JPH04137721A - フォトレジストスピンコートの方法 - Google Patents
フォトレジストスピンコートの方法Info
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- JPH04137721A JPH04137721A JP26164490A JP26164490A JPH04137721A JP H04137721 A JPH04137721 A JP H04137721A JP 26164490 A JP26164490 A JP 26164490A JP 26164490 A JP26164490 A JP 26164490A JP H04137721 A JPH04137721 A JP H04137721A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- spin coating
- photomask
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ０発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスク密着型マスクアライナ−を使用したフォ
トリソグラフィーを行うためのフォトレジストのスピン
コートの方法に関するものである。
トリソグラフィーを行うためのフォトレジストのスピン
コートの方法に関するものである。
第２図に於て、フォトレジスト２を基板３に滴下し、ス
ピンコートをかけると、フォトレジストの粘度や基板の
形状によって、基板端面付近のフォトレジストの盛り上
がりが生じる。この状態で、フォトマスク１を直接接触
させて紫外線感光を行うマスクアライナ−を用いると、
フォトマスク１は基板端面では接触しているが、バター
ニング部分（基板中央付近）がフォトマスク１に接触す
ることができなくなるため、パターンがぼやけてしまう
、特に数μｍのパターンであればその影響は大きく出る
。
ピンコートをかけると、フォトレジストの粘度や基板の
形状によって、基板端面付近のフォトレジストの盛り上
がりが生じる。この状態で、フォトマスク１を直接接触
させて紫外線感光を行うマスクアライナ−を用いると、
フォトマスク１は基板端面では接触しているが、バター
ニング部分（基板中央付近）がフォトマスク１に接触す
ることができなくなるため、パターンがぼやけてしまう
、特に数μｍのパターンであればその影響は大きく出る
。
本発明はこの様なフォトレジスト２をスピンコートした
際に生じる基板端面部分の盛り上がりを防止し、フォト
リソグラフィーの際、フォトマスク１のマスクパターン
と基板３との隙間を小さくすることを目的としている。
際に生じる基板端面部分の盛り上がりを防止し、フォト
リソグラフィーの際、フォトマスク１のマスクパターン
と基板３との隙間を小さくすることを目的としている。
口１発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
このような問題点を受けて、本発明では、フォトレジス
ト２を塗布する基板の端面部分の角を表面に対して角度
をつけて研磨して落とす事を特徴としている（第２図参
照）。このようにすることにより、スピンコート中のフ
ォトレジスト２を基板３外へ効果的に導くことができる
。また、端面部分に残った盛り上がりも基板端面の研磨
角度を選ぶことによって、相殺でき、基板３表面を基準
とした見掛上の盛り上がりはなくなる。
ト２を塗布する基板の端面部分の角を表面に対して角度
をつけて研磨して落とす事を特徴としている（第２図参
照）。このようにすることにより、スピンコート中のフ
ォトレジスト２を基板３外へ効果的に導くことができる
。また、端面部分に残った盛り上がりも基板端面の研磨
角度を選ぶことによって、相殺でき、基板３表面を基準
とした見掛上の盛り上がりはなくなる。
即ち、本発明はマスク密着型のフォトリソグラフィー装
置（マスクアライナ−）を用いるため、平面基板にフォ
トレジストをスピンコートする際、フォトレジストを塗
布する平面基板の周りの端面部分の角を表面に対して端
面部分に残る盛り上がりを相殺し基板表面を基準とした
見掛上の盛り上がりはなくなるような角度をつけて研磨
する（面取りをする）事を特徴とするフォトレジストス
ピンコートの方法である。
置（マスクアライナ−）を用いるため、平面基板にフォ
トレジストをスピンコートする際、フォトレジストを塗
布する平面基板の周りの端面部分の角を表面に対して端
面部分に残る盛り上がりを相殺し基板表面を基準とした
見掛上の盛り上がりはなくなるような角度をつけて研磨
する（面取りをする）事を特徴とするフォトレジストス
ピンコートの方法である。
〔作用〕
以上のように基板面フォトレジストの端面部分の盛り上
がりがなくなることにより、フォトリソグラフィーの際
にフォトマスクとフォトレジストが密着できるようにな
るため、露光パターンのピントずれが防止でき、マスク
パターンにより近いパターニングが可能となる。
がりがなくなることにより、フォトリソグラフィーの際
にフォトマスクとフォトレジストが密着できるようにな
るため、露光パターンのピントずれが防止でき、マスク
パターンにより近いパターニングが可能となる。
第１図は本発明を用いてスピンコートしたときのフォト
マスクとその隙間を示した断面図である。
マスクとその隙間を示した断面図である。
第１図に於て、実施例に用いた基板３はＬｘＮｂＯ３２
０Ｘ８Ｘ１．０’■罵（以下ＬＮ基板と称す）を用いた
。ＬＮ基板の大きさは必要とする大きさ（１８ｘ ６ｍ
ｍ）に対して各辺２■ずつ大きくしである。フォトレジ
スト２はヘキスト社のＡＪ１３５０Ｊを用いた。スピン
コートは、ミカサ社のＩＨ−ＤＸを用い、マスクアライ
ナ−はミカサ社のＭＡ−２０型を用いた。
０Ｘ８Ｘ１．０’■罵（以下ＬＮ基板と称す）を用いた
。ＬＮ基板の大きさは必要とする大きさ（１８ｘ ６ｍ
ｍ）に対して各辺２■ずつ大きくしである。フォトレジ
スト２はヘキスト社のＡＪ１３５０Ｊを用いた。スピン
コートは、ミカサ社のＩＨ−ＤＸを用い、マスクアライ
ナ−はミカサ社のＭＡ−２０型を用いた。
まず、 ＬＮ基板のレジスト塗布面の周りの端面を面取
り研磨した。このときの面取り度は、１．０■とした。
り研磨した。このときの面取り度は、１．０■とした。
次に基板の洗浄を行った後で、フォトレジストを滴下し
、スピンコートを行った。この時のスピンコートの条件
は次の通りである。
、スピンコートを行った。この時のスピンコートの条件
は次の通りである。
５００ＲＰＭ ５秒
↓
４０００ＲＰＭ ４０秒
このときのレジスト膜厚は、約２μｍとなるのでその露
光量に合わせた露光時間でフォトリングラフイーを行う
。使用するフォトマスクｌはＣｒ十石英板で、３μｍパ
ターンを１５μｍピッチで１０本パターニングしている
ものを用いた。
光量に合わせた露光時間でフォトリングラフイーを行う
。使用するフォトマスクｌはＣｒ十石英板で、３μｍパ
ターンを１５μｍピッチで１０本パターニングしている
ものを用いた。
その結果従来マスクの密着性不備のためパターン幅が大
幅に大きくなってしまった。（パターン幅約６μｍ）の
に対して、本発明実施例では、パターン幅約３．２μｍ
を確認することができた。従って、本発明が非常に有利
であることが分かる。
幅に大きくなってしまった。（パターン幅約６μｍ）の
に対して、本発明実施例では、パターン幅約３．２μｍ
を確認することができた。従って、本発明が非常に有利
であることが分かる。
ハ１発明の効果
〔発明の効果〕
以上、上述のように基板の面にフォトレジストをスピン
コートした際に基板面フォトレジストの端面部分の盛り
上がりがなくなり、且つフォトリソグラフィーの際、フ
ォトマスクとフォトレジストが密着し、露光パターンの
ピントずれがなくなった。
コートした際に基板面フォトレジストの端面部分の盛り
上がりがなくなり、且つフォトリソグラフィーの際、フ
ォトマスクとフォトレジストが密着し、露光パターンの
ピントずれがなくなった。
第１図は本発明を用いてスピンコートしたときのフォト
マスクとその隙間を示した断面図。 第２図は従来の方法でスピンコートしたときのフォトマ
スクとその隙間を示した断面図。 １・・・フォトマスク、２・・・フォトレジスト、３・
・・基板。
マスクとその隙間を示した断面図。 第２図は従来の方法でスピンコートしたときのフォトマ
スクとその隙間を示した断面図。 １・・・フォトマスク、２・・・フォトレジスト、３・
・・基板。
Claims (1)
- １、マスク密着型のフォトリソグラフィー装置（マスク
アライナー）を用いるため、平面基板にフォトレジスト
をスピンコートする際、フォトレジストを塗布する平面
基板の周りの端面部分の角を表面に対して端面部分に残
る盛り上がりを相殺し基板表面を基準とした見掛上の盛
り上がりはなくなるような角度をつけて研磨する（面取
りをする）事を特徴とするフォトレジストスピンコート
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26164490A JPH04137721A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | フォトレジストスピンコートの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26164490A JPH04137721A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | フォトレジストスピンコートの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137721A true JPH04137721A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17364766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26164490A Pending JPH04137721A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | フォトレジストスピンコートの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137721A (ja) |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26164490A patent/JPH04137721A/ja active Pending
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