JPH04139381A - 熱処理炉 - Google Patents

熱処理炉

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JPH04139381A
JPH04139381A JP2261816A JP26181690A JPH04139381A JP H04139381 A JPH04139381 A JP H04139381A JP 2261816 A JP2261816 A JP 2261816A JP 26181690 A JP26181690 A JP 26181690A JP H04139381 A JPH04139381 A JP H04139381A
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    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、熱処理炉に関し、特に被処理体を高温化て熱
処理するために用いる熱処理炉に関する。
（従来の技術） 熱処理炉、例えば゛ト導体ウェハの各種熱処理に使用さ
れる熱処理炉は、被熱処理体である゛１′導体ウェハを
収容する石英からなるプロセスチューブの周囲を発熱体
としてのヒータ線にて囲繞し、二のヒータ線の外側を断
熱材で覆って炉室を構成している。
この場合、プロセスチューブ内を例えば１２００℃程度
に維持しなければならないため、炉室の外周部は例えば
３００℃とかなり高熱となるので、炉室外に熱が伝わっ
て周囲が熱くなるのを可能な限り防止し周囲に影響が及
ばないようにする必要がある。
このため従来ては、例えば実公昭５３−４８５８９号公
報及び実開昭４９−３９０４４号公報に示すように、炉
室の周囲を冷却扇を用いて強制的に冷却する強制空冷方
式を採用するようにしていた。
（発明か解決しようとする課題） 上記従来の熱処理炉におけるように、炉室の周囲を冷却
扇にて強制的に冷却する強制空冷方式を採用する場合、
それほど高い冷却能力が期待てきず、冷却能力か不十分
て、炉室周囲の温度をそれほど下げることかできなかっ
た。
すなわち、炉室の周囲には通常エアパイプや各種の配線
が配設されており、これらエアパイプや各種配線に影響
が及ばないようにするには炉室周囲の温度を５０℃程度
以下に設定するのが好ましいか、上記強制空冷方式では
炉室周囲の温度を５０℃以下に下げることができす、従
って炉室周囲に配設されたエアパイプや各種配線に対す
る熱の影響は避けられないという問題があった。
また、半導体ウェハの製造は、クリーンルーム内で行な
う必要があり、このクリーンルーム内では静穏な雰囲気
に保つ必要があり、空気の撹拌なとは極力避けなければ
ならないか、上記のように強制空冷方式を採用した場合
、クリーンルーム内の空気を撹拌して半導体ウエノ＼に
悪影響を与える虞れがあるという問題があった。
そこで本発明は、炉室の周囲の温度を炉室の周囲に配し
たエアパイプや各種の配線に影響を与えない程度の温度
に維持することができ、かつクリーンルーム内の空気の
撹拌か生じず、゛（４導体ウェハの製造に悪影響を与え
ることのない熱処理炉を提供することを、その解決課題
としている。
［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 本発明は、上記課題を解決するためになしたもので、そ
の解決手段として本発明の熱処理炉は、被熱処理体を収
容する容器の周囲を発熱体にて囲繞し、 前記発熱体の外側を断熱材て覆った熱処理炉において、 前記断熱材の外側を、前記断熱材と間隔を置いて設けた
隔壁にて囲繞し、 前記断熱材と前記隔壁との間に、前記断熱材の外側を冷
却する冷却媒体の循環パイプを配設した構成としている
。
（作　用） 上記構成の熱処理炉にあっては、断熱材と、この断熱材
の外側に間隔を置いて設けた隔壁との間に、断熱材の外
側を冷却する冷却媒体の循環パイプを配設することによ
り、発熱体にて高温にされた炉室とその外側とを断熱材
にて断熱し、更に断熱材の外側あって、隔壁で囲繞され
た限られた空間内を、冷却媒体か流通する循環ツクイブ
で冷却して炉室の周囲を冷却するので、熱交換効率良く
炉室の周囲を冷却し、炉室の周囲に配設したエアパイプ
や各種の配線に影響を与えない程度の温度に、炉室周囲
の温度を設定することが可能となる。
また、冷却媒体の循環パイプで冷却するので、空気を撹
拌することなく冷却することが可能となり、クリーンル
ーム内を静穏な雰囲気に維持てき、半導体ウニｌ＼の製
造に悪影響を与えることなく冷却がなしうろこととなる
。
（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第１図〜第３図は、本発明の一実施例を示す図である。
この実施例は、半導体ウニ／’％の製造に用いる縦形の
熱処理炉を示す。
この熱処理炉は、クリーンルーム内で耐熱材料例えば石
英からなる容器のプロセスチューブ１０が例えばステン
レススチールからなるヘースプレト１２上に縦方向に立
設支持されており、このプロセスチューブ１０内には、
保温筒１８に載置された耐熱材料例えば石英からなるボ
ート２０か挿脱可能に設けられ、このボート２０の図示
しない溝部には多数枚の被処理体である半導体ウエノ１
２２か例えば１５０枚水平に等間隔に配列支持され、図
示しない処理ガス供給源より上記プロセスチューブ内に
処理ガスを供給し半導体ウニｌ＼２２に対して気相成長
処理を実行可能となっている。
なお、保温筒１８は、フランジキャ・ンプ２４上に搭載
され、このフランジキャップ２４は図示せぬエレベータ
アームに取り付けられて上下移動し、上記保温筒１８及
びホード２０を上下移動させると共に、上記プロセスチ
ューブ１０の下側に設けられたボート挿入孔２６を密封
し得るようになっている。
上記プロセスチューブ１０の外側には、発熱体として、
例えば抵抗加熱発熱線式のヒータ３０か配置され、この
ヒータ３０によってプロセスチューブ１０を囲繞するよ
うになっている。このヒタ３０は、縦形炉のトップ、セ
ンター、ボトムに別々に設けられそれぞれ別々に加熱て
きる３・／−ン方式を採用して、トップ、センター、ボ
トムの各領域の温度をそれぞれ５００〜１２００℃の範
囲で所望の温度に設定しうるようになっている。
また、ヒータ３０の外側は断熱材３４て覆ってあり、こ
の断熱材３４によって、ヒータ３０の熱か炉室１４外に
伝わるのを防止するようにしている。この断熱材３４の
外側面には金属製例えばステンレススチールの筒状のイ
ンナシェル３６が配設されている。
さらに、上記金属製のインナシェル３６の外側には、二
のインナシェル３６と一定の間隔装置いて隔壁としての
筒状をなす金属製例えばステンレススチールからなるア
ウタシェル３８を設けてインナシェル３６を囲繞し、こ
のインナシェル３６とアウタシェル３８との間に空間を
形成するようにしている。
そして、上記インナシェル３６と、アウタシェル３８と
の間に、上記断熱材の外側を冷却する冷却媒体か流通す
る循環パイプ４０を配設するようにしている。上記冷却
媒体としては例えば２０℃前後の水道水か用いられてお
り、かつ上記循環パイプ４０は例えば銅パイプが用いら
れるようになっている。
また、循環パイプ４０は、第３図に示すように、−本の
銅パイプを上下部で折り曲げて縦形の連続状に形成する
とともに、全体を筒状に形成したものとなっている。
そして、この状態に形成した循環パイプ４０を例えばス
テンレススチールのクランプ４２を図示しない取付ネジ
により上記アウタシェル３８の内側面に取付は保持させ
るようになっている。このクランプ４２は、循環パイプ
４０の上部では各循環パイプ４０の折曲部に取り付けて
循環パイプ４０を吊下げ支持すると共に、循環パイプ４
０の下部では折曲部を避けて直線部分を支持して循環パ
イプ４〔］のＦ端を解放状態にしておくことによって、
循環パイプ４０やアウターシェル３８の熱膨張、収縮に
よる上丁ノｊ向の長さ変化にχ、■応できるようにして
いる。
また、アウタシェル３８は、−枚の金属板を筒状に曲折
したもので、アウタシェル３８は、循環パイプ４０を取
り付けた状態で、インターンエル３６の外周に金属製の
ハンドにて締付けて固定され、筒形の状態を維持するよ
うにされている。
以上のごとく炉室１４は構成されており、この炉室１４
はケーシング３２内のほぼ中央に所定の間隔て設けられ
ている。また、ケーシング３２の内側および炉室１４の
外側には図示せぬがエアパイプや各種配線か配設されて
いる。
このように、断熱材の外側に設けられた金属製のインナ
ーシェル３６を循環パイプ４０に冷却水を流して冷却す
ることにより、ヒータ３ｏて発生した熱は断熱材３４を
介してインナーシェル３６に伝えられ冷却水の循環パイ
プ４０て冷却され、しかも循環パイプ４０による冷却空
間はインナシェル３６．アウタシェル３８て囲まれた限
られた空間となっているので、冷却パイプ内の冷却媒体
との熱交換を効率良く実現でき、アウターシェル３８の
外側の温度を下げることかでき、従って効率良く炉室１
４の周囲を冷却できることとなる。
その結果、炉室１４の周囲に配設したエアパイプや各種
の配線に影響を与えない程度の温度例えば５０℃以下に
、炉室１４周囲の温度を設定して炉室１４の周囲に配設
されたエアパイプや各種の配線に対する悪影響を効果的
に防止することができることとなる。
また、冷却水か流通する循環パイプ４０で冷却するので
、ケーシング３２内の空気を撹拌することなく冷却する
ことができ、図示してないケーシング３２の隙間から塵
がクリーンルーム内に飛散することなく、クリーンルー
ム内を静穏な雰囲気に維持でき、半導体ウェハ２２の製
造に悪影響を与えることなく冷却がなしうることとなる
。
第４図には他の実施例を示す。
この実施例は、横形の熱処理炉に関するもので、第４図
はその熱処理炉に用いる冷却水を流通する循環バイブ４
６及びアウタシェル４８を示している。
循環パイプ４６は、−本の銅パイプをリンク状に折り返
して、全体が筒状になるように形成している。
アウタシェル４８は、半円状の２枚の金属板５０．５２
を溶接もしくはネジ止めして、はぼ筒状になるように形
成しである。また、各々の金属板５０．５２の隣り合う
側辺には、上記循環パイプ４６の両側部の折曲げ部を受
は入れる曲折部５４が形成されている。
そして、金属板５０．５２を別体のまま、その曲折部５
４内に循環パイプ４６に両側部の折曲げ部５４を挿入し
て、金属板５０．５２を溶接もしくはネジ止めて一体化
するようにしている。
次いて、この一体化した循環パイプ４６及びアウタシェ
ル４８を横形の断熱材を覆うインナシェル上に被せ金属
製のハントで締付ければ容易に水冷構造の熱処理炉が形
成できることとなる。
なお、本発明はＬ記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施か可能である。
例えば、断熱材の外側にインナシェルを設けずに、直接
断熱材の外側にアウタシェル及び循環パイプを設けるよ
うにすることも可能である。
また、冷却媒体として水量外の液体や気体を用いること
も可能である。
さらに、循環パイプに、例えばアルミニウム製の多数の
冷却フィンを取り付けて冷却効率を向上させることも可
能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の熱処理炉は、断熱材と、
この断熱材の外側に間隔を置いて設けた隔壁との間に、
断熱材の外側を冷却する冷却媒体の循環パイプを配設す
る二ととしたため、発熱体にて高温にされた炉室とその
外側とを断熱する断熱材の外側を冷却媒体の循環パイプ
で冷却して炉室の周囲を冷却することができ、従って効
率良く炉室の周囲を冷却でき、その結果炉室の周囲に配
設したエアパイプや各種の配線に影響をゝｊえない程度
の温度に、炉室周囲の温度を設定して炉室の周囲に配設
されたエアパイプや各種の配線に灯する′悪影響を効果
的に防ｌにすることかてきるという効果かある。
また、冷却媒体の循環パイプで冷却するので、空気を撹
拌することなく冷却することかでき、クリーンルーム内
を静穏な雰囲気に維持てき、半導体ウェハの製造に悪影
響を与えることなく冷却がなしうろこととなるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る縦形の熱処理炉を示す
概略断面図、 第２図は第１図の横断面図、 第３図は第１図及び第２図に示す熱処理炉の冷却媒体の
循環パイプの状態を示す斜視図、第４図は他の実施例に
係る横形の熱処理炉に用いる冷却媒体の循環パイプの状
態を示す斜視図である。 １０・・プロセスチューブ、１４・・・炉室、２２・・
・半導体ウェハ　　３ｏ・・・ヒータ、３４・・断熱材
、　３６・・インナシェル３８．４８・・アウタシェル ４０．４６・・循環パイプ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 被熱処理体を収容する容器の周囲を発熱体にて囲繞し、 前記発熱体の外側を断熱材で覆った熱処理炉において、 前記断熱材の外側を、前記断熱材と間隔を置いて設けた
    隔壁にて囲繞し、 前記断熱材と前記隔壁との間に、前記断熱材の外側を冷
    却する冷却媒体の循環パイプを配設したことを特徴とす
    る熱処理炉。
JP2261816A 1990-09-28 1990-09-28 熱処理炉 Expired - Lifetime JP2947604B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100423203B1 (ko) * 2001-05-18 2004-03-18 주식회사 피에스티 진공 단열재를 갖는 열처리 장치
JP2013044519A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Thermonik Inc グラファイトヒーター炉

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308955A (en) * 1991-07-11 1994-05-03 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Vertical heat treatment apparatus with vented heat insulation cover means
US5536918A (en) * 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
JP2633432B2 (ja) * 1992-01-22 1997-07-23 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JPH0855810A (ja) * 1994-08-16 1996-02-27 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
JP3471100B2 (ja) * 1994-11-07 2003-11-25 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5900177A (en) * 1997-06-11 1999-05-04 Eaton Corporation Furnace sidewall temperature control system
US6198075B1 (en) * 1998-11-25 2001-03-06 Yield Engineering Systems, Inc. Rapid heating and cooling vacuum oven
US6442867B2 (en) * 2000-01-04 2002-09-03 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for cleaning a vertical furnace pedestal and cap
US7700054B2 (en) 2006-12-12 2010-04-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet
JP4971954B2 (ja) * 2006-12-12 2012-07-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置
US8023806B2 (en) * 2007-03-20 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus
US9064912B2 (en) * 2009-07-21 2015-06-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Heating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP5647502B2 (ja) * 2010-02-23 2014-12-24 株式会社日立国際電気 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法。
CN101969021A (zh) * 2010-08-05 2011-02-09 北京七星华创电子股份有限公司 保温桶及具有该保温桶的立式热处理装置
TWM413957U (en) * 2010-10-27 2011-10-11 Tangteck Equipment Inc Diffusion furnace apparatus
JP5868619B2 (ja) * 2011-06-21 2016-02-24 ニチアス株式会社 熱処理炉及び熱処理装置
WO2021092917A1 (zh) * 2019-11-15 2021-05-20 南京丰东热处理工程有限公司 一种热处理设备用保温外壳

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3240915A (en) * 1962-09-19 1966-03-15 Fostoria Corp Infra-red heater
US3387078A (en) * 1966-06-15 1968-06-04 Centigrade Systems Inc Diffusion furnace with flat recovery
US3972682A (en) * 1975-10-06 1976-08-03 Envirotech Corporation Pyrolysis furnace
US4167914A (en) * 1977-05-25 1979-09-18 Bolton-Emerson, Inc. Rotating rod, rotating press roll nip coating apparatus
US4699084A (en) * 1982-12-23 1987-10-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Apparatus for producing high quality epitaxially grown semiconductors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100423203B1 (ko) * 2001-05-18 2004-03-18 주식회사 피에스티 진공 단열재를 갖는 열처리 장치
JP2013044519A (ja) * 2011-08-24 2013-03-04 Thermonik Inc グラファイトヒーター炉

Also Published As

Publication number Publication date
KR920007122A (ko) 1992-04-28
US5171972A (en) 1992-12-15
JP2947604B2 (ja) 1999-09-13
KR0147353B1 (ko) 1998-11-02

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