JPH04142067A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
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- JPH04142067A JPH04142067A JP26546590A JP26546590A JPH04142067A JP H04142067 A JPH04142067 A JP H04142067A JP 26546590 A JP26546590 A JP 26546590A JP 26546590 A JP26546590 A JP 26546590A JP H04142067 A JPH04142067 A JP H04142067A
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- transistor
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- insulating substrate
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波半導体装置に係り、特に高周波トラ
ンジスタを用いた厚膜混成集積回路に関するものである
。
ンジスタを用いた厚膜混成集積回路に関するものである
。
近年、無線通信装置の電力増幅部をハイブリッド型の集
積回路装置としてモジュール化したものが多く使用され
、より小形化への要求が強まっている。
積回路装置としてモジュール化したものが多く使用され
、より小形化への要求が強まっている。
以下、この種の半導体装置について簡単に説明する。第
2図は高周波半導体装置を構成する等価回路図で、この
図において、1はトランジスタで、例えば高周波電力増
幅用npn )ランジスク(以下、単に)・ランジスタ
という)である。2はMOS(金属酸化物半導体)容量
素子で、これは一般に高周波トランジスタの入力インピ
ーダンスが極めて低いために用いられる内部整合用の素
子である。3,4は前記1−ランジスタ1にバイアスを
加えるための分圧抵抗である。5は前記トランジスタ1
の発熱に伴い熱暴走防止用の温度補償用ダイオードであ
る。6,7は高周波的に分離するためのインダクタンス
素子である。また、1−ランジスタ1と外部の入出力端
子間にはそれぞれ整合回路8が形成されている。
2図は高周波半導体装置を構成する等価回路図で、この
図において、1はトランジスタで、例えば高周波電力増
幅用npn )ランジスク(以下、単に)・ランジスタ
という)である。2はMOS(金属酸化物半導体)容量
素子で、これは一般に高周波トランジスタの入力インピ
ーダンスが極めて低いために用いられる内部整合用の素
子である。3,4は前記1−ランジスタ1にバイアスを
加えるための分圧抵抗である。5は前記トランジスタ1
の発熱に伴い熱暴走防止用の温度補償用ダイオードであ
る。6,7は高周波的に分離するためのインダクタンス
素子である。また、1−ランジスタ1と外部の入出力端
子間にはそれぞれ整合回路8が形成されている。
第3図は従来の高周波半導体装置を具体的に構成した斜
視図である。この図で、9は第1の絶縁基板で、例えば
ベリリア基板を用いる。第1の絶縁基板9上面に入力用
導体膜1oおよび出力用導体膜11がメタライズされ、
上面、側面、および下面に接地用導体膜12がメタライ
ズされている。
視図である。この図で、9は第1の絶縁基板で、例えば
ベリリア基板を用いる。第1の絶縁基板9上面に入力用
導体膜1oおよび出力用導体膜11がメタライズされ、
上面、側面、および下面に接地用導体膜12がメタライ
ズされている。
入出力用導体膜10,11には、それぞれ入力端子13
.出力端子14がろう付けされている。15はワイヤで
あり、16はこのワイヤ15のインダクタンス成分を減
少させるために形成されたブリッジである。17は第2
の絶縁基板で、例えばセラミック材からなるアルミナ基
板である。第2の絶縁基板17上面にインダクタンス成
分となるマイクロストリップライン等のインダクタンス
素子7や温度補償用ダイオード5ならびに整合回路8等
が形成されている。18は放熱効果を高めるための放熱
板である。
.出力端子14がろう付けされている。15はワイヤで
あり、16はこのワイヤ15のインダクタンス成分を減
少させるために形成されたブリッジである。17は第2
の絶縁基板で、例えばセラミック材からなるアルミナ基
板である。第2の絶縁基板17上面にインダクタンス成
分となるマイクロストリップライン等のインダクタンス
素子7や温度補償用ダイオード5ならびに整合回路8等
が形成されている。18は放熱効果を高めるための放熱
板である。
上記のように、トランジスタ1の発熱が大きな場合には
、より熱伝導の良いベリリア基板が絶縁基板として使用
されるが、高価なために絶縁基板は第1.第2の絶縁基
板9,17に分割されている。
、より熱伝導の良いベリリア基板が絶縁基板として使用
されるが、高価なために絶縁基板は第1.第2の絶縁基
板9,17に分割されている。
従来の高周波半導体装置は、以上のように構成されてい
たので、トランジスタ1と温度補償用ダイオード5の双
方の接触面積が必要となり、モジュールの小形化が進む
につれてその接触面積が問題点となっていた。
たので、トランジスタ1と温度補償用ダイオード5の双
方の接触面積が必要となり、モジュールの小形化が進む
につれてその接触面積が問題点となっていた。
また、トランジスタ1と温度補償用ダイオード5が別々
の絶縁基板上に形成されているために、トランジスタ1
の発熱に対して瞬時に温度補償用タイオード5が働かず
に、充分な温度補償が行えていなかった。
の絶縁基板上に形成されているために、トランジスタ1
の発熱に対して瞬時に温度補償用タイオード5が働かず
に、充分な温度補償が行えていなかった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、モジュールの小形化ができるとともに、よ
り良好な温度補償を行える高周波半導体装置を得ること
を目的とする。
れたもので、モジュールの小形化ができるとともに、よ
り良好な温度補償を行える高周波半導体装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る高周波半導体装置は、)・ランジスタが
固着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着し
たものである。
固着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着し
たものである。
この発明においては、トランジスタと温度補償用タイオ
ードを同一絶縁基板上に形成したことにより、モジュー
ルの小形化がはかれるとともに、速やかな温度補償が行
われる。
ードを同一絶縁基板上に形成したことにより、モジュー
ルの小形化がはかれるとともに、速やかな温度補償が行
われる。
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、19はバイアス用メタライズ膜で、バ
イアス端子20がろう付けされている。
イアス端子20がろう付けされている。
また、温度補償用ダイオード5は接地用導体膜12上面
にろう材等により固着される。
にろう材等により固着される。
上記のように、第1の絶縁基板9上に温度補償用ダイオ
ード5を形成したことにより、第3図に示す従来の第2
の絶縁基板17のダイオード用のポンディングパッドが
不要となり、モジュールの小形化が図れる。また、同一
絶縁基板上にトランジスタ1および温度補償用ダイオー
ド5を形成したことにより、)・ランジスタ1の発熱に
よる温度変化に敏感に反応し、従来よりもトランジスタ
1の安定動作がはかれ、熱暴走を防止できる良好な温度
補償が可能となる。
ード5を形成したことにより、第3図に示す従来の第2
の絶縁基板17のダイオード用のポンディングパッドが
不要となり、モジュールの小形化が図れる。また、同一
絶縁基板上にトランジスタ1および温度補償用ダイオー
ド5を形成したことにより、)・ランジスタ1の発熱に
よる温度変化に敏感に反応し、従来よりもトランジスタ
1の安定動作がはかれ、熱暴走を防止できる良好な温度
補償が可能となる。
なお、上記実施例では、厚膜混成集積回路の一部として
示してきたが、ディスクリートトランジスタとして用い
てもよい。
示してきたが、ディスクリートトランジスタとして用い
てもよい。
以上説明したように、この発明は、l−ランジスタが固
着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着した
ので、モジュールの小形化ができるとともに、より良好
な温度補償が得られる効果がある。
着された絶縁基板上に温度補償用ダイオードを固着した
ので、モジュールの小形化ができるとともに、より良好
な温度補償が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による高周波半導体装置の
斜視図、第2図は高周波半導体装置を構成する等価回路
図、第3図は従来の高周波半導体装置の斜視図である。 図において、1はl・ランジスタ、2はMO8容量素子
、5は温度補償用ダイオード、9は第1の絶縁基板、1
0は入力用導体膜、11は出力用導体膜、12は接地用
導体膜、17は第2の絶縁基板、19はバイアス用メタ
ライズ膜、2oはバイアス端子をボす。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
斜視図、第2図は高周波半導体装置を構成する等価回路
図、第3図は従来の高周波半導体装置の斜視図である。 図において、1はl・ランジスタ、2はMO8容量素子
、5は温度補償用ダイオード、9は第1の絶縁基板、1
0は入力用導体膜、11は出力用導体膜、12は接地用
導体膜、17は第2の絶縁基板、19はバイアス用メタ
ライズ膜、2oはバイアス端子をボす。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁基板の第1の主面に形成された入力用、出力用導
体膜と、前記絶縁基板の第1の主面ならびに側面および
下面に形成された接地用導体膜と、前記出力用導体膜上
面に固着されたトランジスタと、このトランジスタの温
度補償用ダイオードを備えた高周波半導体装置において
、前記トランジスタが固着された絶縁基板上に前記温度
補償用ダイオードを固着したことを特徴とする高周波半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26546590A JPH04142067A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26546590A JPH04142067A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04142067A true JPH04142067A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17417548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26546590A Pending JPH04142067A (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04142067A (ja) |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP26546590A patent/JPH04142067A/ja active Pending
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