JPH04142067A - 高周波半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高周波半導体装置に係り、特に高周波トラ
ンジスタを用いた厚膜混成集積回路に関するものである
。

〔従来の技術〕

近年、無線通信装置の電力増幅部をハイブリッド型の集
積回路装置としてモジュール化したものが多く使用され
、より小形化への要求が強まっている。

以下、この種の半導体装置について簡単に説明する。第
２図は高周波半導体装置を構成する等価回路図で、この
図において、１はトランジスタで、例えば高周波電力増
幅用ｎｐｎ　）ランジスク（以下、単に）・ランジスタ
という）である。２はＭＯＳ（金属酸化物半導体）容量
素子で、これは一般に高周波トランジスタの入力インピ
ーダンスが極めて低いために用いられる内部整合用の素
子である。３，４は前記１−ランジスタ１にバイアスを
加えるための分圧抵抗である。５は前記トランジスタ１
の発熱に伴い熱暴走防止用の温度補償用ダイオードであ
る。６，７は高周波的に分離するためのインダクタンス
素子である。また、１−ランジスタ１と外部の入出力端
子間にはそれぞれ整合回路８が形成されている。

第３図は従来の高周波半導体装置を具体的に構成した斜
視図である。この図で、９は第１の絶縁基板で、例えば
ベリリア基板を用いる。第１の絶縁基板９上面に入力用
導体膜１ｏおよび出力用導体膜１１がメタライズされ、
上面、側面、および下面に接地用導体膜１２がメタライ
ズされている。

入出力用導体膜１０，１１には、それぞれ入力端子１３
．出力端子１４がろう付けされている。１５はワイヤで
あり、１６はこのワイヤ１５のインダクタンス成分を減
少させるために形成されたブリッジである。１７は第２
の絶縁基板で、例えばセラミック材からなるアルミナ基
板である。第２の絶縁基板１７上面にインダクタンス成
分となるマイクロストリップライン等のインダクタンス
素子７や温度補償用ダイオード５ならびに整合回路８等
が形成されている。１８は放熱効果を高めるための放熱
板である。

上記のように、トランジスタ１の発熱が大きな場合には
、より熱伝導の良いベリリア基板が絶縁基板として使用
されるが、高価なために絶縁基板は第１．第２の絶縁基
板９，１７に分割されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の高周波半導体装置は、以上のように構成されてい
たので、トランジスタ１と温度補償用ダイオード５の双
方の接触面積が必要となり、モジュールの小形化が進む
につれてその接触面積が問題点となっていた。

また、トランジスタ１と温度補償用ダイオード５が別々
の絶縁基板上に形成されているために、トランジスタ１
の発熱に対して瞬時に温度補償用タイオード５が働かず
に、充分な温度補償が行えていなかった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、モジュールの小形化ができるとともに、よ
り良好な温度補償を行える高周波半導体装置を得ること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る高周波半導体装置は、）・ランジスタが
固着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着し
たものである。

〔作用〕

この発明においては、トランジスタと温度補償用タイオ
ードを同一絶縁基板上に形成したことにより、モジュー
ルの小形化がはかれるとともに、速やかな温度補償が行
われる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。

第１図において、１９はバイアス用メタライズ膜で、バ
イアス端子２０がろう付けされている。

また、温度補償用ダイオード５は接地用導体膜１２上面
にろう材等により固着される。

上記のように、第１の絶縁基板９上に温度補償用ダイオ
ード５を形成したことにより、第３図に示す従来の第２
の絶縁基板１７のダイオード用のポンディングパッドが
不要となり、モジュールの小形化が図れる。また、同一
絶縁基板上にトランジスタ１および温度補償用ダイオー
ド５を形成したことにより、）・ランジスタ１の発熱に
よる温度変化に敏感に反応し、従来よりもトランジスタ
１の安定動作がはかれ、熱暴走を防止できる良好な温度
補償が可能となる。

なお、上記実施例では、厚膜混成集積回路の一部として
示してきたが、ディスクリートトランジスタとして用い
てもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、ｌ−ランジスタが固
着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着した
ので、モジュールの小形化ができるとともに、より良好
な温度補償が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による高周波半導体装置の
斜視図、第２図は高周波半導体装置を構成する等価回路
図、第３図は従来の高周波半導体装置の斜視図である。 図において、１はｌ・ランジスタ、２はＭＯ８容量素子
、５は温度補償用ダイオード、９は第１の絶縁基板、１
０は入力用導体膜、１１は出力用導体膜、１２は接地用
導体膜、１７は第２の絶縁基板、１９はバイアス用メタ
ライズ膜、２ｏはバイアス端子をボす。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁基板の第１の主面に形成された入力用、出力用導
   体膜と、前記絶縁基板の第１の主面ならびに側面および
   下面に形成された接地用導体膜と、前記出力用導体膜上
   面に固着されたトランジスタと、このトランジスタの温
   度補償用ダイオードを備えた高周波半導体装置において
   、前記トランジスタが固着された絶縁基板上に前記温度
   補償用ダイオードを固着したことを特徴とする高周波半
   導体装置。