JPH04146440A - フォトレジストの露光方法 - Google Patents
フォトレジストの露光方法Info
- Publication number
- JPH04146440A JPH04146440A JP2269521A JP26952190A JPH04146440A JP H04146440 A JPH04146440 A JP H04146440A JP 2269521 A JP2269521 A JP 2269521A JP 26952190 A JP26952190 A JP 26952190A JP H04146440 A JPH04146440 A JP H04146440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- photoresist
- sealed space
- supporting frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
τ概要】
フォトレジストの露光方法に関し、
解像度の良好なフォトレジストの露光方法を提供するこ
とを目的とし、 基板のフォトレジスト塗布面上にフォトマスクを載置し
露光するフォトレジストの露光方法において、 少なくとも前記フォトマスクを境界壁の一部とする密閉
空間内に基板を挿入し、該密閉空間を真空とした状態で
露光光を照射するように構成する。 に産業上の利用分野】。 本発明は、フォトレジストの露光方法に関するものであ
る。 近年、高密度実装に対する要求が高まるにつれて、基板
等に対する配線パターンの微細化が進んでいる。 かかる事情の下、配線パターンの微細化に対応すること
ができる精度の高いフォトレジストの露光方法が求めら
れている。 τ従来の技術】 従来、フォトレジストの露光は、第2図に示すように、
基板lの上面に塗布したフォトレジスト2にガラス等で
形成されたフォトマスク3を載置し、紫外線等の露光光
5を照射することにより行ねれていた。
とを目的とし、 基板のフォトレジスト塗布面上にフォトマスクを載置し
露光するフォトレジストの露光方法において、 少なくとも前記フォトマスクを境界壁の一部とする密閉
空間内に基板を挿入し、該密閉空間を真空とした状態で
露光光を照射するように構成する。 に産業上の利用分野】。 本発明は、フォトレジストの露光方法に関するものであ
る。 近年、高密度実装に対する要求が高まるにつれて、基板
等に対する配線パターンの微細化が進んでいる。 かかる事情の下、配線パターンの微細化に対応すること
ができる精度の高いフォトレジストの露光方法が求めら
れている。 τ従来の技術】 従来、フォトレジストの露光は、第2図に示すように、
基板lの上面に塗布したフォトレジスト2にガラス等で
形成されたフォトマスク3を載置し、紫外線等の露光光
5を照射することにより行ねれていた。
【発明が解決しようとする課!1!1
しかし、上述した従来例においては、基板1自体に微少
なうねりがあるために、フォトマスク3と基板1とが完
全に密着しないために、フォトマスク3と基板上に隙間
が生じ、フォトレジスト2に対する解像度が悪くなると
いう欠点を有するものであった。 本発明ば、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、解像度の良好なフォトレジストの露光方法を提供す
ることを目的とする。 【課題を解決するための手段】 本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第1図に
示すように、 基板lのフォトレジスト2F塗布面上にフォトマスク3
を載置し露光するフォトレジストの露光方法において、 少なくとも前記フォトマスク3を境界壁の一部とする密
閉空間4内に基板1を挿入し、該密閉空間4を真空とし
た状態で露光光5を照射するフォトレジストの露光方法
を提供することにより達成される。 1作用】 上記構成に基づき、フォトマスク3ば、大気圧により加
圧されて基板1側に押圧される。 この結果、該フォトマスク3ば、基板1のうねりを吸収
する程度まで変形し、基板1とフォトマスク3との間に
隙間が生じることがなくなる。 また、残留した微小な隙間には、大気と比較して空気量
が少ないために、露光光5の屈折率が減少し、解像度の
低下を少なくする。 !実施例1 以下、本発明の望ましい実施例を添イナ図面に基づいて
詳細に説明する。 第1図は本発明の実施例を示すもので、図中1は最表層
部にフォトレジスト2を塗布した基板であり、フォトレ
ジスト2の露光に際し、先ず、この基板lを枠状に形成
され、支持台6上にセットされた支持枠7の中央部にセ
ットする。 この支持枠7ば、裏面、すなわち支持台6との界面、お
よび上面に図示しないパツキン等の封止構造を有してお
り、この上面にマスクホルダー8を1!置した状態で、
内側の空間を外部から遮蔽して密閉空間4が形成される
ようになっている。また、この支持台6の高さは、マス
クホルダー8をその上面に載置した状態で、フォト7ス
ク3の裏面が基板1に当接する程度の高さとされている
。 さらに、上記支持台6には、ヴアキューム装f9が連結
されており、該ヴアキューム装29を駆動させることに
より、支持枠7の内側を500ないし600amTIg
負圧状態とすることができるようにされている。 したがって、この装置を使用してフォトレジスト2の露
光を行うには、先ず第1図(a)に示すように、基板1
を支持枠7内にセットした後、マスクホルダー8をセッ
トし、ヴアキューム装置9を駆動させると、支持枠7内
部は、負圧状態となり、大気圧によりフォトマスク3ば
基板1表面に押しつけられる。この結果、上述したよう
に、フォトマスク3は基板1のうねりに追随するように
僅かに変形する。 なお、基板1の厚さは、その積層層数により略−義的に
決定されるので、積層層数の異なった基板1を露光する
場合には、予め高さの異なる支持枠7を用意しておき、
積層層数に見合うものを選択使用すればよく、さらに、
支持枠7の高さを変更可能なように形成しておくことも
できる。 【発明の効果1 以上の説明から明らかなように、本発明によるフォトレ
ジストの露光方法によれば、フォトマスクと基板上のフ
ォトレジストの間に隙間が生じるのが防止されるため、
解像度を向上させることができる。
なうねりがあるために、フォトマスク3と基板1とが完
全に密着しないために、フォトマスク3と基板上に隙間
が生じ、フォトレジスト2に対する解像度が悪くなると
いう欠点を有するものであった。 本発明ば、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、解像度の良好なフォトレジストの露光方法を提供す
ることを目的とする。 【課題を解決するための手段】 本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第1図に
示すように、 基板lのフォトレジスト2F塗布面上にフォトマスク3
を載置し露光するフォトレジストの露光方法において、 少なくとも前記フォトマスク3を境界壁の一部とする密
閉空間4内に基板1を挿入し、該密閉空間4を真空とし
た状態で露光光5を照射するフォトレジストの露光方法
を提供することにより達成される。 1作用】 上記構成に基づき、フォトマスク3ば、大気圧により加
圧されて基板1側に押圧される。 この結果、該フォトマスク3ば、基板1のうねりを吸収
する程度まで変形し、基板1とフォトマスク3との間に
隙間が生じることがなくなる。 また、残留した微小な隙間には、大気と比較して空気量
が少ないために、露光光5の屈折率が減少し、解像度の
低下を少なくする。 !実施例1 以下、本発明の望ましい実施例を添イナ図面に基づいて
詳細に説明する。 第1図は本発明の実施例を示すもので、図中1は最表層
部にフォトレジスト2を塗布した基板であり、フォトレ
ジスト2の露光に際し、先ず、この基板lを枠状に形成
され、支持台6上にセットされた支持枠7の中央部にセ
ットする。 この支持枠7ば、裏面、すなわち支持台6との界面、お
よび上面に図示しないパツキン等の封止構造を有してお
り、この上面にマスクホルダー8を1!置した状態で、
内側の空間を外部から遮蔽して密閉空間4が形成される
ようになっている。また、この支持台6の高さは、マス
クホルダー8をその上面に載置した状態で、フォト7ス
ク3の裏面が基板1に当接する程度の高さとされている
。 さらに、上記支持台6には、ヴアキューム装f9が連結
されており、該ヴアキューム装29を駆動させることに
より、支持枠7の内側を500ないし600amTIg
負圧状態とすることができるようにされている。 したがって、この装置を使用してフォトレジスト2の露
光を行うには、先ず第1図(a)に示すように、基板1
を支持枠7内にセットした後、マスクホルダー8をセッ
トし、ヴアキューム装置9を駆動させると、支持枠7内
部は、負圧状態となり、大気圧によりフォトマスク3ば
基板1表面に押しつけられる。この結果、上述したよう
に、フォトマスク3は基板1のうねりに追随するように
僅かに変形する。 なお、基板1の厚さは、その積層層数により略−義的に
決定されるので、積層層数の異なった基板1を露光する
場合には、予め高さの異なる支持枠7を用意しておき、
積層層数に見合うものを選択使用すればよく、さらに、
支持枠7の高さを変更可能なように形成しておくことも
できる。 【発明の効果1 以上の説明から明らかなように、本発明によるフォトレ
ジストの露光方法によれば、フォトマスクと基板上のフ
ォトレジストの間に隙間が生じるのが防止されるため、
解像度を向上させることができる。
第1図は本発明の実施例を示す図、
第2図は従来例を示す図である。
図において、
1・・・基板、
2・・・フォトレジスト、
3・・・フォトマスク、
4・・・密閉空間、
5・・・露光光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板(1)のフォトレジスト(2)塗布面上にフォト
マスク(3)を載置し露光するフォトレジストの露光方
法において、 少なくとも前記フォトマスク(3)を境界壁の一部とす
る密閉空間(4)内に基板(1)を挿入し、該密閉空間
(4)を真空とした状態で露光光(5)を照射するフォ
トレジストの露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2269521A JPH04146440A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジストの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2269521A JPH04146440A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジストの露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04146440A true JPH04146440A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17473552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2269521A Pending JPH04146440A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジストの露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04146440A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7845539B1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-12-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bump printing apparatus |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2269521A patent/JPH04146440A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7845539B1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-12-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bump printing apparatus |
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