、イソプロピル、ｔｅ
ｒｔ−ブチル、フェニル等のモノアルキルホスフィン、
その中でもＭＯＣＶＤ等において好適に用いられる、ｔ
ｅｒｔ−ブチルホスフィンに対して、特に有効である。
ィンでも適用することができるが、イソプロピル、ｔｅ
ｒｔ−ブチル、フェニル等のモノアルキルホスフィン、
その中でもＭＯＣＶＤ等において好適に用いられる、ｔ
ｅｒｔ−ブチルホスフィンに対して、特に有効である。
また本発明はモノアルキルホスフィン、ジアルキルホス
フィン、トリアルキルホスフィンのいずれのホスフィン
類の精製にも適用することができる。
フィン、トリアルキルホスフィンのいずれのホスフィン
類の精製にも適用することができる。
本発明で用いられるアルカリ金属は、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム等で、特にナトリウムが扱いが容易なた
め好ましい、添加量は、混入しているハロゲン化アルキ
ルに対し、モル比で等倍から１０００倍とすることがで
きるが、好ましくは５０〜２００倍位がよい。
ウム、カリウム等で、特にナトリウムが扱いが容易なた
め好ましい、添加量は、混入しているハロゲン化アルキ
ルに対し、モル比で等倍から１０００倍とすることがで
きるが、好ましくは５０〜２００倍位がよい。
アルカリ金属によるハロゲン化アルキルの除去処理をす
る温度は反応時間にもよるが、室温〜１００℃が適当で
あり、例えば室温でも２〜３時間以上、撹拌下に、また
は放置するだけでもハロゲン化アルキルの量を充分低い
レベルにまで低減することができる。
る温度は反応時間にもよるが、室温〜１００℃が適当で
あり、例えば室温でも２〜３時間以上、撹拌下に、また
は放置するだけでもハロゲン化アルキルの量を充分低い
レベルにまで低減することができる。
アルカリ金属を添加した後、蒸留することによってハロ
ゲン化アルキルの低減されたアルキルホスフィンが得ら
れる。
ゲン化アルキルの低減されたアルキルホスフィンが得ら
れる。
［実施例］
］００ｐｐ−のｔｅｒｔ−ブチルクロライドを含むｔｅ
ｒｔ−ブチルホスフィン２０ｇにナトリウムメタル（（
１，０４ｇ、対ｔｅｒｔ−ブチルクロライドモル比７０
）を添加し、−晩放置後蒸留を行った。留分中のｔｅｒ
ｔ−ブチルクロライドはガスクロマトグラフィー検出下
限（２０ｐｐ■程度）を下回った。
ｒｔ−ブチルホスフィン２０ｇにナトリウムメタル（（
１，０４ｇ、対ｔｅｒｔ−ブチルクロライドモル比７０
）を添加し、−晩放置後蒸留を行った。留分中のｔｅｒ
ｔ−ブチルクロライドはガスクロマトグラフィー検出下
限（２０ｐｐ■程度）を下回った。
［発明の効果］
本発明によれば、ハロゲン化アルキルを不純物として含
むアルキルホスフィンにアルカリ金属を添加することに
より、微量のハロゲン化アルキルを効率的に除去するこ
とができ、半導体エピタキシャル膜成長の原料として有
用な高純度のアルキルホスフィンが得られる。
むアルキルホスフィンにアルカリ金属を添加することに
より、微量のハロゲン化アルキルを効率的に除去するこ
とができ、半導体エピタキシャル膜成長の原料として有
用な高純度のアルキルホスフィンが得られる。
Claims (1)
- （１）ハロゲン化アルキルを不純物として含有するアル
キルホスフィンにアルカリ金属を添加し、ハロゲン化ア
ルキルを除去することを特徴とするアルキルホスフィン
の精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27501790A JPH04149187A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | アルキルホスフィンの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27501790A JPH04149187A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | アルキルホスフィンの精製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04149187A true JPH04149187A (ja) | 1992-05-22 |
Family
ID=17549721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27501790A Pending JPH04149187A (ja) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | アルキルホスフィンの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04149187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354918A (en) * | 1992-07-17 | 1994-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Highly pure monoalkylphosphine |
-
1990
- 1990-10-12 JP JP27501790A patent/JPH04149187A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354918A (en) * | 1992-07-17 | 1994-10-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Highly pure monoalkylphosphine |
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