JP2809859B2 - アルキルハロゲノホスホニルの精製方法 - Google Patents
アルキルハロゲノホスホニルの精製方法Info
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- JP2809859B2 JP2809859B2 JP27919890A JP27919890A JP2809859B2 JP 2809859 B2 JP2809859 B2 JP 2809859B2 JP 27919890 A JP27919890 A JP 27919890A JP 27919890 A JP27919890 A JP 27919890A JP 2809859 B2 JP2809859 B2 JP 2809859B2
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- alkylhalogenophosphonyl
- ether
- solvent
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、アルキルハロゲノホスホニルの精製方法に
関する。本発明は特に、MOCVD（Metalorganic Chemical
Vapor Deposition）用の高純度アルキルホスフィンの
合成原料に適する高純度アルキルハロゲノホスホニルの
精製方法に関する。
関する。本発明は特に、MOCVD（Metalorganic Chemical
Vapor Deposition）用の高純度アルキルホスフィンの
合成原料に適する高純度アルキルハロゲノホスホニルの
精製方法に関する。
［従来の技術］ インジウム−リンをはじめとするIII族−Ｖ族化合物
半導体薄膜の形成方法として、MOCVDあるいはMOMBE（Me
talorganic Molecular Beam Epitaxy）は結晶成長系内
を高真空に保つ必要がなく原料の交換が容易であり、メ
ンテナンスが楽であるため、使用頻度の高まりとともに
注目されつつある結晶成長法である。
半導体薄膜の形成方法として、MOCVDあるいはMOMBE（Me
talorganic Molecular Beam Epitaxy）は結晶成長系内
を高真空に保つ必要がなく原料の交換が容易であり、メ
ンテナンスが楽であるため、使用頻度の高まりとともに
注目されつつある結晶成長法である。
近年、これらの方法において使用されるリン原料とし
て、ホスフィンに代わってアルキルホスフィンRPH2（こ
こでＲはアルキル基を示す）が提案されているが、該用
途用のアルキルホスフィンにはきわめて高純度のものが
必要である。このため該アルキルホスフィン製造のため
の出発原料としてのアルキルハロゲノホスホニルにも不
純物を含まない高純度のものを用いることが必須であ
る。しかしながらアルキルハロゲノホスホニルにはその
合成過程で用いられるハロゲン化アルキルやエーテルが
不純物として存在し、そのままではアルキルホスフィン
原料としては使用できず、これら不純物の除去が必要で
ある。
て、ホスフィンに代わってアルキルホスフィンRPH2（こ
こでＲはアルキル基を示す）が提案されているが、該用
途用のアルキルホスフィンにはきわめて高純度のものが
必要である。このため該アルキルホスフィン製造のため
の出発原料としてのアルキルハロゲノホスホニルにも不
純物を含まない高純度のものを用いることが必須であ
る。しかしながらアルキルハロゲノホスホニルにはその
合成過程で用いられるハロゲン化アルキルやエーテルが
不純物として存在し、そのままではアルキルホスフィン
原料としては使用できず、これら不純物の除去が必要で
ある。
さらにこれら不純物は、アルキルハロゲノホスホニル
と相互作用するため、これらを除去するには多くの工程
を必要とし、精製に時間がかかり、あるいは通常の除去
操作では完全に除去するのが困難なため、高純度アルキ
ルホスフィン製造用原料としては純度が満足すべきもの
とならないという問題があった。
と相互作用するため、これらを除去するには多くの工程
を必要とし、精製に時間がかかり、あるいは通常の除去
操作では完全に除去するのが困難なため、高純度アルキ
ルホスフィン製造用原料としては純度が満足すべきもの
とならないという問題があった。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的はアルキルホスフィンの合成中間体とし
て汎用されているアルキルハロゲノホスホニルの製造の
際混入するエーテル、ハロゲン化アルキル等を簡単な方
法で除去し、有機不純物の混入がない高純度のアルキル
ハロゲノホスホニルを得ることにある。
て汎用されているアルキルハロゲノホスホニルの製造の
際混入するエーテル、ハロゲン化アルキル等を簡単な方
法で除去し、有機不純物の混入がない高純度のアルキル
ハロゲノホスホニルを得ることにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の発明者らは、アルキルハロゲノホスホニル中
に混入しているエーテル、ハロゲン化アルキル等を除去
するために、100℃以上の沸点を有する脂肪族エーテル
あるいは該脂肪族エーテルを含有する溶媒を添加した
後、これを留去すれば、これらエーテル、ハロゲン化ア
ルキルが有効に除去され、不純物が著しく低減された高
純度のアルキルハロゲノホスホニルが得られることを見
出し本発明に至った。
に混入しているエーテル、ハロゲン化アルキル等を除去
するために、100℃以上の沸点を有する脂肪族エーテル
あるいは該脂肪族エーテルを含有する溶媒を添加した
後、これを留去すれば、これらエーテル、ハロゲン化ア
ルキルが有効に除去され、不純物が著しく低減された高
純度のアルキルハロゲノホスホニルが得られることを見
出し本発明に至った。
すなわち、本発明は、 アルキルハロゲノホスホニルに、100℃以上の沸点を
有する脂肪族エーテルあるいは該脂肪族エーテルを含有
する溶媒を添加した後、これを留去して不純物を除去す
ることを特徴とするアルキルハロゲノホスホニルの精製
方法である。
有する脂肪族エーテルあるいは該脂肪族エーテルを含有
する溶媒を添加した後、これを留去して不純物を除去す
ることを特徴とするアルキルハロゲノホスホニルの精製
方法である。
なお本発明で言うアルキルハロゲノホスホニルとは次
式で表わされる化合物である。
式で表わされる化合物である。
（ここに、Ｒはアルキル基を示し、好ましくは炭素数１
〜10個のアルキル基であり、Ｘはハロゲンを示す。） 本発明で添加する100℃以上の沸点を有する脂肪族エ
ーテルとしては例えば、ジブチルエーテル、ジイソペン
チルエーテル、アニソール、フェネトール等を例示する
ことができる。
〜10個のアルキル基であり、Ｘはハロゲンを示す。） 本発明で添加する100℃以上の沸点を有する脂肪族エ
ーテルとしては例えば、ジブチルエーテル、ジイソペン
チルエーテル、アニソール、フェネトール等を例示する
ことができる。
本発明においては、精製すべきアルキルハロゲノホス
ホニルに、前記100℃以上の沸点を有する脂肪族エーテ
ルのみを添加し、これを留去する方法でも精製効果は十
分に発揮されるが、上記高沸点の脂肪族エーテルのみで
は留去操作に時間を要する。このため前記高沸点の脂肪
族エーテルに対して、それよりも低沸点の溶媒を添加し
た混合溶媒として用いるのが一層好ましい。このような
低沸点の溶媒としてはジエチルエーテルが好ましい。ジ
エチルエーテルを不純物として含有するアルキルハロゲ
ノホスホニルからジエチルエーテルを除去、精製する場
合においても、ジエチルエーテルの添加は留去速度促進
のためには有効であり、除去すべき成分であるジエチル
エーテルを積極的に添加することによって精製効果がか
えって促進されるという予想外の現象が見出された。こ
こで、高沸点の脂肪族エーテルに対して混合するジエチ
ルエーテルは容量比で1:2〜20、好ましくは1:5〜10であ
る。
ホニルに、前記100℃以上の沸点を有する脂肪族エーテ
ルのみを添加し、これを留去する方法でも精製効果は十
分に発揮されるが、上記高沸点の脂肪族エーテルのみで
は留去操作に時間を要する。このため前記高沸点の脂肪
族エーテルに対して、それよりも低沸点の溶媒を添加し
た混合溶媒として用いるのが一層好ましい。このような
低沸点の溶媒としてはジエチルエーテルが好ましい。ジ
エチルエーテルを不純物として含有するアルキルハロゲ
ノホスホニルからジエチルエーテルを除去、精製する場
合においても、ジエチルエーテルの添加は留去速度促進
のためには有効であり、除去すべき成分であるジエチル
エーテルを積極的に添加することによって精製効果がか
えって促進されるという予想外の現象が見出された。こ
こで、高沸点の脂肪族エーテルに対して混合するジエチ
ルエーテルは容量比で1:2〜20、好ましくは1:5〜10であ
る。
100℃以上の沸点を有する脂肪族エーテルあるいはそ
れを含有する溶媒の添加量は特に限定されないが、除去
すべきエーテル、ハロゲン化アルキルに対し、容量比で
100〜2000倍が望ましい。添加量がこれよりも少ないと
精製効果が不十分となり、また多すぎると添加した溶媒
の留去に時間を要する。
れを含有する溶媒の添加量は特に限定されないが、除去
すべきエーテル、ハロゲン化アルキルに対し、容量比で
100〜2000倍が望ましい。添加量がこれよりも少ないと
精製効果が不十分となり、また多すぎると添加した溶媒
の留去に時間を要する。
［実施例］ 以下実施例により本発明方法を具体的に説明する。な
お実施例および比較例におけるtert−ブチルジクロロホ
スホニル中の有機不純物の定量は、tert−ブチルジクロ
ロホスホニルをトルエンに溶解させ、ガスクロマトグラ
フ法により測定した。
お実施例および比較例におけるtert−ブチルジクロロホ
スホニル中の有機不純物の定量は、tert−ブチルジクロ
ロホスホニルをトルエンに溶解させ、ガスクロマトグラ
フ法により測定した。
実施例１ ジエチルエーテル1038ppm、tert−ブチルクロライド6
47ppmが混入しているtert−ブチルジクロロホスホニル4
70gに、ジブチルエーテル300mlを添加し、フラスコ底部
を70℃、蒸留塔をリボンヒーター70℃に加熱し20mmHgで
添加溶媒を留去した。この溶媒の留去には９時間を要し
た。その後更に、フラスコ底部を80℃、蒸留塔をリボン
ヒーターで80℃に加熱し5mmHgで６時間蒸留した。こう
して得られた白色固体中のジエチルエーテルは25ppm以
下、tert−ブチルクロライドは25ppm以下であった。
47ppmが混入しているtert−ブチルジクロロホスホニル4
70gに、ジブチルエーテル300mlを添加し、フラスコ底部
を70℃、蒸留塔をリボンヒーター70℃に加熱し20mmHgで
添加溶媒を留去した。この溶媒の留去には９時間を要し
た。その後更に、フラスコ底部を80℃、蒸留塔をリボン
ヒーターで80℃に加熱し5mmHgで６時間蒸留した。こう
して得られた白色固体中のジエチルエーテルは25ppm以
下、tert−ブチルクロライドは25ppm以下であった。
実施例２ 実施例１と同じ組成のtert−ブチルジクロロホスホニ
ル470gに、ジブチルエーテル100ml、ジエチルエーテル3
00mlを添加した後、実施例１と同じ条件で溶媒留去、蒸
留を行なった。溶媒の留去に要した時間は３時間と短縮
された。昇温、減圧して蒸留を６時間行なった後に得ら
れた白色固体中の不純物はジエチルエーテル、tert−ブ
チルクロライドともに25ppm以下であった。
ル470gに、ジブチルエーテル100ml、ジエチルエーテル3
00mlを添加した後、実施例１と同じ条件で溶媒留去、蒸
留を行なった。溶媒の留去に要した時間は３時間と短縮
された。昇温、減圧して蒸留を６時間行なった後に得ら
れた白色固体中の不純物はジエチルエーテル、tert−ブ
チルクロライドともに25ppm以下であった。
比較例１ ジエチルエーテル499ppm、tert−ブチルクロライド36
0ppmが混入しているtert−ブチルジクロロホスホニル45
0gに溶媒を添加せずに、他は実施例１と同様な操作を行
った。70℃、20mmHgで６時間、及び80℃、5mmHgで６時
間蒸留を行なった。得られた白色固体中のジエチルエー
テルは152ppm、tert−ブチルクロライド303ppmで、両者
ともほとんど低減されていなかった。
0ppmが混入しているtert−ブチルジクロロホスホニル45
0gに溶媒を添加せずに、他は実施例１と同様な操作を行
った。70℃、20mmHgで６時間、及び80℃、5mmHgで６時
間蒸留を行なった。得られた白色固体中のジエチルエー
テルは152ppm、tert−ブチルクロライド303ppmで、両者
ともほとんど低減されていなかった。
［発明の効果］ 本発明によれば、アルキルハロゲノホスホニルに、10
0℃以上の沸点を有する脂肪族エーテルあるいはそれを
含有する溶媒を添加しこれを留去することにより、単に
蒸留操作では除去困難であったアルキルハロゲノホスホ
ニル中に混入したエーテルおよびハロゲン化アルキル
を、簡単な操作でしかも効率的に除去することができ、
半導体薄膜製造用高純度アルキルホスフィンの合成原料
に適する高純度アルキルハロゲノホスホニルが得られ
る。
0℃以上の沸点を有する脂肪族エーテルあるいはそれを
含有する溶媒を添加しこれを留去することにより、単に
蒸留操作では除去困難であったアルキルハロゲノホスホ
ニル中に混入したエーテルおよびハロゲン化アルキル
を、簡単な操作でしかも効率的に除去することができ、
半導体薄膜製造用高純度アルキルホスフィンの合成原料
に適する高純度アルキルハロゲノホスホニルが得られ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 一博 埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号 日 本鉱業株式会社内 (56)参考文献 特公 昭50−8056（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭56−24680（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07F 9/42
Claims (2)
- 【請求項１】アルキルハロゲノホスホニルに、100℃以
上の沸点を有する脂肪族エーテルあるいは該脂肪族エー
テルを含有する溶媒を添加した後、これを留去して不純
物を除去することを特徴とするアルキルハロゲノホスホ
ニルの精製方法。 - 【請求項２】脂肪族エーテルを含有する溶媒が、100℃
以上の沸点を有する脂肪族エーテル１容量部とジエチル
エーテル２〜20容量部との混合物であることを特徴とす
る請求項１記載のアルキルハロゲノホスホニルの精製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27919890A JP2809859B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | アルキルハロゲノホスホニルの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27919890A JP2809859B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | アルキルハロゲノホスホニルの精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154792A JPH04154792A (ja) | 1992-05-27 |
| JP2809859B2 true JP2809859B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17607802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27919890A Expired - Fee Related JP2809859B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | アルキルハロゲノホスホニルの精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809859B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP27919890A patent/JP2809859B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04154792A (ja) | 1992-05-27 |
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