JP2705297B2 - High strength TAB tape carrier - Google Patents
High strength TAB tape carrierInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、半導体製品用材料特にTAB用テープキャリ
アに関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a material for semiconductor products, particularly to a tape carrier for TAB.
＜従来の技術＞ 従来のTAB用テープキャリアは、例えば第３図および
第４図に示す構造となっている。<Prior Art> A conventional TAB tape carrier has, for example, a structure shown in FIGS.
このTABN用テープキャリアは、一般につぎのようにし
て製造される。This TABN tape carrier is generally manufactured as follows.
まず、接着材付ポリイミドテープ１に金型成形加工に
よってスプロケットホール２、素子搭載用デバイスホー
ル３、アウターリード・スリット４を形成し、その後圧
延または電解銅箔（厚さ35μｍ）をポリイミド上にラミ
ネート接着し、接着した銅箔に対し金属エッチングを行
い、所定の配線パターンを形成する。そして、最後に形
成された配線パターンにめっき（スズ、はんだ、金）を
行う。First, a sprocket hole 2, an element mounting device hole 3, and an outer lead / slit 4 are formed in a polyimide tape 1 with an adhesive by die molding, and then rolled or electrolytic copper foil (thickness 35 μm) is laminated on the polyimide. Metal etching is performed on the adhered and adhered copper foil to form a predetermined wiring pattern. Then, plating (tin, solder, gold) is performed on the wiring pattern formed last.
インナーリード51は、200ピンTAB用テープキャリアの
場合でリードピッチ100μｍ、リード幅50μｍの狭い範
囲となり、これらのリードが組立工程でバンプ６付きSi
チップ７と接合する。The inner lead 51 has a narrow range of a lead pitch of 100 μm and a lead width of 50 μm in the case of a 200-pin TAB tape carrier.
The chip 7 is bonded.
この接合方法は、まずリードとバンプの位置合わせを
サブミクロンオーダーの誤差内で行い、つぎにダイヤモ
ンド製ツールを用いてリード上方より一定温度、荷重、
時間押し当てて行う。In this joining method, first, the alignment of the lead and the bump is performed within an error of the order of submicron, and then a constant temperature, load,
Pressing for time.
この際、バンプとリード間の接合部には、バンプ側の
金属とリードにほどこされためっきから成る金属間化合
物が生成し、接合する。At this time, an intermetallic compound composed of plating applied to the metal on the bump side and the lead is generated and joined at the joint between the bump and the lead.
52はアウターリードであり、TAB用テープキャリアと
基板９との接続に用いられる。接続方法は、基板９上の
配線パターンとアウターリード52の位置を合わせ、はん
だ付けによって行う。An outer lead 52 is used for connecting the TAB tape carrier to the substrate 9. The connection method is performed by aligning the wiring pattern on the substrate 9 with the position of the outer lead 52 and soldering.
53は、出力リードである。出力リード53は、液晶パネ
ル11とTAB用テープキャリアとの接続に用いられる。接
続方法は、LCDパネル側に形成した異方性導電膜を介し
て行う。53 is an output lead. The output leads 53 are used to connect the liquid crystal panel 11 to a TAB tape carrier. The connection is made via an anisotropic conductive film formed on the LCD panel side.
＜発明が解決しようとする課題＞ インナーリード数200以上のTAB用テープキャリアで
は、リード幅が50μｍ以内と狭くなるため、強度の上で
信頼性の確保が困難となる。<Problems to be Solved by the Invention> In a TAB tape carrier having 200 or more inner leads, the lead width is narrowed to 50 μm or less, so that it is difficult to ensure reliability in terms of strength.
特に、組立工程でインナーリードとチップ上バンプを
接合する際、リードが変形、切断していると、その時点
で組立不可能となり半導体製品用の材料として使用でき
なくなってしまう。In particular, when joining the inner lead and the bump on the chip in the assembling process, if the lead is deformed or cut, it cannot be assembled at that time and cannot be used as a material for a semiconductor product.
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、
インナーリード強度を向上させることができる新規のTA
B用テープキャリアを提供することにある。An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned disadvantages of the prior art,
New TA that can improve inner lead strength
To provide a tape carrier for B.
＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成するために本発明によれば、素子搭載
部、インナーリードおよびアウターリードを有するテー
プキャリアにおいて、前記インナーリードが鉄系合金箔
からなり、前記インナーリードを除く前記アウターリー
ドを含むリード部分が鉄系合金箔の下層と銅箔の上層の
二層クラッド箔からなることを特徴とする高強度TAB用
テープキャリアが提供される。According to the present invention, there is provided a tape carrier having an element mounting portion, an inner lead, and an outer lead, wherein the inner lead is made of an iron-based alloy foil, A high-strength TAB tape carrier is provided, wherein a lead portion including the outer leads except the leads is formed of a two-layer clad foil of a lower layer of an iron-based alloy foil and an upper layer of a copper foil.
以下、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
TAB用テープキャリアは、可撓性の絶縁フィルムにデ
バイスポール、スプロケットホール等の必要な貫通孔を
開け、このフィルムに導体箔を貼着し、この導体箔をエ
ッチング加工にて加工し、半導体素子と電気的に接続さ
れるインナーリードと、アウターリードを有するリード
パターンを形成したものである。TAB tape carriers are made by drilling necessary through holes such as device poles and sprocket holes in a flexible insulating film, pasting a conductor foil on this film, and processing this conductor foil by etching. And a lead pattern having an inner lead and an outer lead electrically connected to the lead pattern.
特に本発明のTAB用テープキャリアは、前記リードパ
ターンのインナーリードを鉄系合金箔で形成し、アウタ
ーリードを鉄系合金箔の下層と銅箔の上層とをクラッド
してなる複合材料で形成したものである。In particular, the TAB tape carrier of the present invention is such that the inner leads of the lead pattern are formed of an iron-based alloy foil, and the outer leads are formed of a composite material obtained by cladding a lower layer of an iron-based alloy foil and an upper layer of a copper foil. Things.
本発明においてTAB用テープキャリアは、ポリイミド
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂、可撓性エ
ポキシ樹脂等の樹脂類や、紙類等の可撓性、絶縁性を有
する材料で構成されるテープ１上の素子搭載部３を除く
部分に、所望のパターンの金属箔を貼着したリード５が
接着剤等により貼着されている。In the present invention, the TAB tape carrier is formed on a tape 1 made of a resin such as a polyimide resin, a polyethylene resin, a polyester resin, or a flexible epoxy resin, or a flexible and insulating material such as paper. A lead 5 to which a metal foil having a desired pattern is adhered is adhered to a portion other than the element mounting portion 3 with an adhesive or the like.
前記リード５は、インナーリード51を除く部分が第２
図に示すように下層5aと上層5bの二層クラッド箔となっ
ている。The part of the lead 5 other than the inner lead 51 is the second
As shown in the figure, a two-layer clad foil of a lower layer 5a and an upper layer 5b is provided.
前記下層5aは、テープ１上の素子搭載部３を除きイン
ナーリード51を含む部分に貼着され、鉄系合金箔が用い
られる。鉄系合金箔としては限定しないが、42アロイ
箔、ステンレス箔等を挙げることができる。特に、高強
度を有する42アロイ箔が好ましい。The lower layer 5a is adhered to a portion including the inner lead 51 except for the element mounting portion 3 on the tape 1, and an iron-based alloy foil is used. Examples of the iron-based alloy foil include, but are not limited to, 42 alloy foil and stainless steel foil. In particular, a 42-alloy foil having high strength is preferable.
鉄系合金箔の厚さは限定しないが、通常35μｍ程度で
ある。また、前記二層クラッド箔の厚さは限定しないが
50〜60μｍ程度である。The thickness of the iron-based alloy foil is not limited, but is usually about 35 μm. Further, the thickness of the double-layer clad foil is not limited,
It is about 50 to 60 μm.
また、前記上層5bは、前記下層5a上のインナーリード
51を除くアウターリード52を含む部分に貼着され、圧延
銅箔または電解銅箔とするのがよい。Further, the upper layer 5b is provided with an inner lead on the lower layer 5a.
It is preferable to be affixed to a portion including the outer lead 52 except 51 and to be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.
このようにインナーリード51を鉄系合金箔とすること
により、インナーリード51の強度を向上させることがで
き、組立工程でSiチップと接合する際の変形、切断を防
止することができる。By using the iron-based alloy foil for the inner leads 51 as described above, the strength of the inner leads 51 can be improved, and deformation and cutting when joining with the Si chip in the assembly process can be prevented.
前記リード５の形成方法としては、例えばテープ１
に、まず鉄系合金箔を貼着し、つぎにこの鉄系合金箔5a
の上の第１図に斜線で示すインナーリードエリア部12以
外の部分に銅箔を重ね、これを熱圧着した。As a method for forming the leads 5, for example, a tape 1
First, an iron-based alloy foil is adhered, and then this iron-based alloy foil 5a
A copper foil was overlaid on a portion other than the inner lead area 12 shown by oblique lines in FIG. 1 and thermocompression-bonded.
このようにして、第２図に示すようにインナーリード
51が鉄系合金箔となり、それ以外の部分が前記鉄系合金
箔の下層5aと銅箔の上層5bとの二層に形成することがで
きる。In this way, as shown in FIG.
51 is an iron-based alloy foil, and other portions can be formed as two layers of the lower layer 5a of the iron-based alloy foil and the upper layer 5b of the copper foil.
続いて、金属エッチングを行うことにより、所定の配
線パターンが形成される。Subsequently, a predetermined wiring pattern is formed by performing metal etching.
アウターリード52および出力リード53は、実装時にテ
ープから切断、あるいは接着剤の溶解等をして剥離し、
外部端子と半田付等によって接続される。The outer lead 52 and the output lead 53 are cut from the tape at the time of mounting, or separated by dissolving an adhesive, etc.
It is connected to external terminals by soldering or the like.
テープキャリアの中央部付近には半導体阻止をマウン
トするためのデバイスホール３が、また所定の位置には
アウターリード・スリット４が、さらに外周には位置決
めと送り操作を容易にするためのスプロケットホール２
が形成されている。A device hole 3 for mounting a semiconductor block is provided near the center of the tape carrier, an outer lead slit 4 is provided at a predetermined position, and a sprocket hole 2 is provided on the outer periphery for facilitating positioning and feeding operation.
Are formed.
＜実施例＞ 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。<Example> Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples.
（実施例１） 35mm幅、0.125mm厚さの接着剤付きポリイミドテープ
に、デバイスホールをプレス金型により開口させ、その
上の素子搭載部を除く部分に厚さ35μｍの42アロイ箔を
貼着し、その上の第１図に斜線で示すインナーリードエ
リア部12以外の部分に35μｍ厚さの圧延銅箔を熱間圧接
法にて一体に接合した。(Example 1) A device hole is opened by a press die on a polyimide tape with an adhesive having a width of 35 mm and a thickness of 0.125 mm, and a 42 µm thick 35-μm alloy foil is adhered to a portion other than an element mounting portion thereon. Then, a rolled copper foil having a thickness of 35 μm was integrally joined to a portion other than the inner lead area portion 12 shown by oblique lines in FIG. 1 by hot pressing.
得られた二層クラッド部分の厚さは70μｍであった。 The thickness of the obtained two-layer clad portion was 70 μm.
その後、ホトレジストエッチング法により200ピンの
インナーリード５を有するTAB用テープキャリアを作っ
た。Thereafter, a TAB tape carrier having 200-pin inner leads 5 was formed by a photoresist etching method.
リードピッチは100μｍ、リード幅は50μｍとした。 The lead pitch was 100 μm, and the lead width was 50 μm.
このTAB用テープキャリアを用いてバンプ付きSiチッ
プを接合した。Using this TAB tape carrier, Si chips with bumps were joined.
接合はダイヤモンド製ツールを用いて、リード上方よ
り500℃、30g/バンプ、1.5秒間押し当てて行った。Bonding was performed by pressing the lead from above at 500 ° C., 30 g / bump for 1.5 seconds using a diamond tool.
＜発明の効果＞ 本発明は以上説明したように構成されているので、イ
ンナーリード部の金属箔として鉄系合金箔を用いること
により、従来のTAB用テープキャリアよりもインナーリ
ードの強度を向上させることができる。<Effect of the Invention> Since the present invention is configured as described above, by using an iron-based alloy foil as the metal foil of the inner lead portion, the strength of the inner lead is improved as compared with the conventional TAB tape carrier. be able to.
第１図および第２図は、それぞれ本発明のTAB用テープ
キャリアの一実施例を示す平面図および横断面図であ
る。 第３図は、従来のTAB用テープキャリアを示す平面図で
ある。 第４図は、TAB用テープキャリアとSiチップの接続方法
を示す横断面図である。 符号の説明 １……ポリイミドテープ、 ２……スプロケットホール、 ３……デバイスホール、 ４……アウターリード・スリット、 ５……リード、 5a……下層、5b……上層、 51……インナーリード、 52……アウターリード、 53……出力リード、 ６……バンプ、 ７……Siチップ、 ９……基板、 11……液晶パネル、 12……インナーリードエリア部1 and 2 are a plan view and a cross-sectional view, respectively, showing one embodiment of the TAB tape carrier of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing a conventional TAB tape carrier. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of connecting the TAB tape carrier and the Si chip. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... polyimide tape, 2 ... sprocket hole, 3 ... device hole, 4 ... outer lead / slit, 5 ... lead, 5a ... lower layer, 5b ... upper layer, 51 ... inner lead, 52: Outer lead, 53: Output lead, 6: Bump, 7: Si chip, 9: Substrate, 11: Liquid crystal panel, 12: Inner lead area
Claims (1)
ーリードを有するテープキャリアにおいて、前記インナ
ーリードが鉄系合金箔からなり、前記インナーリードを
除く前記アウターリードを含むリード部分が鉄系合金箔
の下層と銅箔の上層の二層クラッド箔からなることを特
徴とする高強度TAB用テープキャリア。1. A tape carrier having an element mounting portion, an inner lead and an outer lead, wherein the inner lead is made of an iron-based alloy foil, and a lead portion including the outer lead excluding the inner lead is a lower layer of an iron-based alloy foil. And a high-strength TAB tape carrier comprising a two-layer clad foil of copper and an upper layer of copper foil.
Priority Applications (1)
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| JPH04146635A JPH04146635A (en) | 1992-05-20 |
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| JP3694286B2 (en) * | 2002-10-08 | 2005-09-14 | 日東電工株式会社 | TAB tape carrier |
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1990
- 1990-10-09 JP JP2270890A patent/JP2705297B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH04146635A (en) | 1992-05-20 |
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