JPH04146635A - Tape carrier for high strength tab - Google Patents
Tape carrier for high strength tabInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体製品用材料特にＴＡＢ用テープキャリ
アに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to materials for semiconductor products, particularly tape carriers for TAB.
〈従来の技術〉
従来のＴＡＢ用テープキャリアは、例えば第３図および
第４図に示す構造となっている。<Prior Art> A conventional TAB tape carrier has a structure shown in FIGS. 3 and 4, for example.
このＴＡＢ用テープキャリアは、一般につぎのようにし
て製造される。This tape carrier for TAB is generally manufactured as follows.
まず、接着材付ポリイミドテープ１に金型成形加工によ
ってスプロケットホール２、素子搭載用デバイスホール
３、アウターリード・スリット４を形成し、その後圧延
または電解銅箔（厚さ３５μｍ）をポリイミド上にラミ
ネート接着し、接着した銅箔に対し金属エツチングを行
い、所定の配線パターンを形成する。 そして、最後に
形成された配線パターンにめっき（スズ、はんだ、金）
を行う。First, a sprocket hole 2, a device hole 3 for mounting an element, and an outer lead slit 4 are formed on a polyimide tape 1 with an adhesive by molding, and then a rolled or electrolytic copper foil (thickness 35 μm) is laminated on the polyimide. After bonding, metal etching is performed on the bonded copper foil to form a predetermined wiring pattern. Finally, the formed wiring pattern is plated (tin, solder, gold).
I do.
インナーリード５１は、２００ビンＴＡＢ用テープキヤ
リアの場合でリードピッチ１００μｍ、リード幅５０μ
ｍの狭い範囲となり、これらのリードが組立工程でバン
ブ６付きＳｉチップ７と接合する。The inner lead 51 has a lead pitch of 100 μm and a lead width of 50 μm in the case of a 200-bin TAB tape carrier.
m, and these leads are joined to the Si chip 7 with bumps 6 in the assembly process.
この接合方法は、まずリードとバンブの位置合わせをサ
ブミクロンオーダーの誤差内で行い、つぎにダイヤモン
ド製ツールを用いてリード上方より一定温度、荷重、時
間押し当てて行う。In this bonding method, the leads and bumps are first aligned within a submicron order error, and then a diamond tool is used to press the leads from above at a constant temperature, load, and time.
この際、バンブとワード間の接合部には、バンブ側の金
属とリードにほどこされためっきから成る金属間化合物
が生成し、接合する。At this time, an intermetallic compound consisting of the metal on the bump side and the plating applied to the lead is generated at the joint between the bump and the word, resulting in the bonding.
５２はアウターリードであり、ＴＡＢ用テープキャリア
と基板９との接続に用いられる。52 is an outer lead, which is used to connect the TAB tape carrier and the board 9.
接続方法は、基板９上の配線パターンとアウターリード
５２の位置を合わせ、はんだ付けによって行う。The connection is performed by aligning the wiring pattern on the board 9 with the outer lead 52 and soldering.
５３は、出力リードである。 出力リード５３は、液晶
パネル１１とＴＡＢ用テープキャノアとの接続に用いら
れる。 接続方法は、ＬＣＤパネル側に形成した異方性
導電膜を介して行う。53 is an output lead. The output lead 53 is used to connect the liquid crystal panel 11 and the TAB tape canor. The connection method is through an anisotropic conductive film formed on the LCD panel side.
〈発明が解決しようとする課題〉
インナーリード数２００以上のＴＡＢ用テープキャリア
では、リード幅が５０μｍ以内と狭（なるため、強度の
上で信頼性の確保が困難となる。<Problems to be Solved by the Invention> In a TAB tape carrier having 200 or more inner leads, the lead width is as narrow as 50 μm or less, making it difficult to ensure reliability in terms of strength.
特に、組立工程でインナーリードとチップ上バンブを接
合する際、リードが変形、切断していると、その時点で
組立不可能となり半導体製品用の材料として使用できな
くなってしまう。In particular, if the leads are deformed or cut when bonding the inner leads and the bumps on the chip during the assembly process, it becomes impossible to assemble them at that point, and they cannot be used as materials for semiconductor products.
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、イ
ンナーリード強度を向上させることができる新規のＴＡ
Ｂ用テープキャリアを提供することにある。An object of the present invention is to provide a novel TA that can eliminate the drawbacks of the prior art described above and improve the strength of the inner lead.
The purpose of the present invention is to provide a B tape carrier.
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために本発明によれば、素子搭載部
、インナーリードおよびアウターリードを有するテープ
キャリアにおいて、テープ上の前記素子搭載部を除きイ
ンナーリードを含む部分に鉄系合金箔が、その上の前記
素子搭載部およびインナーリードを除くアウターリード
を含む部分に銅箔が形成されることを特徴とする高強度
ＴＡＢ用テープキャリアが提供される。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention provides a tape carrier having an element mounting part, an inner lead, and an outer lead, which includes an inner lead except for the element mounting part on the tape. A high-strength TAB tape carrier is provided, characterized in that an iron-based alloy foil is formed on a portion thereof, and a copper foil is formed on a portion including the element mounting portion and the outer lead excluding the inner lead.
以下、本発明について詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below.
ＴＡＢ用テープキャリアは、可撓性の絶縁フィルムにデ
バイスホール、スプロケットホール等の必要な貫通孔を
開け、このフィルムに導体箔を貼看し、この導体箔をエ
ツチング加工にて加工し、半導体素子と電気的に接続さ
れるインナーリードと、アウターリードを有するリード
パターンを形成したものである。TAB tape carriers are made by drilling necessary through-holes such as device holes and sprocket holes in a flexible insulating film, pasting conductive foil on this film, and etching the conductive foil to attach semiconductor elements. A lead pattern is formed that has an inner lead and an outer lead that are electrically connected to the lead.
特に本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、前記リードパ
ターンを鉄系合金と銅とをクラッドした複合材料で形成
したものである。 すなわち、下層を鉄系合金箔とし、
上層を銅箔としたものである。In particular, in the TAB tape carrier of the present invention, the lead pattern is formed of a composite material clad with an iron-based alloy and copper. That is, the lower layer is made of iron-based alloy foil,
The upper layer is made of copper foil.
本発明においてＴＡＢ用テープキャリアは、ポリイミド
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、可撓性エ
ポキシ樹脂等の樹脂類や、紙類等の可撓性、絶縁性を有
する材料で構成されるテープｌ上の素子搭載部３を除く
部分に、所望のパターンの金属箔を貼看したり−ド５が
接着剤等により貼着されている。In the present invention, the TAB tape carrier is a tape carrier made of resin such as polyimide resin, polyethylene resin, polyester resin, flexible epoxy resin, or a flexible and insulating material such as paper. A metal foil with a desired pattern is pasted on the part other than the element mounting part 3, or a board 5 is pasted with an adhesive or the like.
前記リード５は、第２図に示すように下層５ａと上層５
ｂの二層クラツド箔となっている。The lead 5 has a lower layer 5a and an upper layer 5 as shown in FIG.
It is a two-layer clad foil shown in b.
前記下層５ａは、テープ１上の素子搭載部３を除きイン
ナーリード５１を含む部分に貼着され、鉄系合金箔が用
いられる。 鉄系合金箔としては限定しないが、４２ア
ロイ箔、ステンレス箔等を挙げることができる。 特に
、高強度を有する４２アロイ箔が好ましい。The lower layer 5a is attached to a portion of the tape 1 including the inner leads 51 except for the element mounting portion 3, and is made of iron-based alloy foil. Examples of the iron-based alloy foil include, but are not limited to, 42 alloy foil, stainless steel foil, and the like. In particular, 42 alloy foil having high strength is preferred.
鉄系合金箔の厚さは限定しないが、通常３５μｍ程度で
ある。 また、前記二層クラツド箔の厚さは限定しない
が５０〜６０μｍ程度である。Although the thickness of the iron-based alloy foil is not limited, it is usually about 35 μm. Further, the thickness of the two-layer cladding foil is not limited, but is approximately 50 to 60 μm.
また、前記上層５ｂは、前記下層５ａの上で素子搭載部
３およびインナーリード５１を除くアウターリード５２
を含む部分に貼着され、圧延銅箔または電解銅箔とする
のがよい。Further, the upper layer 5b has outer leads 52 excluding the element mounting portion 3 and the inner leads 51 on the lower layer 5a.
It is advisable to use rolled copper foil or electrolytic copper foil.
このようにインナーリード５１を鉄系合金箔とすること
により、インナーリード５１の強度を向上させることが
でき、組立工程で８１チツプと接合する際の変形、切断
を防止することができる。By making the inner leads 51 from iron-based alloy foil in this manner, the strength of the inner leads 51 can be improved, and deformation and breakage when bonded to the 81 chip in the assembly process can be prevented.
前記リード５の形成方法としては、例えばテープｌに、
まず鉄系合金箔を貼着し、つぎにこの鉄系合金箔５ａの
上の第１図に斜線で示すインナーリードエリア部１２以
外の部分に銅箔を重ね、これを熱圧着した。As a method for forming the leads 5, for example, a tape L is formed.
First, an iron-based alloy foil was pasted, and then a copper foil was placed on the iron-based alloy foil 5a at a portion other than the inner lead area portion 12 indicated by diagonal lines in FIG. 1, and this was bonded by thermocompression.
このようにして、第２図に示すようにインナーリード５
１が鉄系合金箔となり、それ以外の部分が前記鉄系合金
箔の下層５ａと銅箔の上層５ｂとの二層に形成すること
ができる。In this way, as shown in FIG.
1 is an iron-based alloy foil, and the other portions can be formed into two layers: a lower layer 5a of the iron-based alloy foil and an upper layer 5b of copper foil.
続いて、金属エツチングを行うことにより、所定の配線
パターンが形成される。Subsequently, metal etching is performed to form a predetermined wiring pattern.
アウターリード５２および出力リード５３は、実装時に
テープから切断、あるいは接着剤を忍解等をして剥離し
、外部端子と半田付等によって接続される。The outer lead 52 and the output lead 53 are cut from the tape or peeled off by removing the adhesive at the time of mounting, and are connected to external terminals by soldering or the like.
テープキャリアの中央部付近には半導体阻止をマウント
するためのデバイスホール３が、また所定の位置にはア
ウターリード・スリット４が、さらに外周には位置決め
と送り操作を容易にするためのスプロケットホール２が
形成されている。There is a device hole 3 near the center of the tape carrier for mounting a semiconductor blocker, an outer lead slit 4 at a predetermined position, and a sprocket hole 2 on the outer periphery to facilitate positioning and feeding operations. is formed.
〈実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。<Example> The present invention will be specifically explained below based on Examples.
（実施例１）
３５ｍｍ幅、０．１２５ｍｍ厚さの接着・剤付きポリイ
ミドテープに、デバイスホールをプレス金型により開口
させ、その上の素子搭載部を除く部分に厚さ３５μｍの
４２アロイ箔を貼着し、その上の第１図に斜線で示すイ
ンナーリードエリア部１２以外の部分に３５μｍ厚さの
圧延銅箔を熱間圧接法にて一体に接合した。(Example 1) A device hole was opened in a 35 mm wide, 0.125 mm thick adhesive-coated polyimide tape using a press mold, and a 42 alloy foil with a thickness of 35 μm was placed on the area excluding the element mounting area. A rolled copper foil having a thickness of 35 μm was integrally bonded to the portions other than the inner lead area portion 12 indicated by diagonal lines in FIG. 1 by hot welding.
得られた二層クラッド部分の厚さは７０μｍであった。The thickness of the obtained two-layer cladding portion was 70 μm.
その後、ホトレジストエツチング法により２００ビンの
インナーリード５を有するＴＡＢ用テープキャリアを作
った。Thereafter, a TAB tape carrier having 200 bins of inner leads 5 was made by photoresist etching.
ノードピッチは１００μｍ、リード幅は５０μｍとした
。The node pitch was 100 μm, and the lead width was 50 μm.
このＴＡＢ用テープキャリアを用いてバンブ付きＳｉチ
ップを接合した。A bumped Si chip was bonded using this TAB tape carrier.
接合はダイヤモンド製ツールを用いて、リード上方より
５００℃、３０ ｇ ／ ハ’、／ブ、１．５秒間押し
当てて行った。Bonding was performed using a diamond tool and pressing from above the lead at 500° C. and 30 g/ha'/b for 1.5 seconds.
〈発明の効果〉
本発明は以上説明したように構成されているので、イン
ナーリード部の金属箔として鉄系合金箔を用いることに
より、従来のＴＡＢ用テープキャリアよりもインナーリ
ードの強度を向上させることができる。<Effects of the Invention> Since the present invention is configured as described above, by using iron-based alloy foil as the metal foil for the inner lead portion, the strength of the inner lead is improved compared to the conventional TAB tape carrier. be able to.
第１図および第２図は、それぞれ本発明のＴＡＢ用テー
プキャリアの一実施例を示す平面図および横断面図であ
る。
第３図は、従来のＴＡＢ用テープキャリアを示す平面図
である。
第４図は、ＴＡＢ用テープキャリアとＳｉチップの接続
方法を示す横断面図である。
符号の説明
１・・・ポリイミドテープ、
２・・・スプロケットホール、
３・・・デバイスホール、
４・・・アウターリード・スリット、
５・・・リード、
５ａ・・・下層、５ｂ・・・上層、
５１・・・インナーリード、
５２・・・アウターリード、
５３・・・出力リード、
６・・・バンブ、
７・・・Ｓｉチップ、
９・・・基板、
〕
１・・・ン後高パネル、
２・・・インナーリードエ
ノア部FIG. 1 and FIG. 2 are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing an embodiment of the TAB tape carrier of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing a conventional TAB tape carrier. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of connecting a TAB tape carrier and a Si chip. Explanation of symbols 1... Polyimide tape, 2... Sprocket hole, 3... Device hole, 4... Outer lead slit, 5... Lead, 5a... Lower layer, 5b... Upper layer , 51... Inner lead, 52... Outer lead, 53... Output lead, 6... Bump, 7... Si chip, 9... Substrate, ] 1... Back high panel , 2... Inner lead enoa part
Claims (1)
ドを有するテープキャリアにおいて、テープ上の前記素
子搭載部を除きインナーリードを含む部分に鉄系合金箔
が、その上の前記素子搭載部およびインナーリードを除
くアウターリードを含む部分に銅箔が形成されることを
特徴とする高強度ＴＡＢ用テープキャリア。(1) In a tape carrier having an element mounting part, an inner lead, and an outer lead, iron-based alloy foil is placed on the part of the tape including the inner lead except for the element mounting part, and the element mounting part and the inner lead are placed on the tape. A tape carrier for high-strength TAB, characterized in that a copper foil is formed on the portion including the outer lead except for the outer lead.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2270890A JP2705297B2 (en) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | High strength TAB tape carrier |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04146635A true JPH04146635A (en) | 1992-05-20 |
| JP2705297B2 JP2705297B2 (en) | 1998-01-28 |
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP2705297B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416535A3 (en) * | 2002-10-08 | 2008-04-23 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for tab |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2270890A patent/JP2705297B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416535A3 (en) * | 2002-10-08 | 2008-04-23 | Nitto Denko Corporation | Tape carrier for tab |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2705297B2 (en) | 1998-01-28 |
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