JPH0414424B2 - - Google Patents
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- JPH0414424B2 JPH0414424B2 JP59011074A JP1107484A JPH0414424B2 JP H0414424 B2 JPH0414424 B2 JP H0414424B2 JP 59011074 A JP59011074 A JP 59011074A JP 1107484 A JP1107484 A JP 1107484A JP H0414424 B2 JPH0414424 B2 JP H0414424B2
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- 230000004397 blinking Effects 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ヘツドに関する。
更に詳細には、光デイスクの如き媒体をレーザ
照射により加熱し、その際の冷却速度を変化せし
めることにより媒体の相変化を制御して記録の書
き込み、消去、書き換えを行なう光ヘツドに関す
る。
照射により加熱し、その際の冷却速度を変化せし
めることにより媒体の相変化を制御して記録の書
き込み、消去、書き換えを行なう光ヘツドに関す
る。
従来技術
光デイスクはその記憶容量の大きさから近年開
発が盛んである。これらの光デイスクのうち結晶
質−非晶質の相転移を利用して記録を行なうデイ
スクには、円形ビームのレーザと長円形ビームの
レーザを配置したヘツドを用いている。
発が盛んである。これらの光デイスクのうち結晶
質−非晶質の相転移を利用して記録を行なうデイ
スクには、円形ビームのレーザと長円形ビームの
レーザを配置したヘツドを用いている。
例えばTeOxのデイスク用のヘツドでは、円形
ビームによる急速加熱、急速冷却によつて非晶質
状態を実現して書き込みを行い、長円形ビームに
よつて加熱、徐冷をすることにより結晶化を起こ
させて消去を行なうものであつた。
ビームによる急速加熱、急速冷却によつて非晶質
状態を実現して書き込みを行い、長円形ビームに
よつて加熱、徐冷をすることにより結晶化を起こ
させて消去を行なうものであつた。
しかしながら、従来の光ヘツドでは消去のため
の時間が長いためビツト・バイ・ビツト消去が不
可能であるばかりでなく、空間的にある程度の長
さを加熱する必要があるため、データの正確な消
去がおこない得ず、これを避けて正確な記録を得
るには１本のトラツクをすべて消去したり、セク
タ全体を消去することが必要となつていた。
の時間が長いためビツト・バイ・ビツト消去が不
可能であるばかりでなく、空間的にある程度の長
さを加熱する必要があるため、データの正確な消
去がおこない得ず、これを避けて正確な記録を得
るには１本のトラツクをすべて消去したり、セク
タ全体を消去することが必要となつていた。
更に、消去中の書込みは部分的には可能である
が、消し始め、消し終りの部分の記録状態が不安
定となり、信頼性に問題があつた。また、オーバ
ーライト、すなわち、既に書込み済みの部分の消
去動作を行わずとも新しいデータを記憶させるこ
とができず、コンピユータ用記憶媒体に使用でき
ないという欠点を持つていた。
が、消し始め、消し終りの部分の記録状態が不安
定となり、信頼性に問題があつた。また、オーバ
ーライト、すなわち、既に書込み済みの部分の消
去動作を行わずとも新しいデータを記憶させるこ
とができず、コンピユータ用記憶媒体に使用でき
ないという欠点を持つていた。
発明の目的
本発明は、上述の従来技術の問題を解決して、
オーバーライト機能を有し、構造が簡単な光ヘツ
ドを提供することを目的とする。
オーバーライト機能を有し、構造が簡単な光ヘツ
ドを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明に従うと、第１レーザと、該第１レーザ
と隣接して光デイスクの回転方向に配置された少
なくとも１個の第２レーザとを具備し、該第２レ
ーザは該光デイスクの回転と同期して点滅駆動さ
れて、該第１レーザにより照射された該光デイス
クの部分を照射するように構成されていることを
特徴とする光ヘツドが提供される。
と隣接して光デイスクの回転方向に配置された少
なくとも１個の第２レーザとを具備し、該第２レ
ーザは該光デイスクの回転と同期して点滅駆動さ
れて、該第１レーザにより照射された該光デイス
クの部分を照射するように構成されていることを
特徴とする光ヘツドが提供される。
第１図を参照して本発明のヘツドによる書き込
み、消去、書き換えの原理を説明する。
み、消去、書き換えの原理を説明する。
第１図はFe系合金でよく知られている逆Ｓ字
曲線と呼ばれるグラフであり、冷却速度により得
られる合金の相変化を示すものである。例えば、
所定温度以上に加熱して急冷するとＡ相が得ら
れ、徐冷するとＢ相が得られる。結晶質−非晶質
の相転移を利用する光デイスクに於いてはＡ相が
非晶質であり、Ｂ相が結晶質である。
曲線と呼ばれるグラフであり、冷却速度により得
られる合金の相変化を示すものである。例えば、
所定温度以上に加熱して急冷するとＡ相が得ら
れ、徐冷するとＢ相が得られる。結晶質−非晶質
の相転移を利用する光デイスクに於いてはＡ相が
非晶質であり、Ｂ相が結晶質である。
第２図は本発明に従う光ヘツドによるビーム径
とビーム強度を示す模式図である。
とビーム強度を示す模式図である。
第２図に示す如く、この場合の光ヘツドのレー
ザは、第２図にａで示すビームを発する第１レー
ザと、ｂ〜ｅで示す４個のビームを発する第２レ
ーザ群とからなる。第２図Ａに示す如く、第１レ
ーザのビームａの径は第２レーザ群の各ビーム径
よりも大きく、且つ第２図Ｂに示す如く、ビーム
強度も大きい。第１レーザおよび第２レーザ群の
各レーザの発する各ビームは、光ヘツド回転方向
に距離ｄだけ中心軸を離間している。
ザは、第２図にａで示すビームを発する第１レー
ザと、ｂ〜ｅで示す４個のビームを発する第２レ
ーザ群とからなる。第２図Ａに示す如く、第１レ
ーザのビームａの径は第２レーザ群の各ビーム径
よりも大きく、且つ第２図Ｂに示す如く、ビーム
強度も大きい。第１レーザおよび第２レーザ群の
各レーザの発する各ビームは、光ヘツド回転方向
に距離ｄだけ中心軸を離間している。
これらの第１レーザおよび第２レーザ群の各レ
ーザを第３図に示すパターンで駆動する。第３図
で示す時間間隔tdは次のようにして決定する。
ーザを第３図に示すパターンで駆動する。第３図
で示す時間間隔tdは次のようにして決定する。
td＝30d／πr・Ｒ
ただし、ｒは光デイスクの回転中心から光ヘツ
ドによりレーザ照射するピツトまでの距離を示
し、Ｒは光デイスクの回転速度（rpm）を示し、
ｄは上記したとおりの光ヘツドの各レーザの中心
軸の間隔を示す。
ドによりレーザ照射するピツトまでの距離を示
し、Ｒは光デイスクの回転速度（rpm）を示し、
ｄは上記したとおりの光ヘツドの各レーザの中心
軸の間隔を示す。
この時間間隔tdにより、第３図に示す如く、第
１レーザおよび第２レーザ群の各々のレーザを点
滅する。
１レーザおよび第２レーザ群の各々のレーザを点
滅する。
このようにして、まずビームａにより照射され
た光デイスクの部分が回転移動して第２レーザ群
のレーザｂの位置にくると、レーザｂにより照射
され、次いで、レーザｃ，ｄ，ｅにより当該部分
が照射される。従つて、光デイスクの当該部分
は、レーザａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅに順次加熱される
ので第４図に実線で示す如き冷却速度で徐冷さ
れ、媒体材料は結晶質化する。
た光デイスクの部分が回転移動して第２レーザ群
のレーザｂの位置にくると、レーザｂにより照射
され、次いで、レーザｃ，ｄ，ｅにより当該部分
が照射される。従つて、光デイスクの当該部分
は、レーザａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅに順次加熱される
ので第４図に実線で示す如き冷却速度で徐冷さ
れ、媒体材料は結晶質化する。
他方、第１レーザにのみ照射され、第２レーザ
群によつては照射されない場合は第４図の破線で
示す冷却速度で冷却、すなわち急冷されて非晶質
化する。
群によつては照射されない場合は第４図の破線で
示す冷却速度で冷却、すなわち急冷されて非晶質
化する。
すなわち、第２レーザ群を点滅制御することに
より媒体の加熱後の冷却速度を容易に制御するこ
とができ、非晶質−結晶質の相転移を利用する光
デイスクへの書き込み及び消去を行なうことがで
きる。
より媒体の加熱後の冷却速度を容易に制御するこ
とができ、非晶質−結晶質の相転移を利用する光
デイスクへの書き込み及び消去を行なうことがで
きる。
より具体的に説明するならば、例えば光デイス
クの初期状態を非晶質とするならば、書込みは、
第２図に示す如く、第１レーザを照射し、次いで
第２レーザ群をデイスクの回転速度に同期して照
射して該当個所の冷却速度を遅くして結晶化する
ことにより行なうことができる。
クの初期状態を非晶質とするならば、書込みは、
第２図に示す如く、第１レーザを照射し、次いで
第２レーザ群をデイスクの回転速度に同期して照
射して該当個所の冷却速度を遅くして結晶化する
ことにより行なうことができる。
更に、書き込まれた記憶の消去は第１レーザの
ビームのみを照射することにより加熱、急冷して
非晶質化して行なうことができる。また、書き換
えは第１レーザのビームのみを照射するか（非晶
質化）または第２図に示す第１レーザに続いて第
２レーザ群のビームを同期して点滅照射して（結
晶化）、行なうことができる。
ビームのみを照射することにより加熱、急冷して
非晶質化して行なうことができる。また、書き換
えは第１レーザのビームのみを照射するか（非晶
質化）または第２図に示す第１レーザに続いて第
２レーザ群のビームを同期して点滅照射して（結
晶化）、行なうことができる。
本発明の光ヘツドのレーザのビーム形状は、い
ずれも円形でよいので、これらの操作は、デイス
クの隣接するラインまたは隣接するビツト位置の
部分に何等影響を及ぼすことなく、ビツト・バ
イ・ビツトで行なうことができる。
ずれも円形でよいので、これらの操作は、デイス
クの隣接するラインまたは隣接するビツト位置の
部分に何等影響を及ぼすことなく、ビツト・バ
イ・ビツトで行なうことができる。
尚、後述する如く、第１レーザの出力を可変と
して、焦点サーボ、トラツクサーボ、読み取り用
に低出力とし、消去または書き換え用に高出力と
するようにしてもよい。このように構成すること
により、１個の光ヘツドで消去、書き込みおよび
焦点サーボ、トラツクサーボの制御も行なうこと
ができる。
して、焦点サーボ、トラツクサーボ、読み取り用
に低出力とし、消去または書き換え用に高出力と
するようにしてもよい。このように構成すること
により、１個の光ヘツドで消去、書き込みおよび
焦点サーボ、トラツクサーボの制御も行なうこと
ができる。
以下、本発明を添付の図面を参照して具体的に
説明するが、これらの例は本発明の単なる例示で
あつて、本発明の技術的範囲を何等制限するもの
ではない。
説明するが、これらの例は本発明の単なる例示で
あつて、本発明の技術的範囲を何等制限するもの
ではない。
発明の好ましい態様
第５図は本発明に従う光ヘツドの１具体例の概
略図である。
略図である。
図示の如く、本発明に従う光ヘツドは、第１レ
ーザ１と、第２レーザ群２とを具備している。第
２レーザ群２は、本実施例では３個のレーザ２
ａ，２ｂ，２ｃからなる。
ーザ１と、第２レーザ群２とを具備している。第
２レーザ群２は、本実施例では３個のレーザ２
ａ，２ｂ，２ｃからなる。
第１レーザ１は出力が調整可能、すなわち、焦
点サーボ、トラツクサーボ、読み取りの場合の低
出力レベルと、消去または書き換えの場合の高出
力レベルに調整可能である。
点サーボ、トラツクサーボ、読み取りの場合の低
出力レベルと、消去または書き換えの場合の高出
力レベルに調整可能である。
他方、第２レーザ群２は一定出力のものでもよ
く、例えば第１レーザの高出力レベルのビームの
0.1〜0.8の出力を持つレーザアレイ乃至は複数個
のレーザから構成され、図示しない制御手段によ
り光デイスクの回転速度に同期して駆動される。
例えば、ビームの軸間距離を2μｍとし、デイス
クの書き込み位置をデイスク中心から10cm、デイ
スク回転速度を1800rpmとすると、上記したタイ
ミングtdは106nsecとなる。
く、例えば第１レーザの高出力レベルのビームの
0.1〜0.8の出力を持つレーザアレイ乃至は複数個
のレーザから構成され、図示しない制御手段によ
り光デイスクの回転速度に同期して駆動される。
例えば、ビームの軸間距離を2μｍとし、デイス
クの書き込み位置をデイスク中心から10cm、デイ
スク回転速度を1800rpmとすると、上記したタイ
ミングtdは106nsecとなる。
第５図に示す如く、本発明の光ヘツドは、更
に、第１レーザおよび第２レーザ群２の下方に、
ビーム整形および位置設定用の光学系３、更に、
偏光ビームスプリツタ４、λ／４板５を備え、こ
れらにより整形、透過、偏向されたビームは対物
レンズ６により光デイスク７上に焦点を結ぶ。
に、第１レーザおよび第２レーザ群２の下方に、
ビーム整形および位置設定用の光学系３、更に、
偏光ビームスプリツタ４、λ／４板５を備え、こ
れらにより整形、透過、偏向されたビームは対物
レンズ６により光デイスク７上に焦点を結ぶ。
他方、偏向ビームスプリツタ４の反射板の反射
方向には書き込みビーム反射光カツト用のスリツ
ト８と、サーボおよび読み出し用の受光素子９が
配置されている。
方向には書き込みビーム反射光カツト用のスリツ
ト８と、サーボおよび読み出し用の受光素子９が
配置されている。
このような構成の光デイスクにおいて、焦点サ
ーボ、トラツクサーボおよび読み出しのときに
は、第２レーザ群２は滅勢しておき、第１レーザ
１を低出力として媒体上を走査する。
ーボ、トラツクサーボおよび読み出しのときに
は、第２レーザ群２は滅勢しておき、第１レーザ
１を低出力として媒体上を走査する。
他方、書込み、消去および書き換えは次のよう
にして行なう。
にして行なう。
例えば非晶質を初期状態とする媒体７を使用す
るときは、第２レーザ群２を滅勢しておき、第１
レーザ１を高出力としてビツト毎に急速加熱、急
速冷却をおこなつて消去を行なう。
るときは、第２レーザ群２を滅勢しておき、第１
レーザ１を高出力としてビツト毎に急速加熱、急
速冷却をおこなつて消去を行なう。
書き込みあるいは書き換えは、高出力レベルと
した第１レーザ１のみを作動して媒体を加熱、急
冷して非晶質にするか、或いは第１レーザ１と第
２レーザ群２を同期して付勢して重ね合わせて媒
体７を加熱、徐冷し、結晶質化して行なう。
した第１レーザ１のみを作動して媒体を加熱、急
冷して非晶質にするか、或いは第１レーザ１と第
２レーザ群２を同期して付勢して重ね合わせて媒
体７を加熱、徐冷し、結晶質化して行なう。
実施例 １
第５図に示す光ヘツドを用い、Fe−0.50％Ｃ−
0.91％Mn薄膜を記録層として有するデイスクに
おいて、書き込みを行い、これがビツト・バイ・
ビツトで行われたのを確認した。また、1MHzの
信号を記録した後、その上に2MHzの信号をオー
バーライトしたところ、1MHz／2MHzの信号比が
−50dbとなり、オーバーライトが可能であるこ
とを確認した。
0.91％Mn薄膜を記録層として有するデイスクに
おいて、書き込みを行い、これがビツト・バイ・
ビツトで行われたのを確認した。また、1MHzの
信号を記録した後、その上に2MHzの信号をオー
バーライトしたところ、1MHz／2MHzの信号比が
−50dbとなり、オーバーライトが可能であるこ
とを確認した。
実施例 ２
pd−15％、Ag−22％Si薄膜を記録層として有
するデイスクにおいて、実施例１と同様の実験を
行い、オーバーライト特性として−45dbの値を
得た。
するデイスクにおいて、実施例１と同様の実験を
行い、オーバーライト特性として−45dbの値を
得た。
発明の効果
以上の詳述の如く、本発明に従う光ヘツドは構
成が簡単であり、長円形のビームを使用せず、円
形ビームで目的とするピツトのみを照射するの
で、ビツト・バイ・ビツトの書き込み、消去およ
び書き換えが可能であり、光デイスクのコンピユ
ータへの適用範囲を拡大するものである。
成が簡単であり、長円形のビームを使用せず、円
形ビームで目的とするピツトのみを照射するの
で、ビツト・バイ・ビツトの書き込み、消去およ
び書き換えが可能であり、光デイスクのコンピユ
ータへの適用範囲を拡大するものである。
第１図は、本発明の光ヘツドによる冷却速度を
変化させて媒体の相変化を行なう原理の説明図で
ある。第２図は、本発明の光ヘツドが具備するレ
ーザのビームの位置と強度を示す。第３図は本発
明の好ましい態様に従う光ヘツドのレーザを駆動
するタイミングの説明図である。第４図は、本発
明の光ヘツドによりレーザ照射したときの媒体の
冷却速度を示す。第５図は本発明の１態様に従う
光ヘツドの概略図である。 （参照番号）、１……第１レーザ、２……第２
レーザ、３……ビーム整形および位置設定用の光
学系、４……偏光ビームスプリツタ、５……λ／
４板、６……レンズ、７……媒体、９……デイタ
クタ。
変化させて媒体の相変化を行なう原理の説明図で
ある。第２図は、本発明の光ヘツドが具備するレ
ーザのビームの位置と強度を示す。第３図は本発
明の好ましい態様に従う光ヘツドのレーザを駆動
するタイミングの説明図である。第４図は、本発
明の光ヘツドによりレーザ照射したときの媒体の
冷却速度を示す。第５図は本発明の１態様に従う
光ヘツドの概略図である。 （参照番号）、１……第１レーザ、２……第２
レーザ、３……ビーム整形および位置設定用の光
学系、４……偏光ビームスプリツタ、５……λ／
４板、６……レンズ、７……媒体、９……デイタ
クタ。
Claims (1)
- １ 第１レーザと、該第１レーザと隣接して光デ
イスクの回転方向に配置された少なくとも１個の
第２レーザとを具備し、該第２レーザは該光デイ
スクの回転と同期して点滅駆動されて、該第１レ
ーザにより照射された該光デイスクの部分を照射
するように構成されていることを特徴とする光ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011074A JPS60173728A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59011074A JPS60173728A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173728A JPS60173728A (ja) | 1985-09-07 |
| JPH0414424B2 true JPH0414424B2 (ja) | 1992-03-12 |
Family
ID=11767827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59011074A Granted JPS60173728A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 光ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173728A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281129A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク装置 |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59011074A patent/JPS60173728A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60173728A (ja) | 1985-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |