JP2699796B2 - Composite lead frame and method of manufacturing the same - Google Patents

Composite lead frame and method of manufacturing the same

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JP2699796B2 JP5043778A JP4377893A JP2699796B2 JP 2699796 B2 JP2699796 B2 JP 2699796B2 JP 5043778 A JP5043778 A JP 5043778A JP 4377893 A JP4377893 A JP 4377893A JP 2699796 B2 JP2699796 B2 JP 2699796B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用の複合リ
ードフレームおよびその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】アウターリードを金属リードフレームに
よって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体
の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板に
よって構成してなる複合リードフレームには、現在各種
の構造のものが提案されているが、いずれの構造であっ
てもフレキシブル配線基板のインナーリードと外枠側の
アウターリードとを何らかの方法で電気的に接合する必
要がある。フレキシブル配線基板からのインナーリード
は絶縁層(通常ポリイミドフィルム)上に積層されてい
るため接合に当って以下の様な問題点が生じる。
2. Description of the Related Art Composite leadframes in which outer leads are formed by metal lead frames and inner leads are formed by a flexible wiring board in which a fine wiring pattern of a conductor is formed on an insulating film are currently available in various structures. However, in either structure, it is necessary to electrically connect the inner lead of the flexible wiring board and the outer lead on the outer frame side by some method. Since the inner leads from the flexible wiring board are laminated on the insulating layer (usually a polyimide film), the following problems occur in joining.

【0003】即ち、アウターリードとインナーリードと
の接合は加圧、加熱下に行われるが、加熱ツール温度が
340℃以上の高温となると絶縁層を構成する樹脂(例
えばポリイミド樹脂)あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤(例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤)が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。
[0003] That is, the bonding between the outer lead and the inner lead is performed under pressure and heat. When the temperature of the heating tool is higher than 340 ° C, a resin (for example, a polyimide resin) constituting the insulating layer or the insulating layer is used. The adhesive (for example, epoxy resin adhesive) used for bonding the inner lead and the inner lead is deteriorated by heating, and is oxidized or carbonized, thereby deteriorating insulation properties and decreasing strength.

【0004】アウターリードとインナーリードの接合の
目的でPb−Sn半田を用いると、その共晶点(融点1
83℃)が低いので上記の問題は生じないがアウターリ
ードとインナーリードとを接合した後に200℃付近で
行われるワイヤーボンディング工程、あるいはやはり2
00℃付近で行われる樹脂封止工程が存在するためにア
ウターリードとインナーリードとの安定した接合が得ら
れない。
When Pb-Sn solder is used for the purpose of joining the outer lead and the inner lead, its eutectic point (melting point: 1
83 ° C.), the above problem does not occur, but a wire bonding step performed at about 200 ° C. after joining the outer lead and the inner lead, or
Since there is a resin sealing step performed at around 00 ° C., stable bonding between the outer lead and the inner lead cannot be obtained.

【0005】一方、一般的に用いられるSn含量20重
量%のAu−Sn合金の接合への使用は、ツール温度が
340℃を越え、380〜540℃と高いのでやはり樹
脂劣化の問題点が生じる。
On the other hand, when a commonly used Au-Sn alloy having a Sn content of 20% by weight is used for joining, the tool temperature exceeds 340.degree. C. and is as high as 380 to 540.degree. .

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】かくして、本発明は、
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程等に耐えて安定
にアウターリードとインナーリードとが接合され、かつ
絶縁層の樹脂や接着剤に熱劣化の生じない複合リードフ
レームおよびその製造方法の提供を目的としている。
Thus, the present invention provides:
With the object of providing a composite lead frame in which the outer lead and the inner lead are stably bonded to withstand a wire bonding step, a resin sealing step, and the like, and the resin or adhesive of the insulating layer does not undergo thermal deterioration, and a method of manufacturing the same. I have.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に従えば、アウタ
ーリードを金属リードフレームによって構成し、インナ
ーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配線パターンを
形成したフレキシブル配線基板によって構成してなる
ラスチックパッケージ用複合リードフレームにおいて、
上記アウターリードとインナーリードとの接合層が両者
の接合面間に介在された金属ペーストへの加熱によって
形成された錫と金の合金からなり、かつ該合金の金含有
量が10〜40重量%であることを特徴とするプラスチ
ックパッケージ用複合リードフレームが提供される。
According to the present invention, there is provided a means for solving] The outer lead constituted by metal lead frame, comprising constituted by a flexible wiring substrate having a fine wiring pattern of the conductor on the insulating film inner leads flop
In composite lead frames for plastic packages ,
The bonding layer between the outer lead and the inner lead is made of an alloy of tin and gold formed by heating a metal paste interposed between the two bonding surfaces, and the gold content of the alloy is 10 to 40% by weight. Plastic , characterized by being
A composite lead frame for a backpack package is provided.

【0008】また、アウターリードを金属リードフレー
ムによって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基
板によって構成してなるプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの前記アウターリードと前記インナーリ
ードとを金の含有量が10〜40重量%である金錫共晶
合金によって接合する際、アウターリードとインナーリ
ードとの接合面間に金の含有量が10〜40重量%であ
る金錫ペーストを介在せしめた後、該ペーストを加熱す
ることによってアウターリードとインナーリードとを接
合することを特徴とするプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの製造方法が提供される。
Further, the outer lead and the inner lead of a composite lead frame for a plastic package , wherein the outer lead is constituted by a metal lead frame and the inner lead is constituted by a flexible wiring board having a fine wiring pattern of a conductor formed on an insulating film. When joining the inner lead with a gold-tin eutectic alloy having a gold content of 10 to 40% by weight, the gold having a gold content of 10 to 40% by weight between the bonding surfaces of the outer lead and the inner lead. A method of manufacturing a composite lead frame for a plastic package , comprising joining an outer lead and an inner lead by heating the paste after interposing a tin paste.

【0009】また、アウターリードを金属リードフレー
ムによって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基
板によって構成してなるプラスチックパッケージ用複合
リードフレームの前記アウターリードと前記インナーリ
ードとを金錫共晶合金によって接合する際、アウターリ
ードおよびインナーリードの接合面の一方に錫もしくは
錫を主体とした金錫ペーストを施すと共に他方の接合面
に金めっきを施した後、前記両接合面を重ね合わせて加
熱することによってアウターリードとインナーリードと
の接合層を金含有量が10〜40重量%の合金層に形成
することを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リ
ードフレームの製造方法が提供される。
Further, the outer lead and the outer lead of the composite lead frame for a plastic package , wherein the outer lead is constituted by a metal lead frame and the inner lead is constituted by a flexible wiring board having a fine wiring pattern of a conductor formed on an insulating film. When joining the inner lead with the gold-tin eutectic alloy, after applying a gold-tin paste mainly composed of tin or tin to one of the joining surfaces of the outer lead and the inner lead and applying gold plating to the other joining surface, The outer lead and the inner lead are formed by overlapping and heating the two joining surfaces.
Formed into an alloy layer with a gold content of 10-40% by weight
A method of manufacturing a composite lead frame for a plastic package is provided.

【0010】ここで、フレキシブル配線基板とは、絶縁
フィルム(テープ状のものを含む)上に導体の微細配線
パターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
をいう。TABテープと称するものも、絶縁フィルム上
に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルな配
線基板であり、本発明でいうフレキシブル配線基板に含
まれるものである。
Here, the flexible wiring board refers to a so-called flexible wiring board in which a fine wiring pattern of a conductor is formed on an insulating film (including a tape-shaped one). What is called a TAB tape is also a flexible wiring board in which a fine wiring pattern of a conductor is formed on an insulating film, and is included in the flexible wiring board according to the present invention.

【0011】上記において、金錫ペーストとしては、金
粉末と錫粉末からなる混合粉末ペースト、あるいは金と
錫の合金からなる粉末のペーストが用いられる。
In the above, a mixed powder paste composed of gold powder and tin powder or a powder paste composed of an alloy of gold and tin is used as the gold-tin paste.

【0012】本発明の最も重要な特徴はフレキシブル配
線基板のインナーリードと外枠のアウターリードとの接
合に於いて接合層として金属ペーストの加熱によって形
成された金含有量が10〜40重量%のSn−Au合金
を用いることであるが、その様な特定な合金は適切な融
点範囲を有し(210〜305℃)、しかも脆い金属間
化合物であるAuSnからなる相が存在しないため、接
合に当って340℃以上の高温に加熱することが不要
で、しかも安定な接合が達成される。
The most important feature of the present invention is that the bonding between the inner lead of the flexible wiring board and the outer lead of the outer frame has a gold content of 10 to 40% by weight formed by heating the metal paste as a bonding layer. The use of a Sn-Au alloy is a particular alloy having an appropriate melting point range (210-305 ° C.) and the absence of a phase consisting of AuSn, a brittle intermetallic compound. In this case, it is not necessary to heat to a high temperature of 340 ° C. or more, and stable bonding is achieved.

【0013】この本発明の特徴についてさらに詳しく説
明すると、金錫の共晶合金(Au82重量%、Sn18
重量%)を利用した金属と金属、金属とセラミックス等
の接合は、セラミック封止LSIパッケージ等の分野で
古くから実用されている。この方法は、金めっきした金
属キャップと同じく金めっきしたセラミックベースの間
にロウ材として金錫の共晶合金箔を介在させて、340
〜360℃の温度で3〜5分間Nz気流中で加熱溶融さ
せてロウ付けするものである。この方法においては、単
に合金箔を間に挟んで溶かすだけなので固まった接合層
もほぼ合金箔と同じ共晶組成となっている。これは、金
属キャップとセラミックベースの金めっき厚さがいずれ
も1μm程度と薄いのに対して、共晶組成の合金箔は3
0〜50μm程度の厚い箔を用いるためである。
The features of the present invention will be described in more detail. A eutectic alloy of gold and tin (Au 82% by weight, Sn18
(% By weight) has been used for a long time in the field of ceramic-sealed LSI packages and the like. In this method, a eutectic alloy foil of gold and tin is interposed as a brazing material between a gold-plated metal cap and a similarly gold-plated ceramic base, and 340
It is heated and melted in an Nz gas stream at a temperature of about 360 ° C. for 3 to 5 minutes and brazed. In this method, since the alloy foil is merely melted with the alloy foil interposed therebetween, the solidified bonding layer has almost the same eutectic composition as the alloy foil. This is because while the thickness of the gold plating on the metal cap and the ceramic base is as thin as about 1 μm, the alloy foil with the eutectic composition has a thickness of 3 μm.
This is because a thick foil of about 0 to 50 μm is used.

【0014】これに対して本発明の金錫接合方法は、接
合部分の最終組成を通常の金錫共晶組成(通常Au82
重量%、Sn18重量%のものを共晶組成と呼んでい
る)とは状態図において反対側に位置するAu10〜4
0重量%の組成範囲を利用したものであるという点で、
上記した従来方法とは大きく異なっている。この点につ
いて説明すると、接合部分の組成をAu10〜40重量
%の金錫合金とした理由は、この領域であればAuとS
nが1原子づつからなる脆いAuSn金属間化合物が生
じにくいことと、接合温度を低くできるという点にあ
る。これをAu−Sn金属状態図で説明すると、金錫合
金の場合Au約10重量%の領域に217℃の低温共晶
点があり、この温度は錫の融点232℃よりも5℃低
い。即ち、通常のAu82重量%の共晶点293℃と比
較すると76℃(293−217=76)も低く、低温
での接合が可能である。この76℃の差は非常に重要
で、特にパッケージ構成材料として例えばポリイミドフ
ィルムやエポキシ系の接着剤等有機材料を用いる複合リ
ードフレームあるいは半導体装置にあっては、200℃
以上の高温になればその温度が高いほど有機材料が劣
化、あるいは一部炭化してしまい、絶縁抵抗等の電気特
性を保証できなくなる。セラミック封止LSIパッケー
ジにおいては、有機物が介在していないために、逆に高
温での耐熱性を得るために、高融点の組成が選定されて
いる。これはまた、前記パッケージが高温において信頼
性の高いことが要求される航空機用通信機器や産業用機
器に用いられるためでもある。本複合フレームが念頭に
おいているプラスチックパッケージにおいては、封止用
のプラスチックそのものがエポキシ系の有機材料である
ために、接合用のロウ材は217℃と低くて十分であ
る。
On the other hand, in the gold-tin bonding method of the present invention, the final composition of the bonding portion is changed to a normal gold-tin eutectic composition (usually Au82
% Of Sn and 18% by weight of Sn are referred to as a eutectic composition).
In that it utilizes the composition range of 0% by weight,
This is significantly different from the conventional method described above. Explaining this point, the reason why the composition of the bonding portion is a gold-tin alloy of Au 10 to 40% by weight is that in this region, Au and S
It is difficult to generate a brittle AuSn intermetallic compound in which n is one atom at a time, and the junction temperature can be lowered. Explaining this with an Au-Sn metal phase diagram, in the case of a gold-tin alloy, there is a low-temperature eutectic point of 217 ° C in a region of about 10% by weight of Au, which is 5 ° C lower than the melting point of 232 ° C of tin. That is, compared with the normal eutectic point of 82% by weight of Au at 293 ° C., the temperature is lower by 76 ° C. (293-217 = 76), and bonding at a low temperature is possible. This difference of 76 ° C. is very important. Particularly, in the case of a composite lead frame or a semiconductor device using an organic material such as a polyimide film or an epoxy-based adhesive as a package constituent material, a temperature of 200 ° C.
At higher temperatures, the higher the temperature, the more the organic material is degraded or partially carbonized, so that electrical characteristics such as insulation resistance cannot be guaranteed. In the ceramic sealed LSI package, a composition having a high melting point is selected in order to obtain heat resistance at a high temperature because an organic substance is not interposed. This is also because the package is used for aircraft communication equipment and industrial equipment that require high reliability at high temperatures. In the plastic package envisaged by the present composite frame, since the sealing plastic itself is an epoxy-based organic material, the soldering brazing material having a low temperature of 217 ° C. is sufficient.

【0015】以下詳細に本発明を説明する。ここでは、
インナーリードの接合面に金めっきを施しアウターリー
ドの接合面に錫もしくは錫を主体とした金錫ペーストを
印刷によって施す場合の実施態様について説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. here,
An embodiment in which gold plating is applied to the bonding surface of the inner lead and gold or tin paste mainly containing tin or tin is applied to the bonding surface of the outer lead by printing will be described.

【0016】フレキシブル配線基板のインナーリードと
外枠のアウターリードを接合するに際して、まず、イン
ナーリードの接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっ
きを施してからその上に金めっきを施すことがより好ま
しい態様である。そしてアウターリードの接合面に錫ま
たは錫を主体とした金錫ペーストを部分印刷によって施
す。この様に金と錫を夫々別々に設けた場合には、接合
部分に介在される箔等のロウ材の量、特に厚さを全体と
して薄くすることができ、これにより加熱接合時におけ
るロウ材の流出を少なくおさえることができる。この様
にロウ材の流出を少なくおさえられるということは、微
細リードを数多く狭ピッチでしかも性格に接合する方法
としてきわめて重要なことであり、ロウ材の流出の程度
によっては各リードが短絡してしまう。また、ロウ材の
厚さを薄くするという意味でその一方を金めっきをもっ
て形成するということは好ましいことである。
When joining the inner lead of the flexible wiring board and the outer lead of the outer frame, first, the joining surface of the inner lead is plated with gold. This is a preferred embodiment. Then, tin or a gold-tin paste mainly composed of tin is applied to the joint surface of the outer lead by partial printing. When gold and tin are separately provided in this manner, the amount of brazing material such as foil interposed at the joining portion, particularly the thickness, can be reduced as a whole. Outflow can be reduced. Reducing the outflow of brazing material in this way is extremely important as a method for joining many fine leads at a narrow pitch and precisely, and depending on the degree of outflow of brazing material, each lead may be short-circuited. I will. In addition, it is preferable that one of the brazing materials is formed by gold plating in order to reduce the thickness of the brazing material.

【0017】接合を行うに際して用いられる加熱手段は
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
公知の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加
熱する方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用い
た場合、加熱ヒータの温度を300〜500℃とし、リ
ードに対して31〜94gの圧をかけつつ0.5〜20
秒間加熱する。このように加圧して接合すると、接合層
の厚さを必要最低限の厚さに薄くすることができ、これ
により接合強度を上げることができる。また、接合層の
厚さは薄いほど気泡等の欠陥が少なくなり、母材金属と
比較して強度の弱い接合層の合金層の割合が少なくなる
ので接合強度は高まることになる。
As the heating means used for bonding, known heating means such as infrared beam heating and heating by a heater are employed, but a method of heating using a heater is preferred. When a heating heater is used, the heating temperature is set to 300 to 500 ° C. and 0.5 to 20 while applying a pressure of 31 to 94 g to the lead.
Heat for 2 seconds. When bonding is performed under such pressure, the thickness of the bonding layer can be reduced to the minimum necessary thickness, thereby increasing the bonding strength. Further, as the thickness of the bonding layer is smaller, defects such as air bubbles are reduced, and the ratio of the alloy layer of the bonding layer having a lower strength than that of the base metal is reduced, so that the bonding strength is increased.

【0018】この様な加熱手段により錫が金に拡散し
て、結果として錫と金の合金層が生成する。この合金層
の金含有量は10〜40重量%であるが、この様な組成
とするには、前記の金めっき量および上記した錫含有ペ
ーストの厚さを適切に調整することにより達成される。
通常インナーリードへの金めっき量とアウターリードへ
の錫含有ペースト印刷の割合が上記の範囲となる様にめ
っきと印刷が行われる。
By such heating means, tin diffuses into gold, and as a result, an alloy layer of tin and gold is formed. The gold content of this alloy layer is 10 to 40% by weight. Such a composition is achieved by appropriately adjusting the amount of gold plating and the thickness of the tin-containing paste. .
Usually, plating and printing are performed so that the ratio of the amount of gold plating to the inner leads and the ratio of tin-containing paste printing to the outer leads fall within the above ranges.

【0019】また、インナーリードへの金のめっきは通
常厚さ0.3〜6.0μm、好ましくは、0.5〜2.
0μmとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
0.1〜1.5μmの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫含有ペーストの印刷厚さは通常15〜2
0μmとなる様に行われる。錫含有ペーストの組成は、
金属(錫)粉末とビークルとしてのロジン、および石油
系の溶剤ならびに活性剤で構成されているために、加熱
接合時に金属以外の成分が揮発することによって接合が
完了する。このため錫含有ペーストの印刷厚さは、錫単
独の例えばめっきにより形成した場合の厚さの通常2倍
とする。15〜20μmの厚さに印刷された錫含有ペー
ストは、溶剤、ロジン、活性剤等の揮発後は約7〜10
μmの厚さとなる。
The gold plating on the inner leads is usually 0.3 to 6.0 μm in thickness, preferably 0.5 to 2.0 μm.
The plating is performed so as to have a thickness of 0.1 to 1.5 μm. The printing thickness of the tin-containing paste on the outer lead is usually 15 to 2
It is performed so as to have a thickness of 0 μm. The composition of the tin-containing paste is
Since it is composed of a metal (tin) powder, rosin as a vehicle, a petroleum-based solvent and an activator, the components other than the metal are volatilized at the time of heat bonding to complete the bonding. For this reason, the printing thickness of the tin-containing paste is usually set to twice the thickness when tin is formed, for example, by plating alone. The tin-containing paste printed to a thickness of 15 to 20 μm is about 7 to 10 after volatilization of the solvent, rosin, activator and the like.
It has a thickness of μm.

【0020】金、錫またはニッケルのめっき方法はそれ
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。
The plating method of gold, tin or nickel is performed by a method known per se, for example, an electroplating method. For gold plating, semi-bright plating using a neutral or acidic bath is employed.

【0021】本発明の複合リードフレームの一例を図1
および図2を用いて説明する。
FIG. 1 shows an example of the composite lead frame of the present invention.
This will be described with reference to FIG.

【0022】リードフレームは外枠13を備え、この外
枠13からアウターリード15(15a,15b)が外
枠13の中心近傍に向かって延設されている。
The lead frame has an outer frame 13 from which outer leads 15 (15a, 15b) extend toward the vicinity of the center of the outer frame 13.

【0023】リードフレームの外枠13の中心部にはフ
レキシブル多層線基板17(以下に「多層配線基板」と
称する)が配置され、この多層配線基板17は、上側
に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層19と、
下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給用導体層
21との2層からなっている。
At the center of the outer frame 13 of the lead frame, a flexible multilayer wiring board 17 (hereinafter referred to as "multilayer wiring board") is arranged. Layer 19;
On the lower side, there are two layers, for example, a grounding and power supply conductor layer 21 made of copper.

【0024】上記絶縁フィルム層19は片面(すなわち
上面)銅箔付ポリイミドフィルムである。
The insulating film layer 19 is a polyimide film with a single-sided (ie, upper) copper foil.

【0025】この銅箔は後にエッチングされてインナー
リード27となる。絶縁フィルム層19は、接地および
電源供給用ホール23とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層19に導体層21が
接着剤等により貼着されている。この多層配線基板17
の絶縁フィルム層19の上側表面に貼付された銅泊を例
えばエッチングもしくは銅を蒸着して、インナーリード
27が形成されている。このインナーリード27の内側
先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされるよ
うに、例えばSn−Niの下地の上に金のような良導体
がめっきされている。
This copper foil is later etched to form inner leads 27. The insulating film layer 19 has a grounding and power supply hole 23 opened by press punching or the like. The conductor layer 21 is adhered to the insulating film layer 19 with an adhesive or the like. This multilayer wiring board 17
The inner lead 27 is formed by, for example, etching or vapor-depositing copper on the upper surface of the insulating film layer 19. A good conductor such as gold is plated on an Sn—Ni base, for example, at the inner end of the inner lead 27 so that the wire bonding connection is made well.

【0026】このようにワイヤボンディングのためにイ
ンナーリードの内側先端にも金めっきが施されるのであ
れば、上記したように本発明においてアウターリードと
インナーリードとを金錫共晶合金法によって接続するに
あたってインナーリード側に金めっきを施すようにした
ことは、インナーリードについて前記各々の金めっき作
業を同時に行うことができるのでめっき作業上非常に都
合が良い。上記多層配線基板17のホール23にも、例
えばSn−Niの下地の上に金のような良導体がめっき
されている。
If gold plating is also applied to the inner tip of the inner lead for wire bonding as described above, the outer lead and the inner lead are connected by the gold-tin eutectic alloy method in the present invention as described above. The fact that gold plating is applied to the inner lead side is very convenient in terms of plating work because the above-described respective gold plating operations can be performed simultaneously on the inner lead. A good conductor such as gold is also plated on the hole 23 of the multilayer wiring board 17 on, for example, a Sn—Ni base.

【0027】上記リードフレームのアウターリード15
bと、多層配線基板17のインナーリード27との電気
的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成されて
いる。
Outer lead 15 of the above lead frame
The electrical connection between b and the inner leads 27 of the multilayer wiring board 17 is achieved by the heat and pressure bonding by the method described above.

【0028】ところで、この図において、リードフレー
ムのアウターリードは、外枠13の例えば四隅近傍から
それぞれ延在するリードを接地および電源供給用アウタ
ーリード15aとし、その他を信号用アウターリード1
5bとしている。信号用アウターリード15bは、上述
したようにインナーリード27との接続がなされている
が、接地および電源供給用リード15aは、導体層21
に直接接地される。
In this figure, the outer leads of the lead frame are respectively extended from, for example, four corners of the outer frame 13 as grounding and power supply outer leads 15a, and the others are used as signal outer leads 1a.
5b. The signal outer lead 15b is connected to the inner lead 27 as described above, but the ground and power supply lead 15a is connected to the conductor layer 21b.
To ground directly.

【0029】かかる多層リードフレームに、半導体素子
33を搭載し、半導体素子33の信号端子とインナーリ
ード27のめっき端子との間をボンディングワイヤ35
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子3
3の接地端子と導体層21の多層配線基板17の接地お
よび電源供給用ホール23から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ35でボンディングして接続する。最
後にインナーリード27を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。
A semiconductor element 33 is mounted on such a multilayer lead frame, and a bonding wire 35 is provided between a signal terminal of the semiconductor element 33 and a plating terminal of the inner lead 27.
And the semiconductor element 3
A bonding wire 35 connects between the ground terminal 3 and the portion of the conductor layer 21 that is exposed from the ground and power supply holes 23 of the multilayer wiring board 17. Finally, the semiconductor device can be manufactured by resin sealing so as to wrap the inner leads 27.

【0030】本発明の複合リードフレームの構造は、前
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図2の導体層21が無いものであっても良く、また導
体層21に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。
The structure of the composite lead frame of the present invention may be such that the flexible wiring board has a single layer other than that described above, that is, does not have the conductor layer 21 of FIG. Further, a conductor layer may be further laminated with a structure having a conductor layer for grounding and a conductor layer for power supply.

【0031】[0031]

【実施例】(実施例1)まず、厚さ0.15mmのFe
−42%Ni合金を用いて、図2および図3に示すよう
な、外枠13およびアウターリード15を作製する。こ
こで、アウターリード15の先端におけるピッチは0.
37mmである。次に厚さ0.05mmの、ポリイミド
絶縁フィルム層19に接地および電源供給用ホール23
を穿設し、このポリイミド絶縁フィルム層の片面に厚さ
0.10mmの42合金(Fe−42%Ni合金)箔を
接着した2層の多層配線基板17を作製する。この多層
配線基板17に厚さ0.018mmの銅箔を貼付し、エ
ッチングして0.12mmピッチのインナーリード27
を形成し、インナーリード27の外側端部にAu/Ni
めっきを施し(Au:2.0μm、Ni:0.5μ
m)、インナーリード27の外側端部に錫粉末からなる
錫ペーストが印刷された(Snペースト厚さ:15μ
m)アウターリード15の信号用リード15bをツール
(加熱ヒータ)により加熱加圧接合する。ここでAuと
Snのめっき量の割合はAuが26重量%であり、Sn
が74重量%である。なお、符号37はAu/Sn接合
層である。
(Example 1) First, a 0.15 mm thick Fe
The outer frame 13 and the outer lead 15 as shown in FIGS. 2 and 3 are manufactured using a −42% Ni alloy. Here, the pitch at the tip of the outer lead 15 is 0.
37 mm. Next, the grounding and power supply holes 23 are formed in the 0.05 mm thick polyimide insulating film layer 19.
And a two-layer multilayer wiring board 17 in which a 0.10 mm-thick 42 alloy (Fe-42% Ni alloy) foil is adhered to one surface of the polyimide insulating film layer. A copper foil having a thickness of 0.018 mm is attached to the multilayer wiring board 17 and etched to form inner leads 27 having a pitch of 0.12 mm.
Is formed, and Au / Ni is formed on the outer end of the inner lead 27.
Plating (Au: 2.0 μm, Ni: 0.5 μm)
m) A tin paste made of tin powder was printed on the outer end of the inner lead 27 (Sn paste thickness: 15 μm)
m) The signal lead 15b of the outer lead 15 is heated and pressed by a tool (heater). Here, the ratio of the plating amount of Au to Sn is 26% by weight of Au,
Is 74% by weight. Reference numeral 37 denotes an Au / Sn junction layer.

【0032】接合に於ける各条件は以下の如くとした。Each condition in the joining was as follows.

【0033】 温 度 : 320℃ 圧 力 : 40g/リード 時 間 : 10秒 生成した接合層37の合金組成はAuの含量15%であ
った。
Temperature: 320 ° C. Pressure: 40 g / lead time: 10 seconds The alloy composition of the formed bonding layer 37 was 15% Au.

【0034】接地および電源供給用アウターリード15
aも、信号用アウターリード15bと同じように同一の
ツールをもって同時に接合した。この場合、接地および
電源供給用アウターリード15aへの錫ペーストの印刷
厚さは、信号用アウターリード15bに対する厚さと同
じで十分である。
Outer lead 15 for grounding and power supply
a was also simultaneously bonded with the same tool as in the case of the signal outer lead 15b. In this case, the printing thickness of the tin paste on the grounding and power supply outer leads 15a is sufficient to be the same as the thickness on the signal outer leads 15b.

【0035】この様にして得られた複合リードフレーム
のインナーリードとアウターリードの接合部付近のポリ
イミド樹脂や接着剤が炭化した様子あるいは酸化した様
子は認められなかった。
In the composite lead frame thus obtained, no carbonized or oxidized polyimide resin or adhesive near the joint between the inner lead and the outer lead was observed.

【0036】インナーリードとアウターリードとの接合
強度が安定していることを確認する目的で接合部のピー
ル強度を測定した処、150℃に1000時間放置した
後でも約45gf/mmと初期値とほとんど変化がなか
った。
The peel strength of the joint was measured for the purpose of confirming that the joint strength between the inner lead and the outer lead was stable. The initial value was about 45 gf / mm even after leaving at 150 ° C. for 1000 hours. There was little change.

【0037】本発明のより一層の理解のために一連の実
験結果を説明する。
A series of experimental results will be described for a better understanding of the present invention.

【0038】図3は、インナーリード27上部に金がめ
っきされ、アウターリード15の下部に錫ペーストが印
刷された接合前の横断面図であり、一方図4は加圧接合
後の横断面図であり、37は錫と金の合金からなる接合
層である。
FIG. 3 is a cross-sectional view before bonding in which gold is plated on the inner lead 27 and tin paste is printed on the lower part of the outer lead 15, while FIG. 4 is a cross-sectional view after pressure bonding. And 37 is a bonding layer made of an alloy of tin and gold.

【0039】金と錫の合計厚さを一定(7.5μm)と
した場合(この場合錫の厚さは図3において錫ペースト
を加熱することによってロジン、溶剤、活性剤等の揮発
が完了した状態の厚さでとらえるものとする。<注>こ
れは図5,図6,図7,図8においても同じである。)
図5に示される様にAu/Sn接合断面の厚さは、Au
めっき厚さが大きくなると厚くなる傾向が観察された。
これは、加圧接合時の温度が低いため金の厚さが大きい
と反応しないAu層がそのまま残るためである。
When the total thickness of gold and tin was fixed (7.5 μm) (in this case, the tin thickness was reduced by heating the tin paste in FIG. 3 to complete the volatilization of rosin, solvent, activator, etc.). (Note: This is the same in FIGS. 5, 6, 7, and 8.)
As shown in FIG. 5, the thickness of the Au / Sn junction cross section is Au
A tendency was observed to increase as the plating thickness increased.
This is because the Au layer which does not react when the thickness of gold is large because the temperature at the time of pressure bonding is low remains as it is.

【0040】<注>実際の接合作業においては、錫ペー
ストに対し接合前の脱ビークル加熱は行わず、接合時の
加熱によって接合と同時にビークル(ロジン、溶剤、活
性剤等)が揮発するようにしている。
<Note> In the actual joining operation, no de-vehicle heating is performed on the tin paste before joining, and the vehicle (rosin, solvent, activator, etc.) is volatilized simultaneously with the joining by heating during joining. ing.

【0041】一方、金めっき厚さが1.0μmと一定の
場合には、図6で示される様に錫層の厚さに関係なく接
合断面の厚さはほぼ一定(4.0μm)であった。
On the other hand, when the gold plating thickness is constant at 1.0 μm, as shown in FIG. 6, the thickness of the bonding section is almost constant (4.0 μm) regardless of the thickness of the tin layer. Was.

【0042】次に接合部の引張強さに着目すると図7で
示される様に、Auめっき厚さが0.5〜2.0μmの
処に引張強さの大きい領域が存在した。
Next, focusing on the tensile strength of the joint, as shown in FIG. 7, there was a region having a large tensile strength where the Au plating thickness was 0.5 to 2.0 μm.

【0043】接合部の定量分析を行い、AuとSnの厚
さとの関係をプロットしたのが図8であるが、図7と関
係させると引張強さの大きい領域は、金含量が10〜4
0重量%の合金組成の処となっていることが理解され
る。
FIG. 8 plots the relationship between Au and Sn thickness by performing a quantitative analysis of the joint. FIG. 8 shows that the region having a high tensile strength has a gold content of 10 to 4 in relation to FIG.
It can be seen that the alloy composition is 0% by weight.

【0044】金含量が20重量%の合金からなるAu−
Sn接合部につきX線回折による分析を行った処、図9
の如き回折パターンが得られAuSnで示される脆い金
属間化合物は生成していなかった。金10重量%の合
金、金40重量%の合金にもAuSnは生成していなか
った。
Au- consisting of an alloy having a gold content of 20% by weight
FIG. 9 shows that the Sn junction was analyzed by X-ray diffraction.
And a brittle intermetallic compound represented by AuSn was not formed. AuSn was not formed in the alloy of 10% by weight of gold or the alloy of 40% by weight of gold.

【0045】一方、金と錫の合金からなる接合部の信頼
試験の目的で、150℃の高温放置試験を実施した処接
合部の組成がSn−10wt%Au〜Sn−40wt%
Auの範囲のものは1000時間後もピール強度の低下
は認められなかった。その一例を図10に示した。ま
た、温度サイクル試験(−30℃×30分保持 150
℃×30分保持)を1000サイクル実施したがハガレ
も無く、ピール強度の低下もほとんどなかった。
On the other hand, for the purpose of a reliability test of a joint made of an alloy of gold and tin, the composition of the treated joint subjected to a high-temperature storage test at 150 ° C. was Sn-10 wt% Au to Sn-40 wt%.
In the Au range, no decrease in peel strength was observed even after 1000 hours. An example is shown in FIG. In addition, a temperature cycle test (−30 ° C. × 30 min.
(Holding at 30 ° C. for 30 minutes) was carried out for 1,000 cycles, but no peeling occurred and there was almost no decrease in peel strength.

【0046】(実施例2)実施例1において、アウター
リードの接合面に金と錫の粉末を含有してなる混合粉末
ペーストを印刷によって施した。この場合インナーリー
ドの接合面およびワイヤボンディング面には金めっきを
0.5μm施した。金めっきの厚さを0.5μmとした
のは、ワイヤボンディングを正常に作業するためであ
る。混合粉末ペーストの金と錫の重量比は、金10%、
錫90%とした。従って、接合部における金と錫の合金
層の組成は、インナーリード側の金めっきの目付分だけ
金の成分比が高くなり、組成分析の結果Au23%であ
った。その他は実施例1と同様である。
(Example 2) In Example 1, a mixed powder paste containing gold and tin powders was applied to the joint surface of the outer lead by printing. In this case, gold plating was applied to the bonding surface and the wire bonding surface of the inner lead at 0.5 μm. The reason why the thickness of the gold plating is set to 0.5 μm is to allow wire bonding to work normally. The weight ratio of gold and tin in the mixed powder paste is 10% gold,
Tin was 90%. Therefore, the composition of the alloy layer of gold and tin in the joint portion was such that the gold component ratio was increased by the weight of the gold plating on the inner lead side, and as a result of composition analysis, Au was 23%. Others are the same as the first embodiment.

【0047】(実施例3)実施例2において、アウター
リードの接合面に金と錫の合金からなる合金粉末ペース
トを印刷によって施した。合金粉末の組成は重量比で金
10%、錫90%であり、混合粉末ペーストの場合と同
様とした。その他は実施例2と同様である。
Example 3 In Example 2, an alloy powder paste composed of an alloy of gold and tin was applied to the joint surface of the outer lead by printing. The composition of the alloy powder was 10% by weight of gold and 90% by weight of tin, and was the same as that of the mixed powder paste. Others are the same as the second embodiment.

【0048】(実施例4)実施例3において、合金粉末
ペーストの印刷をアウターリードの接合面ではなく、イ
ンナーリードの接合面に局部印刷によって施した。その
他は実施例3と同様である。
Example 4 In Example 3, printing of the alloy powder paste was performed by local printing on the bonding surface of the inner lead instead of the bonding surface of the outer lead. Others are the same as the third embodiment.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明によれば、ワイヤボンディング工
程、樹脂封止工程に付しても安定にインナーリードとア
ウターリードとが接合しており、いい換えればかかる工
程での加熱によって接合部が溶融化して流れるというこ
とがなく従って微細パターンの接合にきわめて適してお
り、しかも接合温度が適当な範囲にあるので絶縁層に用
いられる樹脂や接着剤の熱劣化の無い複合リードフレー
ムが容易に得られる。
According to the present invention, the inner lead and the outer lead are stably bonded even when subjected to the wire bonding step and the resin sealing step. In other words, the bonded portion is heated by the step. Since it does not melt and flow, it is very suitable for joining fine patterns, and since the joining temperature is in an appropriate range, it is easy to obtain a composite lead frame without thermal degradation of the resin and adhesive used for the insulating layer. Can be

【0050】また、本発明によれば、インナーリードと
アウターリードとを金錫共晶合金法によって接続するに
あたってインナーリード側に金めっきを施すようにした
ので、ワイヤボンディング性確保のために同じインナー
リード内側先端に金めっきを施すような場合には、これ
らの金めっき作業を同時に行うなど容易に行うことがで
きる。
According to the present invention, when the inner lead and the outer lead are connected by the gold-tin eutectic alloy method, gold plating is applied to the inner lead side. In the case where gold plating is applied to the inner end of the lead, these gold plating operations can be easily performed, for example, simultaneously.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a composite lead frame according to the present invention.

【図2】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための平面図である。
FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a composite lead frame according to the present invention.

【図3】インナーリードとアウターリードを接合する前
の状態を示す横断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state before joining an inner lead and an outer lead.

【図4】インナーリードとアウターリードが接合した後
の状態を示す横断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state after the inner lead and the outer lead are joined.

【図5】Auめっき厚とSnめっき厚を変えたときの接
合断面の厚さの変化を示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing a change in the thickness of the bonding cross section when the Au plating thickness and the Sn plating thickness are changed.

【図6】Auめっき厚を一定とし、Sn層の厚さを変化
したときの接合断面の厚さの変化を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing a change in the thickness of the junction cross section when the thickness of the Sn layer is changed while the Au plating thickness is kept constant.

【図7】Auめっき厚およびSn層の厚を変えたときの
接合層の強度を示すグラフである。
FIG. 7 is a graph showing the strength of the bonding layer when the thickness of the Au plating and the thickness of the Sn layer are changed.

【図8】Au/Sn接合層の組成を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the composition of an Au / Sn junction layer.

【図9】接合層のX線回折パターンを示す図である。FIG. 9 is a view showing an X-ray diffraction pattern of a bonding layer.

【図10】Au/Sn接合部の強度の耐熱性を示すグラ
フである。
FIG. 10 is a graph showing the heat resistance of the strength of the Au / Sn junction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 リードフレーム 13 外枠 15a 接地および電源供給用アウターリード 15b 信号用アウターリード 17 フレキシブル多層配線基板 19 絶縁フィルム層 21 接地および電源供給用導体層 23 接地および電源供給用ホール 27 インナーリード 31 バンプ 33 半導体素子 35 ボンディングワイヤ 37 Sn−Au合金層 38 加圧接合で吐き出されたヒレット DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Lead frame 13 Outer frame 15a Grounding and power supply outer lead 15b Signal outer lead 17 Flexible multilayer wiring board 19 Insulating film layer 21 Grounding and power supply conductor layer 23 Grounding and power supply hole 27 Inner lead 31 Bump 33 Semiconductor Element 35 Bonding wire 37 Sn-Au alloy layer 38 Hillet discharged by pressure bonding

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 浩樹 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 山口 健司 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 (56)参考文献 特開 平2−168661(JP,A) 特開 昭55−16732(JP,A) 特開 昭54−122653(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Hiroki Tanaka 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture Inside Hitachi, Ltd.System Materials Research Laboratories (72) Kenji Yamaguchi 3550 Kida Yomachi, Tsuchiura City, Ibaraki Prefecture (56) References JP-A-2-168661 (JP, A) JP-A-55-16732 (JP, A) JP-A-54-122653 (JP, A)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】アウターリードを金属リードフレームによ
って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
微細金属パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
フレームにおいて、上記アウターリードとインナーリー
ドとの接合層が両者の接合面間に介在された金属ペース
トへの加熱によって形成された錫と金の合金からなり、
かつ該合金の金含有量が10〜40重量%であることを
特徴とするプラスチックパッケージ用複合リードフレー
ム。
1. A composite lead frame for a plastic package, wherein an outer lead is constituted by a metal lead frame, and an inner lead is constituted by a flexible wiring board in which a fine metal pattern of a conductor is formed on an insulating film. The bonding layer with the inner lead is made of an alloy of tin and gold formed by heating the metal paste interposed between the two bonding surfaces,
A composite lead frame for a plastic package, wherein the alloy has a gold content of 10 to 40% by weight.
【請求項2】アウターリードを金属リードフレームによ
って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
フレームの前記アウターリードと前記インナーリードと
を金の含有量が10〜40重量%である金錫共晶合金に
よって接合する際、アウターリードとインナーリードと
の接合面間に金の含有量が10〜40重量%である金錫
ペーストを介在せしめた後、該ペーストを加熱すること
によってアウターリードとインナーリードとを接合する
ことを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リード
フレームの製造方法。
2. The composite package according to claim 1, wherein the outer lead is formed of a metal lead frame, and the inner lead is formed of a flexible wiring board having a fine wiring pattern of a conductor formed on an insulating film. When joining the inner lead with a gold-tin eutectic alloy having a gold content of 10 to 40% by weight, the gold having a gold content of 10 to 40% by weight between the bonding surfaces of the outer lead and the inner lead. A method for manufacturing a composite lead frame for a plastic package , comprising joining an outer lead and an inner lead by heating the paste after interposing a tin paste.
【請求項3】アウターリードを金属リードフレームによ
って構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の
微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板によ
って構成してなるプラスチックパッケージ用複合リード
フレームの前記アウターリードと前記インナーリードと
を金錫共晶合金によって接合する際、アウターリードお
よびインナーリードの接合面の一方に錫もしくは錫を主
体とした金錫ペーストを施すと共に他方の接合面に金め
っきを施した後、前記両接合面を重ね合わせて加熱する
ことによってアウターリードとインナーリードとの接合
層を金含有量が10〜40重量%の合金層に形成する
とを特徴とするプラスチックパッケージ用複合リードフ
レームの製造方法。
3. The composite package according to claim 1, wherein the outer lead comprises a metal lead frame, and the inner lead comprises a flexible wiring board having a fine wiring pattern of a conductor formed on an insulating film. When joining the inner lead with the gold-tin eutectic alloy, after applying a gold-tin paste mainly composed of tin or tin to one of the joining surfaces of the outer lead and the inner lead and applying gold plating to the other joining surface, joining of the outer lead and the inner lead by heating by superimposing the both joint surfaces
Method for producing a plastic package for a composite lead frame layer is gold content, characterized in the this <br/> forming the alloy layer of 10 to 40 wt%.
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